「dislocation」を含む例文一覧(2158)
＜前へ 1 2 .... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 .... 43 44 次へ＞- When a wafer 3b is carried into the wafer cassette out of the plural wafers 3, a wafer 3c causes dislocation with the passage of the rear of a robot hand 2 which makes contact with the wafer 3c, caused by the dislocation on standing of the stop position of the robot hand 2, the distortion of the wafer cassette, or the like.
複数のウエハ３のうちのウエハ３ｂをウエハカセットに搬入する際に、ロボットハンド２の停止位置の経時的な位置ずれや、ウエハカセットの歪みなどが原因でロボットハンド２の裏面がウエハ３ｃに接触することによりウエハ３ｃが位置ずれを起こしている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor process simulation device which adopts an impurity diffusion model under the consideration of a dislocation loop for reducing a time and labor required for extracting the physical quantity of the dislocation loop from a transmission electron microscope picture.
転位の輪を考慮に入れた不純物拡散モデルを取り入れた半導体プロセスシミュレーション装置において、転位の輪の物理量を透過電子顕微鏡写真から抽出する時間と労力を低減した半導体プロセスシミュレーション装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To make common a bobbin support including a gear part transmitting the driving force, fabricate at low cost only several sorts of dislocation preventive caps complying with different winding widths of articles to be wound, and reduce the cost corresponding to the bobbin of a winding frame made common through selection of the dislocation preventive cap.
駆動力を伝えるギヤ部を含む巻芯支持体を共通化し、被巻取品の異なる巻幅に応じた数種類の巻ずれ防止キャップのみを安価に制作し、巻ずれ防止キャップの選択により共通化された巻枠の巻芯に対応してコスト削減を図る。 - 特許庁 - The pebble bed fuel element having an excellent concentricity of the core is manufactured by measuring the direction and magnitude of the dislocation of the center of the core to the center of the pebble, relatively dislocating the machining position of the pebble according to the direction and magnitude of the dislocation and machining the pebble to correct the concentricity of the core.
ペブル中心とコア中心とのずれの方向と大きさとを測定し、このずれの方向と大きさとに相応してペブルに対する切削位置を相対的に変位してペブルを切削してコアの同心度を矯正してコア同心度の良好なペブルベッド型燃料要素を製造する。 - 特許庁 - To prevent the dislocation of a frame body provided on the outer peripheral part of the upper face of an insulation board and connect a bonding wire at the prescribed position of a wiring conductor by easily confirming the direction and amount of the dislocation of the wiring conductor and the inner peripheral edge of the frame body.
配線導体と枠体の内周縁との位置ずれの方向と量を容易に確認できるようにすることで、絶縁基板上面の外周部に設けられた枠体の位置ずれを防ぎ、配線導体の所定の位置にボンディングワイヤを接続できるようにすること。 - 特許庁 - The interval between the flange part 7 and dislocation preventing fastening edge 8 is of approximately the same size as the sum of the wall thickness of the upper frame and the thickness of furring strips to be arranged on the upper frame, and the tip of the dislocation preventing edge 8 is protruded to the outer circumference more than the fastening protrusions 11.
鍔部７と抜け止め係止縁８との間の間隔を上記上枠の肉厚と上枠の上に配置する胴縁の肉厚との和の厚さと略同じ寸法にすると共に抜け止め係止縁８の先端を係当突条１１により外周に突出させる。 - 特許庁 - In addition, since growth occurs in the lateral direction so as to fill the recessed parts on the surface of the first layer 21, the dislocation D taken over from the layer 21 is bent in the horizontal direction, and the density of the dislocation D propagated to the surface of the second layer 22 is largely reduced.
また、第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝搬される転位Ｄの密度が大きく低減する。 - 特許庁 - A quantity of dislocation G between the obtained center position Or and a predetermined ideal clamp position Oi is found, and when the quantity of dislocation G is within a preset range, the work W is determined to be properly clamped by the clamp arms 5, 6 and then it is actually clamped.
こうして得られた中心位置Ｏｒと、予め定められた理想把持位置Ｏｉとの位置ズレ量Ｇが求められ、この位置ズレ量Ｇが所定の範囲内にあるときは、クランプアーム５・６でワークＷを適切に把持できると判断し、実際に把持動作を行わせる。 - 特許庁 - The nitride semiconductor laser device 1 comprises a nitride semiconductor substrate 101 which has a dislocation concentrated region 102 and a wide-area low dislocation region and has its front surface inclined at an angle ranging between 0.3 and 0.7°with recpect to the c-surface, and a nitride semiconductor layer 104 laminated thereon.
窒化物半導体レーザ素子１は、転位集中領域１０２と広い低転位領域とを有し、その表面をｃ面に対して０．３〜０．７°の範囲で傾斜させた窒化物半導体基板１０１とその上に積層された窒化物半導体層１０４より成る。 - 特許庁 - Highly dense defects (threading dislocation) 12 are introduced into the Ge epitaxial film 11 from the interface with the Si substrate 10, and the threading dislocation 12 is converted into Rupe rearrangement defects 12' in the vicinity of the Si substrate interface by applying a heat treatment to the Ge epitaxial film 11 at a temperature of 700-900°C.
Ｇｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥（貫通転位）１２が導入されるが、Ｇｅエピタキシャル膜１１に７００乃至９００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁 - To provide a woven fabric for an airbag, hardly causing dislocation of texture and dislocation of the stitch of a sewed part, having excellent physical characteristics such as a tensile strength while being lightweight, and especially suitable for coating finish because of the flatness of the surface, and having excellent expansion properties, and to provide the airbag using the fabric.
軽量でありながら、組織ズレ、縫製部の縫い目ズレが少なく、引張強力などの物理特性に優れ、かつ表面が平坦であるため、特に被覆加工に適しており、また展開性能にも優れたエアバッグ用織物ならびに該織物を用いたエアバッグを提供する。 - 特許庁 - In this process, in the upper of the part where the second group III nitride-based compound semiconductor 32 is grown laterally in epitaxial manner, propagation of through dislocation which group III nitride-based compound semiconductor layer 31 has is restrained and a region where through dislocation is reduced can be made in the filled steps.
このとき第２のIII族窒化物系化合物半導体３２が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、III族窒化物系化合物半導体層３１が有する貫通転位の伝搬が抑制され、埋められた段差部分に貫通転位の軽減された領域を作ることができる。 - 特許庁 - The battery structure has a member of preventing dislocation of a battery rubber 13 for preventing the dislocation of a battery rubber 12 to an opening side, wherein a bottom plate 111 has an opening 111a at a part facing the rubber 12 and at least a part of the member 13 is entered into the opening 111a of the plate 111.
底板１１１が、電池ゴム１２に対向する部分に開口１１１ａを有するものであり、少なくとも一部分が底板１１１の開口１１１ａ内に入り込んだ、電池ゴム１２の開口側へのずれを防止する電池ゴムずれ防止部材１３を備えた。 - 特許庁 - The positional dislocation absorbing mechanism 22 is provided with a sucking cylinder 32 for sucking and holding the microscopic diameter lens via the sticking pan, and when delivering the microscopic diameter lens to the work head 13 from the sucking cylinder 32, the microscopic diameter lens is delivered by absorbing positional dislocation of the microscopic diameter lens to the work head 13.
位置ズレ吸収機構２２には、微小径レンズを貼り付け皿を介して吸着保持する吸着筒３２を設け、吸着筒３２からワークヘッド１３に微小径レンズを受け渡すときに、微小径レンズのワークヘッド１３に対するを位置ズレを吸収して受け渡す。 - 特許庁 - To provide a new epitaxial substrate capable of forming a group III nitride layer group superior to a crystallinity at low dislocation, especially an Al included nitride layer group and a semiconductor laminated structure using the same, and to provide a method for decreasing a dislocation of the group III nitride layer group to be formed.
低転位で結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物層群、特にはＡｌ含有窒化物層群を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板及びこれを用いた半導体積層構造を提供するとともに、形成すべきＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of producing a silicon single crystal, by which the silicon single crystal is cut off from a melt in a dislocation-free state with a high percentage of success.
シリコン単結晶を高い成功率で無転位状態で融液から切り離す方シリコン単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁 - To detect, with high precision, the positions of two members in linear relative movement by decreasing both a dislocation error and return error at the same time.
位置ずれ誤差と戻り誤差の両者を同時に少なくして、相対的に直線移動する２部材の位置を高精度に位置を検出する。 - 特許庁 - To allow a knob to smoothly return to an original position after its pressing operation even when installation dislocation is caused in a switch mounted on a bracket.
ブラケットに取り付けたスイッチに組み付け上の位置ずれが発生しても、ノブを押圧操作した後、元の位置への円滑なノブ戻りを可能とする。 - 特許庁 - Lateral dislocation detecting sensors 12b are disposed in positions close to the right and left end parts of the shutter curtain 2 wound on the winding shaft 8.
また、巻き取りシャフト８に巻き取られたシャッターカーテン２の左右端部に近接する位置に、横ずれ検出センサ１２ｂが配置されている。 - 特許庁 - To precisely measure shaft center dislocation of a drilling hole without influence by rotating vibration as well as without stopping rotation of an auger screw.
オーガスクリューの回転を停止させることなく、しかも回転振動による影響を受けずに穿削孔の軸心ずれを精度良く計測する。 - 特許庁 - To provide an elevator shaft dislocation sensing device for a base isolation building assuring an accurate operation with a simple constitution and capable of being installed easily.
簡易な構成であって正確に動作し、かつ容易に設置することができる免震建築のエレベーター昇降路ずれ検出装置を得る。 - 特許庁 - To provide a sling mat, capable of stably holding a baby without excessively compressing the body while preventing hip dislocation.
股関節脱臼を防止するとともに、身体を過剰に圧迫することなく安定した幼児保持を行えるスリング用の敷材を提供する。 - 特許庁 - To provide a new semiconductor light emitting element which can be used suitably as a white LED, regardless of the magnitude of dislocation density.
転位密度の大小に関係なく、白色ＬＥＤとして好適に使用することが可能な新規な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a drainage connecting pipe absorbing the dislocation occurring at the execution of a drainage apparatus without using a flexible pipe such as a bellows pipe.
排水機器の施工時に生じる位置ズレを吸収する排水接続管を、蛇腹管等の可撓管を用いることなく提供する。 - 特許庁 - To obtain a correct fitting state by correcting dislocation of the axis even when the axis of both connectors is dislocated like bending.
両コネクタの軸線が折れ曲るようにずれている場合でも、軸線のズレを補正して、正しい嵌合状態を得ることができるようにする。 - 特許庁 - The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.
本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁 - To perform double storage prevention, different-type substrate mix prevention, direction error prevention, and alignment by detecting the presence, size, direction, dislocation, and thickness of a glass substrate.
ガラス基板の有無、サイズ、方向、位置ズレ、厚みを検出して二重収納防止、異種基板混入防止、方向違い防止、アライメントを行う。 - 特許庁 - To highly accurately machine a concave spherical surface by preventing dislocation of a spherical tool when machining a workpiece to form the concave spherical surface by the spherical tool.
被加工物に対し、球状工具によって凹球面を加工する際に、球状工具のずれを防止して高精度に加工を行う。 - 特許庁 - In this case, an area having a low dislocation region is formed in the upper part of the convex part where the facet plane was formed, and the prepared film has high quality.
この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 - 特許庁 - When the tension member coating 20 comprises a spongy material, dislocation between the tension member 2 and the linear materials 4, 5, 6 is suppressed.
また、テンションメンバ被覆２０がスポンジ状の材料からなることにより、テンションメンバ２と線材４、５、６との間のずれがより生じにくくなる。 - 特許庁 - Consequently, the end part of the sheet bundle So is certainly inserted in the stitching part of the staple unit 80, and needle dislocation and unconformity of the sheet bundle So are restrained.
これにより、シート束の端部をステイプルユニットの綴じ部間に確実に挿入され、かつシート束の針位置ズレ、整合ズレが抑えられる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor light emitting element including a semiconductor layer with a low dislocation density and a high crystal quality, and having excellent light emitting efficiency.
転位密度が小さくて結晶品質が高い半導体層を備え、しかも発光効率の優れる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - To provide assembly parts for a vehicle which can assuredly prevent a dislocation between a vehicle side fixing hole and a parts side fixing hole.
車両側固定用穴部と部品側固定用穴部との位置ずれを確実に防止することができる車両用組付部品を提供する。 - 特許庁 - To provide a battery storage device of a simple structure preventing the dislocation of a battery lid from a storage casing due to charging of a battery.
電池装填による電池蓋の収納筐体からのずれ発生が防止され、その構造も簡単である電池収納装置を提供する。 - 特許庁 - To improve the precision of the printing position of each color by measuring the quantity of dislocation of an image and to self-adjust the quantity of the printing position.
画像位置ずれ量の計測を行うことにより各色の印刷位置の精度向上をはかり、画像位置ずれ量の自己調整を行う。 - 特許庁 - To provide an inspection method and a device in which dislocation of the aggregate of electrode terminals for sealing can be inspected and discriminated precisely and in mass production way.
封口用電極端子系集合体の位置ズレを精度よく、かつ量産的に検査・判別できる検査法及び装置の提供。 - 特許庁 - To prevent generation of dislocation to the inside of a crossover effectively without need for an extra additional space.
余分な増加スペースを必要とすることなく、渡り線の内方へのずれを効果的に防止することができるインナーロータ型ステータを提供する。 - 特許庁 - To continuously arrange a stopper member constituting a lock mechanism in a gas spring, in a tip part of a cover body similarly constituting the gas spring, without positional dislocation.
ガススプリングにおけるロック機構を構成するストッパ部材を同じくガススプリングを構成するカバー体の先端部に位置ズレなく連設させる。 - 特許庁 - This enables to eliminate substantially a dislocation of the opening timing of the purge control valve even though a variation exists in the source voltage and/or coil temperature.
このようにすれば、電源電圧の変動やコイル温度の変化があっても、パージ制御弁の開弁タイミングのずれをほぼ無くすことができる。 - 特許庁 - To provide a group III nitride crystal having a low dislocation density on the crystal growth plane after the crystal is grown and to provide a growing method of the crystal.
結晶成長後の結晶成長面の転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶およびその成長方法を提供する。 - 特許庁 - To produce a semiconductor device with high efficiency, which is formed of semiconductor crystal that is free from cracks, low in dislocation density, and high in quality and superior in characteristics.
クラックが無く、転位の密度が低い高品質の半導体結晶から成る、特性の良好な半導体素子を効率よく生産する。 - 特許庁 - To provide a method for growing Al_xGa_1-xN crystals by which large crystals having low dislocation density can be prepared, and to provide Al_xGa_1-xN crystal substrates.
大型で転位密度の低い結晶が得られるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。 - 特許庁 - To suppress the occurrence of dislocation between the actual rotational position of a stepper motor and the rotational position detected on the basis of the working amount of the stepper motor.
ステップモータの実回転位置とステップモータの作動量に基づいて検出される回転位置との間におけるズレの発生を抑制する。 - 特許庁 - A finisher control part 501 calculates a lateral dislocation quantity Xf based on a detection result of a lateral registration detection sensor 104, to be transmitted to the stacker 400.
フィニッシャ制御部５０１は、横レジ検知センサ１０４の検知結果に基づいて横ずれ量Ｘｆを算出し、スタッカ４００へ送信する。 - 特許庁 - To obtain a method for manufacturing an SOI wafer capable of avoiding occurrence of a damage of a support substrate for causing a thermal crack of the wafer or a slip dislocation.
ＳＯＩウェハの熱割れの原因となる支持基板の傷やスリップ転位の発生を回避し得るＳＯＩウェハの製造方法を得る。 - 特許庁 - The dislocation controlling seed crystal 10, the method for producing the seed crystal, and the production method of a SiC single crystal using the seed crystal are configured as follows.
以下の構成を備えた転位制御種結晶１０及びその製造方法、並びにこれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法。 - 特許庁 - When dislocation between halved substrate marks 12 and halved mask marks 22 is a prescribed value or below, exposure is performed separately in the regions AB and CD.
２分割基板マーク１２と２分割マスクマーク２２のズレが所定値以下の場合には、領域ＡＢと領域ＣＤにわけて露光を行う。 - 特許庁 - The metal shell 12 and the front shell 20 are both fixed to the housing 2, to eliminate the possibility of relative dislocation between both shells 12, 20.
メタルシェル１２およびフロントシェル２０ともハウジング２に固定されているので、両シェル１２、２０の相対的な位置ずれが生じる虞がない。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having low-density dislocation on which a lattice-relaxed SiGe layer of a high Ge composition is formed.
転位密度の低い、かつ格子緩和した高Ｇｅ組成のＳｉＧｅ層が形成された半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To improve the performance of a light-emitting element and make its service life long by forming a III nitride semiconductor layer, having no dislocation on a substrate.
基板上に転位を発生していないＩＩＩ族窒化物半導体層を形成して、発光素子の性能向上や長寿命化を図る。 - 特許庁
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