「dislocation」を含む例文一覧(2158)
＜前へ 1 2 .... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 .... 43 44 次へ＞- To suppress dislocation of the natural frequency of a vibration-damping body from the natural frequency of a structure even when the displacement amount of the vibration-damping body becomes large.
制振体の変位量が大となる場合にも、制振体の固有振動数の構造物の固有振動数からのずれを抑制する。 - 特許庁 - To properly rotate a large cover, when opening and closing an opening part of an engine enclosure, by restraining positional dislocation of the large cover relative to a small cover.
小カバーに対する大カバーの位置ずれを抑え、建屋カバーの開口部を開，閉するときに大カバーを適正に回動させる。 - 特許庁 - To provide a cover for preventing dislocation of a Futon and penetration of cold air from the foot side of the Futon when a user turns from side to side while sleeping.
ねている最中に寝返りをうってもふとんがずれたり、冷気が足元から侵入することを防ぐカバーを提供する。 - 特許庁 - To enhance the strength of resistance of a lid member against dislocation thereof without increase in size of a bearing device and deterioration in bearing performance thereof.
軸受装置の大型化や軸受性能の低下を回避しつつ、蓋部材の耐抜け強度の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁 - To provide an image forming apparatus, which is configured to reduce dislocation of landing positions of droplets without forming a discharge surface in a curved surface shape.
吐出面を曲面形状に形成することなく液滴の着弾位置のずれを抑制する画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a Pachinko machine allowing an operator to immediately find the dislocation of a component if the mounting position of the component is dislocated relatively to a game board of the Pachinko machine.
遊技盤に対する構成部品の取付位置がずれていた場合にすぐに位置ずれが判明するパチンコ機を提供する。 - 特許庁 - Therefore, the recess portion 13b is covered with the upper layer portion 13c, a void portion 13b1 is formed at the end of each through-dislocation D1.
従って、上層部１３ｃが凹部１３ｂの上を覆い、個々の貫通転位Ｄ_1 の終端に空間部１３ｂ_1 が形成される。 - 特許庁 - By the positional regulation of an engagement part 65, positional dislocation d between the stamper mold 60 and the substrate 50 accompanied by contraction during cooling is suppressed.
この嵌合部６５の位置規制により、冷却時の収縮に伴うスタンパ金型６０と基板５０との位置ずれｄを抑制する。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for molding a synthetic resin which can precisely mold molding parts on a substrate by suppressing positional dislocation.
位置ずれを抑制して、基板に成形部を高精度で成形することができる合成樹脂の成形方法および装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical device in which dislocation due to expansion of air is prevented in fixing an optical element on a holder by high temperature treatment.
光学素子を高温処理にてホルダーに固定する場合に空気の膨張によるずれ浮きを防止した光デバイスを提供する - 特許庁 - To improve measuring accuracy and a measuring speed of a dislocation quantity from a joining target position of a member joined to a measuring object.
測定対象物に接合されている部材の接合目標位置からのずれ量の測定精度および測定速度の向上 - 特許庁 - To provide a means for reducing dislocation by thigh rotation in a prosthetic hip joint system relating to the morphology of thigh components.
本発明は、人工股関節システムの大腿コンポーネントの形態に関するもので、大腿回旋による脱臼を減少させるものである。 - 特許庁 - The resultant metal magnetic particle has ≥11,850 A/m (150 Oe) coercive force before heat treatment and ≤450°C dislocation start temperature.
得られる金属磁性粒子は熱処理前で保磁力が１１８５０Ａ／ｍ（１５０Ｏｅ）以上であり、転位開始温度が450℃以下である。 - 特許庁 - According to this, by regulating the dislocation of the translucent substrate, an optical lens having a desired curvature can be produced.
これによれば、透光性基板の変位量を調整することにより、所望の曲率を有する光学レンズを製造することができる。 - 特許庁 - If a dislocation occurs between the two surfaces 1A and 1B about the cutting line 3 as the boundary, the sleeve reduces in the diameter to allow easy insertion into the pipes.
切断線３を境に両分割面１Ａ，１Ｂの間にずれが生じると、スリーブが縮径して容易に管内に挿入できる。 - 特許庁 - In this case, the quality of the formed film is improved, because low-dislocation regions are formed above the protrusions on which the facet surfaces are formed.
この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 - 特許庁 - Consequently, the penetration dislocation density of the strained Si layer 14 epitaxially grown on the substrate 11 is reduced significantly.
その結果、シリコン・ゲルマニウム基板１１上にエピタキシャル成長させる歪みＳｉ層１４の貫通転位密度は、大幅に低減される。 - 特許庁 - To provide a method for producing a fluoride crystal where the dislocation density of the fluoride crystal can be measured nondestructively and accurately.
フッ化物結晶の転位密度を非破壊に精度良く測定することができるフッ化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The spacer 30 stabilizes the temporary scaffold 1 by restraining axial dislocation between the body leg 8 and the slide leg 9 while securing the clearance K1.
スペーサー３０は隙間Ｋ１を確保しつつ本体脚８とスライド脚９との軸ずれを抑制し、仮設足場１を安定させる。 - 特許庁 - To provide a method for producing a silicon wafer for epitaxial substrate, which suppresses generation of automatic doping and misfit dislocation in epitaxial growth.
エピタキシャル成長時のオートドーピングおよびミスフィット転移発生を抑制するエピタキシャル基板用シリコンウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor layer 20 is grown on the basis of the species crystal part 11a and has the lateral growing area of low dislocation density.
半導体層２０は種結晶部１１ａを基礎として成長し、転位密度が低い横方向成長領域を有している。 - 特許庁 - In a plane view of a semiconductor device 2, a switching structure is formed in a range wherein the low dislocation density region 19 exists.
半導体装置２では、平面視したときに、低転位密度領域１９が存在する範囲にスイッチング構造体が形成されている。 - 特許庁 - To provide an optical film having small variations in in-plane retardation (Re) and in dislocation of a slow axis and having a small absolute value for the photoelastic coefficient.
面内レタデーション（Ｒｅ）、遅相軸のずれのバラツキが小さく、光弾性係数の絶対値が小さい光学フィルムを提供する。 - 特許庁 - To dynamically measure a displacement magnitude as a dislocation of a primary lid and a secondary lid relative to a container body upon a cask drop.
キャスク落下時における１次蓋および２次蓋の容器本体に対するズレである変位量を、動的に測定できるようにすること。 - 特許庁 - To provide a structure for reducing the dislocation density of an SIMOX which is a silicon insulator SOI substrate produced by ion implantation.
イオン注入により作られるシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板である、ＳＩＭＯＸの転位密度を減少させる構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a chair for straightening a posture by preventing or straightening longitudinal and lateral dislocation of the right and left ischial bones with respect to a backrest.
背もたれに対し左右の坐骨の前後左右のズレを予防または矯正することにより姿勢を正しくする椅子を提供する。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor substrate wherein a thick nitride semiconductor film can be grown on a substrate and generation of penetrating dislocation is reduced.
基板上に窒化物半導体を厚膜成長が可能であり、貫通転位を低減させた窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁 - To grow a nitride semiconductor thick on a different type substrate, and to obtain the nitride semiconductor in which a penetration dislocation is decreased.
異種基板上に窒化物半導体を厚膜成長させ、貫通転位を低減させた窒化物半導体を得ることを目的とする。 - 特許庁 - To provide a group III nitride semiconductor epitaxial substrate in which the penetration dislocation to a perpendicular direction is inhibited and the crystal quality is excellent.
垂直方向への貫通転位が抑制されて、結晶品質が優れたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁 - To form a (non-defect) III-V compound semiconductor layer in which dislocation is completely eliminated on a silicon single crystal substrate.
シリコン単結晶基板上に完全に転位をなくした（無欠陥の）III −Ｖ族化合物半導体層を形成することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a forming method of a nitride semiconductor, which enables formation of a thin nitride semiconductor layer of low dislocation.
薄い厚みで、かつ、低転位の窒化物系半導体層を形成することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To improve reliability of a semiconductor element comprising a hetero junction structure by decreasing penetrating dislocation density penetrating in the growth direction.
ヘテロ接合構造を有する半導体素子において、成長方向に貫通する貫通転位密度を減少し、信頼性を高める。 - 特許庁 - Additionally, defects, such as the penetration dislocation, are set to be the element separation surfaces, thus easily forming an element end face with a small amount of damage.
貫通転位などの欠陥を素子分離面とすることで容易に且つ損傷の少ない素子端面を形成することができる。 - 特許庁 - To provide an indicator for an automatic transmission which conceals dislocation of the indicator for the automatic transmission and a center console without increasing a cost.
原価が高騰することなく、自動変速機用インジケータとセンターコンソールとの位置ずれを隠した自動変速機用インジケータを提供する。 - 特許庁 - To provide a socket for an electrical component in which a rotating axis can be easily fixed without any press-fitting operation and can prevent dislocation.
回動軸を圧入作業が必要なく、簡単に配設できて、抜止めを行うことができる電気部品用ソケットを提供する。 - 特許庁 - Hereby, the dislocation between the current sensor 33 and the bus bar 32 is hard to occur, and the parts count and the manhour in assembly are curtailed.
これによって、電流センサー３３とバスバー３２との位置ずれが生じにくくなり、部品点数および組立工数が削減される。 - 特許庁 - It is geometrically impossible for a dislocation which is threading the foil from top to bottom to escape from the foil except at an edge.
薄片の頂上から底まで通り抜けている転位が薄片から逃げることは、(試料の)端を除いては幾何学的に不可能である。 - 科学技術論文動詞集 - To form a high resolution patterns without a pattern dislocations, even though the dislocation of a substrate occurs, while continuously carrying the substrate.
基板を連続的に搬送させている間に基板の位置ずれが生じてもパターンずれを生じず、高解像度のパターンを形成させる。 - 特許庁 - To provide a steering device for a vehicle equipped with a variable gear ratio actuator capable of correcting a neutrality dislocation without giving a sense of incongruity to the driver.
可変ギア比アクチュエータを備えた車両用操舵装置において、運転者に違和感を与えることなく中立ズレを修正する。 - 特許庁 - In this case, in the upper part of the epitaxially grown part in the transverse direction, propagation of the through-current dislocation is suppressed and an area reduced in the through- current dislocation can be formed on the buried step parts.
このとき第２のIII族窒化物系化合物半導体３２が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、III族窒化物系化合物半導体層３１が有する貫通転位の伝搬が抑制され、埋められた段差部分に貫通転位の軽減された領域を作ることができる。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device includes on a substrate 10 a group III-V nitride semiconductor layer 30 composed of a low defect region 30A made of a crystal having first average dislocation density and of a high defect region 30B made of a crystal having a higher second average dislocation density than the first one.
基板１０上に、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域３０Ａと、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる高欠陥領域３０Ｂとを有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０を備える。 - 特許庁 - A very deep etch pit 1b is formed in the position corresponding to a leak portion by performing molten KOH etching and the like after Al ion implantation and activation annealing, based on findings that a dislocation causing leak such as a drain leak of a vertical MOSFET is a threading screw dislocation.
縦型ＭＯＳＦＥＴのドレインリークなどのリークを引き起こす転位は貫通らせん転位であるということに基づき、Ａｌイオンの注入および活性化アニール後に溶融ＫＯＨエッチング等を行うことにより、リーク部に相当する場所に非常に深いエッチピット１ｂを形成する。 - 特許庁 - To realize a high quality strain-silicon substrate which prevents a defective crystal caused by dislocation of a silicon-germanium layer, by preventing an occurrence of the dislocation by an epitaxial growth of the silicon-germanium layer on the strain silicon substrate, and to provide a semiconductor device which uses the strain silicon substrate.
歪シリコン基板のシリコン・ゲルマニウム層をエピタキシャル成長することによる転位の発生を回避し、このシリコン・ゲルマニウム層の転位に起因する結晶欠陥の回避された良質な歪シリコン基板を実現し、また歪シリコン基板を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To drastically reduce the defect density of a structure defect in a semiconductor layer, especially the dislocation density of through dislocation, without requiring complex processes, when forming a thin film such as GaN and a thick-film semiconductor layer on a substrate or the like made of each kind of material.
各種の材料からなる基板上などにＧａＮなどの薄膜や厚膜の半導体層を形成する場合において、煩雑な工程を必要とすることなしに、当該半導体層中の構造欠陥の欠陥密度、特に、貫通転位の転位密度を大幅に低減させる。 - 特許庁 - The density of the Basal Plane dislocation in the semiconductor substrate 101 is set to 10^4cm^-2 or more, and the density of Basal Plane dislocation in the section faced to the gate electrode 113 on the surface of the semiconductor layer 102 is set to 10^3cm^-2 or less.
半導体基板１０１におけるＢａｓａｌ Ｐｌａｎｅ転位の密度は１０^４ｃｍ^−２以上であり、半導体層１０２の表面のうちゲート電極１１３に対向する部分におけるＢａｓａｌ Ｐｌａｎｅ転位の密度は１０^３ｃｍ^−２以下である。 - 特許庁 - The method for manufacturing a group III nitride crystal substrate 20 includes a preparation step, a growth step and a removal step, wherein the dislocation density on a surface 20a in the removed side is lower than the dislocation density on a surface 20b opposite from the surface 20a in the removed side.
ＩＩＩ族窒化物結晶基板２０の製造方法は、準備工程と、成長工程と、除去工程とを備え、除去された側の面２０ａの転位密度が除去された側の面２０ａと反対側の面２０ｂの転位密度よりも低いことを特徴としている。 - 特許庁 - To provide manufacturing equipment for sheet metals which prevents the dislocation of holes as a first subject, and enables the production of box-type parts with high accuracy without the dislocation of holes and springback of bent portions as a second subject.
本願発明の第１の課題は、穴の位置がずれない板金物の製造装置を提供することであり、第２の課題は穴の位置がずれず、且つ曲げられた部位がスプリングバックすることなく、高精度な箱状部品が得られる板金物の製造装置を提供することである。 - 特許庁 - To provide an inkjet recording device which can correct the inclination or dislocation of the recording head by detecting the inclination or dislocation of the recording head by using a pattern prepared by a simpler control method and varying recording timing in accordance with the result of the detection.
より簡易的な制御方法で作成することが可能なパターンを用いて記録ヘッドの傾き量、或いはずれ量を検出し、その検出結果に応じて記録タイミングを変えることで記録ヘッドの傾き或いはずれを補正することができるインクジェット記録装置を提供すること。 - 特許庁 - Preferably, the dislocation defect density of a second clad layer 5 composed of an n-type gallium nitride series semiconductor forming a part of an underlaying layer of the active layer 6 is 10^9 to 10^11/cm^2, and preferably, the gap of a dislocation defect in the second clad layer 5 is 120 to 170 nm.
活性層６の下地層の一部をなすｎ型窒化ガリウム系半導体からなる第２クラッド層５の転位欠陥密度が１０^９〜１０^１１／ｃｍ^２であることが好ましく、第２クラッド層５における転位欠陥の間隔が１２０〜１７０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a GaN-based semiconductor epitaxial substrate, in which a GaN-based semiconductor with a low dislocation density (of, for example, ≤10^5/cm^2) is epitaxially grown by reducing threading dislocation caused when the GaN-based semiconductor is grown on a hetero-substrate.
異種基板上にＧａＮ系半導体を成長させることにより発生する貫通転位を低減し、低転位密度（例えば、１０^５／ｃｍ^２以下）のＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させることができるＧａＮ系半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
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