「dislocation」を含む例文一覧(2158)
＜前へ 1 2 .... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 .... 43 44 次へ＞- To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal whose dislocation density is low even if the crystal is grown thickly.
結晶を厚く成長させても、転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the structure of a semiconductor crystal substrate which suppresses the propagation of a dislocation to an active layer from a GaAs substrate.
ＧａＡｓ基板からの能動層への転位の伝播を抑止する半導体結晶基板の構造を提供すること。 - 特許庁 - In this way, the SiC growth layer 4 having the surface including no threading screw dislocation 1a can be obtained.
これにより、貫通らせん転位１ａが存在しない表面を有するＳｉＣ成長層４を得ることが可能となる。 - 特許庁 - Therefore, the photoelectric conversion layer 5, in which dislocation is restrained, can be formed on the photoelectric conversion substrate 2.
そのため、光電変換基板２上に、転位の発生を抑制した光電変換層５を形成することができる。 - 特許庁 - To provide a method where a nitride semiconductor single crystal having a small dislocation density can be manufactured by a simple and easy way.
転位密度が小さい窒化物半導体単結晶を簡便な方法で製造する方法を提供すること。 - 特許庁 - To enable a high-purity semiconductor crystal uniformly reduced in dislocation density to be more easily manufactured than ever.
均一に転位密度を減少させた高純度の半導体の結晶を、従来より容易に製造できるようにする。 - 特許庁 - Consequently, the temperature drop of the silicon substrate hardly occurs, and the occurrence of slipping dislocation can be suppressed effectively.
その結果、シリコン単結晶基板の温度低下は殆ど起こらなくなり、スリップ転位の発生を効果的に抑制できる。 - 特許庁 - The collar 3 resists propulsion received from the asphalt finisher 7, and prevents dislocation and turning-up of the protection cover 1.
鍔３がアスファルトフィニッシャ７から受ける推進力に抵抗し、防護カバー１がずれたり捲れ上がるのを防止する。 - 特許庁 - To prevent the dislocation of electrodes in the process of assembling an electron gun with the plurality of electrodes in one unit.
複数の電極を一体にして電子銃を組み立てる工程で、電極の位置ずれが発生しないようにする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a compound semiconductor single crystal having low dislocation density and the compound semiconductor single crystal.
低転位密度の化合物半導体単結晶の製造方法及び化合物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁 - Accordingly, the dislocation density in an active layer (1108) is reduced, and resulting to the improvement of the property of the optical device.
従って、活性層（１１０８）中の転位密度を下げることができ、光デバイスの特性改善を図ることができる。 - 特許庁 - Thereby dislocation of center axes of electric wires W can be suppressed even in case diameter differs.
これにより、径寸法異なる電線を把持した場合に、電線Ｗの中心軸のずれを抑制することが可能になる。 - 特許庁 - To make lowering of picture in company with local dislocation of a releasing agent from a fixing device to an image carrier possible to be effectively prevented.
定着装置からの離型剤が像担持体へ局部転移することに伴う画質欠陥を有効に回避する。 - 特許庁 - The step to generate the defect aggregate in the dislocation line is a step wherein the fluoride crystal is irradiated with radiation.
前記転位線に欠陥集合体を発生させる工程が、放射線をフッ化物結晶に照射する工程である。 - 特許庁 - To restrain a threading dislocation density from occurring in a growth layer even in a case in which a board and the growth layer are different from each other in characteristics (lattice constant, thermal expansion coefficient) or a case in which a board such as a sapphire board intrinsically high in dislocation density must be used.
基板と成長層との特性（格子定数、熱膨張係数）が異なるケースやサファイア基板のように転位密度が元々高い基板を使用しなければならないケースであっても、成長層での貫通転位密度の発生を抑制する。 - 特許庁 - The pulse supply AlN layer 5 is formed in a low-speed growth mode wherein a grain size is expanded to reduce dislocation as a second growth mode by using NH_3 pulse supply, and while dislocation is reduced, the nucleation layer 3 can be buried.
パルス供給ＡｌＮ層５は、ＮＨ_３パルス供給を用い第２の成長モードであるグレインサイズを拡張し、転位を低減する低速成長モードで形成され、転位を低減するとともに、核成長層３を埋め込むことができる。 - 特許庁 - To heighten the probability of being free from introduction of dislocation into a seed crystal in a method for producing a single crystal, which comprises gradually immersing the seed crystal free from the dislocation into a silicon melt and pulling up the single crystal when the diameter of the seed crystal becomes a prescribed size.
無転位種結晶をシリコン融液中に徐々に浸漬させていき、種結晶の径が所定の大きさになった時点で引き上げて単結晶を製造する方法において、種結晶に転位が導入されない確率を高める。 - 特許庁 - For each of the image data IM0-IMm, an information entropy H indicating the degree of ghost is calculated, and a dislocation of phase when the information entropy H is minimized is obtained from the relationship of the dislocation of phase x×Δθ and the information entropy H.
そして、画像データＩＭ０〜ＩＭｍごとに、ゴーストの程度を表す情報エントロピーＨを算出し、位相のずれ量ｘ・Δθと情報エントロピーＨとの関係から、情報エントロピーＨが最小になるときの位相のずれ量を求める。 - 特許庁 - Although a high-density defect is introduced into an SiGe epitaxial film 11 from an interface to the Si substrate 10, heat treatment is performed at 700 or 1,200°C to change a through dislocation 12 into a loop dislocation defect 12' near an Si substrate interface.
ＳｉＧｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥が導入されるが、７００乃至１２００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁 - By so doing, it is possible to prevent the increase of the thickness of the nitride semiconductor layer 18 near the insulating film 16 by the diffusion of raw materials, while preventing abnormal growth generated in the high-dislocation region 12 from propagating to the low-dislocation region 10.
これにより、高転位領域１２上で発生した異常成長が低転位領域１０に伝播するのを防ぎつつ、原料拡散により絶縁膜１６の近傍で窒化物半導体層１８の厚みが増大するのを防ぐことができる。 - 特許庁 - Therefore, the device characteristics are improved by forming an electronic device to an SiC single crystal substrate having the direction of dislocation line of the threading dislocation 3 of being the [0001] c-axis, and an SiC semiconductor device with improved yield having no deterioration is formed.
このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置とすることができる。 - 特許庁 - A tracking processing part 12 obtains a local B mode image from DSC 7 and calculates dislocation from the local B mode image of the newest frame and the last local B mode image and informs a control part 9 of the dislocation to correct the sampling volume position.
トラッキング処理部１２は、ＤＳＣ７から局部Ｂモード画像を取得し、最新フレームの局部Ｂモード画像と前回の局部Ｂモード画像とからずれ量を算出し、ずれ量を制御部９に通知して、サンプリングボリューム位置の補正を行なう。 - 特許庁 - To provide dislocation preventing means for a catalyst carrier, capable of completely eliminating the dislocation of the catalyst carrier to be just in contact with a catalyst converter for an internal combustion engine, without giving damage thereto, and easy to apply to a catalyst carrier having a different size.
内燃機関の触媒コンバータにおいて、触媒担体を痛めることなく、それにぴったり当てて位置ずれを完全に無くすことができ、しかも寸法の違う触媒担体にも簡単に対応できる触媒担体の位置ずれ阻止手段を提供する。 - 特許庁 - To provide a bored steel pipe pile formed with multi-stage projecting parts capable of suppressing local buckling generated by the unbalanced sharing of dislocation stop yield strength, by efficiently exhibiting a dislocation stop function in the steel pipe pile for a bored pile.
埋込み杭用鋼管杭において、効率良くずれ止め機能を発揮でき、ずれ止め耐力の分担の偏りから発生する局部座屈を抑制することができる多段の突起部を形成した埋込み用鋼管杭を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for measuring a positional dislocation quantity between the main spindle rotational center and the tool center, a dislocation quantity of an angle of the tool front and a tool radius, when measuring a shape of a cutting tool used for hail machining by a machine tool of a machining center.
マシニングセンタなどの工作機械によるヘール加工に用いる切削工具の形状を測定する際に、主軸回転中心と工具中心の位置ずれ量と、工具正面の角度のずれ量と、工具半径を測定する方法を提供する。 - 特許庁 - The occurrence of a dislocation is suppressed, therefore, and the rise of diffusion resistance is suppressed, the yield ratio and the reliability of the devices is improved by implanting suitable dislocation suppressive elements into the P-type well layer 4 and the N-type well layer 5, respectively.
これにより転位の発生を抑制しつつ、かつ、Ｐウエル層４とＮウエル層５それぞれに適した転移抑制元素を打ち分けることで拡散抵抗の上昇を抑制し、歩留まりを向上させ、素子の信頼性を高めることができる。 - 特許庁 - A CCD camera 8 photographs a nozzle 7 from the cross direction and a controller 4 into which an image is introduced from the CCD camera 8, detects dislocation amount of the tip of the nozzle 7 and controls an X-Y-Z moving mechanism 5 so that the dislocation amount becomes zero.
ＣＣＤカメラ８は、ノズル７を横方向から撮像し、このＣＣＤカメラ８からの画像を導入した制御器４は、ノズル７先端Ｑの位置ずれ量を検出し、これらが零となるようにＸ−Ｙ−Ｚ移動機構５を制御する。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor light emitting diode which has a sufficient light emitting area and is excellent in quantum efficiency and linearity though the diode uses a substrate in which low-dislocation density areas and high-dislocation density areas alternately exist like the ELOG-grown substrate.
ＥＬＯＧ成長基板のように低転位密度領域と高転位密度領域が交互に存在する基板を用いながら、十分な発光面積を有し、かつ、量子効率やリニアリティに優れた窒化物半導体発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁 - The manufacturing method of the field emitter allay includes a process of forming a crystalline material having hexagonal symmetric structure so as to form a dislocation, and a process of forming the nano chip at every dislocation by etching the crystalline material.
本発明にかかるフィールドエミッターアレイの製造方法は基板上に六方対称結晶構造を有する結晶材料を転位が起こる様に形成する工程と、前記結晶材料をエッチし各転位でナノチップを形成する工程と、を含む。 - 特許庁 - The distances (d1, d2)between adjacent main scanning line ends are approximately the same, the positional dislocation in the subscanning direction does not occur, and the dislocation in the subscanning direction at the scanning beginning position and the scanning terminating position of main scanning one line substantially does not occur.
隣り合う主走査ライン端間の距離（ｄ１，ｄ２）はほとんど同じとなって、副走査方向での位置ずれは起こらず、主走査１ラインにおける走査開始位置と走査終了位置との副走査方向のずれもほとんど生じない。 - 特許庁 - Horizontal positional dislocation detectors 20A and 20B are arranged for detecting dislocation between a position on a floor landing place on a target container Cb of at least two first and second corners A and B in the four corners of the cargo suspending container and a horizontal directional position.
吊荷コンテナの四隅のコーナーの内の少なくとも二つの第１、第２のコーナーＡ、Ｂの目標コンテナＣｂ上の着床場所に関する位置との水平方向の位置ずれを検出する水平位置ずれ検出器２０Ａ、２０Ｂを設ける。 - 特許庁 - Thus, by measuring the dislocation density of the cross section crossing the main surface equivalent to the defect density in the lateral direction, selecting the GaN substrate for which the dislocation density is equal to or lower than the fixed numerical value and using it, the yield of the semiconductor device is improved.
したがって、この横方向の欠陥密度に相当する主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択して用いることで、半導体デバイスの歩留まりが向上する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a multilayer epitaxial silicon single crystal wafer in which there is no slip dislocation, and which can be applied to a wafer of no slid dislocation, high resistivity and a wafer of a diameter of 300 mm or more, and to provide the multilayer epitaxial silicon single crystal wafer.
スリップ転位が無く、高抵抗率のウェーハや、直径が３００ｍｍ以上のウェーハに対しても適用可能な多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法および多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハを提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon wafer having the effective density and size of a BMD for preventing the dislocation of a pattern by restraining slip dislocation caused in a particularly controversial device heat treatment process accompanied by the fining of a device wiring pattern, and to provide a method for manufacturing the silicon wafer.
デバイス配線パターンの微細化に伴い特に問題視されるデバイス熱処理工程で発生するスリップ転位を抑制し、パターンずれを防止するために効果的なＢＭＤの密度とサイズを有するシリコンウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the evaluation method of the amount of distortion in the local area of a formed ferrite steel plate, the amount of distortion in the local area is evaluated by measuring the average interval of dislocation cells for ferrite crystal particles each comprising a dislocation cell structure in which dislocation cells having identical directional properties are aligned at a part receiving the plastic deformation of the formed ferrite steel plate.
成形されたフェライト鋼板の塑性変形を受けた部位において、同一方向性を有する転位セルが並んだ転位セル構造からなるフェライト結晶粒について、転位セルの平均間隔を測定することにより、局所域における歪み量を評価することを特徴とする成形されたフェライト鋼板の局所域における歪み量の評価方法。 - 特許庁 - Since the basal plane dislocation 6 is not propagated to the crystally grown semiconductor layer, a leakage current is suppressed.
基底面内転位６が結晶成長された半導体層に伝播していないために、リーク電流を抑えることができる。 - 特許庁 - To provide a belt conveyor device 2 with a comparatively low cost and capable of preventing dislocation and meandering certainly without generating wrinkles.
本発明のベルト搬送装置（２）によれば、比較的安価あり、しわが発生することなく確実にズレ及び蛇行を防止できる。 - 特許庁 - To provide a structure for causing little dislocation in the positional relationship between a pulley 7a, a sleeve 8, ball bearings 9 and 9 and a roller clutch 10.
プーリ７ａ及びスリーブ８、玉軸受９、９、ローラクラッチ１０の位置関係にずれが生じにくい構造を実現する。 - 特許庁 - To provide an image display capable of smoothly displaying state of dislocation of an object in a virtual three-dimensional space.
仮想３次元空間におけるオブジェクトの変位の様子をスムーズに表示することができる画像表示装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a frame structure, which is composed of a small number of components with less dislocation, and dispenses with finish machining to improve workability.
少ない部品点数で位置ずれの小さなフレーム構造とし、また仕上げ加工を省略して作業性を向上する。 - 特許庁 - To prevent a first dislocation generation of a pulled crystal caused by applying voltage between the pull shaft and the raw material melt.
引上げ軸側と原料融液側との間に電圧を印加することに起因する引上げ結晶の有転位化を防止する。 - 特許庁 - In some embodiments, the mean dislocation density of the p type layer of the active region is smaller than about 5×10^8 cm^-2.
いくつかの実施形態では、活性領域のｐ型層の平均転位密度は、約５×１０^８ｃｍ^−２よりも小さい。 - 特許庁 - To provide an air-core reactor having a dislocation structure that effectively reduces eddy current loss due to harmonics.
高調波による渦電流損失を効果的に低減することが可能な転位構造を備えた空心リアクトルを得ること。 - 特許庁 - Dislocation of a semiconductor switching element 31 can be prevented by inhibiting flow-out of solder S.
このようにしてはんだＳの流れ出しを阻止することにより、それに伴う半導体スイッチング素子３１の位置ずれを防止できる。 - 特許庁 - The correcting section 51 corrects dislocation (pulse-number) equivalent to fractional part of the deceleration ratio of reduction gear 55 at every predetermined rotating number.
補正部５１は、減速装置５５の減速比の端数分に相当する位置ずれ（パルス数）を所定の回転数ごとに補正する。 - 特許庁 - To provide a supporting structure for a semiconductor wafer which prevents the slip-dislocation of a wafer as the semiconductor wafer is supported.
半導体ウェーハの支持を原因としたウェーハへのスリップ転位の発生を防ぐ半導体ウェーハの支持構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a low-dislocation buffer which can be formed by a simple process and in a short time and in which no crack is in danger of occurring.
簡単なプロセスにより短時間で形成可能であり、かつ、クラックの発生する恐れのない低転位バッファーを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a silicon single crystal having reduced dislocation density and a crystal axis orientation of [110] by a CZ method.
転位密度を低減した、ＣＺ法による結晶軸方位が［１１０］のシリコン単結晶を育成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an epitaxial wafer preventing occurrence of dislocation even when LSA (Laser Spike Anneal) processing is performed in a device process.
デバイスプロセスにてＬＳＡ処理を行った場合であっても転位の発生を防止することが可能なエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁 - To provide a composite pulley and a composite belt capable of preventing the deviation and lateral dislocation of the belt without providing a flange.
フランジを設けることなく、ベルトの逸脱および横ずれを防止することができる複合プーリおよび複合ベルトを提供する。 - 特許庁
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