「dislocation」を含む例文一覧(2158)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 43 44 次へ＞- To prevent dislocation of a phase at the time of connecting both damper discs on a twin damper disc assembly body.
ツインダンパーディスク組立体において両ダンパーディスクの連結時における位相のずれを防ぐ。 - 特許庁 - To reduce the frequency of generation of slip dislocation in the wafer heat treatment using a vertical heat treatment furnace.
縦型熱処理炉を使用したウエーハ熱処理でのスリップ転位の発生頻度を低減する。 - 特許庁 - To grow a diamond crystal having few defect and dislocation on a non-diamond substrate.
欠陥や転位濃度の少ないダイアモンド結晶をダイアモンド以外の基板上に成長させる。 - 特許庁 - Even if the number of layers increases, dislocation of each layer is easily recognized from the pattern shape.
積層数が多くなっても、パターンの形状から各層の位置ズレの認識が容易にできる。 - 特許庁 - RECORDING POSITION DISLOCATION CORRECTING METHOD FOR INKJET RECORDING HEAD AND INKJET RECORDING DEVICE WITH THE FUNCTION
インクジェット記録ヘッドの記録位置ずれ補正方法およびその機能を備えたインクジェット記録装置 - 特許庁 - DISLOCATION CORRECTING METHOD AND CROSS-DIRECTION PROFILE MEASURING DEVICE FOR SHEET PRODUCT USING THE SAME
位置ずれ補正方法およびそれを用いたシート状製品の幅方向プロファイル測定装置 - 特許庁 - The mutual electrodes are positioned, on the basis of a positional dislocation quantity by an inter-electrode positioning mechanism 500.
電極間位置合せ機構500 により、位置ずれ量に基づく電極間位置合せを行う。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING DISLOCATION DENSITY OF FLUORIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING FLUORIDE CRYSTAL
フッ化物結晶の転位密度測定方法、測定装置及びフッ化物結晶の製造方法 - 特許庁 - The substrate layer has a dislocation density of 5×10^8 cm^-2 or less and contains a nitride semiconductor.
前記下地層は、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR WAFER AND DISLOCATION-FREE HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR WAFER
高度にドープされた半導体ウェハの製造法および転位のない高度にドープされた半導体ウェハ - 特許庁 - EPITAXIAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE, AND METHOD FOR DECREASING DISLOCATION OF GROUP III NITRIDE LAYER GROUP
エピタキシャル基板、半導体積層構造及びＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法 - 特許庁 - To remarkably reduce the dislocation density of a nitride semiconductor formed on a substrate.
基板上に形成する窒化物半導体の転位密度を飛躍的に低減することを可能にする。 - 特許庁 - a forward dislocation of one vertebra over the one beneath it producing pressure on spinal nerves
上方の脊椎が下方の脊椎よりも前方にずれて、脊髄神経を圧迫する症状 - 日本語WordNet - RADIOGRAPHIC SYSTEM AND METHOD OF DETECTING QUANTITY OF DISLOCATION FROM FOCAL POSITION OF RADIATION SOURCE
放射線撮影システム及び放射線源の焦点位置からの位置ずれ量の検出方法 - 特許庁 - The dislocation density of the tertiary region 17c is smaller than that of the primary region 17a.
第３の領域１７ｃの転位密度は第１の領域１７ａの転位密度よりも小さい。 - 特許庁 - To correctly perform alignment without any carrying error even when the position dislocation of a substrate is large.
基板の位置ずれが大きくても、搬送エラーなど無く正しくアライメントが行えるようにする。 - 特許庁 - To provide a shutter device for maintaining the durability of a shutter curtain so as to be usable over a long period of time by detecting the lateral dislocation of a slat and the lateral dislocation of the whole shutter curtain in an initial stage.
スラットの横ずれやシャッターカーテン全体の横ずれを初期の段階で検出することで、シャッターカーテンの耐久性を維持して長期使用を可能とするシャッター装置を提供する。 - 特許庁 - Therefore, the obtained group III nitride crystal layer 3 has a good surface-flatness, and most of the surface vicinity thereof become low-dislocation regions RE2 having a dislocation density of about 1×10^7/cm^2.
得られるIII族窒化物結晶層３は良好な表面平坦性を有し、かつ、表面近傍の大部分は転移密度が１×１０^7／ｃｍ^2程度の低転位領域ＲＥ２となる。 - 特許庁 - To provide a connection fitting and a connection method capable of simply and surely performing connection between concrete blocks for revetment and sufficiently absorbing dislocation even in the case that a little dislocation occurs between the concrete blocks for the revetment.
護岸ブロック間の連結を、簡単にしかも確実に行え、且つ、各護岸ブロック間に多少の位置のずれがあっても、これを充分吸収できる連結金具及び連結方法を提供する。 - 特許庁 - Therefore, carrier compensation of Be by dislocation can be suppressed, and a p-GaN layer 23 with good p-type characteristics is obtained, by using a substrate 5 having a dislocation density of 5×10^8cm^-2 or less.
したがって、転位密度５×１０^８ｃｍ^−２以下の基板５を用いることにより、転位によるＢｅのキャリア補償を抑制でき、良好なｐ型特性を持つｐ−ＧａＮ層２３が得られる。 - 特許庁 - A material of ohmic contact nature is not joined to the second conduction type semiconductor crystal layer 4 in the vicinity of the penetrating dislocation defective 11, so that a current does not flow in the vicinity of the penetrating dislocation defective 11.
貫通転位欠陥１１付近の第２導電型半導体結晶層４にオーミックコンタクト性の材料が接合されていないので、貫通転位欠陥１１付近を電流が流れない。 - 特許庁 - To provide a technology capable of preventing the propagation of basal plane dislocation from a semiconductor layer having the basal plane dislocation to a crystally grown semiconductor layer without performing etching treatment.
エッチング処理を行わなくても、基底面内転位を有する半導体層から結晶成長された半導体層に基底面内転位が伝播することを防止することができる技術を提供する。 - 特許庁 - The threading dislocation densities D_11, D_13 of a first area 15a and a third area 15c in a first conductive nitride gallium semiconductor layer 15 are smaller than the threading dislocation density D_1.
第１導電型窒化ガリウム系半導体層１５の第１及び第３の領域１５ａ、１５ｃはそれぞれ貫通転位密度Ｄ_１より小さい貫通転位密度Ｄ_１１、Ｄ_１３を有する。 - 特許庁 - This hinders the sprag 14 in inclining motion from dislocation in the circumferential direction physically, to ensure sliding associated with dislocation of the sprag 14 in circumferential direction as likely according to the conventional technique.
これにより、スプラグ１４が傾動するときにスプラグ１４が物理的に周方向にずれ動かなくなるので、従来例のようなスプラグの周方向位置ずれに関連する滑りが避けられるようになる。 - 特許庁 - To provide a pulling method for silicon single crystal which can prevent propagation of heat shock dislocation that occurs in the seed crystal to a product part and can safely pull a large diameter dislocation-free single crystal.
種結晶に発生する熱ショック転位の製品部分への伝播を防止し、かつ、大直径の無転位単結晶を安全に引上げることができるシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a germanium single crystal, capable of preventing germanium oxide from depositing on the surface of a growing crystal and growing the germanium single crystal with a low dislocation density or free of dislocation.
成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The self-supporting substrate 1 comprises a thick GaN film and is characterized in that the depth profile of a dislocation density as measured from one face 1a and that of a dislocation density as measured from the other face 1b are substantially identical with each other.
ＧａＮ厚膜からなり、一方の面１ａから測定した転位密度のデプス・プロファイルと、他方の面１ｂから測定した転位密度のデプス・プロファイルとが略同一である自立基板１。 - 特許庁 - To control the tapering of a tow part by the movement of rubber and to prevent the occurrence of the dislocation and deviation of a rim.
トウ部分のゴム移動による先細りを抑制でき、リムズレやリム外れの発生を防止しうる。 - 特許庁 - By setting a site except for the upper side of the dislocation concentrated area (X) to be the bonding position, deterioration is prevented.
転位集中領域（Ｘ）の上方以外の部位をボンディング位置とすることで、劣化が防止される。 - 特許庁 - The through-dislocation D1 is blocked by the void portion 13b1, thereby, the transmission to the upper portion 13c can be prevented.
空間部１３ｂ_1 により貫通転位Ｄ_1 は遮断され、上層部１３ｃへの伝播が防止される。 - 特許庁 - In this regard, dangling bond of N is terminated by Si^29 in a region where a dislocation 3 is located.
このとき、Ｓｉ^２９によって転位３が位置する領域のＮの未結合手が終端される。 - 特許庁 - To enable prevention of dislocation with a secular change and a change of temperature without performing calibrating operation.
キャリブレーション操作を行わないでも、経年変化や温度変化に対する位置ずれ防止を可能にする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device including a semiconductor region with a low dislocation density, and to provide a manufacturing method thereof.
転位密度の低い半導体領域を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To restrain dispersion in vibration control performance, by restraining positional dislocation when connecting and fixing a pair of partition plates.
一対の仕切り板を連結固定する際の位置ずれを抑制して、防振性能のばらつきを抑える。 - 特許庁 - Shot blasting is performed to the steel material to uniformly distribute a dislocation texture on the surface.
この鋼製素材にショットブラスト処理を施すことにより、その表面に転位組織を均一に分布させた。 - 特許庁 - To provide low dislocation density silicon carbide (SiC), and to provide a method and apparatus for growing the same.
低転位密度炭化ケイ素（ＳｉＣ）、並びにこれを成長させる方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a GaN single crystal substrate with reduced crystal defect such as dislocation.
転位等の結晶欠陥が低減されたＧａＮ単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To produce a group III nitride semiconductor crystal having a large area and a low dislocation density with a simple process.
大面積で転位密度が小さいIII族窒化物半導体結晶を簡便な工程で製造すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of suppressing dislocation and crystal faults generated in a mixed crystal layer.
混晶層に発生する転位、結晶欠陥を抑制することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a ball joint and a stand for a monitor television having structure capable of restraining dislocation of a ball stud.
ボールスタッドのずれを抑えることができる構造にしたボールジョイント及びモニタテレビ用スタンドを提供する。 - 特許庁 - The density of the dislocation in a single particle of silicon nitride sintered compact is controlled so as to be ≤10 μm/μm3.
窒化ケイ素焼結体の単一粒子内の転位密度が１０μｍ／μｍ^3以下に制御する。 - 特許庁 - Then, the silicon carbide single crystal 10 is grown on the dislocation controlling seed crystal 1 (growth process).
そして、転位制御種結晶１上に、炭化ケイ素単結晶１０を成長させる（成長工程）。 - 特許庁 - WAFER SUPPORTING PIN CAPABLE OF PREVENTING SLIP DISLOCATION IN HEAT TREATING OF WAFER AND HEAT TREATING METHOD OF WAFER
ウェハーの熱処理時のスリップ転位を防止することができるウェハー支持ピン及びウェハーの熱処理方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LOW THREADING DISLOCATION AND IMPROVED LIGHT EXTRACTION, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
貫通転位が低く、光取り出しが改善された半導体デバイス、および該半導体デバイスの製造方法 - 特許庁 - The first region 15a has the threading dislocation density D_11 smaller than that D_1.
第１の領域１５ａは貫通転位密度Ｄ_１より小さい貫通転位密度Ｄ_１１を有する。 - 特許庁 - DISLOCATION DETECTING METHOD IN SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR WAFER, AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
炭化珪素半導体ウエハ中の転位検出方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To prevent the deflection and dislocation of a solenoid valve without needing a pressing member such as a leaf spring.
板バネ等の押圧部材を必要としなくても、電磁弁のぶれや位置ずれを防止できるようにする。 - 特許庁 - To provide a strained silicon wafer for further reducing through dislocation density in a strained silicon layer.
歪みシリコン層における貫通転位密度の一層の低減化を図る歪みシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁 - To lay a wire harness on the panel surface of a cabin in an accurate position without dislocation with good operating effectiveness.
車室のパネル面にワイヤハーネスを位置ずれのない正確な位置で作業性よく配索すること。 - 特許庁 - An insulating cylinder 8 covering the outer circumference of the inner winding 5 is disposed, extending along the bare dislocation conductor 2.
内側巻線５の外周を覆う絶縁筒８が裸の転位導体２に沿うように配される。 - 特許庁
