「drift-current」を含む例文一覧(128)
＜前へ 1 2 3 次へ＞- To provide a multiobjective buoy that can considerably reduce wear caused by the repeated slackness and tension of a mooring rope such as a chain by load caused by a high billow, a tidal current, a drift current, or the like, and the up and down of wave height.
高波浪、潮流及び吹送流等による負荷、波高の上下によるチェーン等の係留索の弛緩、緊張の繰り返しによる摩耗を大幅に軽減することが可能な多目的ブイを提供すること。 - 特許庁 - The drift part 13 is provided with a current constriction part 13bn of about 0.5 μm in thickness, and an AlN layer 21 and a p layer (p-GaN) 22 are formed on the right and left sides thereof.
ドリフト部１３は、厚さ約０．５μｍの電流狭窄部１３ｂｎを有しており、その左右には、ＡｌＮ層２１とｐ層（ｐ−ＧａＮ）２２が形成されている。 - 特許庁 - The drift-sand preventive structure 1 is installed on the bottom of the sea 7 so that the longitudinal direction of the structure 1 is directed orthogonally to the direction of an ocean current.
そして、この砂防止構造物１の長手方向が海流の流れ方向と直交する向きになるように、この砂防止構造物１を海底７に設置する。 - 特許庁 - To provide an air capacity unit accurately controllable hardly influenced by turbulent air current in a duct, particularly drift, and swirling flow liable to occur in the case of a circular duct.
ダクト内の乱れた気流、特に偏流や円形ダクトの場合に発生しやすい旋回流の影響を受けにくく、正確な制御が可能な風量ユニットを提供する。 - 特許庁 - To provide a high dielectric strength/high speed operation semiconductor device which has reduced resistance of drift region and improved current drive capability, and to provide a method of manufacturing the same semiconductor device.
ドリフト領域の抵抗が低減され、電流駆動能力が改善された高耐圧・高速動作の半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a high quality high performance semiconductor device in which a wiring capacity and a leakage current can be reduced while preventing the drift and diffusion of a wiring material effectively.
配線容量の減少、リーク電流の減少、配線材料のドリフト・拡散を効果的に防止でき、高品質・高性能な半導体装置を提供することである。 - 特許庁 - More specifically, by reducing the withstand voltage for one piece of the reflux diode to 1/n, the thickness of n- drift region is breakdown and transient voltage characteristics are suppressed, when a reflux current is caused to flow.
すなわち、還流ダイオード１つ分の耐圧を１／ｎに減らしてｎ^-ドリフト領域の厚みを少なくし、還流電流が流れたときの過渡電圧特性を抑える。 - 特許庁 - By forming such a structure, a path of a surge current is set to n-type drift layer 2 → p-type layer 3a → p-type base region 3a → body p-type layer 5.
このような構造とすることで、サージ電流の経路をｎ型ドリフト層２→ｐ型層３ａ→ｐ型ベース領域３ａ→ボディｐ型層５とすることが可能となる。 - 特許庁 - To provide a pulse voltage generator which instantly switches from a direct current output state to a normal pulse output state without a distorted waveform or drift with a simple construction.
簡易な構成で、直流出力状態から波形歪みやドリフトの無い正規のパルス出力状態へ瞬時に切り替えできるパルス電圧発生器を提供する。 - 特許庁 - To provide a display device capable of fully securing time for current programming that can fully correct the characteristics dispersion and characteristics drift of a TFT, or the llike.
電流プログラミングの時間を充分に確保でき、ＴＦＴ等の特性ばらつきや特性ドリフトを充分に補正することが可能な表示装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a correction method and a device of a drive current DC component for detecting and correcting the drive current DC component also during operation by energizing a synchronous motor and for also coping with fluctuation due to the thermal drift of a detection element.
同期電動機に通電して運転中にも駆動電流直流成分の検出・補正が可能で、検出素子の熱ドリフトによる変動にも対応できる駆動電流直流成分の補正方法・装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a dislocated superconductive tape unit capable of maintaining a dislocated standing structure even when bending distortion is applied by a wire winding process or the like, reducing an alternating current loss in energization of an alternating current, and suppressing drift, and a superconductive application apparatus using the dislocated superconductive tape unit.
巻線加工等により曲げ歪みが印加されても、転位撚り構造を保持でき、交流電流通電時の交流損失を低減でき、偏流を抑制できる転位超電導テープユニットの提供を課題とする。 - 特許庁 - Photons directly come into an exposure drift area, so that the hole-electron pairs are excited and uniformly separated by the action of the built-in electric field, a current is outputted, and the generation of push energy loss and recombination loss is evaded due to a diffusion current.
光子は直接に暴露のドリフト領域に進入するので、ホール・エレクトロンペアを励起して均一に内蔵電場作用で分離し電流を出力し拡散電流による押しエネルギー損失と再結合損失の発生を避ける。 - 特許庁 - To improve the control accuracy of a motor by eliminating an influence caused by the zero-point temperature drift of a current sensor in an in-vehicle motor control device.
本発明は、車載モータ制御装置に関し、電流センサのゼロ点の温度ドリフトによる影響を排除することによりモータの制御精度を向上させることを目的とする。 - 特許庁 - The n-type high-resistance regions 3 and 13 are connected each other with the drift region 1, for current flow in both directions as well as for low on-resistance.
また、ｎ型の高抵抗領域３，１３をドリフト領域１により互いに接続することによって、双方向に電流を流せるようにするとともに低オン抵抗化を図る。 - 特許庁 - To elevate breakdown strength, in a superjunction semiconductor element which is equipped with a drift layer, consisting of parallel pn layers letting current flow in on conditions and also being depleted in off conditions.
オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列ｐｎ層からなるドリフト層を備えた超接合半導体素子において、高耐圧化を図る。 - 特許庁 - To realize high withstand voltage, and to prevent the increase of leak current and deterioration of withstand voltage in a semiconductor device having adjacent drift layer of low concentration and high concentration layer.
隣接する低濃度のドリフト層及び高濃度層を有する半導体装置において、高耐圧化を図るとともにリーク電流の増大及び耐圧の劣化を防ぐことである。 - 特許庁 - To provide a parallel flow type heat exchanger having a structure capable of distributing a refrigerant flowing in the gas liquid two-phase state to each flat tube in the excellent mixed state and useful for improvement of a drift current.
パラレルフロー型熱交換器を、気液二相状態で流入した冷媒を良好な混合状態で各偏平チューブに分配でき、且つ偏流改善にも役立つ構造とする。 - 特許庁 - To prevent reduction in detecting accuracy of the suction air volume by a drift current in a backflow in detecting the suction air volume by an air flowmeter with the backflow detecting function.
逆流検知機能付のエアフロメータによる吸入空気量の検出において、逆流時の偏流によって吸入空気量の検出精度が低下することを防止する。 - 特許庁 - To actualize an increase in current capacity and low AC loss by suppressing a drift more than before by easily performing dislocation with less strain influence on a wire rod than before.
従来よりも線材に歪み影響を与えることなく簡便に転位することにより、従来よりも偏流を抑制して電流容量の増加および低交流損失を実現する。 - 特許庁 - When the engine operating region is the ignition generating region, the device determines that "smolder occurs" when the current detection signal (drift voltage value) after the annihilation of an ion current is the predetermined value or larger, and determines that "no smolder occurs" when it is smaller than the predetermined value.
エンジン運転領域が飛火発生領域である場合、イオン電流消滅後における電流検出信号（ドリフト電圧値）が所定値以上である場合には「燻り有り」と判定し、所定値未満である場合には「燻り無し」と判定する。 - 特許庁 - A deep diffusion part with high conductivity of a conductivity type same as a drift region is provided between adjacent trenches of a trench type IGBT and at the lower part of these trenches to reduce the resistance of a drift region to the electric current at the time when a device is turned on and the resistance component at the time when spreading resistance is turned on.
デバイスがターンオンしているときの電流に対するドリフト領域の抵抗、および広がり抵抗のターンオン時の抵抗成分を小さくするように、トレンチタイプのＩＧＢＴの隣接するトレンチの間であって、これらトレンチの下方に、ドリフト領域と同じ導電性タイプの大きい導電度の深い拡散部を設ける。 - 特許庁 - It is possible to form a wide current passage from the N-type body layer 11 to the drain layer 18 and enhance a current drive capability and a drain breakdown voltage because as discussed previously, the P-type drift layer 10 is widely spread.
このように、Ｐ型ドリフト層１０が上記広範囲に拡散されているので、Ｎ型ボディ層１１からドレイン層１８に至る幅広い電流通路が形成され、電流駆動能力を高くすることができると共に、ドレイン耐圧も高くすることができる。 - 特許庁 - To provide a high temperature superconducting coil in which current drift between strands is improved when a plurality of wire rods are wound in parallel, and to provide a high temperature superconducting magnet using the same.
複数の線材を並列に巻線する場合の素線間の電流偏流が改善された高温超電導コイルおよびこれを用いた高温超電導マグネットを提供することである。 - 特許庁 - To provide a control device of an electric power steering unit having a current limit function for monitoring any failure of an intermediate offset and drift out of signal troubles of a torque sensor and limiting an assist function.
トルクセンサの信号故障のうち中間的なオフセットやドリフトの故障を監視し、アシスト機能を制限する電流制限機能を具備した電動パワーステアリング装置の制御装置を提供する。 - 特許庁 - A drain current flowing through an integrated amplifier 302 of the drift-type radiation detector 301 is changed by an amount proportional to the change detected by the momentary photon hit rate (902, 903).
前記ドリフトタイプ放射線検出器(３０１)の集積アンプ(３０２)を通って流れるドレイン電流は、前記瞬時光子衝突率で検出された変化に比例する量で変更される(９０２、９０３)。 - 特許庁 - By using the index signal so as to neutralize a stored charge of the detection element 201, the intentionally increased neutralizing current is sent to the drift detector 601 during a limited time interval.
検出素子（２０１）の蓄積電荷を中和するために、指標信号を使うことにより、意図的に増加させた中和電流をドリフト検出器（６０１）へ、限られた時間間隔の間、おくる。 - 特許庁 - To provide an immersed nozzle for continuous casting, which immersed nozzle can reduce a drift current of the flow of molten steel in the thickness direction of a casting mold without disturbing the suppressing effect to the splashing phenomena at the start of casting.
鋳造開始時におけるスプラッシュ現象の抑制効果を妨げることなく、溶鋼吐出流の鋳型厚み方向の偏流を軽減可能な連続鋳造用の浸漬ノズルを提供する。 - 特許庁 - By having the diode 44 provided, the input IGBT is turned on, and an electric current flows to the diode 44 that would have passed from the drift region 54 to the source region 61 of the NMOS via a p-well 60.
ダイオード４４を設けることにより、入力ＩＧＢＴがオンしてドリフト領域５４からＰ−ウエル６０を介してＮＭＯＳのソース領域６１に流れる電流が、ダイオード４４を流れる。 - 特許庁 - To provide a direct current amplifier for an acoustic transducer which can effectively prevent the output of a direct current due to an offset or drift by continuously operating a DC servo even during audio input while keeping the operation of the DC servo from influencing an audio signal circuit.
ＤＣサーボの動作が音声信号回路に影響を及ぼすことがなく、かつ、音声入力時であっても常時ＤＣサーボが動作して、オフセットやドリフトによる直流電流の出力を効果的に防止することができる音響変換器用直流増幅器を得る。 - 特許庁 - By this, the photodiode 4 is connected to the current-voltage converting means 9 via the connection control means 8 to control connection, and so as to obtain an infra-red ray detecting output easily distinguished from an output drift of the current-voltage converting means 9, the transmission manner of a photocurrent of the photodiode 4 to the current-voltage converting means 9 can be controlled.
これによって、フォトダイオード４は接続を制御する接続制御手段８を介して電流電圧変換手段９に接続され、電流電圧変換手段９の出力ドリフトとは容易に区別できる赤外線検知出力が得られるようフォトダイオード４の光電流の電流電圧変換手段９への伝わり方を制御できる。 - 特許庁 - To ease realization of mass production by clarifying the effect of parameters of a super-junction semiconductor device having a drift layer comprising parallel pn layers which depletes in OFF state while conducting current in ON state.
オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列ｐｎ層からなるドリフト層を備えた超接合半導体素子において、パラメータの影響を明らかにし、量産化を容易にする。 - 特許庁 - Consequently, a current flowing through a channel can flow not only a part located between the p-type deep layers 10 out of an n^--type drift layer, but also flow through the inversion layer formed in the low concentration region 10b.
これにより、チャネルを通じて流れる電流がｎ^-型ドリフト層２のうちｐ型ディープ層１０の間に位置する部分だけでなく、低濃度領域１０ｂに形成された反転層を通じても流れるようにできる。 - 特許庁 - To enable a rapid operation of a super junction semiconductor device with a low on resistance and having a drift layer made of a parallel p-n layer allowing a current to flow in a on state and depleted in an off state.
オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列ｐｎ層からなるドリフト層を有する超接合半導体素子において、低オン抵抗でありながら高速な動作を可能にする。 - 特許庁 - The semiconductor laminate 13 includes an n-type drift layer 23, a p-type current block layer 25, and an n-type contact layer 17, and those semiconductor layers 23, 25, and 27 are provided in order on a principal surface 29a of a support base 29.
半導体積層１３は、ｎ型ドリフト層２３、ｐ型電流ブロック層２５及びｎ型コンタクト層１７を含み、これらの半導体層２３、２５、２７は支持基体２９の主面２９ａ上に順に設けられる。 - 特許庁 - To shorten the access processing time when a defect region exists between a current position of a pickup and a target position, by omitting a process resetting from defocusing and tracking drift in the defect region.
ピックアップ現在位置と目標位置の間にディフェクト領域が存在した場合、ディフェクト領域におけるフォーカス外れおよびトラッキング流れからの復帰処理を省略することにより、アクセス処理時間を短縮すること。 - 特許庁 - The softened isolating member 230 perfectly blocks the through hole, the discharge spaces are perfectly isolated from one another, and therefor the generation of a current drift phenomenon is prevented between the discharge spaces when the voltage is applied.
軟化された隔離部材２３０が通孔を完全に遮断して、放電空間は互いに完全に隔離されるので、電圧印加時、放電空間の間での電流偏流現象の発生が防止される。 - 特許庁 - The super junction structure 13 is a structure wherein first conductive semiconductor regions and second conductive semiconductor regions are arranged alternately in a direction vertical to a current flow in a drift region.
スーパージャンクション構造１３とは、ドリフト領域において、第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域とが交互に、電流の流れる方向に対して垂直方向に並んだ構造のことである。 - 特許庁 - To provide a superconductive cable capable of restraining a drift during an alternating current conducting period and effectively allowing the relaxation of position deviation even when a line speed is high, that is, 2 m/min or more, and its manufacturing method.
交流通電時における偏流を抑制することができ、かつ、ライン速度を２ｍ／ｍｉｎ以上の高速とした場合でも、位置ズレの緩和が有効に働く超電導ケーブル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, since the junction is higher than the barrier of the hetero-junction part between the hetero semiconductor region 3 and the drift region 2, no leakage current arises and a IV waveform shown by the original hetero junction can be obtained.
これにより、ヘテロ半導体領域３とドリフト領域２のヘテロ接合部の障壁高さよりも高い接合となるために、漏れ電流が生じず、本来のヘテロ接合が示すＩＶ波形を得ることができる。 - 特許庁 - To provide an eddy current sensor and its sensor coil in which measurement precision of the sensor can be enhanced by reducing drift of sensor output signal due to parasitic capacitance varying within measuring circuit under the effects of any environmental factor other than temperature.
温度以外の環境要因の影響を受け、測定回路内で変化する寄生容量を原因とするセンサ出力信号のドリフトを減少させ、渦電流センサの測定精度を向上させる。 - 特許庁 - As an example, an output part resistor of the stabilized direct-current power supply, and a temperature-sensing resistor with an equivalent temperature coefficient are provided, and it is so structured that a temperature drift generated at the output part resistor is offset by a temperature drift generated at the temperature-sensing resistor.
上記目的は、一例として直流安定化電源の出力部抵抗器と、同等の温度係数を持つ温度検出抵抗を設け、当該温度検出抵抗器で発生する温度ドリフトによって、前記出力部抵抗器で発生する温度ドリフトを相殺するように構成した直流安定化電源の提供により達成される。 - 特許庁 - In this field emission electron source 10, an electron injected from the n-type silicon substrate 1 is drift in the strong electric field drift part 6 and is emitted through the surface electrode 7 by disposing the surface electrode 7 in a vacuum and applying a direct current voltage to the surface electrode 7 treated as a positive electrode relative to the ohmic electrode 2.
この電界放射型電子源１０では、表面電極７を真空中に配置し、表面電極７をオーミック電極２に対して正極として直流電圧を印加することにより、ｎ形シリコン基板１から注入された電子が強電界ドリフト部６をドリフトし表面電極７を通して放出される。 - 特許庁 - This n-type layer 103 is a layer consisting of the n-type Si with an impurity concentration lower than the drain layer 101 and higher than the interlayer 102, and constitutes a drift layer which becomes a main course of a current at the time of operation.
このＮ型層１０３は、ドレイン層１０１よりも不純物濃度が低く、中間層１０２よりも不純物濃度が高いＮ型Ｓｉからなる層であり、動作時の電流の主経路となるドリフト層を構成している。 - 特許庁 - To prevent an increase in a leakage current and deterioration in a withstand voltage caused by the exposure of a pn junction in a semiconductor device, having a drift layer where adjacent impurities are at low concentration and a high-concentration layer where impurities are at high concentration.
隣接する不純物が低濃度のドリフト層及び不純物が高濃度の高濃度層を有する半導体装置において、ｐｎ接合の露出によるリーク電流の増大及び耐圧の劣化を防ぐことである。 - 特許庁 - After the lapse of the optional time T_1 within which the load P_1 is stabilized, the load feedback control is not performed but switched to the current control, thereby suppressing drift without being affected by instability in pressing load with the passage of time.
この荷重Ｐ_１が安定した任意時間Ｔ_１経過後は、荷重フィードバック制御は行わずに電流制御に切り替えることで、押圧荷重の経時的な不安定さの影響は受けずドリフトを抑制することができる。 - 特許庁 - To provide an oscillation circuit using an oscillation element , e.g., a quartz vibrator, that reduces the effect of a temperature drift and dispersion of circuit components on the oscillation so as to attain stable oscillation at a high frequency while suppressing current consumption.
水晶振動子等の発振素子を用いた発振回路において、温度ドリフトや回路素子のばらつきによる影響を低減し、消費電流を抑えながら高周波で安定した発振を行うことができるようにする。 - 特許庁 - An air guide 18 perpendicular to an axis of a cross flow fan 15 is provided between a heat exchanger 14 and the cross flow fan 15 to restrict a drift current as a cause of surging, and equalize air resistance getting into the cross flow fan 15.
熱交換器１４とクロスフローファン１５との間にクロスフローファン１５の軸に垂直なエアガイド１８を設けることによって、サージングの原因となる偏流を抑え、クロスフローファン１５に入る空気抵抗を均一化するものである。 - 特許庁 - The intrinsic gettering performance of an IGBT 1 is inspected by measuring the current amplification rate (HFE) of an PNP transistor 30 formed of a channel region 12, a drift layer 11, a buffer layer 17 and a collector layer 18.
ＩＧＢＴ１のイントリンシックゲッタリング能力の検査は、チャネル領域１２、ドリフト層１１、バッファ層１７及びコレクタ層１８により形成されたＰＮＰトランジスタ３０の電流増幅率（ＨＦＥ）を測定することにより行う。 - 特許庁 - The method also comprises the step of extracting the grain boundary fault from a potential and carrier density obtained from the capacity-voltage measurement, and a current-voltage measurement by using a depletion layer approximation at the boundary, drift diffusion equation and thermo-ionic emission equation.
容量-電圧測定から得られたポテンシャルとキャリア密度、および、電流-電圧測定から、粒界での空乏層近似とドリフト拡散方程式とサーモアイオニックエミッション方程式を用いて、粒界欠陥を抽出する。 - 特許庁
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