「electron affinity」を含む例文一覧(82)
1 2 次へ＞- At the same time, electron affinity increases and the sum of the electron affinity and the band gap decreases.
また、同時に、電子親和力は大きくなり、電子親和力とバンドギャップとの和は小さくなる。 - 特許庁 - In a heterojunction part, the electron affinity of the electron supply layer 104 is lower than the electron affinity of the channel layer 103.
へテロ接合部において電子供給層１０４の電子親和力はチャネル層１０３の電子親和力よりも小さい。 - 特許庁 - The electron affinity of a semiconductor forming the electron supply layer is made smaller than the electron affinity of a semiconductor forming the spacer layer below the electron supply layer.
電子供給層を形成する半導体の電子親和力が、この電子供給層の下にあるスペーサ層を形成する半導体の電子親和力より小さく構成されている。 - 特許庁 - ELECTRON ELEMENT COMPRISING AS ELECTRODE METAL HAVING HIGH AFFINITY WITH CARBON
炭素との親和度が高い金属を電極として備える電子素子 - 特許庁 - [II] Electron affinity Ea(1) of the material for a light-emitting element and electron affinity Ea(2) of the impurities satisfy a relation Ea(1)≥Ea(2).
［ＩＩ］発光素子用材料の電子親和力Ｅａ（１）と、不純物の電子親和力Ｅａ（２）とが、Ｅａ（１）≧Ｅａ（２）である。 - 特許庁 - A DLC(diamond like carbon) is used as a substance having the negative electron affinity.
また、負性電子親和力を持つ物質としてＤＬＣを用いる。 - 特許庁 - The barrier layer 105 is constituted of AlN, and is lower than the electron supply layer 104 in electron affinity.
バリア層１０５、電子供給層１０４よりも電子親和力が小さいＡｌＮで構成される。 - 特許庁 - Oxygen atoms having a positive electron affinity are attached to the opening.
この開口部には正の電子親和力を有する酸素原子が付着している。 - 特許庁 - To provide a new organic compound which has high affinity for electron and which becomes a material for an electron receptor, an electron transporting agent, an n-type semiconductor, an oxidant or the like.
電子受容体、電子輸送剤、ｎ−型半導体、酸化剤等の材料となる高い電子親和性を有する新規有機化合物を提供すること。 - 特許庁 - INJECTING COLD CATHODE HAVING NEGATIVE ELECTRON AFFINITY BASED ON WIDE GAP SEMICONDUCTOR STRUCTURE
ワイドギャップの半導体構造に基づく負の電子親和力を備えた注入冷陰極 - 特許庁 - On the upper side electron travel layer, an upper side electron supply layer (7) is arranged which comprises an n-type compounds semiconductor material whose electron affinity is smaller than the upper side electron travel layer.
上側電子走行層の上に、該上側電子走行層よりも電子親和力の小さなｎ型化合物半導体材料からなる上側電子供給層(7)が配置されている。 - 特許庁 - In addition, if the semiconductor material has almost the same level of electron affinity as electron affinity of the adjacent organic layer 24, an energy spike of the cathode 22 on the boundary surface between the cathode and the organic layer 24 can be made small.
また、隣接する有機層２４の電子親和力と同程度の電子親和力とすることで、該陰極２２の有機層２４との界面におけるエネルギのスパイクを小さくできる。 - 特許庁 - A semiconductor having lower electron affinity than a channel region is formed in a body contact region in case of electron conductivity type and a semiconductor having higher electron affinity and band gap than the channel region is formed in case of hole conductivity type.
電子電動型であればチャネル領域よりも電子親和力の小さい半導体、正孔伝導型であればチャネル領域よりも電子親和力とバンドギャップの和が大きい半導体をボディ・コンタクト領域に形成する。 - 特許庁 - On a buffer layer 23, an n-type InGaAs channel layer 24 having a large electron affinity and high impurity concentration, an InGaAs channel layer 25 having a large electron affinity and low impurity concentration, an n-type AlGaAs barrier layer (electron feeding layer) 26 having a small electron affinity and high impurity concentration, and an n+-type GaAs contact layer 27, are stacked.
バッファ層２３の上に、電子親和力が大きくて高不純物濃度のｎ型ＩｎＧａＡｓチャネル層２４、電子親和力が大きくて低不純物濃度のＩｎＧａＡｓチャネル層２５、電子親和力が小さくて高不純物濃度のｎ型ＡｌＧａＡｓ障壁層（電子供給層）２６、ｎ^＋型ＧａＡｓコンタクト層２７を積層する。 - 特許庁 - To provide an electron source that works at a room temperature, by using only an injection of current into an n-type diamond semiconductor having a negative electron affinity.
負の電子親和力を持つｎ型ダイヤモンド半導体への電流注入のみを用いて、室温動作する電子源を提供する。 - 特許庁 - To realize a technique that dispenses with a negative electron affinity of a surface of a compound semiconductor when emitting a polarized electron beam from a cathode.
陰極から偏極電子線を放出させるにあたって、化合物半導体の表面に負の電子親和性を必要としない技術を実現する。 - 特許庁 - A method is provided for manufacturing an n-type organic semiconductor material by introducing an electron-affinity boron complex into an organic pi-electron system.
本発明では、電子親和性のホウ素錯体を有機パイ電子系に導入してｎ型有機半導体材料を製造する方法を開発した。 - 特許庁 - A thin film diamond 30 formed on the organic EL layer 40 has a negative electron affinity and discharges electrons.
薄膜ダイヤモンド３０は、有機ＥＬ層４０上に形成され、負の電子親和力を有し、電子を放出する。 - 特許庁 - On a lower side electron travel layer (3) of compound semiconductor material, a lower side electron supply layer (4) is arranged which is doped in n-type and comprises a compound semiconductor material whose electron affinity is smaller than that of the lower side electron travel layer.
化合物半導体材料からなる下側電子走行層(3)の上に、ｎ型にドーピングされ、下側電子走行層よりも電子親和力の小さな化合物半導体材料からなる下側電子供給層(4)が配置されている。 - 特許庁 - The electron emission layer 105 is constructed of material such as AlN, GaN, diamond or the like having a granular structure or very fine structure serving as an electron emission layer and having a negative electron affinity(NEA).
なお、電子放出層１０５は、電子放出層となる粒状構造体または極細構造体のＡｌＮ、ＧａＮ、ダイヤモンド等の負の電子親和力（ＮＥＡ：Negative ElectronAffinity）を示す材料で構成されている - 特許庁 - To provide an electron emitting cathode, capable of attaining a high luminance due to low electron affinity while sufficiently ensuring heat radiation performance, and reducing the energy width by reducing heating temperature, to provide an electron microscope, and to provide an electron beam exposing machine provided with the electron emitting cathode.
放熱性を十分に確保しつつ、電子親和力が低いことにより、高輝度を達成するとともに加熱温度を抑えてエネルギー幅を抑制することが可能な電子放射陰極、当該電子放射陰極を備えた電子顕微鏡および電子ビーム露光機を提供する。 - 特許庁 - The electron transporting material comprising a polymer containing a nitropyridine skeleton that has a large electron affinity and can easily make an N-type semiconductor is used for an organic electroluminescent element.
電子親和力が大きくＮ型半導体となりやすい、ニトロピリジン骨格を含む高分子からなる電子輸送性材料を有機エレクトロルミネッセント素子に用いる。 - 特許庁 - The electron supply layer 104 is constituted of AlGaN, and is lower than the buffer layer 102 in a-axis lattice constant and lower than the channel layer 103 in electron affinity.
電子供給層１０４は、バッファ層１０２よりもａ軸格子定数が小さく、かつ、チャネル層１０３よりも電子親和力の小さいＡｌＧａＮで構成される。 - 特許庁 - Then, the sodium atom, which has negative electron affinity, is electrically bound to the opening of the open-cage fullerene.
このとき、ナトリウム原子は負の電子親和力を有しているので、開口フラーレンの開口部にナトリウム原子が電気的に結合する。 - 特許庁 - Furthermore, in a GaAs-based semiconductor device, for forming a heterojunction having a large difference in electron affinity, a heterojunction to InrGa1-rN (0<r≤1) having small electronic affinity is formed.
また、ＧａＡｓ系の半導体素子において、電子親和力差の大きなヘテロ接合を形成するために、電子親和力が小さいＩｎ_ｒＧａ__１−ｒＮ（０＜ｒ≦１）とのヘテロ接合を形成する。 - 特許庁 - Electron affinity on a surface 3a of an n-type diamond layer 3 is reduced in this electron emission element 1 because a work function of n-type diamond is small as compared with, for instance, silicon.
電子放出素子１では、例えばシリコンに比べｎ型ダイヤモンドの仕事関数は小さいため、ｎ型ダイヤモンド層３の表面３ａにおける電子親和力は小さくなっている。 - 特許庁 - To provide a superior n-type diamond electron emitting element and an electronic device capable of being constructed thin and flat, having a smaller threshold voltage for electron emission, and allowing effective use of the negative electron affinity force of diamond.
薄型化及び平板化が可能で電子放出のしきい値電圧が小さく、ダイヤモンドの負の電子親和力を効果的に利用することのできる優れたｎ型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイスを提供する。 - 特許庁 - At least one of the ionization potential and the electron affinity is different by 0.1 eV or more between the different components among the other components.
この他の成分中の異なる成分間でイオン化ポテンシャルと電子親和力のうち少なくとも一方が０．１ｅＶ以上異なる。 - 特許庁 - In the electron source 10, electron affinity and a work function of an electron emission section 48 can be sufficiently reduced since a projection section 56 made of a n-type diamond semiconductor as a conductive type is arranged on the electron emission section 48, and a sufficient amount of emitted electrons can be obtained.
電子源１０では、導電型がｎ型のダイヤモンド半導体からなる突起部５６を電子放出部４８に設けていることから、電子放出部４８の電子親和力及び仕事関数を十分に低減させることができ、十分な量の電子放出が得られる。 - 特許庁 - A gate electrode includes a first insulating film, which is formed in contact with an interface oxide film under the gate electrode and has a little electron affinity and a wide band gap, and a second insulating film, which is formed in contact with the gate electrode and has a larger electron affinity and a narrower band gap.
ゲート電極を、その下の界面酸化膜に接して形成され、小さな電子親和力と大きなバンドギャップを有する第１の絶縁膜と、ゲート電極に接して形成され、より大きな電子親和力とより小さなバンドギャップを有する第２の絶縁膜の積層により形成する。 - 特許庁 - The electron affinity χ1(eV) of the first semiconductor layer, the prohibition band width Eg1(eV) of the first semiconductor layer, the electron affinity χ2(eV) of the second semiconductor layer and the prohibition band width Eg2 of the second semiconductor layer satisfy the following equation (1).
前記第１の半導体層の電子親和力χ１（ｅＶ）、前記第１の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ１（ｅＶ）、前記第２の半導体層の電子親和力χ２（ｅＶ）、及び前記第２の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ２が、下記式（１）に示す関係を満たす。 - 特許庁 - The tunneling suppression layer is prepared of a material having electron affinity greater than that of the base material, different from the base material.
トンネリング抑制層は、ベース材料とは異なり、ベース材料の電子親和力以上の電子親和力を備える材料から製作される。 - 特許庁 - The element electrode 4 similarly to the element electrode 2 is selected from a conductive material of which the electron affinity is negative.
ここで、本素子電極４は、素子電極２と同様に導電性を有しており、かつ、電子親和力が負である材料から選択される。 - 特許庁 - To obtain an organic compound which has high electron affinity and high quantum yield and exhibits strong fluorescence even in a solid state.
高い電子親和性と高い量子収率とを兼ね備え、固体状態においても強い蛍光を示す有機化合物を提供すること。 - 特許庁 - The C component is the hole separation component and composed of an organic medium having high free potential and high electron affinity.
そのうちＣ成分は正孔隔離性成分とされ、それは高い遊離電位と高い電子親和力を有する有機媒体で組成されている。 - 特許庁 - A film (101) is formed of a substance having negative electron affinity on an electrically conductive support (100), and is placed in the state of non-contact with a member (103) to be electrified.
導電性支持体（１００）上に負性電子親和力を持つ物質によって膜（１０１）を形成し、被帯電部材（１０３）と非接触に配置する。 - 特許庁 - To provide an electron mediator and a fused substance having high affinity with an enzyme, and a measuring method, an electrode and a sensor using an extracellular secretion cytochrome and an enzyme.
酵素と親和性の高い電子メディエータ及び融合体、細胞外分泌型シトクロムと酵素を用いた測定方法、電極、及びセンサを提供すること。 - 特許庁 - To provide the solar cell which has high conversion efficiency by properly combining the electron affinity, forbidden band width, and material of a semiconductor layer.
半導体層の電子親和力、禁制帯幅および材料を好適に組み合わせることによって、変換効率が高い太陽電池を提供する。 - 特許庁 - The photoelectriccathode film 3 is made from, for example, gold, platinum, low work function materials, or semiconductor having small or negative electron affinity.
光電陰極膜３は、例えば、金、白金などの金属、低仕事関数材料や、小さいもしくは負の電子親和力を有する半導体から成る。 - 特許庁 - To offer a constitution of a micro electron source using a laser emitting element capable of integration equal to that of a NEA(negative electron affinity) photo-cathode and capable of obtaining electron beams having high- brightness and a low energy dispersion characteristic, and to provide an electron beam device capable of downsizing device constitution and improving the throughput.
本発明は、ＮＥＡフォトカソードと同等の集積化が可能なレーザ発光素子を使用し、高輝度かつ低エネルギー分散特性を有する電子ビームを得ることができる微小電子源の構成を提案し、装置構成を小型化して、スループットの向上を図ることができる電子ビーム装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - When the carrier is an electron, an electronic structure is provided in which the bottom insulating film has one side making contact with the intermediate film with larger electron affinity than the other side making contact with a first semiconductor area, so that an electron is readily released from the discrete trap site.
キャリアが電子の場合は、該底部絶縁膜はその電子親和力において該中間膜に接する側を該第１の半導体領域に接する側より大きい電子構造とすることにより、該離散化した捕獲サイトからの電子の放出を容易とする。 - 特許庁 - A light-transmitting positive hole injection electrode, an organic positive hole transport layer, an organic luminescent layer, a two-layer boundary surface structure, an electron transport layer, having higher electron affinity than that of the luminescent layer, and an electron injection electrode are stacked continuously on a light-transmitting substrate.
光透過性基板上に連続して、光透過性正孔注入電極、有機正孔輸送層、有機発光層、二層境界面構造、発光層の電子親和力よりも高い電子親和力を有する電子輸送層、及び電子注入電極を積層する。 - 特許庁 - The compound semiconductor device is provided with a substrate 1, an AlN layer 2 formed over the substrate 1, an AlGaN layer 3 formed over the AlN layer 2 and larger in electron affinity than the AlN layer 2, and another AlGaN layer 4 formed over the AlGaN layer 3 and smaller in electron affinity than the AlGaN layer 3.
基板１と、基板１上に形成されたＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成され、ＡｌＮ層２よりも電子親和力が大きいＡｌＧａＮ層３と、ＡｌＧａＮ層３上に形成され、ＡｌＧａＮ層３よりも電子親和力が小さいＡｌＧａＮ層４と、が設けられている。 - 特許庁 - Between the other electrode and the organic photoelectric conversion layer, an electron blocking layer may be formed whose electron affinity is smaller than the work function of the adjacent electron by 1.3 eV or above, and ionization potential is the same as or smaller than that of the adjacent organic photoelectric conversion layer.
もう一方の電極と有機光電変換層との間に、電子親和力が、隣接する電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上小さく、かつ、イオン化ポテンシャルが、隣接する有機光電変換層のイオン化ポテンシャルと同等か、それより小さい電子ブロッキング層を設けても良い。 - 特許庁 - The electret element 100 includes an electret film 3 into which an electron is injected and a barrier film 4 which is located on the surface of the electret film 3 and has an electronic affinity V_2 smaller than the electronic affinity V_1 of the electret film 3.
このエレクトレット素子１００は、電子が注入されたエレクトレット膜３と、エレクトレット膜３の表面上に設けられるとともに、エレクトレット膜３の電子親和力Ｖ_１よりも小さい電子親和力Ｖ_２を有するバリア膜４とを備えている。 - 特許庁 - An electron emission device is manufactured by forming a semiconductor film having a thickness of 50 nm or less and an electron affinity of 4.0 eV or less on a metallic or semiconductor substrate having a spinto type cold cathode, a carbon nano-tube, a carbon nano-fiber and unevenness.
スピント型冷陰極やカーボンナノチューブやカーボンナノファイバおよび凹凸を有する金属や半導体基板に厚さ５０ｎｍ以下の電子親和力４．０ｅＶ以下の半導体膜を設けて電子放出装置を作製する。 - 特許庁 - Moreover, a NOR gate is constituted by connecting the source of pMOS to the high level, and the source of nMOS to the low level in view of increasing electron affinity of single gate 26 of the pMOS.
また、ｐＭＯＳのソースをハイレベル、ｎＭＯＳのソースをロウレベルに接続し、ｐＭＯＳの片側ゲート２６の電子親和力を増やし、ＮＯＲゲートを構成する。 - 特許庁 - Moreover, a NAND gate is constituted by connecting the source of pMOS to the high level and connecting the source of nMOS to the low level in view of lowering electron affinity of single gate 22 of the nMOS.
また、ｐＭＯＳのソースをハイレベル、ｎＭＯＳのソースをロウレベルに接続し、ｎＭＯＳの片側ゲート２２の電子親和力を減らし、ＮＡＮＤゲートを構成する。 - 特許庁 - Owing to the junction between a semiconductor layer and a conductor having a work function lower than the electron affinity of the semiconductor layer, a region into which carriers are injected from the conductor is formed in the semiconductor layer.
半導体層の電子親和力よりも仕事関数の小さな導体との接合においては、導体より半導体層にキャリアが注入された領域が生じる。 - 特許庁 - The dipyridylbenzothiadiazole represented by general formula (1) has high electron affinity and high quantum yield and exhibits strong fluorescence even in a solid state.
下記一般式（１）で示される、ジピリジルベンゾチアジアゾール誘導体は、高い電子親和性と高い量子収率とを兼ね備えたものであり、固体状態においても強い傾向を示す。 - 特許庁
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