「electron affinity」を含む例文一覧(82)
＜前へ 1 2- Moreover, a third semiconductor layer 105, which has an electron affinity more weaker than that of the layer 104, is inserted in the vicinity of the gate electrode on the layer 104.
さらに、第２の半導体層より電子親和力がさらに小さい第３の半導体層１０５を第２の半導体層のゲート電極近傍に挿入する。 - 特許庁 - Then, electron affinity of the diamond layer 6 is small as compared with, for instance, a silicon layer, whereby the gap between the energy level at the lower end of a conduction band of the diamond layer 6 and the energy level where electrons are present in the electron supply part 7 is reduced.
このとき、ダイヤモンド層６の電子親和力は、例えばシリコン層に比べ小さいため、ダイヤモンド層６の伝導帯下端のエネルギー準位と電子供給部７において電子が存在するエネルギー準位とのギャップは小さくなっている。 - 特許庁 - A photoelectric converter layer composed of an aggregate of photoabsorptive dendrimers 1 functioning as electron donor and metal fine particles 2 functioning as electron acceptor is self-aggregatingly formed by rendering both of them chemical affinity.
電子供与体として働く光吸収性のデンドリマー構造体１と、電子受容体として働く金属微粒子２との集合体からなる光電変換層を両者に化学的親和性をもたせることで、自己集合的に形成させる。 - 特許庁 - The device excites electrons with two photons to thereby provide a large polarization even without separating the degeneracy of the energy bands of a heavy electron hole and a light electron hole, and can excite the electrons to a high energy level in a conduction band to thereby dispense with a negative electron affinity for external emission of the electrons from the compound semiconductor.
この装置によると、２光子で電子が励起されるために重い正孔と軽い正孔のエネルギーバンドの縮退を解かないでも大きな偏極度が得られ、電子を伝導帯内の高いエネルギーレベルにまで励起できるために化合物半導体の外部に電子を放出させるために負の電子親和性を得る必要がない。 - 特許庁 - The second block oxide film 4b on the side of the gate electrode 6 is formed of a dielectric material having higher permittivity than that of the first block oxide film 4a and having higher electron affinity than that of the first block oxide film.
ゲート電極６側の第２ブロック酸化膜４ｂは、第１ブロック酸化膜４ａに比べてより誘電率が高く、電子親和力の大きな誘電材料から構成されている。 - 特許庁 - A field-effect transistor is formed on a substrate 101 by sequentially stacking a first nitride semiconductor layer 102 serving as a nucleation layer, a second nitride semiconductor layer 103 having a larger electron affinity than the first nitride semiconductor layer 102, and a third nitride semiconductor layer 104 having a smaller electron affinity than the second nitride semiconductor layer 103.
電界効果型トランジスタは、基板１０１上に、核形成層として機能する第一の窒化物半導体層１０２と、第一の窒化物半導体層１０２よりも電子親和力の大きい第二の窒化物半導体層１０３と、第二の窒化物半導体層１０３よりも電子親和力の小さい第三の窒化物半導体層１０４とを順に積層して形成されている。 - 特許庁 - The reason why large current density is realized is that the p doped region and the p+ doped region work as a material of negative electron affinity when they contact the metal of low work function.
高電流密度が可能となるのは、ｐドーピング領域およびｐ＋ドーピングされた領域が、低い仕事関数の金属に接したときに、負の電子親和力の材料として動作するからである。 - 特許庁 - To provide a spout device capable of increasing the minus ion generation quantity by Lennard effect by abundantly mixing oxygen molecules having high electron affinity to water or the like in a water supplying passage followed by discharging.
水供給路の水等に、電子親和力の高い酸素分子を多く混合し混入し、吐水させることによって、レナード効果によるマイナスイオン発生量を増加させる吐水装置を提供する。 - 特許庁 - The electron source is an indirect transition semiconductor composed of semiconductor material in which exciton binding energy is great, wherein the electron source forms an active layer by the indirect transition semiconductor, with ≥10% generation efficiency for free exciton with an electrode carrying out active layer current injection and converts a free exciton to a free electron in a negative electron affinity force surface formed in an active layer or in an active region to carry out continuous discharging.
本発明は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層を形成し、活性層電流注入する電極を有する自由励起子生成効率が10%以上であり、その活性層あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させることを特徴とする電子源である。 - 特許庁 - In a protective layer 15(1) containing S as an additive and having a structure of MgO_0.9S_0.1, electron affinity Ea is deepened by 0.03 (eV) as compared with a conventional protective layer, and a V.B. top position rises by 0.1 (eV).
添加物としてＳを含有し、ＭｇＯ_0.9Ｓ_0.1の構成を有する保護層１５（１）では、従来の保護層に比べて、電子親和力Ｅａが０．０３（ｅＶ）深くなり、Ｖ．Ｂ．トップ位置が０．１（ｅＶ）上昇する。 - 特許庁 - A second semiconductor layer 104, which has an electron affinity weaker than that of the layer 103 and suppresses a current to flow in the layer 104 from a gate electrode on the layer 104 by a thermal excitation, is formed on the layer 103.
第１の半導体層１０３の上に、第１の半導体層より電子親和力が小さく、ゲート電極から熱励起によって流れ込む電流を抑制する第２の半導体層１０４を形成する。 - 特許庁 - To provide a high-k dielectric material, having electron affinity whose electrical characteristics are controlled by further adding elements to an existing high-k dielectric material.
さらなる元素を既存のｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料に加えることによって、電子親和力を含むｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料の電気的特性を制御した、ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を提供すること。 - 特許庁 - The intermediate layer 22 comprises gallium nitride (GaN) crystal having electron affinity larger than that of the photosensitive layer 23 and is formed between the conductive support 21 and the photosensitive layer 23 in contact with the conductive support 21 and the photosensitive layer 23.
中間層２２は、感光層２３よりも大きい電子親和力を有する窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶からなり、導電性支持体２１と感光層２３との間に導電性支持体２１および感光層２３に接して形成される。 - 特許庁 - By having either fullerene derivative molecules or metallocene molecules, having larger electron affinity or smaller ionization energy adhered to the surface of a semiconductor, charge transfer from the molecule to the semiconductor is induced, and doping of the semiconductor is carried out.
本発明は、半導体表面にフラーレン誘導体分子およびメタロセン分子のうち電子親和力が大きい、或いはイオン化エネルギーの小さいものを付着させることにより、分子から半導体への電荷移動を誘起させ、半導体のドーピングを行う。 - 特許庁 - A work function ΦMn of a gate electrode 6 of nMOS is made into value between electron affinity χs of silicon and an energy difference Φi of intrinsic Fermi level εi of silicon and the vacuum level of silicon, namely, set so as to establish the relation of χs<ΦMn<Φi.
ｎＭＯＳのゲート電極６の仕事関数ΦＭｎを、シリコンの電子親和力χsと、シリコンの真性フェルミ準位εｉとシリコンの真空準位とのエネルギー差Φｉとの間の値にする、すなわち、χs＜ΦＭｎ＜Φｉの関係が成り立つように設定する。 - 特許庁 - A barrier layer (14B) comprising a compound semiconductor including Al as group III element so as to cover the quantum dot and having electron affinity smaller than that of the quantum dot is formed by organic metal chemical vapor growth by the use of triethylaluminum as an Al raw material.
量子ドットを被覆するように、ＩＩＩ族元素としてＡｌを含み、量子ドットよりも電子親和力の小さな化合物半導体からなるバリア層(14B)を、Ａｌ原料としてトリエチルアルミニウムを用いた有機金属化学気相成長により形成する。 - 特許庁 - The reason why large current density is possible is that, under the prescribed voltage drop at both ends of the dielectric layer, effective negative electron affinity is realized at the 'cold' electrons of quasi-equilibrium condition that are accumulated in the depletion layer of the p region adjacent to the dielectric layer.
高電流密度が可能となるのは、誘電体層の両端の所定の電圧降下のもとで、有効な負の電子親和力が、誘電体層に隣接したｐ領域の空乏層に蓄積された準平衡状態の「冷」電子について実現されるからである。 - 特許庁 - With the electronic device having BCN thin films 10, 15 formed on a cathode electrode, a potential barrier height at an interface between the BCN thin films and the cathode electrode is made low by changing a composition of the BCN thin films within the film, whereby, electron affinity on a film surface is made smaller.
カソード電極上にＢＣＮ薄膜１０，１５が形成される電子デバイスであって、ＢＣＮ薄膜の組成を膜内で変化させることにより、ＢＣＮ薄膜とカソード電極の界面でのポテンシャル障壁高さが低くされると共に、膜表面での電子親和力が小さくされる。 - 特許庁 - To provide a p-type semiconductor film readily controlling a forbidden band width or an electron affinity distribution in the p-type semiconductor film constituted of a p-type semiconductor and used as a light absorbing layer of a solar cell, so as to provide a high conversion efficiency solar cell.
ｐ型半導体で構成され、太陽電池の光吸収層として使用されるｐ型半導体膜内の禁制帯幅或いは電子親和力の分布を容易に制御することができ、変換効率の高い太陽電池を得ることができるｐ型半導体膜を提供する。 - 特許庁 - The plasma image screen has a protection layer 5, made of the material with low electron affinity and high sputtering resistance, chosen from crystalline diamond, AlN, AlGaN, BN, or tetrahedral amorphous carbon, and a sealed gas contains more than 7 volume % xenon.
プラズマ画像スクリーンが、結晶質ダイヤモンド、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＢＮ及び四面体非結晶質炭素の群から選択された、電子親和力が低く且つ耐スパッタリング性が高い材料から成る保護層５を有し、封入ガスが７容量％よりも多くの相対量のキセノンを含有すること。 - 特許庁 - Between one electrode and an organic photoelectric conversion layer, a hole blocking layer is formed which consists of an organic compound and whose ionization potential is larger than the work function of the adjacent electrode by 1.3 eV or above, and electron affinity is the same as or larger than that of the adjacent organic photoelectric conversion layer.
電極と有機光電変換層との間に、イオン化ポテンシャルが隣接する電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上大きく、かつ、電子親和力が隣接する有機光電変換層の電子親和力と同等かそれより大きい、有機化合物からなる正孔ブロッキング層を設ける。 - 特許庁 - A sub-dielectric layer 8B is provided to prevent the main dielectric layer 8A from being exposed to a gap space, and a difference between electron affinity and work function of the sub-dielectric layer 8B and the electrode on the movable plate 3 is made larger than that in a constitution that the main dielectric layer 8A is exposed to the gap space.
そして、主誘電体層８Ａがギャップ空間に露出することを防ぐ副誘電体層８Ｂを設け、副誘電体層８Ｂと可動板３側の電極との電子親和力と仕事関数との差を、主誘電体層８Ａがギャップ空間に露出する構成よりも大きくする。 - 特許庁 - In the avalanche photodiode, the optical absorption layer 10 is composed of a depletion layer 14 of low carrier density and a depletion terminal layer 15 of high carrier density, and the carrier density or the electron affinity of the layer 15 is varied stepwise or continuously.
アバランシフォトダイオードにおいて、光吸収層１０が低キャリア濃度の空乏化層１４と高キャリア濃度の空乏化終端層１５とから構成され、空乏化終端層１５のキャリア濃度又は電子親和力が段階的又は連続的変化することを特徴とする。 - 特許庁 - Next, after a synthetic resin coating 4 containing at least 20 wt.% of an alkyl α-hydroxyacrylate monomer high in affinity with wood is applied as an ultraviolet component on the surface of the veneer 3, the coating 4 is cured by being irradiated with ultraviolet rays or electron beams, which are active energy rays R.
次いで、上記木質薄単板３表面に木材との親和性が高いアルキルα−ヒドロキシアクリレートモノマーを不揮発成分として２０重量％以上含む合成樹脂塗料４を塗布した後、上記合成樹脂塗料４を活性エネルギー線Ｒである紫外線又は電子線の照射により硬化させる。 - 特許庁 - Besides, a work function ΦMp of a gate electrode 7 of pMOS is made into value between the added result of the electron affinity χs of silicon and a band gap energy Eg of silicon and the energy difference Φi of the intrinsic Fermi level εi of silicon and the vacuum level of silicon, namely, set so as to establish the relation of Φi<ΦMp<χs+Eg.
また、ｐＭＯＳのゲート電極７の仕事関数ΦＭｐを、シリコンの電子親和力χsとシリコンのバンドギャップエネルギーＥgとを加えたものと、シリコンの真性フェルミ準位εｉとシリコンの真空準位とのエネルギー差Φｉとの間の値、すなわち、Φｉ＜ΦＭｐ＜χｓ＋Ｅｇの関係が成り立つように設定する。 - 特許庁 - In a thin-film transistor including an oxide semiconductor in which a hydrogen concentration is not higher than 5×10^19/cm^3, a work function ϕms of a source electrode in contact with the oxide semiconductor, a work function ϕmd of a drain electrode in contact with the oxide semiconductor, and the electron affinity χ of the oxide semiconductor satisfy a relationship of ϕms≤χ<ϕmd.
水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有する薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、φｍｓ≦χ＜φｍｄの関係になるように構成する。 - 特許庁 - To provide a charge moving force detection apparatus and method capable of accurately measuring the charge moving force of the surface of a substance, regardless of conductivity and non-conductivity and to detect the discrimination of the substance and physical and chemical properties such as local ionization energy, electron affinity, work function, interface polarizing state or interface reactivity by the measurement of the charge moving force.
導電性の有無に係わらず物質表面の電荷移動力を正確に測定しうる電荷移動力検出装置及び方法を提供し、その測定により、物質の識別、局所的なイオン化エネルギー、電子親和力、仕事関数、界面の分極状態、界面の反応性等の物理的および化学的性質の検出を可能にする。 - 特許庁 - An organic thin-film transistor is provided which uses a polythienylquinoxaline derivative prepared by introducing a quinoxaline ring having a high electron affinity, namely, having an n-semiconductor properties and simultaneously exhibiting p- and n-electric properties into a polythiophene having a p-semiconductor properties and includes a substrate, a gate electrode, a gate insulation layer, an organic active layer, and a source/drain electrode.
ｐ型半導体特性を有するポリチオフェンに、電子親和力の大きい、すなわちｎ型半導体特性を持つキノキサリン環を導入したｐ型とｎ型の電気的特性を同時に示すポリチエニルキノキサリン誘導を使用し、且つ、基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機活性層、及びソース／ドレイン電極を含んでなる有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁 - The emitter 26 is composed of a metal-plated layer 42 formed on the cathode electrode 22 and a plurality of grain-shaped or stick-shaped fine bodies 44, supported on the metal plated layer 42 in a scattered state, made of a material chosen from fullerene, carbon nanotube, graphite, a material with a low work function, a material with negative electron affinity force, and a metallic material.
エミッタ２６は、カソード電極２２上に形成された金属メッキ層４２と、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなると共に金属メッキ層４２に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体４４と、を有する。 - 特許庁 - The pigment dispersant is characterized by containing at least a metal compound having a phthalocyanine structure whose central metal can form a five-coordinate structure or six-coordinate structure, and an n-electron- imparting compound such as a styrene-vinylpyridine copolymer which exhibits affinity to the dispersing medium and can be coordinated on the central atom of the metal compound.
顔料分散剤として、中心金属が五配位構造又は六配位構造をとることのできるフタロシアニン構造を有する金属化合物と、分散媒に対して親和性を示し、かつ金属化合物の中心金属に配位可能なｎ−電子供与性化合物、たとえばスチレン−ビニルビリジン共重合体、とを少なくとも含有することを特徴とする構成とした。 - 特許庁 - The method for producing a metal nanowire comprises a process where a two phase structure of a water phase in which a metal complex or a metal hydroxide ion exhibiting electron affinity higher than that of a halide ion in a photoexcitation state and an organic phase obtained by dissolving a fat-soluble organic salt (such as a tetraalkylammonium salt) into an organic solvent (such as chloroform) is irradiated with ultraviolet radiation or visible radiation.
光励起状態において、ハロゲン化物イオンより高い電子親和性を示す金属錯体または金属水酸化物イオンを溶解させた水相と、脂溶性有機塩（例えば、テトラアルキルアンモニウム塩）を有機溶媒（例えば、クロロホルム）に溶解させた有機相とから成る水相−有機相の二相構造に紫外光または可視光を照射する工程を含む、金属ナノワイヤーの製造方法による。 - 特許庁 - In this spout device, high concentration oxygen supplied from a high concentration oxygen generating means through a high concentration oxygen supplying passage is mixed to the water supplying passage for supplying water or the like to discharge water or the like rich in oxygen molecules having high electron affinity, whereby electrons separated by water crushing can electronically be adhered to oxygen molecules to abundantly generate minus ions with the oxygen molecule that is an electrically negative gas as a nucleus.
吐水装置において、水等を供給する水供給路に、高濃度酸素発生手段から高濃度酸素供給経路を介して供給される高濃度酸素を混同し混入し、電子親和力の高い酸素分子を多く含んだ水等を吐水させることで、水破砕による電子離脱の電子が酸素分子に電子付着し、電気的負性気体となった酸素分子を核としたマイナスイオンを多く発生することができる。 - 特許庁
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