「element variable」を含む例文一覧(1802)

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  • The switching drive circuit 11 is provided with a variable capacitance element 14, connected between the drain electrode D and an gate electrode G of the transistor Tr10.
    スイッチング駆動回路１１は、トランジスタＴｒ１０のドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇの間に接続される可変容量素子１４を備えている。 - 特許庁
  • To provide an electrochromic element which can be manufactured from an inexpensive coloring agent by a simple method and whose color tone is variable and provided with flexibility.
    安価な発色剤と簡便な方法により製造することが可能で、色調が可変で、かつ柔軟性を具備するエレクトロクロミック素子を提供する。 - 特許庁
  • PLATE SINGLE CRYSTAL COMPOSED OF METAL OXIDE, THIN FILM OF THE METAL OXIDE, PRODUCTION METHODS FOR THE SINGLE CRYSTAL AND THE FILM AND VARIABLE-RESISTANCE ELEMENT USING THE SINGLE CRYSTAL OR THE FILM
    金属酸化物からなる板状単結晶体、その金属酸化物薄膜、それらの製造方法、および、それらを用いた抵抗変化型素子 - 特許庁
  • On a semiconductor substrate 11, a first electrode 14, a second electrode 17, and a variable resistive element 51 formed between the both electrodes are provided.
    半導体基板１１上に、第１電極１４、第２電極１７、及び前記両電極の間に形成される可変抵抗体５１を有する。 - 特許庁
  • Insert the data into the database, based on the variable values of the current object and returns the ID of the inserted element if sequences or primary keys are being used.
    現在のオブジェクトの偏す打ちに基づいたデータをデータベースに挿入し、もし、シーケンスや主キーが使用される場合、挿入された要素のIDを返します。 - PEAR
  • The top element on the stack contains thekeyword arguments dictionary, followed by the variable-argumentstuple, followed by explicit keyword and positional arguments.
    スタックの先頭の要素はキーワード引数辞書を含んでいおり、その後に変数引数のタプルが続き、さらに明示的なキーワードと位置引数が続きます。 - Python
  • This blanking punch includes: a body part 5; a neck part 6; and a head part 7, and the punch is used for punching an element 2 constituting a continuously variable transmission belt 1.
    【解決手段】ボディー部５、ネック部６、ヘッド部７を備え、無段変速機用ベルト１を構成するエレメント２の打ち抜き成形に用いられる。 - 特許庁
  • The memory cell structure is characterized by a double-channel structure in which the interior of a switching transistor is filled with a variable resistor element, in particular, by a phase change material.
    スイッチングトランジスタの内部を可変抵抗素子、特に相変化材料で充填した２重チャネル構造としたメモリセル構造を特徴とする。 - 特許庁
  • To solve the problem where a lower power source voltage of a portable electronic apparatus causes narrower voltage width applicable to a variable capacity element, resulting in insufficient capacity change coefficient.
    携帯電子機器の電源の低電圧化により、可変容量素子に印加可能な電圧幅が減少し、十分な容量変化率が確保できない。 - 特許庁
  • To provide a more simply and more inexpensively configured voltage generation circuit for generating a control voltage for controlling a capacitance of a variable capacitance element.
    可変容量素子の容量を制御するための制御電圧を発生する電圧発生回路において、より簡易で、かつ、より低価格な構成を提供する。 - 特許庁
  • In a control valve for a variable capacity compressor, a power element 6 is provided to an end opposite to a solenoid 3 in a body 5 and partitions a housing 50 into a closed space S1 and open space S2 by a sensing member such as a diaphragm 19.
    可変容量圧縮機用制御弁によれば、ボディ５のソレノイド３とは反対側の端部にパワーエレメント６が設けられる。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device which can increase an operation margin by reducing characteristic variation of a variable resistance element, and to provide a method of manufacturing the same.
    可変抵抗素子の特性バラツキを低減することで、動作マージンを大きくすることが可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • An LPF 32 of a CR phase shifter 31 is set to be an integration circuit where a resistor R1 and an NPN transistor Tr1 as a variable element are connected in series.
    ＣＲ移相器３１のＬＰＦ３２を、抵抗Ｒ１と可変素子としてのＮＰＮトランジスタＴr1を直列に接続した積分回路とする。 - 特許庁
  • The high pass filter is constituted of the input resistance element which has a variable resistance value and has one terminal connected to the other input terminal of the differential input amplifier, and a capacity element connected in series to the other terminal of the input resistance element.
    抵抗値が可変で一方の端子が差動入力増幅器１０１の他方の入力端子に接続された入力抵抗素子、および前記入力抵抗素子の他方の端子と直列に接続された容量素子によってハイパスフィルターを構成する。 - 特許庁
  • To provide a variable valve mechanism of an internal combustion engine capable of varying the maximum lift amount of a valve element and bringing a principle part of the mechanism for transmitting input of an cam in a stop state in addition to the valve element during operation stop of the valve element.
    この発明は、弁体の最大リフト量を変化させることのできる内燃機関の可変動弁機構に関し、弁体の作動停止時には、弁体に加えて、カムの入力を伝える機構の主要部をも停止状態とすることを目的とする。 - 特許庁
  • The nonvolatile semiconductor memory comprises a plurarity of memory element groups which comprise memory elements each composed of a resistance variable element and a diode connected in series, a plurality of source lines connected to one-side ends of the plurality of memory elements in the memory element group.
    本発明の不揮発性半導体記憶装置は、抵抗変化素子及びダイオードが直列に接続されたメモリ素子を複数有する複数のメモリ素子群と、メモリ素子群の複数のメモリ素子それぞれの一端にそれぞれ接続された複数のソース線と、を有する。 - 特許庁
  • The feedback loop 4 comprises a capacitor 41 and a resistive element 44 in a RF path and an inductive element 42 in a DC feed path, wherein the resistive element comprises a feedback transistor 45 arranged as variable resistor within the feedback loop, and a bias control circuit 46.
    帰還ループ４は、ＲＦ経路にコンデンサ４１および抵抗性要素４４を、ＤＣ給電経路に誘導性要素４２を備え、前記抵抗性要素は、帰還ループ内に可変抵抗として構成された帰還トランジスタ４５およびバイアス制御回路４６を備える。 - 特許庁
  • To provide a circuit which correctly sets and controls a capacity value of a variable capacity provided in order to permit the fluctuation of element values of a resistive element and a capacity element caused by a manufacturing error and temperature characteristics in a semiconductor integrated circuit by a simple circuit.
    半導体集積回路における抵抗素子および容量素子の製造誤差および温度特性による素子値の変動を許容するために設けた可変容量の容量値を簡易な回路で正確に設定し制御する回路を提供する。 - 特許庁
  • In the diffraction element 2, diffraction efficiency is variable; the utilization efficiency of the light of the optical pickup device 1 decreases when diffraction efficiency is increased in the diffraction element; and the utilization efficiency of the light of the optical pickup device 1 increases when the diffraction efficiency is decreased in the diffraction element.
    この回折素子２は、回折効率が可変であり、回折素子の回折効率を高くすると、光ピックアップ装置１の光の利用効率が低下し、回折素子の回折効率を低くすると、光ピックアップ装置１の光の利用効率が向上する。 - 特許庁
  • To provide a variable resistance element having a structure in which the area of an electrically contributing region of a variable resistor is a minutely smaller than an area defined by an upper electrode or a lower electrode, and to provide a manufacturing method thereof.
    可変抵抗体の電気的に寄与する領域の面積が上部電極若しくは下部電極等で規定される面積よりも微細な面積である構造の可変抵抗素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The lens device includes an optical vibration-proof unit 80 that shifts the vibration-proof optical element L4 in the direction different from the optical axis direction, at a part connecting the focus systems and the variable power systems in an afocal manner out of optical systems from the focus systems to the variable power systems.
    フォーカス系から変倍系までの光学系のうち該フォーカス系と該変倍系とをアフォーカルに接続する部分に、防振光学素子Ｌ４を光軸方向とは異なる方向にシフトさせる光学防振ユニット８０を設ける。 - 特許庁
  • The variable wavelength element section has an n-InP lower clad layer 18, a variable wavelength layer 20, an i-InP layer 22, an active layer 24, a p-InP spacer layer 26, a p-diffraction grating 28, and a p-InP buried layer 30 on the substrate.
    波長可変素子部は、基板上に、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１８、波長可変層２０、ｉ−ＩｎＰ層２２、活性層２４、ｐ−ＩｎＰスペーサ層２６、ｐ−回折格子２８、及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層３０を備える。 - 特許庁
  • In addition, since current is strong at almost the middle of the metal wiring shared by the outermost circumferential loop Z and the folded dipole, the variable capacitance element C1 is provided almost at the middle, thereby maximizing a variable capacitance range.
    また、最外周ループＺとフォールデッドダイポールを共有する金属配線の略中央は、電流が強い部分なので、この略中央に可変容量素子Ｃ１を設けることにより、容量可変範囲を最大にすることができる。 - 特許庁
  • An optical element 10 includes: an optically variable layer 13 containing a material LC having dielectric anisotropy and a solvatochromic dye SD; and electrodes 12a, 12b for applying a voltage to the optically variable layer 13.
    本発明の光学素子１０は、誘電率異方性を有する材料ＬＣとソルバトクロミック色素ＳＤとを含んだ光学的可変層１３と、前記光学的可変層１３に電圧を印加する電極１２ａ，１２ｂとを具備する。 - 特許庁
  • To provide a forward amplifier circuit for performing distortion compensation with high accuracy while simplifying the circuit and reducing power consumption by eliminating a control circuit such as a DSP and an element for control (variable phase shifter and variable attenuator).
    ＤＳＰ等の制御回路および制御用素子（可変位相器、可変減衰器）をなくして、回路の簡素化および消費電力の低減を実現しながら、精度の高い歪補償を行うフィードフォワード増幅回路を提供する。 - 特許庁
  • The signal lines 12-1 to 12-n, 22-1 to 22-n, 32-1 to 32-n connected to respective terminals 44-1 to 44-n of the terminal group 44 of the variable wiring element 40 can be used for any variable logic elements 10, 20, 30.
    可変配線素子４０の端子群４４の各端子４４−１〜４４−ｎに接続される信号線１２−１〜１２−ｎ、２２−１〜２２−ｎ、３２−１〜３２−ｎについては、どの可変論理素子１０、２０、３０でも使用できる。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device having a variable capacitance capacitive element of MOS type structure capable of increasing the variable width in which variation in capacitance can be suppressed for the applying bias, and its method of manufacturing.
    可変幅を大きく取ることができるＭＯＳ型の構造であって、印加バイアスに対する容量の変化量を小さくすることができる容量可変の静電容量素子を有する半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The rate of change of a voltage value of the drive signal COM per unit time is made variable by making the frequency of the clock signal CLK2 variable in accordance with the deformation rate of the pressure generation element per unit time.
    本発明は、クロック信号ＣＬＫ２の周波数を圧力発生素子の単位時間当たりの変形率に応じて可変させることにより、駆動信号ＣＯＭの単位時間当たりの電圧値の変化率を可変にしている。 - 特許庁
  • To easily regulate the balance of a resistance value over a wide range, in a magnetic detector for obtaining an output from an intermediate position between a variable resistance element using a magnetic resistance effect and a reference resistance element.
    磁気抵抗効果を利用した可変抵抗素子と参照抵抗素子との中間から出力を得る磁気検出装置において、抵抗値のバランスを、簡単で且つ広い範囲で調整できるようにする。 - 特許庁
  • A reference voltage supply circuit 60 for generating reference voltage to supply the reference voltage to each comparator comprises a DC power supply 61 and a capacitative element 62 and is configured so as to make a charging speed to the capacitative element variable.
    参照電圧を生成して各比較器に供給する参照電圧供給回路６０は、直流電源６１と容量素子６２とからなり容量素子に対する充電速度が可変に構成されている。 - 特許庁
  • The controller for a hybrid vehicle includes a control means for realizing a fixed transmission mode by fixing a rotating element using the brake and actualizing a continuously variable transmission mode by releasing the rotary element.
    ハイブリッド車両の制御装置は、ブレーキ部を用いて、回転要素を固定することにより固定変速モードを実現し、回転要素を解放することにより無段変速モードを実現する制御手段を備える。 - 特許庁
  • Otherwise, the metal oxide consisting of at least one of element among group VI transition metal elements and at least one of element among groups I, II, VII, and VIII transition metal elements are used for the variable resistive film 2.
    また、可変抵抗膜２には、VI族の遷移金属元素のうち少なくとも１種の元素と、Ｉ族，II族，VII族，VIII族の遷移金属元素のうち少なくとも１種の元素とからなる金属酸化物が用いられる。 - 特許庁
  • To obtain a delay signal sequence of a time interval shorter than the shortest delay transmission time of a signal transmission element or a delay time variable transmission element, and solve a disadvantage of the obtained delay signal sequence.
    信号伝送素子あるいは遅延時間可変伝送素子の最短遅延伝送時間より短い時間間隔の遅延信号列を得ることと、得られた遅延信号列に付随する不都合を解決することである。 - 特許庁
  • Sequentially from a light source, the objective optical system comprises a refractive power variable element 18, a diffraction optical element L_1 with a diffraction optical surface at least on one surface, and an objective lens L_2 having positive refractive power.
    光源側から順に、屈折力可変素子１８と、少なくとも一方の面に回折光学面を有する回折光学素子Ｌ_１と、正の屈折力を有する対物レンズＬ_２とから構成されてなる。 - 特許庁
  • This control valve for the variable displacement compressor has a first passage 38 extending in the moving direction of a valve element 32, and second passages 37a and 37b extending in the right-angled direction to the moving direction of the valve element 32.
    可変容量型圧縮機用制御弁は、弁体３２の移動方向へ延びる第１の通路３８と弁体３２の移動方向に対して直角方向へ延びる第２の通路３７ａ，３７ｂとを有する。 - 特許庁
  • An input port is set on the side of the double refraction element for separation and an output port is set on the side of the double refraction element for combination, and input light is connected to the output port by the control of both of the variable Faraday rotators.
    分離用複屈折素子側に入力ポートを、合成用複屈折素子側に出力ポートを設定し、両可変ファラデー回転子の制御により入力光を所望の出力ポートに結合させる。 - 特許庁
  • This converter can sample at the timing according to the selection signal SEL and convert the analog signal input from a wave receiving element into the digital signal so as to eliminate a variable delay element and a memory and reduce the number of components.
    選択信号ＳＥＬに応じたタイミングでサンプリング動作して、受波素子から入力されるアナログ信号をディジタル信号に変換するので、可変遅延素子やメモリが不要になり、部品点数を削減できる。 - 特許庁
  • An electrically conducting interconnect element is deposited onto at least selected vertical pillar transistors and a non-volatile variable resistive memory cell is deposited onto the electrically conducting interconnect element to form a vertical transistor memory array.
    導電相互接続素子が、少なくとも選択された縦型ピラートランジスタ上に堆積されるとともに、不揮発性可変抵抗メモリセルが、導電相互接続素子上に堆積されて、縦型トランジスタメモリアレイを形成する。 - 特許庁
  • The metallic reinforcing plate 3 is an integral unit having a cylinder shaft 28 to be engaged with the sliding contact element 6 to hold the element 6 rotatably on the insulating substrate, and a variable side electrode 44.
    金属製補強板３は、金属製摺接子６と係合して金属製摺接子６を絶縁基板上に回転自在に保持するための円筒軸２８と、可変側電極４４とを有した一体物である。 - 特許庁
  • This system comprises a variable binding means 10 to bind a variable X expressing a set of values D provided as an element E necessary for solving a problem as a list 11 in a form containing a combination of a lower limit Di-min and an upper limit Di-max of a section I of continuous values Di of which the variable X will not be provided.
    問題を解くにあたって求めるべき要素Ｅとして取り得る値Ｄの集合を表現する変数Ｘを、当該変数Ｘが取り得ない連続した値Ｄiの区間Ｉの下限値Ｄi-minと上限値Ｄi-maxの組が含まれる形態のリスト１１で設定する変数設定手段１０を備える。 - 特許庁
  • The antenna device is equipped with a variable capacitance capacitor C2 using a dielectric material, a capacitor C1 connected in series with the variable capacitance capacitor C2, a switch connected in parallel to the capacitor C1, and an antenna element ANT connected to the variable capacitance capacitor C2 and the capacitor C1.
    本発明のアンテナ装置は、強誘電体材料を用いた容量可変キャパシタＣ２と、前記容量可変キャパシタＣ２と直列に接続されたキャパシタＣ１と、前記キャパシタＣ１と並列に接続されたスイッチと、前記容量可変キャパシタＣ２と前記キャパシタＣ１とに接続されたアンテナ素子ＡＮＴと、を備えたものである。 - 特許庁
  • The driver IC 22 which drives the electrooptical element has an oscillator 60 whose oscillation frequency is variable with an electronic variable resistor SW5, a temperature detection part 120 which detects ambient temperature, and a correction table 142 which contains electronic variable resistor correction values corresponding to temperatures detected by the temperature detection part 120.
    電気光学素子を駆動するドライバＩＣ２２は、電子ボリュームＳＷ５により発振周波数が可変である発振器６０と、環境温度を検出する温度検出部１２０と、温度検出部１２０にて検出される温度と対応する電子ボリューム補正値を記憶する補正テーブル１４２と、を有する。 - 特許庁
  • A gas chamber 32 arranged adjacent to the variable volume chamber 30 of the high pressure pump 1, is constituted of an inside shielding wall 33 adjacent to the variable volume chamber 30, a seal element 25 as an outside shielding wall and nitrogen gas 35 sealed in a space sandwiched by the inside shielding wall 32 and seal element 25.
    高圧ポンプ１の可変容積室３０に隣接して配設されているガス室３２は、可変容積室３０に隣接する内側遮蔽壁３３、外側遮蔽壁としてのシールエレメント２５、及び、これら内側遮蔽壁３２とシールエレメント２５とに挟まれた空間に密閉されている窒素ガス３５から構成される。 - 特許庁
  • To provide a forming method for a resistance-change type memory device by which a forming operation can be finished in a short period of time and a highly reliable memory operation can be performed by applying the voltage of appropriate extend to a variable resistance element during the forming operation of the variable resistance element, and to provide the resistance-change type memoy device.
    可変抵抗素子のフォーミングの動作時に、可変抵抗素子に適切な大きさの電圧を印加することにより短時間でフォーミングの動作を終了し、高信頼性のメモリ動作を可能とする抵抗変化型メモリ装置のフォーミング方法および抵抗変化型メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • A gain control amplifier circuit 1 is placed to the input side of a delay element 2, a gain variable amplifier circuit 3 is placed to an output side of the delay element 2, the gain of the gain variable amplifier circuit 3 is controlled by a control signal SCTL, so as to increase the gain at the special reproduction more than the gain at the usual reproduction.
    遅延素子２の入力側に利得制御増幅回路１を配置するとともに、遅延素子２の出力側に利得可変増幅回路３を配置し、この利得可変増幅回路３の利得を、制御信号ＳＣＴＬで制御し、特殊再生時は通常再生時より大きくなるようにする。 - 特許庁
  • To reduce loss for enhancement of the efficiency of operating a motor drive system using both a secondary battery and a voltage variable energy storage element such as an electric double-layer capacitor by stopping a power converter (DC/DC converter) when no power is given or received or a small amount of power is given and received in the voltage variable energy storage element.
    二次電池と、電気二重層キャパシタ等の電圧可変形エネルギー貯蔵素子とを併用したモータ駆動システムにおいて、電圧可変形エネルギー貯蔵素子の電力授受が無いとき、または、その量が少ないときに電力変換器（DC/DCコンバータ）を停止させることで損失を低減し、運転効率の向上を図る。 - 特許庁
  • The optical variable attenuator 1 has an optical waveguide element 3, where optical variable attenuating circuits 2a to n attenuating and outputting inputted light are formed, mounted in a package 44, and highly heat conductive members 5a and 5b are provided between the optical waveguide element 3 and package 44 while divided into at least two or more parts.
    入力される光を減衰させて出力する光可変減衰回路２ａ〜ｎが形成された光導波路素子３を、パッケージ４４にマウントした光可変減衰器１において、光導波路素子３とパッケージ４４間に、高熱伝導部材５ａ，５ｂを、少なくとも２つ以上に分割して設けたものである。 - 特許庁
  • The production process of a semiconductor device has the steps of generating a matrix for associating capacitance changes of a variable capacitance element with high frequency power changes of reflected waves, setting a specific value from this matrix as an initial capacitance of the variable capacitance element, and measuring the above power of reflected waves and comparing it against a predetermined upper limit.
    可変容量素子の容量変化と高周波電力の反射波の電力変化とを対応させたマトリックスを生成し、このマトリックスから特定の値を可変容量素子の初期容量として設定し、上記反射波の電力を計測して所定の上限値と比較する工程を備える。 - 特許庁
  • A storage element (MC) is constituted of four variable resistance elements (VREa-VREd) arranged circularly, write-in bit lines (WBLa, WBLb) and digit lines (DLa, DLb) are current-driven, and a magnetic field having intensity in accordance with data of arithmetic operation and contents of arithmetic operation is applied to the variable resistance element.
    環状に配置される４個の可変抵抗素子（ＶＲＥａ−ＶＲＥｄ）で記憶素子（ＭＣ）を構成し、書込ビット線（ＷＢＬａ，ＷＢＬｂ）およびデジット線（ＤＬａ，ＤＬｂ）を電流駆動して、可変磁性体抵抗素子に演算データおよび演算内容に応じた強度の磁界を印加する。 - 特許庁
  • A microstrip line forming a resonance circuit is divided into two microstrip lines 11, 12, and a variable-capacitance element 22 and a coupling capacitor 33 are connected in parallel to the division point of the divided microstrip lines 11, 12 to feed the variable capacitance element 22 with a frequency adjusting bias voltage through a bias feed circuit 52.
    共振回路を形成するマイクロストリップ線路を２分割し、２分割されたマイクロストリップ線路１１，１２の分割された箇所に、可変容量素子２２と結合コンデンサー３３とを並列に接続し、バイアス供給回路５２を介して可変容量素子２２へ周波数調整用バイアス電圧を供給する。 - 特許庁
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