「element variable」を含む例文一覧(1802)
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昇圧回路２と、降圧回路３とを備え、ボリュームＢＬ´からの分圧電圧をマイコンＭで監視し、ボリュームの設定位置が高いことをマイコンで検知し、第３のスイッチング素子ＳＷ１２をＯＮし、前記昇圧回路２を動作させて前記昇圧電圧（１８Ｖ）を前記増幅部４の電源電圧として供給させる。 - 特許庁 - The nonvolatile semiconductor memory device according to an embodiment includes: a memory cell MC-sel that consists of a variable resistive element VR and a capacitor CP which are connected in series between first and second conductive wires WL1 and BL1; and control circuits 2 and 3 which apply the first or second voltage pulse to the memory cell MC-sel.
実施形態に係わる不揮発性半導体記憶装置は、第１及び第２の導電線ＷＬ１，ＢＬ１間に直列接続される可変抵抗素子ＶＲ及びキャパシタＣＰから構成されるメモリセルＭＣ−ｓｅｌと、メモリセルＭＣ−ｓｅｌに第１又は第２の電圧パルスを印加する制御回路２，３とを備える。 - 特許庁 - The remote commander which turns on/off a switching element 3 connected in series with an infrared ray emission diode 4 with carrier pulses, light of the infrared ray emission diode 4 to generate an infrared ray remote signal, is provided with a variable means that varies a duty ratio of the carrier pulses 11a, 11b.
赤外線発光ダイオード４に直列に接続したスイッチング素子３をキャリアパルスによりオン・オフして、この赤外線発光ダイオード４を発光して赤外線リモート信号を発生するようにしたリモートコマンダーにおいて、このキャリアパルス１１ａ，１１ｂのデューティ比を可変する可変手段を設けたものである。 - 特許庁 - In a temperature control circuit which controls the quantity and the direction of a current to be supplied to a control device 109 by using a square pulse wave, a signal from an absolute value calculation circuit is taken as an input to make a voltage applied to the control element 109 variable, thereby reducing the power supply.
制御素子１０９に供給する電流の量および方向を矩形パルス波により制御する温度制御回路において、絶対値演算回路からの信号を入力として制御素子１０９に印加する電圧を可変することにより供給電力を小さくできる構成とした。 - 特許庁 - The frequency selecting surface is provided with a frequency selecting surface main body 1 on which an element pattern, for example, a cross dipole type for reflecting or transmitting a radio wave of a certain frequency, a dielectric layer having radio wave transmission performance and laminated on this body 1, and a dielectric variable mechanism 3 for varying the thickness of this dielectric layer.
特定の周波数の電波を反射又は透過させる例えばクロスダイポール型の素子パターンが設けられた周波数選択板主体１と、この周波数選択板主体１に積層された電波透過性を有する誘電体層と、この誘電体層の厚さを可変させる誘電体可変機構３とを備えること。 - 特許庁 - At this point, an LOS detection level variable element 14b in an optical detection correction circuit 14 varies a detection level in an LOS signal 101 by an external resistor, or the like according to the asserted LOS signal 101, when an incoming line is disconnected or a level in the optical reception signal is decreased, and the control of a controller 14a.
この時、光検出補正回路１４のＬＯＳ検出レベル可変素子部１４ｂは上り回線の断線または光受信信号のレベル低下発生時にアサートさせるＬＯＳ信号１０１とコントローラ１４ａの制御とに応じて、外付け抵抗等でＬＯＳ信号１０１の検出レベルを可変させる。 - 特許庁 - In this state, a luminance measuring means 107 measures the luminance of the light emitting element 105 and a luminance setting means 109 selects a resistance value from the relationship of preliminarily stored luminance values and resistance values which are to be set in accordance with the measurement result of the luminance and adjusts the variable resistance 102 so as to becomes the selected resistance value by irradiating the resistance 102 with a laser beam.
この状態で輝度測定手段107が発光素子105の輝度を測定し、輝度設定手段109は前記輝度測定結果に応じあらかじめ記憶させておいた輝度値と設定すべき抵抗値の関係から抵抗値を選択し、可変抵抗102にレーザー光を照射して選択した抵抗値になるようにする。 - 特許庁 - The image reader is provided with a means that varies a distance between an object and the read unit 1 formed by integrating a lens and a read element such as a CCD and with a means that detects the thickness of an original and allows the distance variable means to adjust the position of the read unit depending on the thickness of the original.
レンズとＣＣＤ等の読み取り素子を一体化した画像読み取りユニットに対して、読み取りユニット１と被写体との距離を可変できる手段を用意し、原稿の厚みを検出する手段を設け、原稿の厚みによって距離可変手段により前記読み取りユニットの位置を調整する。 - 特許庁 - A controller 100 repeatedly calculates the reactance value of the variable reactance element 23 by using the dynamic equation of a higher order algorithm based on an azimuth angle representing the arrival direction of a desired input radio signal, whose calculation is carried out to minimize an evaluation function based on an array antenna gain which is a function of both the reactance value and the azimuth angle.
コントローラ１００は、入力される、所望無線信号の到来する方向を示す方位角に基づいて、高次元アルゴリズムの運動方程式を用いて、可変リアクタンス素子２３のリアクタンス値を、それと方位角との関数でありアレーアンテナの利得に基づく評価関数が最小となるように繰り返し演算する。 - 特許庁 - First, signals from each light receiving element 105 are amplified by the prescribed times by a variable gain amplifier 7, amplitude values of signals amplified by the prescribed times are detected by a signal amplitude detecting means 12, and a media kind discriminating means 13 discriminates whether a media kind of an optical disk 1 is a CD system or a DVD system from the detected result.
まず、各受光素子１０５からの信号を可変利得アンプ７により所定倍にし、その所定倍にした信号の振幅値を信号振幅検出手段１２により検出し、メディア種別判定手段１３がその検出結果から光ディスク１のメディア種別がＣＤ系かＤＶＤ系かを判定する。 - 特許庁 - To smoothly conduct starting from an engine stopped state at favorable responsiveness in a control device for a starting clutch serially provided with a belt type continuously variable transmission mechanism to receive input of power from an engine through a power transmission mechanism including a hydraulic actuation type friction element on a transmission of an idling operation stopped vehicle.
アイドル運転停止車両の変速装置に、エンジンからの動力を油圧作動式摩擦要素を組込んだ動力伝達機構を介して入力するベルト式無段変速機構と直列に設ける発進クラッチの制御装置において、エンジン停止状態からの発進を応答性良くスムーズに行い得られるようにする。 - 特許庁 - An impedance difference signal V_md and a phase difference signal V_pd generated by inputting the current detecting signal VLI and the voltage detecting signal VLV to an impedance difference signal generating part ME and a phase difference signal generating part PE are inputted to a control part CU to control the variable impedance element of a matching part MN.
電流検出信号ＶLI及び電圧検出信号ＶLVをインピーダンス差信号発生部ＭＥと位相差信号発生部ＰＥとに入力することにより発生させたインピーダンス差信号Ｖmdと位相差信号Ｖpdとを制御部ＣＵに入力して整合部ＭＮの可変インピーダンス素子を制御する。 - 特許庁 - An optical pickup comprises a light source 2 for emitting the laser beam; a group of objective lenses 5 for condensing the laser beam incident via an aperture onto the signal recording surface of an optical disk 11; and a refractive power variable element 6 that is provided near the light source 2 and corrects the spherical aberration by varying refractive power.
レーザ光を出射する光源２と、アパーチャを介して入射されたレーザ光を光ディスク１１の信号記録面に集光する１枚以上の対物レンズ群５と、光源２付近に配設され、屈折力を可変することにより球面収差を補正する屈折力可変素子６とを備える。 - 特許庁 - The optical function element 10 has a layered structure wherein dielectric layers 2, 4, 6,... and transparent electrode layers 1, 3, 5,... are alternately layered and refractive indices of the dielectric layers are made to be variable by voltage applied to the electrode layers provided to both surface sides thereof in at least a part of the layered structure.
誘電体層２、４、６・・・と透明電極層１、３、５・・・とが交互に積層された積層構造を有し、この積層構造の少なくとも一部において前記誘電体層が、この両面側に設けられた前記電極層への印加電圧によって屈折率可変に構成されている光機能素子１０。 - 特許庁 - This inverse conversion circuit is provided with product-sum operation parts 3-6 each executing a product-sum operation of column data d_0-d_3 outputted from an input preprocessing part 1 and row data c outputted from a coefficient table 2, and a variable rounding part 7 executes separate rounding processing in each row element of an operation result in the product-sum operation part 3-6.
入力前処理部１から出力された列データｄ_0〜ｄ_3と係数テーブル２から出力された行データｃとの積和演算を実施する積和演算部３〜６を設け、可変丸め部７が積和演算部３〜６における演算結果の行要素毎に、別々の丸め処理を実施するようにする。 - 特許庁 - Unlocking control is conducted for a locking mechanism of a variable valve timing device, followed by a determination as to whether unlocking is generated correctly, and if it is a no, the failure relief control for a hydraulic control valve is conducted, and the motions to reciprocate the valve element of the control valve in prescribed strokes are repeated (steps 101-103).
可変バルブタイミング装置のロック機構のロック解除制御を行った後、ロック解除されたか否かを判定し、ロック解除されていなければ、油圧制御弁の異常解除制御を実行し、油圧制御弁の弁体を所定ストロークで往復動させる動作を繰り返す（ステップ１０１〜１０３）。 - 特許庁 - A vacuum system for applying vacuum to the liquid storing vessel 1 is composed of a variable throttle valve 6 mechanically stroking a valve element, a vacuum generating means 5 generating vacuum corresponding to the flow of a pressurizing gas flowing through the valve 6, and a control means 9 controlling the opening of the valve 6.
液体の貯留容器１に負圧を作用させる負圧系を、弁体を機械的にストロークさせる可変絞り弁６と、可変絞り弁６を通る加圧気体の流量に応じた負圧を発生する負圧発生手段５と、可変絞り弁６の開度をコントロールする制御手段９とで構成したものである。 - 特許庁 - The booster antenna and reader/writer provided with the variable capacitance element is capable of changing the resonance frequency, according to the rotational position, thereby data communication between a contactless communication medium and the reader/writer can be controlled and data leakage unintended by a holder of the contactless medium can be restrained.
この可変容量素子を備えるブースターアンテナおよび読取書込装置は、回転位置に応じて共振周波数を変化させることができるため、非接触通信媒体と読取書込装置との間のデータ通信を制御することができ、非接触媒体の所有者が意図しないときのデータの漏洩を抑制することができる。 - 特許庁 - This control valve 80 of the variable displacement compressor has a valve seat 83 having a valve hole 82b constituting a part of an air supply passage, and a valve element 84 arranged so as to freely contact with and separate from the valve seat 83 and changing the valve opening area S in response to a lift quantity (d) to the valve seat 83.
可変容量圧縮機の制御弁８０であって、給気通路の一部を構成する弁孔８２ｂを有する弁座８３と、前記弁座８３に対して接離自在に設けられ前記弁座８３に対するリフト量ｄに応じて開弁面積Ｓを変更する弁体８４と、を備える。 - 特許庁 - In the antenna device 1 for receiving the television broadcast to the antenna element 30 comprising a base 2 and a radiation conductor 3 to which a power supply signal is supplied via a matching circuit, the matching circuit has variable capacity elements (varactor diodes) 4, 5 and inductance elements 6, 7 and serially connected to a power supply part P of the radiation conductor 3.
基体２と放射導体３からなるアンテナ素子３０に整合回路を介して給電信号が供給されるテレビジョン放送受信用のアンテナ装置１であって、この整合回路が可変容量素子（バラクタダイオード）４，５とインダクタンス素子６，７とを有して放射導体３の給電部Ｐに直列に接続されている。 - 特許庁 - The variable optical element 4 is formed with liquid crystal elements and is provided with a phase shift area that imparts at least two or more phase differences to light, each phase quantity for light in each phase area by an applied voltage Vi in is adjusted accordance with the double refraction of the information recording medium 9.
可変光学素子４は、液晶素子で形成すると共に、光に対して少なくとも２以上の位相差を与える移相領域を設けておき、印加電圧Ｖiによって、各位相領域における光に対する各位相量を、情報記録媒体９の複屈折に応じて調節する。 - 特許庁 - A second sliding element 21, sliding on the second variable resistance circuit pattern VR2, is formed as to slide on both the annular resistance part 21 and annular current collecting part FR2, while two contacts 23a and 23b use the center between the annular resistance part VR21 and annular current-collecting part FR2 as a center.
第２の可変抵抗回路パターンＶＲ２を摺動する第２の摺動子２１を、二つの接点２３ａ，２３ｂが円弧状の抵抗部ＶＲ２１と円弧状の集電部ＦＲ２との中心を中心にして、円弧状の抵抗部ＶＲ２１と円弧状の集電部ＦＲ２との上を摺動するように構成する。 - 特許庁 - A variable power supply 140 adjusts the intensity of an ultrasonic wave transmitted by the transmission element 50 in the next measuring period on the basis of the held maximum value such that the first reflection component appears in the next measuring period and that the appearance of a second reflection component is suppressed.
可変電源１４０は、保持された最大値に基づいて、次の測定期間において受信信号に第１の反射成分が出現するとともに第２の反射成分の出現が抑制されるように、次の測定期間において送信素子５０により送信される超音波の強度を調整する。 - 特許庁 - The variable opening light-shielding part 100 has an EC element composed of a plurality of segments 108a-108d, and independently controls the light transmittances of the plurality of segments, and the opening shape is formed by one or more segments set to have lower light transmittances.
可変開口遮光部１００は、複数のセグメント１０８ａ−１０８ｄからなるＥＣ素子を有していて、複数のセグメントの光透過率を独立して制御可能に構成され、複数のセグメントのうち、光透率がより低い状態に設定された１または複数のセグメントによって前記開口形状が形成される。 - 特許庁 - Survival section information acquired by the motion composition is used for processing in a logic composition stage, an arrangement wiring stage, a debugging stage or a write stage to a reconfigured device, and sharing a storage element assigned to a variable listed in the motion level description and optimization such as making a data path the shortest are performed.
動作合成によって得られた生存区間情報を、論理合成段階、配置配線段階、デバッグ段階または再構成デバイスへの書き込み段階の処理に用い、動作レベル記述に記載されている変数に割り当てる記憶素子の共有化、データパスを最短にする等の最適化を行う。 - 特許庁 - The magnetic memory element 10 comprises a first magnetic layer 1 having a fixed magnetization direction, a second magnetic layer 2 having a variable magnetization direction and functioning as a memory carrier, both magnetic layers 1, 2 layered via a non-magnetic conductive layer 4, and a third magnetic layer 3 having a fixed magnetization direction which forms a magnetic tunnel junction with the second magnetic layer.
磁化の向きが固定された第１の磁性層１と、磁化の向きが可変で記憶担体となる第２の磁性層２とが、非磁性導体層４を挟んで積層され、第２の磁性層と磁化の向きが固定された第３の磁性層３とが磁気トンネル接合を形成して成る磁気記憶素子１０を構成する。 - 特許庁 - An electrode layer (6) arranged on the voltage nonlinear variable resistor element (the varistor 2) is connected to an external terminal (a lead wire 12) via an easily meltable metal or a conductive low-melting material (a low-melting material 14), and the easily meltable metal or the conductive low-melting material is covered with a flux resin (16).
電圧非直線性抵抗素子（バリスタ素子２）に設置された電極層（６）には易溶融性金属又は導電性低融点物質（低融点物質１４）を介在させて外部端子（リード線１２）が接続され、前記易溶融性金属又は前記導電性低融点物質はフラックス樹脂（１６）で被覆されている。 - 特許庁 - The first roller 1010 and the second roller 1020 have groove parts 1030 simulated with a recess provided between a neck part of an element and a saddle face thereof, and a position of a fatigue start point in the fatigue test for a ring single body is conformed with a fatigue start position of the ring assembled in a continuously variable transmission, by the groove parts 1030.
第１ローラ１０１０および第２ローラ１０２０は、エレメントの首部とサドル面との間に設けられた窪みを模擬した溝部１０３０を有し、この溝部１０３０により、リング単体の疲労試験における疲労起点の位置と、無段変速機に組み込まれたリングの疲労起点の位置とが一致する。 - 特許庁 - Mounting height of a yaw damper 23, i.e., the vehicle body-truck coupling element to a mounting part 24A on a vehicle body side is made variable by changing a serration portion, i.e., an engagement portion formed on a gap cylinder 26 with a serration and an engagement position with an engagement portion 25 formed on the mounting part 24A.
車体−台車間結合要素であるヨーダンパ２３の車体側の取付部２４Ａに対する取付高さは、セレーション付間隔筒２６に形成されている噛合い部分であるセレーション部分と、取付部２４Ａに形成されている噛合い部分２５との噛合位置を変更することで可変とされる。 - 特許庁 - Namely, the transfer means is composed of a first rocker arm rockably suspended and engaged with the valve element; and a second rocker arm rockably suspended, engaged with the cam at one side and engaged with the first rocker arm on outer surfaces thereof, and has an variable engaging portion with the first rocker arm.
すなわち、伝達手段は、揺動自在に支承され、弁体と係合する第１のロッカーアームと、同じく揺動自在に支承され、一方でカムと係合すると共に他方で第１のロッカーアームと互いに外面上で係合し、第１のロッカーアームとの係合位置が可変とされる第２のロッカーアームからなる。 - 特許庁 - A capacity variable element 11 can be serially inserted into capacity between an opened end of the coaxial resonator and the ground electrodes of the dielectric substrate pattern, and a characteristic changeover switch 12 for switching filter characteristics by making a gap of the dielectric substrate pattern conductive or non-conductive can be provided.
同軸共振器の開放端と誘電体基板パターンの接地電極との間の容量に、直列に容量可変素子１１を挿入することができ、誘電体基板パターンのギャップを導通又は非導通とすることによりフィルタの特性を切り替える特性切り替えスイッチ１２を備えることができる。 - 特許庁 - The array antenna system is provided with a radiator A0 to which a radio signal is fed, a plurality of antenna elements installed away from the radiator A0 just for a predetermined interval and including a plurality of non-exciting elements A1-A6 to which the radio signal is not fed, and a variable reactance element 25 connected to the non-exciting elements A1-A6.
無線信号が給電される放射素子Ａ０と、放射素子Ａ０から所定の間隔だけ離れて設けられ、無線信号が給電されない複数の非励振素子Ａ１−Ａ６とを含む複数のアンテナ素子と、各非励振素子Ａ１−Ａ６に接続された可変リアクタンス素子２５とを備える。 - 特許庁 - When an electromagnetic force acting on the armature 13 rises above a predetermined value, the end of a valve element 28 is moved rightward via a cylinder member 31 and an atmospheric valve 34 opens to allow the atmosphere to be introduced into a variable pressure chamber 6 so that the armature 13 is pushed back leftward by the differential pressure between itself and the constant pressure chamber 5.
アーマチュア１３に作用する電磁力が所定値以上になると、筒部材３１を介して弁体２８の先端部が図１右方に移動して大気弁３４が開弁し、変圧室６に大気が導入され、アーマチュア１３は定圧室５との差圧力により図１左方向に押し戻される。 - 特許庁 - A threshold element circuit is applied to the reconstructable integrated circuit, makes configuration data constituting logical function multivalued multibit representation of a binary variable, reduces the number of threshold elements by using differential operation about an input state, and has, that is, a terminal connected to an electric potential whose value is fixed during performing function in an input terminal of a threshold element circuit of a second stage.
再構成可能集積回路に適用されるしきい素子回路について、論理関数機能を構成する構成データを２値変数の多ビット表現によって多値化し、また、入力状態に関する差分演算機能を用いることによって、しきい素子数を低減する回路であり、つまり、２段目のしきい素子回路の入力端子に、関数機能を実行する期間中に値が固定されている電位に接続される端子を有する回路である。 - 特許庁 - The non-volatile memory element contains a variable resistance substance and includes a lower electrode 21, an intermediate layer 22 which is formed on the lower electrode and is composed of one substance selected among HfO, ZnO, InZnO or ITO, an NiO layer 23 formed on the intermediate layer, and an upper electrode 24 formed on the NiO layer.
下部電極２１と、下部電極上に形成されたＨｆＯ、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯまたはＩＴＯのうちから選択されたいずれか一つの物質から形成された中間層２２と、中間層上に形成されたＮｉＯ層２３と、ＮｉＯ層上に形成された上部電極２４とを備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁 - The method for manufacturing a variable resistance element includes, for example, steps of: forming a conductive material film on a substrate S; forming an oxide film having P-type semiconductive property on the conductive material film; and forming a pair of electrodes 1 separated from each other and an electrode 2 located between the electrodes 1 on the oxide film.
本発明の抵抗変化型素子製造方法は、例えば、基材Ｓ上に導電材料膜を形成する工程と、Ｐ型半導性を有する酸化物膜を導電材料膜上に形成する工程と、相互に離隔する一対の電極１および当該電極１間に位置する電極２を酸化物膜上に形成する工程とを含む。 - 特許庁 - The variable capacitance element includes a signal line 1 arranged on a substrate 10, movable electrodes 3a, 3b, 3c arranged to cross over the signal line 1 and with both ends fixed on the substrate 10, and fixed capacitances 4a, 4b, 4c arranged between at least one end of both ends of the movable electrodes 3a, 3b, 3c and the substrate 10.
可変容量素子は、基板１０に設けられた信号線路１と、前記信号線路１を跨ぐように設けられ、両端が基板１０に対して固定された可動電極３ａ、３ｂ、３ｃと、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃの両端のうち少なくとも一端と基板１０との間に設けられる固定容量４ａ、４ｂ、４ｃを有する。 - 特許庁 - Each of the graphic elements is an executable object that includes a property or a variable that may be bound to an associated process entity, like a field device, and that includes multiple visualizations, each of which may be used to graphically depict the associated process entity on a user interface when the graphic element is executed as part of the graphic display.
図形エレメントはおのおのが実行可能なオブジェクトであって、フィールドデバイスのような関連のプロセスエンティティに拘束されるプロパティや変数を含み、複数のビジュアライゼーションを含むが、これはおのおのが、図形エレメントが図形ディスプレイの一部として実行されると、関連のプロセスエンティティをユーザインタフェース上でグラフで描写するために用いられる。 - 特許庁 - This valve becomes the compact fuel injection valve 1 because a control valve of a simple constitution for changing fuel pressure of a first pressure chamber 50 and a second pressure chamber 51 by opening and closing a low pressure opening part 67 and a second opening part 65 by one valve element 37 is made and the rate of injection is made variable by stepwise lifting a first piston 21 and a second piston 22.
一つの弁体３７より低圧開口部６７および第２の開口部６５を開閉して第１圧力室５０と第２圧力室５１の燃料圧力を変化させる簡潔な構成の制御弁とし、かつ第１ピストン２１および第２ピストン２２を段階的にリフトさせて噴射率を可変可能なのでコンパクトな燃料噴射弁１となる。 - 特許庁 - A pressure sensing member 54 composed of bellows mechanically detects a difference of pressure between two pressure supervisory points P1, P2 set in a refrigerant circulating circuit, opening of an extraction passage 27 is adjusted by positioning an operating rod 40 (valve element part 43) so as to change a delivery capacity of a variable displacement compressor to a side negating fluctuation of this difference of pressure.
ベローズよりなる感圧部材５４は、冷媒循環回路に設定された二つの圧力監視点Ｐ１，Ｐ２間の圧力差を機械的に検知し、同圧力差の変動を打ち消す側に容量可変型圧縮機の吐出容量が変更されるように、作動ロッド４０（弁体部４３）の位置決めを行って抽気通路２７の開度を調節する。 - 特許庁 - Taking into consideration, however, that a voltage supplied between the input and output terminals of the switching element depends on the input voltage Vin of the DC-DC converter and the Duty value D, guard processing is performed with a first guard value Dg1, determined according to the input voltage Vin and a second guard value Dg2, determined according to a variable amount ΔVin of the input voltage Vin.
ただし、スイッチング素子の入出力端子間に印加される電圧が、ＤＣ−ＤＣコンバータの入力電圧Ｖｉｎと、Ｄｕｔｙ値Ｄとに依存することに鑑み、入力電圧Ｖｉｎに応じて定まる第１ガード値Ｄｇ１と、入力電圧Ｖｉｎの変化量ΔＶｉｎに応じて定まる第２ガード値Ｄｇ２とによってガード処理が施される。 - 特許庁 - When the wavelength dividing optical element 10 is used for the color temperature variable light source apparatus 100 and a rotation-type polarizing plate 14 is rotated around an optical axis, reflected light L(R) and transmitted light L(T) can be extracted as emission light L3, with an arbitrary ratio, corresponding to its rotation angle and color temperature of light from a light source 11 can be changed continuously.
波長分離光学素子１０を色温度可変光源装置１００に用い、回転型偏光板１４を光軸廻りに回転すると、その回転角度に応じて反射光Ｌ（Ｒ）と透過光Ｌ（Ｔ）を任意の比率で射出光Ｌ３として取り出すことができ、光源１１からの光の色温度を連続的に変えることができる。 - 特許庁 - Adjustment to a desired resonant frequency is made possible as a simple substance of the antenna module 30 without being influence by variation of capacity of capacity fixed type capacitor elements 34b, 34c by constituting the antenna module as a capacitor 34 for tuning constituting the antenna module 30 including at least one capacity variable capacitor element 34a.
アンテナモジュール３０を構成する同調用コンデンサ３４として、少なくとも１つの容量可変型のコンデンサ素子３４ａを含む構成とすることにより、他の容量固定型のコンデンサ素子３４ｂ，３４ｃの容量のバラツキの影響を受けずにアンテナモジュール３０単体として所望の共振周波数への調整が可能となる。 - 特許庁 - A cutoff frequency variable digital filter is constituted by a dead zone avoid limiter 41, a geometric convergence interpolation calculation unit 42, a filter coefficient generator 43, an infinite length impulse response lowpass digital filter (IIR digital filter) 44, a delay element 45, and an angular frequency transfer function memory 46 of the infinite length impulse response (IIR) filter.
この遮断周波数可変フィルタは、不感帯回避リミッタ装置４１、等比収束補間演算装置４２、フィルタ係数生成装置４３、無限長インパルス応答ローパスディジタルフィルタ装置（ＩＩＲディジタルフィルタ）４４、遅延要素４５、及び無限長インパルス応答（ＩＩＲ）フィルタの角周波数伝達関数メモリ４６から構成されている。 - 特許庁 - To provide a belt, especially a V belt for driving or transmitting, a belt for a continuously variable transmission wherein problems such as productivity, cost and durability are solved by devising a composite belt having a different mechanism comprising a core body and an outer cover instead of a conventional method for using a piece or chip shaped element and a metallic endless belt.
コマないしチップ状のエレメントと無端の金属製ベルトとを用いる従来の方式に代えて、芯体と外被とからなる別機構の複合ベルトを案出することにより、生産性、コスト、耐久性の問題を一挙に解決したベルト、殊に駆動ないし伝動用のＶベルト、なかんずく無段変速機のベルトを提供することを目的とする。 - 特許庁 - When a direction around the axial of an axis AX, nearly parallel with the parallel beams and passing through an almost focal position of the objective lens 13, is defined as a rotating direction, the plurality of white light sources 11 are respectively arranged in the rotating direction at a plurality of positions where an incident angle of the white light on the optical variable element 20a is different.
前記平行光と略平行であって対物レンズ１３の略焦点位置を通る軸ＡＸの軸周り方向を回転方向とした場合に、複数の白色光源１１は、光学的変化素子２０ａへの白色光の入射角が異なる複数の位置のそれぞれにおいて、回転方向に複数配置されている。 - 特許庁 - The variable capacity element includes: a fixed electrode; an insulation part including an insulating layer laminated on the fixed electrode; a movable electrode including a movable part laminated on the insulating layer so as to be movable in the direction away from the insulating layer, and a fixed part for fixing one end of the movable part to the insulating part; and a counter electrode opposite to the movable electrode with a space.
可変容量素子は、固定電極と、固定電極上に積層された絶縁層を含む絶縁部と、絶縁層上に絶縁層から離れる方向に移動可能に積層された可動部および可動部の一端を絶縁部に固定する固定部を含む可動電極と、可動電極に間隔を空けて対向する対向電極とを有している。 - 特許庁 - The magnetoresistive element includes a first magnetic layer 3 which has an easy axis of magnetization in a direction vertical to a film surface and has variable magnetization direction, a second magnetic layer 2 which has an easy axis of magnetization in the direction vertical to the film surface, and a first nonmagnetic layer 4 provided between the first magnetic layer 3 and second magnetic layer 2.
本発明の例に係わる磁気抵抗素子は、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第１磁性層３と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が不変の第２磁性層２と、第１磁性層３と第２磁性層２との間に設けられる第１非磁性層４とを含む。 - 特許庁 - A semiconductor memory device has a control circuit in which reading operation for determining the resistance state of a variable resistive element VR is executed by applying a prescribed voltage to the selected memory cell MC arranged at the crossing part of a selected bit line BL and a selected word line WL and by detecting a current Icell flowing in the selected bit line BL.
半導体記憶装置は、選択されたビット線ＢＬ及び選択されたワード線ＷＬの交差部に配置された選択メモリセルＭＣに所定の電圧を印加して、選択されたビット線ＢＬに流れる電流Ｉｃｅｌｌを検知することにより、可変抵抗素子ＶＲの抵抗状態を判定する読み出し動作を実行する制御回路を備える。 - 特許庁 - The semiconductor memory device includes the memory cell having a variable resistance element of which the resistance value varies by application of a voltage, a power supply circuit 11 outputting voltage applied to the memory cell, interconnection L1, L2 formed between the power supply circuit 11 and the memory cell and supplying voltage outputted from the power supply circuit 11 to the memory cell, and a discharging circuit 17 connected to the interconnection.
電圧の印加によって抵抗値が可変する可変抵抗素子を有するメモリセルと、メモリセルへ印加する電圧を出力する電源回路１１と、電源回路１１とメモリセルとの間に形成され、電源回路１１から出力された電圧をメモリセルに供給する配線Ｌ１，Ｌ２と、配線に接続された放電回路１７とを備える。 - 特許庁
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