「element width」を含む例文一覧(1529)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 30 31 次へ＞- In this charging set, the width of the temperature rise of the switching element is suppressed within a certain range, and the charge power is never limited more than necessary.
この充電装置では、スイッチング素子の温度上昇幅が一定範囲内に抑えられ、充電電力が無用に制限されることがない。 - 特許庁 - Consequently, a minimum necessary adhesion width is provided between the electromechanical conversion element 1 and the elastic body 2.
このようにすることにより、電気機械変換素子１と弾性体２とが互いに接着されている接着幅を必要最低限の幅とする。 - 特許庁 - A guide block 21 is provided in the fuse box 19 with a ditch width t2, corresponding to the distance t1 between the stepped part faces for the fuse element 11 for 42 V.
そして、４２Ｖ用ヒューズ素子の段部面間距離ｔ１に対応した溝幅ｔ２であるガイドブロック２１をヒューズボックス１９に設ける。 - 特許庁 - To solve the problem that variation of the working accuracy of wiring of a power supply wiring line to a heating element becomes relatively large following the fact that a wiring width is made fine.
発熱素子への電源配線が、配線幅の微細化にともない、配線の加工精度のバラツキが相対的に大きくなってきている。 - 特許庁 - The diverter element 44 extends at least partway across the width of the two conveyors to guide articles on one conveyor to the other.
ダイバータ要素４４は２つのコンベヤの幅を横切って少なくとも一部に延在して物品を１つのコンベヤから他のコンベヤへ案内する。 - 特許庁 - In this method and device for the optical fiber alignment, generation of a target beam width 152 at an end part of the optical element 104 is first confirmed.
本発明による光ファイバアライメントの方法及び装置は、まず、光学要素(104)の端部における目標ビーム幅(152)の発生を確認する。 - 特許庁 - Further, PWM bits with LSB bit width are output from a display element PWM driving part 11 synchronously with the modulation period of light source light quantity.
また表示素子ＰＷＭ駆動部１１からは光源光量変調期間に同期してＬＳＢビット幅のＰＷＭビットを出力する。 - 特許庁 - The luminous flux width of an incident laser light is regulated, for example, only in the subscanning direction with a light shielding member in a luminous flux regulation element.
光束幅規制素子では、遮光部材により、入射するレーザ光の光束幅を例えば副走査方向についてのみ規制する。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of a waveform response phenomenon and to increase resolution at a place where variation of characteristics of liquid crystal is steep when a liquid crystal optical modulating element is statically driven by a pulse-width modulation system.
パルス幅変調方式により液晶光変調素子をスタティック駆動するにあたって、波形応答現象を軽減すること。 - 特許庁 - To shorten width dimensions of an opening slot of a dielectric waveguide slot antenna and thus, to approximately arrange a plurality of antenna element.
誘電体導波管スロットアンテナの開口スロットの幅寸法を短縮し、これにより複数のアンテナ素子を近接配置できるようにする。 - 特許庁 - The patterning method on the semiconductor element may include a two-stage spacer formation step in order to provide ultra-fine line width and interval.
半導体素子上のパターン形成方法は、微細ライン幅及び間隔を提供するために２段階のスペーサ形成工程を含むことができる。 - 特許庁 - The thermal head is provided with a heating element array 40 including a plurality of heating elements and the thermal head is longer than the width of the print sheet 3.
このサーマルヘッドには複数の発熱素子からなる発光素子アレイ４０が設けられており、その長さはプリント用紙３の幅よりも長い。 - 特許庁 - On and off of a power semiconductor switching element of a power converter to drive the electric motor is controlled by the pulse width modulation control.
電動機を駆動するための電力変換器の電力用半導体スイッチング素子のオンオフは、パルス幅変調制御によって制御される。 - 特許庁 - For the element region on the drain side of the gate electrode 15, a detection part 14 with a width W3 in the direction of extension of the gate electrode 15 is arranged.
ゲート電極１５のドレイン側の素子領域には、ゲート電極１５が延びる方向の幅がＷ３の検出部１４が配置される。 - 特許庁 - The impedance element is coupled in series with parasitic capacitance to increase the impedance of that pathway, thereby increasing a pass-band width.
インピーダンス要素は、寄生キャパシタンスと直列に結合され、その経路のインピーダンスを増加させ、それによって、通過可能な帯域幅を拡張する。 - 特許庁 - In the Peltier drive circuit, a common mode filter is inserted between a PWM (Pulse Width Modulation) signal smoothing filter and a Peltier element.
本発明のペルチェ駆動回路は、ＰＷＭ信号平滑用フィルタとペルチェ素子との間にコモンモードフィルタを挿入したことを特徴とする。 - 特許庁 - A laser beam irradiating a resistor element 24 is formed of laser pulses which are each one micro-second or below in width and has a processing point fluence of a few J/cm2 or above.
抵抗体素子２４へ照射するレーザ光はマイクロ秒以内のパルス幅で数Ｊ／ｃｍ^２以上の加工点フルエンスにする。 - 特許庁 - In the width priority version, the feedback is detected, by traversing of a specified distance to the last scan-enabled memory element, to the utmost at best.
幅優先バージョンでは、せいぜい最後のスキャン可能なメモリ要素まで一定の距離だけトラバースすることにより、フィードバックを検出する。 - 特許庁 - In the semiconductor laser device in which an optical absorbing film 12 with a fine opening 14 is formed outside the light outgoing surface of a semiconductor laser element, the opening 14 is formed so that opening width W1 along the polarization direction of laser beams is shorter than the half of the oscillation wavelength of the semiconductor laser element and opening width W2 in the vertical direction in the polarization direction is longer than opening width W1.
半導体レーザ素子の光出射面の外側に微小開口１４を有する光吸収膜１２を設けた半導体レーザ装置において、開口１４を、レーザ光の偏光方向に沿った開口幅Ｗ_1 が半導体レーザ素子の発振波長の１／２より短くなり、偏光方向に垂直な方向の開口幅Ｗ_2 が開口幅Ｗ_1 より長くなるように形成した。 - 特許庁 - To provide the transistor of a semiconductor element and a method for manufacturing the semiconductor element capable of improving the level of integration of the semiconductor element, and improving the characteristics, yield, and reliability of the element, by forming dual gate electrodes in a laminated configuration equipped with a lower first gate electrode and an upper second gate electrode whose width is larger than that of the first gate electrode.
下部の第１ゲート電極と第１ゲート電極より幅の大きい上部の第２ゲート電極を備えている積層構造の二重ゲート電極を形成して素子の集積度を向上させ、素子の特性、収率及び信頼性を向上させた半導体素子のトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The resistance value of each of the high resistance element and the low resistance element can be set to a desired value by adjusting the resistivity of the thin film resistance layer, and the length and the width of the thin film resistance layer in the case of a high resistance element, and an effective plane area in the case of a low resistance element.
高抵抗素子と低抵抗素子のそれぞれの抵抗値は、薄膜抵抗層の比抵抗と、高抵抗素子の場合は薄膜抵抗層の長さと幅とを調整することにより、低抵抗素子の場合は実効的な平面積を調整することにより、所望の値に設定することができる。 - 特許庁 - In the air bearing surface of the magnetic head slider, in order to reduce a floating amount by narrowing a rail width in the vicinity of an element part, an element part such as a magnetic shield included in a part to be eliminated during rail formation is retreated, and only a part necessary as an element is protruded.
磁気ヘッドスライダのエアベアリング面において、素子部近傍のレール幅を狭小化して浮上量の低下を図る上で、レール形成時に除去される部分に含まれる磁気シールド等の素子部分を後退させ、素子として必要な部分だけを突出させた。 - 特許庁 - In the recording element unit H1002, the first recording element substrate H1100 and the second recording element substrate H1101 are connected electrically to an electric contact substrate H2200 the width of which is larger than that of an electrical wiring tape H1300 through the tape.
記録素子ユニットＨ１００２では、第１の記録素子基板Ｈ１１００および第２の記録素子基板Ｈ１１０１が、電気配線テープＨ１３００を介して、そのテープよりも横方向の幅が広い電気コンタクト基板Ｈ２２００に電気的に接続されている。 - 特許庁 - This magnetic detection element is provided with an element part T1 for providing a magnetoresistive effect, and both-side parts 22 positioned on both sides of the element part T1 in a track width direction, and including a Ta substrate layer 24, an amorphous cutoff layer 25, an alignment control layer 26, and a hard bias layer 27 stacked sequentially from the bottom.
気抵抗効果を発揮する素子部Ｔ１と、前記素子部Ｔ１のトラック幅方向の両側に位置し、下からＴａ下地層２４、アモルファス遮断層２５、配向制御層２６、及びハードバイアス層２７の順に積層された両側部２２とを有する。 - 特許庁 - In addition, the flow channel diaphragm part 22 sets distance of the height direction of the diaphragm flow channel 23 from the narrowest parts 51a and 52a to the sensing element 5 larger than distance of the width direction of the diaphragm flow channel 23 from the inner wall surface near the sensing element 5 to the sensing element 5.
また、流路絞り部２２は、センシング素子５近傍の内壁面からセンシング素子５までの絞り流路２３の幅方向の距離よりも、最幅狭部５１ａ、５２ａからセンシング素子５までの絞り流路２３の高さ方向の距離を大きく設定している。 - 特許庁 - In the sectional shape of the pin tip part 110, the width is wider as it approaches to the pressure sensing element 20, and is narrower as it approaches to the outer circumference of the pressure receiving surface 32.
該ピン先端部１１０の断面形状は，感圧素子２０に近づくほど幅が広く，受圧面３２の外周に近づくほど幅が狭くなっている。 - 特許庁 - The internal terminal 20b of at least one of the conductor leads forms an inductance element, and the width of at least one part of the internal terminal 20b is narrower than that of the external terminal 20c.
導体リードのうちの少なくとも１本の内部端子部は、少なくとも一部が外部端子部より幅が狭いインダクタンス要素部を形成する。 - 特許庁 - To determine whether a focus detecting object image is one having a thin width near to a picture element pitch of a sensor to generate easily a focus detection error or not.
焦点検出対象像が、センサの画素ピッチに近く、焦点検出誤差を生じ易い細い幅のものであるかどうかを判定できるようにする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element driving device capable of determining whether or not a plurality of protection circuits are in a protection operation state based on a pulse width with accuracy.
パルス幅に基づいて複数の保護回路が保護動作状態であるか否かを正確に判別することができる半導体素子の駆動装置を提供する。 - 特許庁 - Character processing for thickening the line widths of the characters obtained in the 1st step is carried out on the basis of the width of a light emitting element as a minimum unit in a 1st direction.
第１の方向について発光素子の幅を最小単位として、第１のステップで取得した文字の線幅を太くする文字処理を行う。 - 特許庁 - Thereby, the band width capable of correctly detecting the sound signal is widened, the resonance generated by the wave receiving element can be made low Q.
これにより、受波素子が正確に音響信号を検出出来る帯域を広くし、受波素子に発生する共振の低Ｑ化を図ることが出来る。 - 特許庁 - The switch means 232 operates in response to the driving signal and then supplies the constant driving current to the light emitting element EL for the stipulated time width.
スイッチ手段２３２は駆動信号に応じて動作しこれによって規定された時間幅だけ一定の駆動電流を発光素子ＥＬに通電する。 - 特許庁 - In a region 4 positioned at the center section in the element formation region 2, width at right angle to the direction of crystal growth is limited to 20 μm or less.
素子形成領域２の中央部に位置する領域４は、結晶成長方向に対して直角方向の幅が２０μｍ以下に制限されている。 - 特許庁 - To reduce a frame size by determining the line width of a power bus line according to the current magnitude of the power bus line for supplying power to an organic EL element on a color basis.
色毎の有機ＥＬ素子に電力を供給する電源バスラインの電流量に応じて、その線幅を決定し額縁寸法を小さくする。 - 特許庁 - A center frequency extraction part 40, a line width extraction part 50 and a signal strength extraction part 60 perform characteristic element extraction from the line extraction part 30.
中心周波数抽出部４０、ライン幅抽出部５０、信号強度抽出部６０はライン抽出部３０からの特徴素抽出を行う。 - 特許庁 - Dicing is performed so that the lower portion 36a of the acoustic damper 36 is left uncut with a prescribed element width (c) in the X direction and with a pitch (d) in the Y direction (e).
(e) Ｘ方向に所定の素子幅ｃとピッチｄでＹ方向に、音響ダンパー３６下方部分３６ａを切り残すようにしてダイシングする。 - 特許庁 - To make a lead-out electrode layer which is connected to a magneto- resistance effect element thick even when read track width becomes narrow and to make its wiring resistance lower.
読み取りトラック幅が狭くなっても、磁気抵抗効果素子に接続される引き出し電極層を厚くし、その配線抵抗をより低くできるようにする。 - 特許庁 - The element formation spacing is formed on a substrate at the density twice or more than before by making it become 1/2 times or less than a spacing based on the width of a conventional head.
素子形成間隔を従来のヘッドの幅に基づいた間隔から、その1／2以下とし、従来の倍以上の密度で基板上に形成する。 - 特許庁 - A power feed portion is constituted by leading out a tapered part 11 and a narrow-width part 12 following the tapered part 11 from one of short sides of the loop element 10.
ループエレメント１０の短辺の一つからテーパ部１１とテーパ部１１に続く狭幅部１２を導出することにより給電部を構成する。 - 特許庁 - Each plane pattern width of a dummy cell active region 38 and a dummy cell element isolation region 40 partitions the dummy cell active region 38, and is optimized in the dummy cell 14.
ダミーセル部１４では、ダミーセル活性領域３８及びこれを区画するダミーセル素子分離領域４０の各々の平面パターン幅が最適化されている。 - 特許庁 - To provide a particle detector capable of detecting a fine particle by lengthening a pulse width of a particle signal output from a photoelectric transfer element.
光電変換素子から出力される粒子信号のパルス幅を長くして、より微小な粒子の検出を可能にする粒子検出器を提供する。 - 特許庁 - In a carrier 2 of the terminal 1 chain, V-shaped concave parts 7 are respectively formed between respective terminal fitting element pieces 3 in the width direction of the carrier 2.
連鎖端子１のキャリア２には、各端子金具素片３間に１箇所ずつ、キャリア２の幅方向に沿ってＶ字状の凹部７が形成されている。 - 特許庁 - Next, the sub-field, where the area rate is minimum, including the pattern element of minimum line width is selected, and a non-pattern part area rate thereof is defined as a minimum area rate.
次に、面積率が最小で且つ最小線幅のパターン要素を含むサブフィールド２０を選択し、その非パターン部面積率を最小面積率と定める。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element which has a channel stopper of relatively large width and good breakdown voltage characteristic or particularly the good breakdown voltage characteristic of an end, and to provide a method for manufacturing the same.
チャネルストッパを比較的広い幅で備え、耐圧特性、特に、端部の耐圧特性の良好な半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the computer hologram, an interference fringe forming region is formed in a horizontal direction with a belt-like element region of a prescribed slice width P as a unit.
計算機ホログラムでは干渉縞形成領域を水平方向に所定のスライス幅Ｐの帯状の要素領域を単位として形成される。 - 特許庁 - An underlying layer 2 constituting a semiconductor light emitting element 10 comprises a high crystallinity AlN layer having a half peak width of 90 sec or less in X-ray locking curve.
半導体発光素子１０を構成する下地層２を、Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下の高結晶ＡｌＮ層から構成する。 - 特許庁 - In such a case, the determination section may also determine the number of times of photographing on the basis of the width from the minimum value to the maximum value of the photometric value and the dynamic range of the imaging element.
なお、決定部は、測光値の最小値から最大値までの幅と撮像素子のダイナミックレンジとに基づいて、撮影回数を決定しても良い。 - 特許庁 - A truncated chevron-shaped post-handling stretch body 70 with stretching properties is attached to the center in a width direction of a contour sheet 12 opposed to an absorbing element.
吸収要素と対向する外形シート１２の幅方向中心部に伸縮性を有する八の字形状の後処理伸縮体７０を取付ける。 - 特許庁 - To provide an optical waveguide with a light-emitting element in which a branched optical waveguide has a narrow width of a main path and the intensities of light beams emitted from respective branches are uniform.
分岐光導波路において、主路の幅が狭く、各分岐路から出射される光線の強度が均一である発光素子付光導波路。 - 特許庁 - Preferably, the width of the gap material shown from the side of the ABS face is narrower than that of the upper shield and specified to interpose at least the upper and lower parts of the reproducing element.
望ましくは、ＡＢＳ面側からみた前記ギャップ材の幅が、上部シールドの幅より小さく、少なくとも再生素子の上下を挟むこととする。 - 特許庁
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