「element width」を含む例文一覧(1529)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 .... 30 31 次へ＞- A boron phosphide(BP) based semiconductor, containing boron(B) as a group III element and phosphorus(P) as a group V element, and having a forbidden band width of 2.8 eV-3.4 eV under room temperature is further added with a group V element, especially nitrogen(N), having electrical negativity which is different from that of phosphorus(P).
第ＩＩＩ族元素として硼素（Ｂ）を含みかつ第Ｖ族元素としてリン（Ｐ）を含む、室温での禁止帯幅を２．８エレクトロンボルト（ｅＶ）以上３．４ｅＶ以下とするリン化硼素（ＢＰ）系半導体に、さらにリン（Ｐ）と電気陰性度を異にする第Ｖ族元素、特に窒素（Ｎ）を添加する。 - 特許庁 - First, after a surface side element structure part of a semiconductor element is formed on the surface of a semiconductor wafer 100, a rib structure is formed by removing the rear surface of the semiconductor wafer 100 on which the surface side element structure part is formed to a prescribed depth with a prescribed width from an outer peripheral end remained.
まず、半導体ウエハー１００の表面に半導体素子の表面側素子構造部を形成した後、表面側素子構造部が形成された半導体ウエハー１００の裏面を、外周端部から所定幅を残して所定深さまで除去してリブ構造を形成する。 - 特許庁 - The impact force to be generated in the piezoelectric element 13 can be controlled by applying the high-speed rising voltage from the direct current voltage power source 51 to the piezoelectric element 13, and after the predetermined time is passed, turning on the discharge switch 53 to control width of the voltage pulse to be applied to the piezoelectric element 13.
充電スイッチ５２をオンして直流電圧電源５１から圧電素子１３に立ち上がりの速い電圧を印加し、所定時間経過後に放電スイッチ５３をオンして圧電素子１３に印加される電圧パルスの幅を制御することで、圧電素子１３に発生するインパクト力を制御する。 - 特許庁 - To provide a thin film magnetic head wafer manufacturing method capable of easily manufacturing a GMR element having an LOL structure with a narrow track width without using a highly accurate stepper, a GMR element of a CPP structure or a TMR element, a method for manufacturing a thin film magnetic head and a thin film magnetic head wafer.
高精度のステッパを用いることなく狭トラック幅のＬＯＬ構造を有するＧＭＲ素子、ＣＰＰ構造のＧＭＲ素子又はＴＭＲ素子を容易に製造することができる薄膜磁気ヘッドウエハの製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッドウエハを提供する。 - 特許庁 - A low residual resistance value like this is attained by reducing the spacer width of the passive element to be within the range about 10-30nm, or by masking the passive element during pre-amorphizing injection step so that substantially no pre-amorphized implant is present in the passive element.
このような低残留抵抗値は、受動素子のスペーサ幅を約１０ｎｍから約３０ｎｍの範囲に減少するか、又はプレアモルファス化注入ステップ中に受動素子をマスキングして、受動素子に本質的にプレアモルファス化インプラントがないようにすることによって達成できる。 - 特許庁 - In a plate-like inverse F antenna, a second radiation element 18 which is parallel to a GND surface and partially extended to a first radiation element 12 in the longitudinal direction is provided so that the width of the first radiation element 12 is substantially widened in the vicinity of a power feeding part F.
板状逆Ｆアンテナ１では、ＧＮＤ面と平行であって、第１放射要素１２に対して長手方向に沿って部分的に延設される第２放射要素１８を、給電部Ｆの近傍において実質的に第１放射要素１２の幅を広げるようにして設けるようにした。 - 特許庁 - The edge part of an image data on a downstream side in a subscanning direction is detected, and processing so as to shorten the turn-on time of a laser stepwise by modulating a pulse width is performed from the certain specified picture element of the picture element of the edge part on an upstream side in the subscanning direction to the picture element of the edge part on the downstream side.
画像データの副走査方向下流側のエッジ部を検出し、そのエッジ部の画素の副走査方向上流のある所定の画素より、下流にあるエッジ部の画素に向かって、パルス幅変調によりレーザーの点灯時間を段階的に短くする処理を行う。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises: a semiconductor substrate on which element regions having a predetermined width are formed in a predetermined pitch; interlayer insulating films stacked on the semiconductor substrate; and first contacts that are each provided from the top surface of the interlayer insulating films to each element region and are connected to the element region.
半導体装置は、所定ピッチで所定の幅の素子領域が形成された半導体基板と、半導体基板上に積層された層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上面から半導体基板の素子領域にかけて設けられ素子領域に接続される第１コンタクトとを備える。 - 特許庁 - At least one side element and the plurality of support elements 1 are connected to each other, and when moving the side element in a direction of covering the opening with a comparatively large width, tractive force is applied to the support elements 1 by at least one connecting element 7.
少なくとも１つのサイドエレメントと複数の支持エレメント１とが互いに結合されており、比較的大きな幅で溝がカバーされる方向に向かってサイドエレメントを移動させる際に、少なくとも１つの結合エレメント７によって支持エレメント１に引張力が及ぼされるようになっている。 - 特許庁 - To provide a current control circuit which adjusts amount of current to the load such as a Hall element by accurate and minute step width, does not arise compression of bias voltage of a current control element, and without need of dividing control voltage for operating a current control element such as a PMOS.
ホール素子等の負荷に正確かつ微小なステップ幅で電流量を調整し、電流制御素子のバイアス電圧の圧縮を生じずさせず、かつＰＭＯＳといった電流制御素子を動作させるための制御電圧を分圧する必要のない電流制御回路の提供 - 特許庁 - A linear lower light source 4 with a structure where a diffusion plate 7 for diffusing light beams from an LED element only in the plate width direction is arranged on the upper side of the LED elements arranged at a constant interval over the whole width under the travelling steel strip 1.
一定間隔で配置されたＬＥＤ素子の上側に、ＬＥＤ素子からの光線を板幅方向にのみ拡散させる拡散板７を配置した構造の線状下部光源４を、走行する鋼帯１の下方に全幅にわたり配置する。 - 特許庁 - In this case, the distance c_x between the single trench 162 in the gate width direction of the first transistor 200 and the element isolation insulation film 110 is smaller than the distance a_x between the trenches 162 in the gate width direction of the second transistor 202.
ここで、第１のトランジスタ２００のゲート幅方向における一つのトレンチ１６２と素子分離絶縁膜１１０との間の間隔ｃ_ｘが、第２のトランジスタ２０２のゲート幅方向におけるトレンチ１６２間の間隔ａ_ｘよりも狭い。 - 特許庁 - The pair of width-direction end parts 13, 13 are regulated from movement in the thickness direction Y of the heating element 10 and allowed for movement in the width direction W, respectively, by an end-part through-hole or a support body 40 penetrating the slit.
一対の幅方向端部１３，１３は端部貫通孔又はスリットを貫通する支持体４０により各々発熱体１０の厚み方向Ｙに対する移動が規制されると共に幅方向Ｗに対する移動が許容されている。 - 特許庁 - The window width a of a portion 62a, corresponding to each LED device 11, of each of the light quantity adjusting windows 62 is made narrower than the window width b of a portion 62b corresponding to an inter-element intermediate between the two adjacent LED elements 11.
光量調整窓６２におけるＬＥＤ素子１１に対応する素子対応部分６２ａの窓幅ａを、隣接する２個のＬＥＤ素子１１，１１の中間に対応する素子間対応部分６２ｂの窓幅ｂよりも狭くする。 - 特許庁 - As a result, since the pulse width of a laser beam L1 to be emitted from the laser resonator 21 is prolonged, and the pulse width corresponds to the wavelength to be selected by the wavelength selection element 35; the pulse length is changed by changing the wavelength to be selected.
この結果、レーザ共振器２１から出射されるレーザ光Ｌ１のパルス幅が長くなり、そのパルス幅は波長選択素子３５により選択される波長に対応しているため、選択する波長を変更することによりパルス幅が変更される。 - 特許庁 - The vibration element 20 is formed by increasing the width of the base section 22 at least two times larger than the width dimension (t6) of a vibrator section 23 and positioning the center gravity at a region within the range of [±2×t6] to the center axis in the longitudinal direction of the vibrator section 23.
振動素子２０は、基部２２を振動子部２３の幅寸法（ｔ６）の２倍よりも大きな幅とするとともに、振動子部２３の長手方向の中心軸線に対して［±２×ｔ６］の範囲内の領域に重心を位置させて形成する。 - 特許庁 - Light from a light-emitting element 12 disposed toward an inner side of an vehicle width direction on an optical axis Ax extended to vehicle back-and-forth directions, is forwardly reflected by a first reflector 14 provided at the inner side of an vehicle width direction.
車両前後方向に延びる光軸Ａｘ上に車幅方向内側へ向けて配置された発光素子１２からの光を、その車幅方向内側に設けられた第１リフレクタ１４により前方へ向けて反射させる構成とする。 - 特許庁 - The screen is constituted by providing an aperture part near the focus of a lenticular lens on the picture viewing side surface of a 1st component element, providing a light absorbing layer having finite width at the mutual boundary part of the aperture parts, and performing antireflection processing to the picture viewing side surface of a 2nd component element, and then coupling the 1st component element and the 2nd component element.
スクリーンとして、第１の構成要素の画像観視側面レンチキュラーレンズの焦点近傍には開口部を設け、該開口部が相互の境界部分には有限幅の光吸層を設け、また、第２の構成要素の画像観視側面には反射防止処理を施し、前記第１の構成要素と前記第２の構成要素とを結合した構成とする。 - 特許庁 - The screen is constituted by providing an aperture part near the focus of a lenticular lens on the image viewing side surface of a first component element, providing a light absorption layer having finite width at a boundary part between the aperture parts, and performing antireflection treatment to the image viewing side surface of a second component element, and then combining the first component element and the second component element.
スクリーンとして、第１の構成要素の画像観視側面レンチキュラーレンズの焦点近傍には開口部を設け、該開口部が相互の境界部分には有限幅の光吸層を設け、また、第２の構成要素の画像観視側面には反射防止処理を施し、前記第１の構成要素と前記第２の構成要素とを結合した構成とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an element having a fine shape surface, capable of manufacturing the element especially large in the aspect ratio (groove depth/groove width) of the fine shape at a low cost without damaging the fine projected parts (fine groove transfer parts) formed on the surface of the element, and the element manufactured by this method.
表面に微細形状を有する素子において、特にその微細形状のアスペクト比（溝深さ／溝巾）の大きい素子を、素子表面に形成される微小突起部（微小溝転写部）を損傷することなく、安価に作製することができる表面に微細形状を有する素子の作製方法、及び作製方法によって作製された素子を提供する。 - 特許庁 - This element isolation insulating film has such a structure where the base 103 of an element isolation insulating film is set larger in width than its upper part 102 or an element isolation insulating film is formed inside a deep groove provided to the base of the element isolation insulating film.
本発明にかかる素子分離絶縁膜によれば、その底面を通るリーク経路を延ばす構造、すなわち素子分離絶縁膜の底部（１０２，１０３）の幅が上部の幅（１０２）より大きく形成されたものあるいは素子分離絶縁膜の底部に形成されたさらに深い溝（２１０，３０９）内に素子分離絶縁膜（２１３，３１１）を有するものを備えている。 - 特許庁 - To provide the non-volatile semiconductor memory device of low cost and high density reduced in the element separate width of a memory cell and improved in work controllability by reducing the embedding aspect of an element separate insulating film and a producing method therefor.
素子分離絶縁膜の埋め込みアスペクトを小さくしてメモリセルの素子分離幅を小さくするとともに加工制御性に優れた、低コスト高密度の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a tuning fork type bent crystal vibration element which can be minimized in size without providing a support arm, etc. in the width direction of the tuning fork type bent crystal vibration element and attenuate vibrations from a vibration arm.
音叉型屈曲水晶振動素子の幅方向に支持腕等を備えることなく、小型化することができ、振動腕部からの振動を減衰させる音叉型屈曲水晶振動素子を提供することを課題とする。 - 特許庁 - A metallizing pattern 3 is formed on the upper surface of a mount 2 comprising a high thermal-conduction material such as ceramics, with its width almost equal to that of a light-emitting element 1 and with its length shorter than a length L of the light-emitting element 1 by α.
セラミックス等の高熱伝導材料から成るマウント２の上面にメタライズパターン３を形成し、その寸法を幅は発光素子１の幅と略等しく、長さは発光素子１の長さＬよりαだけ短くしておく。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device provided with grooved element separation capable of easing the compression stress of a buried insulating film independently of the aperture width of the groove and having uniform and effective element performance, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.
溝の開口幅によらずに埋め込み絶縁膜の圧縮応力を緩和できる溝型の素子分離を備え、これにより均一で良好な素子性能を有する半導体装置および、その製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a projection aligner and a method for fabricating a semiconductor element suitable for fabrication of such a semiconductor element as high resolution projection alignment is ensured by selecting an optimal illumination system depending on the direction, line width, and the like, of a pattern shape.
パターン形状の方向や線幅等により最適な照明系を選択して高解像力の投影露光が可能な半導体素子の製造に好適な投影露光装置及び半導体素子の製造方法を得ること。 - 特許庁 - Each array antenna is composed in this manner, thus facilitating impedance matching, obtaining a large amount of coupling without widening the element width of the radiation antenna element (while suppressing the cross-polarized component), and hence widening a controllable range of the amount of coupling.
各アレー素子をこのように構成することで、インピーダンス整合が容易になり、放射アンテナ素子の素子幅を広くすることなく（交差偏波成分を抑制しつつ）大きな結合量が得られ、結合量の制御可能範囲が広がる。 - 特許庁 - In this piezoelectric vibrator, the ratio W/H of element width W to element thickness H is defined as ≥2.0 and ≤4.0, ≥4.3 and ≤5.7, ≥6.2 and ≤7.8 or ≥8.2 and ≤9.8.
素子幅Ｗと素子厚みＨの比Ｗ／Ｈを２．０以上４．０以下あるいは４．３以上５．７以下あるいは６．２以上７．８以下あるいは８．２以上９．８以下のいずれかとすることを特徴とする圧電振動子である。 - 特許庁 - In the small slot antenna, an internal element 22 for forming a linear slot is provided in the center on the inside of an external element 21 for forming a slot having a lateral width L1 of about λ/4, and a first slot 23a having a clearance of about 1 mm is formed between them.
約λ／４の横幅Ｌ１を有するスロット形成用外部素子２１の内側中央に直線状のスロット形成用内部素子２２を設けて両者間に間隔が約１ｍｍの第１のスロット２３ａを形成する。 - 特許庁 - To obtain a light-emitting element array which can drive light-emitting elements in a semiconductor block at a uniform drive power and a low drive voltage and reduces the width of a light-emitting element array chip sufficient to increase the number of chips taken from a wafer.
駆動電圧が小さく、半導体ブロック内の発光素子に対して均一な駆動電力で駆動でき、また、発光素子アレイチップの幅を細くし、ウェハーから取れるチップ数を増やすことができる発光素子アレイを提供する。 - 特許庁 - To provide a projection aligner capable of selecting an optimum illumination system by the direction and line width, etc., of a pattern shape, and performing the projection alignment of a high resolution and suitable for manufacturing a semiconductor element, and to provide a method for manufacturing the semiconductor element.
パターン形状の方向や線幅等により最適な照明系を選択して高解像力の投影露光が可能な半導体素子の製造に好適な投影露光装置及び半導体素子の製造方法を得ること。 - 特許庁 - A valve seat 12 is formed in an opposed face opposed to the moving element 2 in a peripheral part of the valve port 11, and a tip face 12a of the valve seat 12 serves as the abutting face for regulating a moving range of the moving element 2 in the width direction of a support part 1.
弁口１１の周部において可動子２との対向面には弁座１２が形成され、弁座１２の先端面１２ａは、支持部１の厚み方向における可動子２の移動範囲を規制する当接面となる。 - 特許庁 - The two center legs 24a and 24b of a current element core 21 are arranged oppositely to the center leg 14 of a voltage element core 11 across an induction disc 30 within the width of the center leg 14.
電流素子鉄心２１の２本の中央脚２４ａ，２４ｂは、電圧素子鉄心１１の中央脚１４の幅内で誘導円板３０を挟んで電圧素子鉄心１１の中央脚１４に対向するように配置される。 - 特許庁 - In this gate valve, when a valve element 1 is lowered so as to close the gate valve, a support member 2, an auxiliary member 3, a width enlarging member 7 and each seal part are lowered.
仕切弁を閉弁させるために、弁体１を下降させると、支持部材２、補助部材３、拡幅部材７及び各シール部が下降運動に追従して下降する。 - 特許庁 - Further, the maximum width of the opening of the air gap 10 along the stack direction is preferably 8 to 20 % of the thickness of the unit element 2 in the stack direction.
また、上記空隙部１０の積層方向に沿った最大開口幅は、各ユニット素子２の積層方向厚みに対して８〜２０％とすることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a process for fabricating a light-emitting element in which the width of a current constriction region can be controlled when the current constriction region is formed based on an easy method.
容易な方法に基づき電流狭窄領域の形成時の電流狭窄領域の幅の精密な制御を可能とする発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide remarkable change of delay time by improving the limit on the width of the delay time change concerning a chirp filter composed of a surface acoustic wave(SAW) element.
表面弾性波（ＳＡＷ）素子により構成されたチャープフィルタは、遅延時間変化の幅に限界があるのを改善し、大きな遅延時間の変化が得られるようにする。 - 特許庁 - By properly setting the changing step width and the clock cycle, the voltage rising rate can be suppressed to a degree by which the malfunction of the switching element in a voltage increase does not occur.
変更ステップ幅とクロック周期を適切に設定することで、電圧増大時のスイッチング素子の誤動作が起こらない程度の電圧上昇率に抑えることができる。 - 特許庁 - To provide an antenna system capable of changing the beam width of a radio wave from a radiating element and changing even the directivity of the radio wave with a structure of low cost.
低コストの構造で、放射素子からの電波のビーム幅を変化させることができ、しかも、電波の指向性をも変化させることができるアンテナ装置を提供する。 - 特許庁 - A waveform among picture elements based on the distribution of bright and dark sections in a region S_2 outside information is generated, and width Wp of the picture element is measured based on the waveform among picture elements.
そして、情報外領域Ｓ_２における明暗の分布に基づく画素間波形を生成し、この画素間波形に基づいて画素幅Ｗｐを測定する。 - 特許庁 - To provide a method for easily proceeding with a process for filling metal and at the same time, easily controlling the line width critical dimensions of a formed semiconductor element.
金属を充填するプロセスが容易に進行できるばかりでなく、形成された半導体素子の線幅臨界次元がより容易に制御される方法を提供する。 - 特許庁 - The displacement enlarging device 13 comprises a long plate body 13a so formed that it is substantially identical with a laminated piezoelectric element in length and width.
変位拡大装置１３は、積層型圧電素子と長さ方向寸法及び幅方向寸法が略同一に形成された長板状の板体１３ａから構成されている。 - 特許庁 - To provide a pulse generation circuit capable of stably obtaining a recording pulse signal having a desired pulse width by suppressing the influence of the deviation of a delay element.
遅延素子の偏差などの影響を抑制し、所望のパルス幅を有する記録用パルス信号を安定的に得ることが可能なパルス発生回路を提供すること。 - 特許庁 - To provide a magnetic material porcelain composition for high fre quency which has low sintering temperature and can narrow ferromagnetic resonance half value width and to provide a nonreversible circuit element using the same.
焼結温度が低く、かつ、強磁性共鳴半値幅を狭くできる高周波用磁性体磁器組成物およびそれを用いた非可逆回路素子を提供する。 - 特許庁 - Then, the magnetization direction wherein the total energy becomes minimum, a vector potential generated by the magnetization and the magnetic domain width are determined by a finite element method, a calculus of finite differences or the like.
そして、総エネルギが最小となるような磁化の方向、磁化が生成するベクトルポテンシャル及び磁区幅を、有限要素法又は差分法等により求める。 - 特許庁 - To enable reduction of track width and magnetic path length of an induction type magnetic converting element and also prevent increase in the number of processes for the manufacturing.
誘導型磁気変換素子のトラック幅および磁路長の縮小を可能にすると共に、製造の際の工程数の増加を防止することができるようにする。 - 特許庁 - Further, in case the width of the crowing part 101a is La and a distance between the end of the outer cylinder 101 and the end of the rolling element 103 is Lb, La and Lb are related to La>Lb.
そして、クラウニング部１０１ａの幅をＬａ、外筒１０１の端部から転動体１０３の端部までの距離をＬｂとした場合に、Ｌａ＞Ｌｂの関係がある。 - 特許庁 - A second reflective surface 28e is also composed of a recessed curved surface, and disperses and reflects the light from the light emitting element 34 in a width direction of the lighting part 28a.
第２の反射面２８ｅも凹状の曲面で構成されており、発光素子３４からの光を照光部２８ａの幅方向に分散させて反射する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device that makes it possible to secure controllability of a width of an STI insulating layer for element isolation while controlling a depression in a trench.
トレンチの窪みを抑制し、かつＳＴＩの素子分離のための絶縁層の幅の制御性を確保することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To output a further correct diagnostic result, even when controlling ON/OFF of current-carrying by pulse width modulation control, by using a switching element incorporated with the self-protective function.
自己保護機能を内蔵したスイッチング素子を用いてパルス幅変調制御により通電のオン／オフを制御する場合であっても、より正しい診断結果を出力すること。 - 特許庁
- 特許庁
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