「element width」を含む例文一覧(1529)
＜前へ 1 2 .... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .... 30 31 次へ＞- Thus, the heating resistance elements can be heated in a condition such that the dispersion range W2 of each heating resistance element is smaller than a conventional dispersion width W1.
これにより、各発熱抵抗素子のばらつき幅Ｗ２が、旧来のばらつき幅Ｗ１よりも小さくなったような状態で、発熱抵抗素子を発熱させることができる。 - 特許庁 - The heat resistant member 5a is composed to be a little larger than width of the valve element 1, and a step part 5c is formed at the parted parts of the heat resistant members 5a and 5b, so that a gasket 8 is prevented from removal.
耐熱部材５ａは、弁体１の幅よりやや大きく構成されると共に、耐熱部材５ａ、５ｂの分割部位に段差部５ｃを介してガスケット８を抜け止めする。 - 特許庁 - A heating resistive element 20 with a width in a longitudinal direction of a long plate-type ceramic substrate 11 and a length in a short-side direction of the substrate 11, as well as electrodes 12, 13 for power supply purposes, are formed.
長尺板状のセラミック基板１１の長手方向が幅で短手方向が長さの発熱抵抗体２０と電力供給用の電極１２，１３を形成する。 - 特許庁 - The wiring width of the digit line 5 is shown by W2 and a distance between a center in the thickness direction of the bit line 10 and the center in the thickness direction of the free layer for the MTJ element 8 is shown by L2.
ディジット線５の配線幅をＷ２とし、ビット線１０の厚み方向中心からＭＴＪ素子８のフリー層の厚み方向中心までの距離をＬ２とする。 - 特許庁 - Detection of an ink residual amount, detection of a head temperature, detection of presence of a medium to be recorded, and detection of the medium width to be recorded or the like are conducted and controlled based on an output from the optical detection element.
光学検出素子からの出力を基に、インクの残量検出、ヘッドの温度検出、被記録媒体の有無検出、被記録媒体幅検出等を行い、制御する。 - 特許庁 - To generate always stable pulses whose width and phase are not changed when the quantity of light is changed, by obtaining a signal excellent in contrast with the same light receiving element part, to optical scales of all diameters.
全ての径の光学スケールに対して同一の受光素子部によりコントラストの良い信号を得て、光量が変動しても幅や位相が変化しない常に安定したパルスを発生する。 - 特許庁 - The end of a piezoelectric ceramic plate (piezoelectric transformer element) 11 on the electrode side of the input side is determined to be a supporting position at the point where a displacement quantity of a spurious vibration mode becomes the maximum, namely in the center of a width.
スプリアス振動モードの変位量が最大となる点、すなわち幅方向の中央で入力側電極側の圧電セラミック板（圧電トランス素子）１１の端部を支持位置とする。 - 特許庁 - Since the logic element 200 and a DRAM 140 are directly connected, the increase of a load capacity due to a wiring is suppressed, and a large bus width is secured by a multiple-pin connection.
論理チップ２００とＤＲＡＭ１４０とを直接接続するため、配線による負荷容量増大を抑制することができ、かつ多ピン接続による大きなバス幅を確保できる。 - 特許庁 - It is possible thereby that the width of the head bar 12 is made small by arranging efficiently the element substrates 16 and 18 in the head unit 14, and replacement and maintenance by the unit of the head unit 14 are performed.
これにより、ヘッドユニット１４内に素子基板１６，１８を効率良く配置してヘッドバー１２の幅を小さくできると共に、ヘッドユニット１４単位での交換やメンテナンスが可能である。 - 特許庁 - To provide an image forming device that can prevent the expansion of slit width and deformation of a conductive film in long time driving, is improved in durability of an element and has stable image quality.
長時間駆動時における導電性薄膜の亀裂幅の広がりや変形を抑え素子の耐久性を向上させ、安定した表示品位の画像形成装置を提供すること。 - 特許庁 - In the diffractive optical element, with the ratio of the width A of grating projections to the pitch Λ of the gratings defined as the duty (A/Λ) of the gratings, the gratings (grating areas) 4a, 4b with different pitch are designed to be different in the duty.
すなわち、本発明の回折光学素子では、ピッチの違う格子（格子領域）４ａ，４ｂはデューティーを異ならせることにより回折効率が等しくなるようにする。 - 特許庁 - When the width W of element is set in the range of 1-5 μm, the coercive force Hc can be confined in the range of 5-10 Oe (about 395-790 A/m).
また、前記素子幅Ｗを１〜５μｍの範囲内に設定することで、前記保磁力Ｈｃを５〜１０Ｏｅ（約３９５Ａ／ｍ〜７９０Ａ／ｍ）程度の範囲内に収めることが出来る。 - 特許庁 - Inventive exposure equipment 1 is adapted to optically align an alignment material film by bisecting each picture element or pixel of a liquid crystal display device into two regions in the width direction and exposing it from different directions.
露光装置１は、液晶表示装置の各絵素又は画素を幅方向に２分割して異なる方向から露光することにより、配向材料膜を光配向させるものである。 - 特許庁 - Thus, thermal conductivity of the laminate film 20 is improved and the battery element 10 can be sealed well, even when the melt sticking width is narrowed to a range of ≥0.5 and ≤2.5 mm.
これにより、ラミネートフィルム２０の熱伝導性を改善することができ、融着幅を０．５〜２．５ｍｍの範囲に狭くした場合にも、電池素子１０を良好に封止することができる。 - 特許庁 - Both narrowing of the peak width of the spectrum and highly-efficient illumination can be realized simultaneously, by irradiating a detection element with light for detection by using an effective light source having a peak out of the axis.
軸外にピークを有する有効光源を用いて検出用の光を検出素子に照射することで、スペクトルのピーク幅を狭めることと高効率な照明を両立させる。 - 特許庁 - The induction heating element 17 is formed into a flat shape by arranging a small-width and thin plate-like nonmagnetic material so as to draw convolutions while sequentially forming insulating gaps from the inside to the outside.
誘導発熱体１７を、幅狭で薄板状の非磁性体材料を内側から外側へと順次絶縁ギャップを形成しながら渦巻きを描くようにして平面状に形成する。 - 特許庁 - To easily and quickly repair a short-circuited portion, without cutting a wire of narrow width essential for driving an organic EL element, when short-circuiting occurs between wires.
配線間のショートが発生した場合に、有機ＥＬ素子の駆動に不可欠で幅が細い配線を切断することなく、ショート部分を簡単かつ迅速に修復できるようにする。 - 特許庁 - To provide a fixing structure for an optical waveguide element which has sable high-frequency characteristics without being affected by the strength of an electric connection depending upon the width of a ground electrode.
接地電極の幅による電気的接続の強弱に影響されることなく、安定した高周波特性を得ることができる光導波路素子の固定構造を提供する。 - 特許庁 - The inside portion 4a is compressed more than the intermediate member 5 of the elastic element 4 because the slits 5a, 5b are narrowed in width by reducing the outer tube 2 and the diameter of the intermediate member 5 is reduced.
外筒２をしぼることでスリット５ａ，５ｂの幅が狭まり、中間部材５の径が小さくなることによって、弾性体４の中間部材５よりも内側部分４ａが圧縮される。 - 特許庁 - Parasitic elements 25 having a line width of about 1 mm are provided at an interval of about 1 mm on the upper side of the external element 21 for forming a slot, and a second slot 23b is formed between them.
スロット形成用外部素子２１の上側に線幅が約１ｍｍの無給電素子２５を約１ｍｍの間隔で設け、両者間に第２のスロット２３ｂを形成する。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistance effect element wherein the compatibility of its high output with the improvement of its recording density is intended, by making possible the narrowing of its track-width without sacrificing its sensibility.
感度を犠牲にすること無くトラック幅を狭めることができるようにし、高い出力と記録密度の向上との両立を図った磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁 - The width of an element end section is widened as compared with a center section, and is set to a shape that is asymmetrical to the axis of easy magnetization and at the same time is nearly rotary-symmetrical when a film surface vertical direction is used as an axis.
素子端部の幅を中央部分に比較して広くし、磁化容易軸に対して非対称かつ膜面垂直方向を軸としてほぼ回転対称な形状とする。 - 特許庁 - Two corners of a tip end of a band-like tip end part 12D of an antenna element 12 are chamfered, and a rectangular locking hole 12C is provided in a center position of band-like width.
アンテナエレメント１２の帯状先端部１２Ｄの先端は２ヶ所の角部が面取り加工され、帯状の幅の中央位置に矩形の係止孔１２Ｃが設けられている。 - 特許庁 - This oxygen concentration detection element 1 is formed in a thin board shape approximately with a width of 10 mm, a length of 15 mm and a thickness of 1 mm, and has a constricted part 1a in the center of a region R1.
酸素濃度検出素子１は、ほぼ幅１０ｍｍ、長さ１５ｍｍ、厚さ１ｍｍの薄板状に形成され、その領域Ｒ１の中央部にくびれ部１ａを有する。 - 特許庁 - To provide a generation element or the like which is capable of efficiently generating a terahertz wave with a relatively high intensity or a terahertz wave with a relatively narrow pulse width by optical excitation.
光励起により効率良く比較的高強度のテラヘルツ波を発生したり、パルス幅の比較的狭いテラヘルツ波を発生したりすることができる発生素子などを提供する。 - 特許庁 - To realize a method of forming a gate electrode of a semiconductor element with which the resistance of the gate electrode can be reduced and an effective wire width of the gate electrode can be prevented from being reduced.
ゲート電極の抵抗を減少させることができ、また、ゲート電極の有効線幅の減少を防止することのできる半導体素子のゲート電極の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of semiconductor laser device of monolithic two-wavelength type which can provide improved processability, control short-circuit failure during assembling, reduce element isolation width, and secure heat dissipation.
加工性の向上、組み立て時のショート不良の抑制を図り、素子分離幅の低減、放熱性も確保できるモノリシック２波長型の半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To accurately control a width distribution of ultraviolet rays radiated in a line to an irradiation object, in a structure in which a diffraction grating pattern is formed on each side of a diffractive optical element.
回折光学素子の両面に回折格子パターンが形成された構造で、照射対象にライン状に照射される紫外線の幅方向の配光を精度よく制御する。 - 特許庁 - To obtain a light source of variable wavelength in which the emission spectrum width is narrow and the emission wavelength can be easily varied in a light source for making an organic substance such as an organic EL element emit light.
有機ＥＬ素子などの有機物質を発光させる光源において、発光スペクトル幅が狭く、発光波長を容易に可変することができる波長可変光源を得る。 - 特許庁 - The dimension of the reference calibration target is restricted to a width ≤30.2 mm and a height ≤16.7 mm, which is smaller than the exposed area of a frame 14 in the photographic element 10 for the APS.
基準較正ターゲットの寸法を、ＡＰＳの写真要素１０においてフレーム１４の露光される領域より小さい３０．２mm以下の幅と１６．７mm以下の高さに制限する。 - 特許庁 - A pattern of a lower wiring layer Ma in a monitor mark formation region includes a part having the same pattern width and pattern pitch as a pattern of a lower wiring layer Ma of a function element formation region.
モニター用マーク形成領域の下層配線層Ｍａのパターンは、機能素子形成領域の下層配線層Ｍａのパターンと同じパターン幅およびパターンピッチを有する部分を含む。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor quantum dot element provided with high density quantum dots having a peak-like state density of steep energy width by arranging the thickness of quantum dot structure arbitrarily.
量子ドット構造の厚さを任意の厚さで揃えて、エネルギー幅が狭く鋭いピーク状の状態密度を持つ、高密度な量子ドットを備えた半導体量子ドット素子を提供する。 - 特許庁 - In a nonvolatile semiconductor memory device 10, an active region 12 having a first width W1 is separated by an element isolation layer 13 formed on a principal surface of a semiconductor substrate 11.
不揮発性半導体記憶装置１０では、第１の幅Ｗ１を有する活性領域１２が、半導体基板１１の主面に形成された素子分離層１３で分離されている。 - 特許庁 - The diffraction grating width of this chirped grating is the shortest on the side close to the semiconductor light emitting element and gradually increases in the travel direction of laser light (in light waveguide direction).
また、このチャープトグレーティングの回折格子幅は、半導体発光素子に近い側が最も短く、レーザ光の進行方向（光導波方向）に沿って格子幅が順次拡大している。 - 特許庁 - To reduce the line width of a fluorine laser almost to 0.2 to 0.3 pm without using a band narrowing element such as an etalon.
フッ素レーザにおけるライン幅を、エタロン等の狭帯域化素子を用いること無く、０．２〜０．３ｐｍ程度まで狭帯域化することのできる超狭帯域化フッ素レーザ装置を提供する。 - 特許庁 - In the retainer 1, pockets 3 each holding a rolling element 23 and connecting an interior and an exterior are formed in width direction middle positions in circumferential plural places of an annular retainer body 2.
環状の保持器本体２の円周方向複数箇所における幅方向の中間位置に、転動体２３が収まるポケット３が内外に貫通して形成された保持器１とする。 - 特許庁 - To provide a gate drive circuit of a switching element in which a soft interruption function is operated upon detecting short circuit and dielectric breakdown can be prevented even if a narrow width pulse is inputted.
短絡検出時にソフト遮断機能を動作させるとともに、狭幅パルスが入力しても、絶縁破壊を防止できるスイッチング素子のゲート駆動回路を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a semiconductor wafer which is suitable for manufacturing an element which has a line width of 65 nm or smaller and in which flat nature, nano-topography, and layer homogeneity are improved.
６５ｎｍまたはそれよりも小さい線幅で素子を製造するのに適しており、平坦性およびナノトポグラフィならびに層均一性を向上させた半導体ウェハを提供する。 - 特許庁 - The information region S_1 is divided into each region of arrangement data constituted by a plurality of regions to determine whether the region is the erroneously constituted region (the noise component) or not based on the comparison between a value of width of each region constituting the arrangement data and the width Wp of the picture element.
そして、情報領域Ｓ_１を複数の領域から構成される配列データに区分けし、この配列データを構成する各領域の幅値と画素幅Ｗｐとの比較に基づいて、当該領域が誤って構成された領域（ノイズ成分）であるか否かを判定する。 - 特許庁 - When the length of the ceramic element assembly is L1, lengths of the terminal electrodes 31, 32 on one surface 13 in the width direction W are L3, and the lengths of the terminal electrodes 31, 32 on the other surface 14 in the width direction W are L4, a relation of 0≤|L4-L3|/L1≤1/44 is satisfied.
セラミック素体１の長さをＬ１とし、幅方向Ｗの一面１３における端子電極３１、３２の長さをＬ３とし、幅方向Ｗの他面１４における端子電極３１、３２の長さをＬ４としたとき、 ０≦｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１≦１／４４ を満たす。 - 特許庁 - The state detecting means has one Hall element 6 disposed on one end side of the operation part side casing 2 in the width direction, and two magnets 7a and 7b disposed on both end sides of the display part side casing 3 in the width direction.
この状態検出手段は、操作部側筐体２の幅方向における一端側に配置される１つのホール素子６と、表示部側筐体３の幅方向における両端側それぞれに配置される２つの磁石７ａ、７ｂと、を有して構成されることを特徴とする。 - 特許庁 - In the optical encoder, a light receiving surface 4 of a first light receiving element 3 has a step shape having four step parts 4A-4D, and a width dimension of each step part 4A-4D is equal to a width dimension L of a light-on part 5 of the moving body 1, and each step dimension d thereof is equal to each other.
この光学式エンコーダでは、第１の受光素子３の受光面４が４つの段部４Ａ〜４Ｄを有する階段形状であり、各段部４Ａ〜４Ｄは幅寸法が移動体１の光オン部５の幅寸法Ｌに等しいと共に段差寸法ｄが互いに等しい。 - 特許庁 - To provide an electromagnetic coupling device capable of restraining a width in which a plane opposed to an armature of a hub plate swings with respect to a plane orthogonal to an axial direction of a shaft when securing the hub plate to the shaft to be far smaller than a gap width to be secured between the armature and a magnetic pole element.
ハブプレートをシャフトに固定した際に、ハブプレートのうちアーマチュアに対向する面がシャフトの軸方向と直交する面に対して振れる幅を、アーマチュアと磁極体との間に確保すべきギャップ幅よりも遙かに小さく抑えることが可能な電磁連結装置を提供する。 - 特許庁 - Based on the comparison results, the on-width control part 27 controls a drive circuit 14 so that the on-width of a switching element Q1 which gives energy to an inductance L0 of a load-circuit part 20 may become narrow in the case where the peak value of input current becomes high and become wide inversely in the case where it becomes low.
オン幅制御部２７は、この比較結果に基づき、負荷回路部２０のインダクタンスＬＯにエネルギーを与えるスイッチング素子Ｑ１のオン幅を、入力電流のピーク値が高くなった場合には狭く、逆に低くなった場合には広くなるようにドライブ回路１４を制御する。 - 特許庁 - To make it possible to reduce a clock frequency compared with the one in a normal pulse width driving when a pulse width modulation system and a bias voltage application system are used together as an electron discharge element driving method, and also to make it possible to match the number of gradations necessary for a system to the number of quantized bits.
電子放出素子の駆動方法をパルス幅変調方式とバイアス電圧印加方式との併用とした際、クロック周波数を通常のパルス幅駆動に比べて減らすことが可能となり、また、システムの必要階調数、量子化ビット数に合わせることを可能とする。 - 特許庁 - Since in this manner, in the chain terminal C, the carrier 31 and a coupling part 35 are not protruded furthermore in the width direction of the chain terminal C to reach beyond the terminal fitting element pieces 10A, the width dimension W of the chain terminal C can be maintained as small as possible and thus the yield of the material is improved.
このようにこの連鎖端子Ｃでは、キャリア３１や連結部３５が端子金具素片１０Ａよりも連鎖端子Ｃの幅方向外側へ突出していないので、連鎖端子Ｃの幅寸法Ｗを極力小さく保つことができ、材料取りが良くなる。 - 特許庁 - An n-type MOS transistor has an active region STN surrounded by the element isolation region 3 where a width Xc in the longitudinal direction of the gate in the entire region Wc including the contact forming region with a contact plug 10b formed is formed of the same width in the breadthwise direction of the gate.
一方、Ｎ型ＭＯＳトランジスタは、素子分離領域３に囲まれた活性領域ＳＴＮが、ゲート幅方向において、コンタクトプラグ１０ｂが形成されるコンタクト形成領域を含めた全領域Ｗｃでゲート長方向の幅Ｘｃが同じ幅で形成されている。 - 特許庁 - An N-type diffusion layer 8 of the protection element 1 and an N-type diffusion layer 19 of the MOS transistor 15 are formed in the same process, while a diffusion width W3 of the N-type diffusion layer 8 is larger than a diffusion width W4 of the N-type diffusion layer 19.
そして、保護素子１を構成するＮ型の拡散層８とＭＯＳトランジスタ１５を構成するＮ型の拡散層１９を同一工程で形成するが、Ｎ型の拡散層８の拡散幅Ｗ３が、Ｎ型の拡散層１９の拡散幅Ｗ４よりも広くなる。 - 特許庁 - A poly-silicon film 4 is formed on the entire face of a surface region of a silicon semiconductor substrate 1, and this poly-silicon film 4 is patterned so that a line width of a poly-silicon film 4' in a field oxide film 2 is made larger than a line width of the poly-silicon film 4 in an element forming region.
シリコン半導体基板１の表面領域の全面にポリシリコン膜４を形成し、このポリシリコン膜４をパターニングして、フィールド酸化膜２におけるポリシリコン膜４'の線幅が素子形成領域におけるポリシリコン膜４の線幅よりも大きくなるようにする。 - 特許庁 - In the erase pulse storage part, the information of plural erase pulse waveforms (voltage, width) are stored beforehand in a storage element, and an optimum erase pulse waveform (voltage, width) is selected based on the number of turn-on cells sent from a number of turn-on cells detection part in succeeding an erase pulse selection part.
消去パルス記憶部では、複数の消去パルス波形（電圧、幅）の情報があらかじめ記憶素子に格納されており、続く消去パルス選択部にて点灯セル数検出部から送られてきた点灯セル数に基づいて、最適な消去パルス波形（電圧、幅）を選択する。 - 特許庁
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