「element width」を含む例文一覧(1529)
＜前へ 1 2 .... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 .... 30 31 次へ＞- To prevent the output of a magnetoresistive element from being deteriorated when the track width is narrowed in this magnetoresistive magnetic head, where the direction of a sense current flowing in the magnetoresistive element is made nearly perpendicular, with respect to the intra-surface direction of a magnetic recording medium.
磁気抵抗効果素子に流れるセンス電流の方向が磁気記録媒体の面内方向に対して略垂直となる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、トラック幅を狭くした際の磁気抵抗効果素子の出力低下を防ぐ。 - 特許庁 - To solve the following problem: variance in element isolation width will heavily and adversely affect write disturb resistance as microfabrication is achieved when a semiconductor memory device is manufactured by stacking a storage element, such as a phase change memory and an ReRAM, and a semiconductor device.
相変化メモリやＲｅＲＡＭなどの記憶素子と半導体デバイスの積層により構成される半導体記憶装置を製造する際、微細化に伴い素子分離幅のバラツキが書込みディスターブ耐性に大きな悪影響を与えるようになる。 - 特許庁 - In the active matrix liquid crystal display device, shapes and dimensions of a drain electrode 40" and a source electrode 50" are formed so that a channel width W and a channel gap L of each TFT element are made constant although the gate-source parasitic capacitance Cgs of a TFT element disposed apart from the position of a gate driver is larger than that of a TFT element disposed near.
ゲートライバの位置から遠くに配置されたＴＦＴ素子のゲート・ソース寄生容量Cgsが近くに配置されたＴＦＴ素子のそれよりも大きくするが、ＴＦＴ素子各々のチャネル幅ＷとチャネルギャップＬが一定となるようドレイン電極とソース電極の形状・寸法を形成している。 - 特許庁 - For the device, there is a relation (W1<W2 and W1<W3), that is, the lightguide widths (W2 and W3) formed for the green semiconductor laser element 30 and the blue semiconductor laser element 50, respectively, have larger widths than the width W1 of the lightguide formed in the red semiconductor laser element 10.
そして、緑色半導体レーザ素子３０および青色半導体レーザ素子５０の各々に形成される光導波路の幅（Ｗ２およびＷ３）が、赤色半導体レーザ素子１０に形成される光導波路の幅Ｗ１よりも大きい（Ｗ１＜Ｗ２かつＷ１＜Ｗ３）関係を有している。 - 特許庁 - The rare earth added semiconductor laminate structure 1 for a light emitting element has a double heterojunction structure in which p-type and n-type clad layers 3 and 4 with forbidden band width larger than an active layer 2 are laminated on both sides of the active layer 2, and where the active layer 2 is added with rare earth element or both rare earth element and oxygen.
活性層２の両側に活性層２よりも禁制帯幅の大きいｐ型とｎ型のクラッド層３，４を積層したダブルヘテロ接合構造であって、活性層２に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造１である。 - 特許庁 - The length L of the semiconductor laser element in the laser beam emitting direction is determined by L=(λ^2)/(2×n×▵λ) when the predetermined wavelength of the laser beam emitted from the semiconductor laser element is λ, the allowable width of the wavelength of the laser beam is ▵λ, and the refraction index of the semiconductor laser element is n.
半導体レーザ素子のレーザ光出射方向の長さＬは、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の所望の波長がλであり、レーザ光の波長の許容幅が△λであり、半導体レーザ素子の屈折率がｎである場合に、Ｌ＝（λ＾２）／（２×ｎ×△λ）によって決定される。 - 特許庁 - To reduce a horizontal width dimension, to perform miniaturization/ weight reduction and to lower costs in a solid electrolytic capacitor composed, by exposing an anode lead terminal 2 connected to an anode bar of a capacitor element and a cathode lead terminal 3 closely connected to one side face of the capacitor element on a bottom face of a package body 4 tightly sealing the entire capacitor element 1.
コンデンサ素子１の全体を密封するパッケージ体４の底面に、前記コンデンサ素子の陽極棒に繋がる陽極リード端子２と、コンデンサ素子の一つの側面に密接した陰極リード端子３とを露出して成る固体電解コンデンサにおいて、その横幅寸法を縮小して小型・軽量化と、低コスト化とを図る。 - 特許庁 - The switching elements Q2 and Q3 are mounted so as to be adjacent to each other along the width direction of the printed circuit board 100A, with the lead of the switching element Q2 being parallel with the longitudinal direction, and the lead of the switching element Q3 being perpendicular to the longitudinal direction and facing the lead side of the switching element Q2.
スイッチング素子Ｑ２，Ｑ３は、プリント配線板１００Ａの短手方向に沿って互いに隣り合い、スイッチング素子Ｑ２のリードが長手方向に対して平行となり、スイッチング素子Ｑ３のリードが長手方向に対して垂直となってスイッチング素子Ｑ２のリードの側を向く状態で、実装される。 - 特許庁 - To provide an inter-element wiring member capable of laying out a wiring portion for positive and negative electrodes of a semiconductor element without reducing a width of a conductor of the wiring portion in the inter-element wiring member and ensuring sufficient conductivity without increasing the thickness of the conductor, and to provide a solar cell module using the same.
素子間配線部材における配線部の導体の線幅を狭くすることなく、半導体素子の＋極および−極用の配線部がレイアウト可能で、導体の厚みを厚くすることなく十分な導電性が確保可能な素子間配線部材、およびこれを用いた太陽電池モジュールを提供する。 - 特許庁 - A length when a width of the gate electrode of the field effect transistor 10 is projected on a linear line connecting respective center points of the first semiconductor magnetic resistance element 11 and the second semiconductor magnetic resistance element 12 is constituted to be a substantially even multiple of a linear distance between respective center points of the first semiconductor magnetic resistance element 11 and the second semiconductor magnetic resistance element 12.
電界効果トランジスタ１０のゲート電極の幅を第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の各中心点を結んだ直線に投影した時の長さが、第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の各中心点の直線距離の略偶数倍であるように構成されている。 - 特許庁 - This sealed battery has the battery element comprising a wound body formed by winding a positive electrode and a negative electrode faced through a separator, an outer peripheral part of the battery element is covered with the unwinding preventing tape having wider width than the height of the battery element, and the end of the unwinding preventing tape is positioned in a space between the upper part of the battery element and a header of the battery.
正極電極と負極電極とをセパレータを介して対向させて巻回した巻回体からなる電池要素を有する密閉型電池において、電池要素の外周部が電池要素の高さよりも幅が大きな巻止めテープによって、電池要素の上部と電池ヘッダーの間の空間には、巻止めテープの端部が配置された密閉型電池。 - 特許庁 - To provide a magnetic head in which a track edge noise is not sensed when the core width of a read element of the magnetic head is wider than a standard, and also to provide a control circuit for controlling the magnetic head.
磁気ヘッドのリード素子コア幅が規格より広い場合にトラックエッジノイズを感知させないことが出来る磁気ヘッドとその磁気ヘッドを制御する制御回路を提供する。 - 特許庁 - To provide a mos transistor and its manufacturing method that prevent current leak, can secure larger process margin at the time of adjusting an off-current, and realize a more stable element by the same width between gate lines as the conventional one.
本発明の目的は、電流漏れを防止し、オフ電流の調節にあたってより大きな工程マージンを確保できる、モストランジスタ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - The driving pulse is generated based on the pulse signal whose pulse width has been automatically adjusted in accordance with the environmental change so as to offset the environmental dependency of the element characteristic included in the pixel circuit.
画素回路を構成する素子特性の環境依存性を相殺するようにパルス幅が環境変化に応じて自動調整されたパルス信号に基づいて駆動パルスを生成する。 - 特許庁 - Also, a polarized light changing means 12 to increase the luminous flux width in the long side direction of the picture element of the optical modulating means 18 is provided between the light source part 11 and the beam reducing means 14.
さらに、光源部１１とビーム縮小手段１４との間に、光変調手段１８の画素の長辺方向に光束幅を広げる偏光変換手段１２を設けた。 - 特許庁 - To attain the narrowed width in the half value of a differential signal waveform in a disk drive of a perpendicular magnetic recording system by setting the nonlinear degree in the magnetic field responsive characteristic of a GMR element.
垂直磁気記録方式のディスクドライブにおいて、ＧＭＲ素子の磁界応答特性における非線形度の設定により微分信号波形の半値幅の狭小化を図ることにある。 - 特許庁 - Gradation control is applied during one frame period by using a pulse width fluctuation signal according to an input signal by each one pixel with the drive assembly 10 for the organic electroluminescent element of active matrix constitution.
アクティブマトリクス構成の有機エレクトロルミネッセンス素子駆動装置において、１画素毎に、入力信号に応じたパルス幅変調信号を用いて１フレーム期間中に階調をかける。 - 特許庁 - The exposure areas 102 are those where the insulating film 19 and the electrodes 22 to 25 of the element main body 10 are removed by wet etching and the like, and width W is not less than 10 μm.
露出領域１０２は、素子本体１０の絶縁膜１９や電極２２〜２５がウエットエッチング等により除去された領域であり、幅Ｗは１０μｍ以上である。 - 特許庁 - A belt track is calculated by calculating a displacement distribution in a belt width direction of the belt model 30 by conducting finite-element analysis when simulating belt travelling state by using the belt model 30.
このようなベルトモデル３０を用いてベルト走行状態を模擬する際に有限要素解析を行うことで、該ベルトモデル３０のベルト幅方向の変位分布を算出し、ベルト軌道を求める。 - 特許庁 - The width w1 of a doped isolation region 11 for insulating/isolating adjoining drain regions 7 (source regions 9) is smaller than that w2 of an element isolation region 3.
隣り合うドレイン領域７（ソース領域９）どうしを絶縁分離する不純物領域分離領域１１の幅ｗ１は、素子分離領域３の幅ｗ２よりも小さい。 - 特許庁 - To provide a temperature control element for controlling a temperature variation width within ±1 °C, preferably within ±0.5 °C in a clean room which needs the temperature control of high accuracy.
高精度の温度制御が必要とされるクリーンルーム等において、温度変化幅を±１℃以内、好ましくは±０．５℃以内に制御することが可能な温調用エレメントを提供する。 - 特許庁 - By directly using injection amount characteristics incorporated in the information storage element 102, an injection instruction pulse width corresponding to an injection amount instruction value is obtained, so that injection amount control can be precisely performed.
情報記憶素子１０２に内蔵された噴射量特性を直接用いて、噴射量指令値に対応する噴射指令パルス幅を求めて、精密な噴射量制御を可能とする。 - 特許庁 - In at least one belt layer, a metal mono filament arranged without crossing is a reinforcement element, and the gauge of the side part 2 at a tire maximum width part is less than 5.2 mm.
ベルト層の少なくとも一層が、撚り合わされることなく配置された金属モノフィラメントを補強素子とし、かつ、タイヤ最大幅部におけるサイド部２のゲージが５．２ｍｍ未満である。 - 特許庁 - To provide the evaluation method of a ferroelectric capacitor element wherein a voltage pulse whose pulse width is at most 10 ns is applied accurately and highly precise polarization evaluation is realized, and to provide an evaluation apparatus.
パルス幅が１０ｎｓ以下の電圧パルスを正確に印加し、高精度な分極評価を実現する強誘電体容量素子の評価方法および評価装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetostatic wave element, capable of expanding passband width and flattening frequency characteristics within a passband, without having to increase insertion loss.
挿入損失を増大させることなく、通過帯域幅を拡大することができるとともに、通過帯域内の周波数特性を平坦化することができる静磁波素子を提供する。 - 特許庁 - In such a structure, the undesired resonance caused by an element width dimension can be made away from the neighborhood of the main vibration/resonance frequency to obtain stable characteristics.
上記構造をとることで、素子幅寸法に起因する不要共振を主振動共振周波数近傍から遠ざけることができ、安定した特性が得られるという効果を有する。 - 特許庁 - The PWM control circuit 17 controls a switching element 19 of the power supply portion 3 by a pulse width modulation signal SPWM to suppress power loss in the constant current circuit 13.
ＰＷＭ制御回路１７はパルス幅変調信号ＳＰＷＭによって電源部３のスイッチング素子１９を制御して定電流回路１３での電力損失を抑制する。 - 特許庁 - To provide a chip resistor which is more suitable for increased power by increasing a remaining width by trimming of a resistive element, and which can obtain a wide range of adjustable resistance values.
抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したものとし、また、抵抗値調整できる抵抗値の範囲を広く得ることができるチップ抵抗器を提供する。 - 特許庁 - When polishing the waveguide optical element 300, by observing the polishing marker 302 from the end face direction and measuring the width 302A, the cutting amount can be easily monitored.
導波路型光素子３００の研磨の際、研磨マーカ３０２を端面方向から観察し、その幅３０２Ａを測定することにより、切削量を容易にモニタすることができる。 - 特許庁 - Thus, a period in which reverse currents flow to the winding NP2 and the winding NP1 of the transformer T1 is assured, and a pulse width of a drive signal to the element Q1 is stabilized.
これにより、トランスＴ１の補助巻線Ｎp2と一次巻線Ｎp1で逆向きに電流を流す期間が確保され、主スイッチング素子Ｑ１への駆動信号のパルス幅の安定化が図られる。 - 特許庁 - Next, the server obtains the length of the detection time of the objects to be sensed by the other sensor nodes within the time width W, and creates vector data of which the length of the detection time is set to be a vector element.
次に、この時間幅Ｗ内における他のセンサノードによるセンシング対象物の検出時間長を求め、この検出時間長をベクトル要素とするベクトルデータを作成する。 - 特許庁 - There is employed a construction wherein a plurality of bus bars are placed in parallel and a width is taken so as to be larger than a distance between parallel sections, while the bus bars are connected to the printed circuit board and the semiconductor element also in this section.
複数のバスバーを平行に置き、並行区間の間隔よりも幅を大きくとり、この区間でプリント基板と接続、半導体素子との接続も行う構造を採る。 - 特許庁 - Width D of spaces 27 is reduced to be able to shorten length L of the light shielding slit 24, and thus the light receiving element 15 can be more approximated to the operation face 11a than conventional.
空隙２７の幅Ｄを小さくすることにより、遮光スリット２４の長さＬを短かくでき、よって受光素子１５を従来よりも操作面１１ａに近づけることができる。 - 特許庁 - The chamber 3 is characterized in that the height of the central part 31 in the width direction W, which crosses the gas sensor element 1 in the longitudinal direction and lamination direction, is larger than that of the other region thereof.
被測定ガス室３は、ガスセンサ素子１の長手方向及び積層方向に直交する幅方向Ｗの中央部３１が、他の部位よりも積層方向の高さが大きい。 - 特許庁 - Since an opening width in an elevation direction is freely set for each vibration element 18, the shapes of the transmission opening and the reception opening can freely be set.
各振動素子１８ごとにエレべーション方向における開口幅を自在に設定することができるので、送信開口形状及び受信開口形状を自在に設定できる。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device having such a wiring structure as the concentration of an additive element at the time of forming a Cu alloy is varied depending on the width of an interconnect line in the semiconductor device.
半導体装置における配線の幅などに応じてＣｕ合金を形成する際の添加元素の濃度を変化させた配線構造を有する半導体装置を得ること。 - 特許庁 - Such element isolation regions 106 of such an array 100 have narrow parts 106a which are narrower than wide parts 106b for suppressing the width as a whole from narrowing.
かかるＬＥＤアレイ１００の素子分離領域１０６は，全体的な幅の狭小化を抑制するために，幅狭部１０６ａが幅広部１０６ｂよりも狭い幅で形成されている。 - 特許庁 - To provide an evaluation device and an evaluation method of a ferroelectric capacitative element capable of realizing highly accurate polarization evaluation by applying accurately a voltage pulse having a pulse width below 10ns.
パルス幅が１０ｎｓ以下の電圧パルスを正確に印加し、高精度な分極評価を実現する強誘電体容量素子の評価装置と評価方法を提供する。 - 特許庁 - The spot size w is restricted so as to satisfy a specific inequality expression in the relation with a width X of a phase providing element possessed by the spatial phase modulator 40, a channel bandwidth B_0, etc.
スポットサイズｗは、空間位相変調器４０が有する位相付与素子の幅Ｘ、チャネル帯域Ｂ_0等との関係で所定の不等式を満たすように制限されている。 - 特許庁 - Further because the reinforcing element 39 embedded in the reinforcing layer 38 is discontinued on the way to the tire equator S, the widthwise rigidity at the outer end in the width direction of the belt layer 24 lowers.
しかも、補強層38に埋設されている補強素子39はタイヤ赤道Ｓに向かう途中で途切れているため、ベルト層24の幅方向外側端部における幅方向剛性が低くなる。 - 特許庁 - To provide a power conversion apparatus capable of generating a pulse-like discharge driving signal with an extremely narrow pulse width, which drives a switching element at the time of discharging a smoothing capacitor, with accuracy.
平滑コンデンサの放電時にスイッチング素子を駆動する、パルス幅の極めて狭いパルス状の放電用駆動信号を精度よく生成することができる電力変換装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a defect detecting device that can detect a defect of low contrast having a small concentration difference with respect to a circumference, without using a memory and a computing element of a large data width.
周囲との濃度差が小さい低コントラストの欠陥を、データ幅の大きなメモリ及び演算器を使用することなく検出することができる欠陥検出装置を提供する。 - 特許庁 - Interference by reflection at the back surface of the measurement object 15 and the back surface of the dispersion compensation element 12 has a narrow peak width since wavelength dispersion is mostly negated to improve measurement accuracy of peak positions.
測定物１５裏面と分散補償素子１２裏面での反射による干渉は、波長分散がほぼ打ち消されるためピーク幅が狭く、ピーク位置の測定精度が向上する。 - 特許庁 - To provide an FBAR element that has an excellent reflection characteristic, and can robustly manufacture an air gap structure having a stable effective band width with a simple step and to provide its manufacturing method.
反射特性に優れ、安定した実効帯域幅を有するエアギャップ構造を堅固で簡単な工程で製造できるＦＢＡＲ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The width of the electrode is increased, as the interval S from the common electrodes 5 in the extending part 7 of the light-emitting element becomes long, and the contact area of a contact part is made enlarge.
さらに発光素子の延在部７における共通電極５に至る電極間隔Ｓが長くなるにしたがって、その幅を広くし、さらにコンタクト部の接触面積は大きくする。 - 特許庁 - To provide an optical waveguide element for use in an optical communication system, of which the characteristic degradation caused by deviation of a waveguide width and mode fluctuation due to manufacturing errors is reduced.
光通信システムに用いられる光導波路素子に関し、製造誤差による導波路幅のずれやモード揺らぎによる特性劣化の小さい光導波路素子を提供する。 - 特許庁 - The width of the element separation area on the end of the memory cell array is larger than the inside (T1>T2), and an interval between the floating gate electrodes on the end of the memory cell array is larger than the inside (S1>S2).
メモリセルアレイの端部での素子分離領域幅が内部よりも大きく（Ｔ_１＞Ｔ_２）、かつ、メモリセルアレイの端部での浮遊ゲート電極間隔が内部より大きくなっている（Ｓ_１＞Ｓ_２）。 - 特許庁 - With the disc-shaped ceramic heater 100, a heating element patterns 2 bent on the surface or inside of a ceramic substrate 1 in a certain arc are arrayed with nearly constant width.
円板形状のセラミックヒータ１００は、セラミック基板１の表面又は内部にアールを描いて屈曲する発熱体パターン２がそのパターン幅が略一定となるように配設される。 - 特許庁 - The effect of improving the frequency characteristic is furthermore enhanced by selecting the shape of the recessed part and sizes of the element such as a width of the bottom face so that reflected waves by the recessed parts 10 are interfered and cancelled together.
凹部１０による反射波が互いに干渉して打ち消し合うように、凹部の形状や底面の幅等の寸法を設定することにより、効果をさらに上げることができる - 特許庁 - A projection part 8 gradually increased in width is formed at a corner part of a body 2a, and the projection part 8 is located in a space between a first flange part 2b and a winding-start element wire 3a of a wire 3.
胴体２ａの隅角部に、次第に幅広となる突条部８を設け、第１鍔部２ｂとワイヤ３の巻始め素線３ａとの間の隙間に突条部８が位置する。 - 特許庁
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