「etch」を含む例文一覧(916)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 次へ＞- The impurities may be introduced into the interface by plasma etch treatment or alternatively a thermal treatment followed by an anhydrous ammonia and hydrogen fluoride treatment, of a base material composing the base region.
それらの不純物は、ベース領域を構成するベース材料のプラズマ・エッチング処理または代わりに無水アンモニアおよびフッ化水素処理が後に続く熱処理によって界面に導入することができる。 - 特許庁 - The discharge head section 12 and the XY table 14 are so controlled by a controller 40 that the etchant may be discharged and applied to the desired part of the processed member to etch that part.
吐出ヘッド部１２とＸＹテーブル１４とは、制御装置４０によって制御され、被処理部材の所望位置にエッチング液を吐出して塗布し、その部分をエッチングできるようになっている。 - 特許庁 - After the flattening operation, the etching stopper film remaining on the silicon oxide film is used as a mask to etch the silicon oxide film, and using this silicon oxide film and the gate electrode as masks, ion is implanted into the silicon layer.
平坦化後、シリコン酸化膜上に残ったエッチングストッパ膜をマスクとして、シリコン酸化膜のエッチングを行い、このシリコン酸化膜、及び、ゲート電極をマスクとして、シリコン層にイオン注入を行う。 - 特許庁 - To provide an etching solution which is free from the time change of turbidity, has excellent storage stability, has no etching fatigue in etching, and has excellent etching precision and just etch time properties compared with the conventional chromium etching solution.
従来のクロムエッチング液よりも、液濁りの経時変化がなく、保存安定性に優れ、かつ、エッチング時に、エッチング疲労がなく、エッチング精度およびジャストエッチタイム性が優れたエッチング液の提供。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can effectively etch a Pt residue, Pt contamination or a Pt film and prevent the development of corrosion in a metal member of an etching apparatus.
Ｐｔ残留物、Ｐｔ汚染物あるいはＰｔ膜を効果的にエッチングし、且つ、エッチング装置の金属部材の腐食進行を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A damascene feature is etched in the organic planarizing layer through a process for supplying CO_2 containing etching gas and generating plasma to etch the planarizing layer from the CO_2 containing etching gas.
ＣＯ_2 含有エッチングガスを提供すること、および該ＣＯ_2 含有エッチングガスから、有機平坦化層をエッチングするプラズマを生成すること、を含むプロセスによって、有機平坦化層内に、特徴がエッチングされる。 - 特許庁 - The present invention also discloses a process of depositing a silicon oxide film, or silicon nitride film having an enhanced etch resistance, the process including using an organosilane precursor and a chemical modifier.
本発明は、また有機シラン前駆体および化学修飾剤を使用することを含んで成る高められたエッチ耐性を有する酸化ケイ素膜、または窒化ケイ素膜の堆積方法を開示する。 - 特許庁 - This method can be used entirely for processes of removing nitride films only selectively by utilizing particularly large etch rate for the nitride film of water of a quasi-critical state, in a wide sense besides a liquid state.
広義の亜臨界状態かつ液体状態の水の，シリコン窒化膜に対するエッチレートが特に大きいことを利用して、窒化膜のみを選択的に除去する工程全般に利用することができる。 - 特許庁 - Thus, the method prevents the first filling material 6 at the central part of the trench 5 from being etched with precedence and can more flatten the surface of the filling material by etch back.
これにより、第１の埋め込み材料６のうちトレンチ５の中央部に位置する部分が優先的にエッチングされることを防止でき、エッチバックにより埋め込み材料表面をより平坦化することができる。 - 特許庁 - The invention relates to the manufacturing method of a semiconductor integrated circuit, in particular, the use method of alternate etch stop in dual damascene mutual connection improving the adhesion between the low dielectric constant organic substances.
本発明は半導体集積回路の製造方法、特に低誘電率有機物質間の密着性を改良するデュアルダマシン相互接続における交互のエッチストップの使用方法に関する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a printed wiring board, in which conductors having a high etch factor can be obtained in fine circuit pattern using a subtractive method.
サブトラクティブ法によるプリント配線板の製造方法においても、回路パターンが微細でエッチファクタの高い導体を得ることができるプリント配線板の製造方法を提供しようとするものである。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a color filter of high quality with a printing method using a deep-etch plate without generating color irregularity in forming a black matrix or in forming a pattern of transparent coloring pixels.
ブラックマトリクスの形成又は透明着色画素のパターン形成について平凹版を用いた印刷法により色むらが生じないように高品質なカラーフィルタを形成できる、カラーフィルタの製造方法。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.
ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can reduce variation of a side etch amount by suppressing variation of quality of a Cu film of an under-bump metal, and to provide a device for manufacturing the same.
アンダーバンプメタルのＣｕの膜質のバラツキを抑制してサイドエッチ量のバラツキを低減する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The resistive layer joint 22 is etch-worked to form the resistor of a required resistance within the circuit pattern so that it can be applied to a printed board, an IC package and the like.
この抵抗層接合体２２にエッチング加工を施し、所要の抵抗値を有する抵抗器を配線パターン内部に形成して、プリント配線板、ＩＣパッケージなどに適用される部品を製造する。 - 特許庁 - To equalize the etching rates of a laminated part of insulating layer/ metal layer and a part in which the insulating layer does not substantially exist, in a method of manufacturing the magneto-resistive(MR) element to simultaneously etch both parts.
絶縁層と金属層の積層部と、絶縁層が実質的に存在しない部分とのエッチングを同時に行うＭＲ素子の製造方法において、両部分のエッチング速度の均一化を図る。 - 特許庁 - To provide an optical coupling apparatus that forms an etch structure complex having a total reflection surface/an anti-reflection surface within a substrate to improve coupling efficiency with incident light and responsivity of an optical sensing element.
基板の内部に全反射／無反射面を備えるエッチング構造複合体を形成して入射光との結合効率および光検出素子の感度を向上させた光結合装置を提供する。 - 特許庁 - The method includes: a step of etching the surface of the ZnO-based compound crystal using hydrofluoric acid (HF); and a detecting step of detecting etch pits formed on the surface of the ZnO-based compound crystal.
フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a ceramic substrate having a complicated shape such as a half-etch structure having a three-dimensional pattern inside one sheet by using a photosensitive ceramic green sheet.
本発明は、感光性セラミックスグリーンシートを用いた、１枚のシート内に３次元のパターンを有するハーフエッチ構造などの複雑な形状を有するセラミックス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The surface of the insulator is irradiated with positive charge cation beam 5 in very small quantities small enough not to etch atoms present on the surface of the insulator and subsequently irradiated with electron beam 3 to analyze the elements of the insulator.
上記絶縁物の表面に、この表面に存在する原子がエッチングされない程度の微量の正電荷の陽イオンビーム５を照射した後に、電子線３を照射して元素分析を行う。 - 特許庁 - The method further includes evacuating the lower process zone, generating a plasma in an external chamber from a polymer etch precursor gas, and introducing a by-product from the plasma into the lower process zone.
本発明は更に下方処理ゾーンから排気し、重合体エッチング前駆体ガスから外部チャンバ内でプラズマを発生させ、プラズマからの副生成物を下方処理ゾーンへと導入することを含む。 - 特許庁 - A gas having an improved etch selectivity containing a carbon fluoride, an oxygen and hydrocarbon fluoride is employed to suppress the etching of the silicon oxide film 21 and to remove the exposed silicon nitride pattern 25.
フッ化炭素、酸素およびフッ化炭化水素を含むエッチング選択比を高めたガスを用いることによりシリコン酸化膜２１のエッチングを抑制しつゝ露出した窒化シリコンパターン２５を除去する。 - 特許庁 - A borderless contact process and a self-aligned contact process are simultaneously carried out by assuring an adequate width between the gate electrodes 118a and 118b and by forming contact holes after forming the etch preventing film.
ゲート電極１１８ａ、１１８ｂ間の幅を十分に確保し、エッチング防止膜を形成した後コンタクトホールを形成することで、ボーダーレスコンタクト工程と自己整列コンタクト工程を同時に行う。 - 特許庁 - Further, the 2nd transparent conductive film 12 is selectively etched, so a wet etching process using chemical liquid to selectively etch the 2nd transparent conductive film 12 is added to prevent the 2nd transparent conductive film 12 from peeling.
また、第２の透明導電性膜１２を選択的にエッチングする薬液でのウェットエッチング処理を追加することにより、第２の透明導電性膜１２の膜剥がれを防止することができる。 - 特許庁 - The etch stop substance is a silicon containing substance, and then converted into the low dielectric constant substance (k=3, 5-5), which becomes silicon oxide rich in silicon after ultraviolet irradiation, silylation and oxygen plasma.
このエッチストップ物質はシリコン含有物質であり、そして低誘電率物質（ｋ＝３．５〜５）に変換され、この物質は紫外線照射及びシリル化、酸素プラズマの後にシリコンに富む酸化シリコンになる。 - 特許庁 - A dry-etching gas composition is composed of carbon tetrachloride gas and nitrogen gas, so as to etch back polysilicon and a silicon oxide at the same time at the same rate.
ドライエッチング用ガス組成物は、ポリシリコンとシリコン酸化物とを実質的に同一であるエッチング速度で同時にエッチバックするために四フッ化炭素ガスと窒素ガスとで構成されることを特徴とする。 - 特許庁 - A diffraction device having a specified three-dimensional diffraction grating formed in the object is produced by irradiating the object with energy beams through a stencil mask having a specified form (pattern) to etch.
所定の形状（パターン）を有するステンシルマスクを介し、エネルギービームを被加工物に照射してエッチングすると、所定の３次元形状の回折格子を被加工物に形成させた回折素子が製造できる。 - 特許庁 - Etch-back is conducted by dry etching using gas, the main component of which is oxygen, to recess the first and second organic filling material films 7 and 8 to form the embedded plugs 9 in the via holes 6.
酸素を主体としたガスを用いてドライエッチングによりエッチバックを行い第１および第２の有機系埋め込み材料膜７，８をリセスさせてヴィアホール６内に埋め込みプラグ９を形成する。 - 特許庁 - To overcome limitations and disadvantages by providing compositions and processes for removing polymers, post-etch residues, and post-oxygen-ashing residues, particularly from ICs, WLP circuits on wafer substrates, and PCBs.
本発明は、特に、IC、ウェーハ基板上のWLP回路、及びPCBから、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための組成物と方法を提供することによって、上記限界及び欠点を克服する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal by which EPD (etch pit density) can be further reduced by grasping the exact position of the crystal growth interface in a crucible and controlling the position of a temperature gradient region relative to the crucible in single crystal growth by a vertical boat method, and to provide an apparatus therefor.
縦型ボート法の単結晶成長において，るつぼ内の結晶成長界面の正確な位置を把握し，るつぼに対する温度勾配領域の位置調整を行う。 - 特許庁 - Next, an SiO_2 film 15 of about 0.5μm in thickness is formed to etch the SiO_2 film 15 on other portions (13b) than the minute holes and the GaN layer 18 is regrown till its surface gets flat.
次に、厚さ０．５μｍ程度のＳｉＯ_２膜１５を成膜し、微細な穴以外部分（１３ｂ）上のＳｉＯ_２膜１５をエッチングし、表面が平坦になるまでＧａＮ層１８を再成長する。 - 特許庁 - A pinhole 6 generated in an area exposed in the opening on the etch stopper film is filled with a deposit 7, and the opening where the pinhole is exposed by filling with the deposit, is then cleaned using a cleaning liquid.
エッチストッパー膜における開口部に露出した領域に生じたピンホール６を堆積物７で埋め込んだ後、堆積物が埋め込まれピンホールが露出した開口部に対して、洗浄液を用いて洗浄を行う。 - 特許庁 - In some embodiments, the thickness of the cavity is maintained constant by incorporating an etching stop layer into the device and then thinning the layer of the device by a process which terminates on the etch-stop layer.
幾つかの実施形態においは、当該装置にエッチング停止層を組込み、次いで該エッチング停止層上で停止するプロセスによって、当該装置の層を薄膜化することにより、前記キャビティの厚さは一定に維持される。 - 特許庁 - To etch a flexible substrate in such a manner that the entire surface thereof receives an etching effect uniformly over the entire surface of the substrate by improving a technique of etching the flexible substrate by spraying an etchant to the flexible substrate 3 from a nozzle 7 while conveying the substrate 3.
フレキシブル基板３を搬送しつつノズル７からエッチング液を吹きつけて該フレキシブル基板をエッチングする技術を改良して、フレキシブル基板の全面が均一にエッチング作用を受けるようにする。 - 特許庁 - As shown in Fig. (e), a resist mask 107 is formed on a surface formed with the bump 104b, and it is employed as a mask to etch a wiring forming metal layer 101, and as shown in Fig. (f), wiring 108 is formed.
図１（ｅ）に示すように、バンプ１０４ｂが形成された面にレジストマスク１０７を形成し、それをマスクとして配線形成用金属層１０１をエッチングして、図１（ｆ）に示すように、配線１０８を形成する。 - 特許庁 - The materials of the sacrifice and target layers are selected so that the etching between two times of exposure and that of the target layer have alternate selectivity for each etching step to provide a suitable etch stop layer.
適したエッチ・ストップ層を設けるために、犠牲マスク層と標的層の材料は、各エッチング・ステップについて、２回の露光の間のエッチング及び標的層のエッチングが交互の選択性を有するように選択される。 - 特許庁 - This is immersed in a bath tank in which an Na0H solution is housed to etch the diffraction effect layer 4 of the part exposed from the absent part of the heat-resistant mask layer 5 and an adhesive layer 6 is subsequently formed to manufacture the transfer sheet.
これをＮａＯＨ溶液が入った浴槽に浸して上記耐熱マスク層５不存在部から露出した部分の回折効果層４をエッチングした後、接着層６を形成して、転写シートを製造する。 - 特許庁 - Since the etch pit is hardly caused on the polishing face of the GaN crystal and an excellent polishing face is obtained, an extremely excellent GaN film can be obtained by epitaxially growing a GaN film from the polishing face.
これにより、ＧａＮ結晶の研磨面にエッチピットが発生しにくく、良好な研磨面が得られるため、この研磨面にＧａＮ膜をエピタキシャル成長させると、非常に良好なＧａＮ膜を得ることができる。 - 特許庁 - To provide a processing method which can easily remove the leftovers occurring at dry etching of an insulating film within a contact hole and also can etch an aluminum film to form an electrode, in a process of manufacturing a liquid crystal panel.
液晶パネルを製造する工程で、コンタクトホ−ル内の絶縁膜のドライエッチング時に発生した残渣物を容易に除去でき、同時に、電極を形成するアルミニウム膜のエッチングも出来る処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a cleaning agent for a semiconductor device which can completely remove fine residues, generated on tungsten and insulating film after the formation of a tungsten wiring by an etch-back method, and to provide a safe and superior environment.
エッチバック法によるタングステン配線形成後にタングステンおよび絶縁膜上に生じる微細な残渣物を完全に除去でき、また、安全で環境面でも優れた半導体装置用洗浄剤を提供すること。 - 特許庁 - By conducting an etching for forming a concave S by heating in an atmosphere containing hydrogen and using a layer containing Al as an etch-stopping layer 103, controllability of the etching, and yield, can be enhanced without concern on dispersion of etching depth or the like.
また、水素を含む雰囲気中で加熱しＡｌを含む層をエッチングストップ層１０３として用いることにより、エッチング深さのばらつき等の影響を受けず制御性の向上と歩留まりの向上を図れる。 - 特許庁 - A channel layer is formed so that the facet surface of a polygonal pyramid etch pit that is formed in lamination semiconductor structure is covered, and, furthermore, a hole accumulation layer that is pitched by a pair of barrier layers is formed along a channel layer.
積層半導体構造中に形成された多角錐エッチピットのファセット面を覆うようにチャネル層を形成し、さらにチャネル層に沿って、一対のバリア層で挟持されたホール蓄積層を形成する。 - 特許庁 - The back-channel-etch type TFT 108 includes a gate electrode 11, an SiN film 12 that is formed on the gate electrode 11, and an SiO film 13 that is formed and patterned on the SiN film 12.
本発明にかかるバックチャネルエッチ型のＴＦＴ１０８は、ゲート電極１１と、ゲート電極１１上に形成されたＳｉＮ膜１２と、ＳｉＮ膜１２上にパターニング形成されたＳｉＯ膜１３とを有する。 - 特許庁 - The holes and ions contained in the electrolytic solution are combined on the contacting surface of the crystal substrate 15 with the electrolytic solution 12 to etch the surface of the substrate 15, so that an irregular structure is formed on the surface of the crystal substrate 15.
結晶基板１５の電解液との接触面において該ホールと電解液中のイオンとが結合することによるエッチングを進行させ、結晶基板表面に少なくとも１つの凹凸構造を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for selectively synthesizing a B-alkylborazine, to which different substituents are introduced on a boron (B) atom, to be used for forming an interlayer insulation film of a semiconductor, a barrier metal layer, or an etch stopper layer.
半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパー層の形成に用いられるホウ素（Ｂ）原子上に異なる置換基が導入されたＢ−アルキルボラジンを、選択的に合成しうる手段を提供する。 - 特許庁 - To provide a composition for forming a lower layer film, which can form a resist lower layer film having a function as an antireflective coating, and is improved in pattern transfer performance, etch selectivity and inter-mixing preventive effect.
反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能、エッチング選択性、及びインターミキシング防止効果が良好なレジスト下層膜を形成可能な下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching liquid and refilling liquid which can promptly etch at least one metal chosen from Ni, Cr, Ni-Cr alloy, and Pd, and a forming method of conductor pattern using it.
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ合金及びＰｄから選ばれる少なくとも一つの金属を速やかにエッチングすることができるエッチング液と補給液、及びこれを用いた導体パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide CVD-SiC excellent in corrosion resistance and hard to etch using a gas containing halogen such as ClF3 and to provide CVD-SiC excellent in corrosion resistance and having uniform surface condition.
ＣｌＦ_３等のハロゲン含有ガスによってエッチングされにくい耐食性に優れたＣＶＤ−ＳｉＣを提供すること、および表面状態の均一な耐食性に優れたＣＶＤ−ＳｉＣを提供すること。 - 特許庁 - When the substrate material of the silicon oxide film does not contain any fluorocarbon-based side chain, the substrate material is not etched by the argon ions and the etch selectivity of the silicon oxide film containing the fluorocarbon-base side chain is remarkably improved.
下地材料にフルオロカーボン系の側鎖を含まなければ、下地材料はアルゴンイオンでエッチングされることはなく、フルオロカーボン系の側鎖を含むシリコン酸化膜のエッチング選択比が顕著に向上できる。 - 特許庁 - A channel-etch type bottom gate TFT (reverse-staggered TFT) structure is employed to pattern source and drain regions and a pixel electrode with the same mask.
上記課題を解決するために、本発明では、チャネルエッチ型のボトムゲート（逆スタガ）型ＴＦＴ構造を用いて、ソース領域およびドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じマスクで行うことを特徴とする。 - 特許庁
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