SILICON-GERMANIUM ETCH STOP LAYER SYSTEM シリコンゲルマニウムエッチング停止層システム - 特許庁
To etch or coat a substrate. 基板をエッチングまたはコーティングする - 特許庁
Heat can etch fingerprints into the metal. 熱は金属の中に指紋を刻む - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
Good evening, mr. etch. excuse me こんばんは エッチさん。 お邪魔します。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
There is provided a method for performing a metallic etch, etch mask stripping, and removal of residual sidewall passivation in a single etch chamber. 単一のエッチングチャンバ内で、金属エッチングと、エッチングマスク剥離と、残留側壁パッシベーションの除去とを実行する方法。 - 特許庁
I will etch that in my heart forever.
私はそれをいつまでも心に刻む。 - Weblio Email例文集
Ahh! what do you do, etch! what ... what is it? ああっ! 何すんのよ。 エッチ! え... エッチって? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
MASK ETCH PLASMA REACTOR WITH BACKSIDE OPTICAL SENSOR AND MULTIPLE FREQUENCY CONTROL OF ETCH DISTRIBUTION 裏面光学センサ及びエッチング分布の多周波数制御を備えたマスクエッチングプラズマリアクタ - 特許庁
To precisely etch a semiconductor wafer. 半導体ウェーハのエッチングを精密に行う。 - 特許庁
A metal etch is performed on the wafer. ウエハ上で、金属エッチングが実行される。 - 特許庁
DRY ETCH TREATMENT DEVICE AND TREATMENT METHOD OF SUBSTRATE ドライエッチ処理装置と、基板の処理方法 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING TO ETCH WAFER EDGE ウエーハエッジのエッチング処理方法及び装置 - 特許庁
The oxygen plasma also cleans the etch chamber. 酸素プラズマは、更に、エッチングチャンバをクリーニングする。 - 特許庁
The head slider may be produced with a two step etch process, as opposed to a three step etch process. ヘッドスライダは、3ステップエッチングプロセスとは対照的に、2ステップエッチングプロセスで作製してもよい。 - 特許庁
METHOD AND SYSTEM FOR MONITORING ETCH PROCESS エッチング処理をモニタリングする方法およびシステム - 特許庁
LOW THERMAL EXPANSION ALLOY THIN SHEET HAVING EXCELLENT ETCH RATE AND ETCH PRECISION AND PRODUCTION METHOD THEREOF エッチング速度とエッチング精度に優れた低熱膨張合金薄板およびその製造方法 - 特許庁
The color filter layer 28R is subjected to etch-back processing. カラーフィルタ層28Rをエッチバック処理する。 - 特許庁
In order to securely carry out an etch back, the reference edge is used in two etch back stages. エッチバックを確実に遂行するため、この基準エッジは、2つのエッチバック段階中に用いられる。 - 特許庁
GAS DISTRIBUTION SYSTEM FOR POST-ETCH TREATMENT SYSTEM エッチング後の処理システムのためのガス分配システム - 特許庁
METHOD OF SELECTIVE ETCHING USING ETCH STOP LAYER エッチング停止層(etchstoplayer)を使用する選択的エッチング法 - 特許庁
After that, oxygen plasma is used to etch the pedestal. その後、酸素プラズマを用いてペデスタルをエッチングする。 - 特許庁
Material of the first etch-stop material layer and that of the side wall insulating film are different by etch selectivity. 第1エッチング阻止物質層と側壁絶縁膜とはエッチング選択比の異なる物質を用いる。 - 特許庁
The etch pit is formed at a dislocation part, so the dislocation can be detected through the etch pit. このエッチピットは転位部分に形成されたものであるから、エッチピットを通して転位を検出できる。 - 特許庁
Hydrogen iodide 64 is effective to etch the neodymium component in the alloy and chlorine 62 is effective to etch the aluminum component in the alloy. ヨウ化水素64は合金のネオジム成分をエッチングし、塩素62はアルミニウム成分をエッチングする。 - 特許庁
REACTIVE PLASMA ETCH CLEANING OF HIGH ASPECT RATIO OPENING PART 高アスペクト比開口部の反応性プラズマエッチクリーニング - 特許庁
carve, cut, or etch into a material or surface
材料または表面を刻む、切る、または刻み込む - 日本語WordNet
The mask is used to etch the second metal layer etc. 該マスクを用いて第2金属層等をエッチングする。 - 特許庁
CHANNEL-ETCH TYPE THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME チャネルエッチ型薄膜トランジスタとその製造方法 - 特許庁
To provide a method of selective etching improved by using an etch stop layer. エッチング停止層を使用する選択的エッチング法 - 特許庁
Then, tungsten plugs 14 are formed by etch back. その後、エッチバックすることでタングステンプラグ14を形成する。 - 特許庁
The cap layer 112 also functions as an etch stopping layer. キャップ層112は、エッチ停止層としても機能する。 - 特許庁
COATING COMPOSITION HAVING IMPROVED ACID ETCH RESISTANCE 改善された耐酸腐食性を有するコーティング組成物 - 特許庁
THERMAL F2 ETCH PROCESS FOR CLEANING CVD CHAMBER CVDチャンバーのクリーニングのためのサーマルF2エッチングプロセス - 特許庁
The method and system for monitoring the etch process is provided. エッチング処理をモニタリングする方法および装置である。 - 特許庁
ETCH RESISTANT WAFER PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SAME エッチング耐性ウェーハ加工装置及びその製造方法 - 特許庁
METHOD TO ETCH CHROME DEPOSITED ON CALCIUM FLUORIDE OBJECT フッ化カルシウム物上に堆積されたクロムのエッチング方法 - 特許庁
HIGH SELECTIVITY, LOW DAMAGE ELECTRON-BEAM DELINEATION ETCH 高選択性、低損傷の電子ビーム・デリニエーション・エッチング - 特許庁
A first etch-stop material layer 224a and a second etch-stop material layer 224b are selectively provided over them. これらの上に第1エッチング阻止物質層224a、第2エッチング阻止物質層224bを選択的に設ける。 - 特許庁
The etch selectivity may be about 20:1 or greater. エッチングの選択性は約20:1あるいはそれより大で有り得る。 - 特許庁
REAL-TIME CONTROL OF GATE ETCH CRITICAL DIMENSION BY OXYGEN MONITORING 酸素モニタリングによるリアルタイム・ゲート・エッチ限界寸法制御 - 特許庁
METHOD OF MEASURING ETCH PIT DENSITY IN SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL 半導体単結晶におけるエッチピット密度の測定方法 - 特許庁
To selectively etch a specific amorphous oxide semiconductor. 特定のアモルファス酸化物半導体を選択的にエッチングする。 - 特許庁
To provide a method for forming features in an etch layer. エッチングレイヤ中にフィーチャを形成する方法を提供する。 - 特許庁
The self-mask layer has a low etch rate during the bulk absorber layer etch step, thereby, acting as a hard mask. バルク吸収層エッチング工程中の自己マスク層のエッチング速度は低いため、自己マスク層はハードマスクとして機能する。 - 特許庁
An HBT further includes a first segment 126 of an etch stop layer, wherein the first segment of the etch stop layer contains InGaP. HBTはエッチストップ層の第1の部分126をさらに含み、エッチストップ層の第1の部分はInGaPを含む。 - 特許庁