「etch」を含む例文一覧(916)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 18 19 次へ＞- In the sheet one-surface etching stage, a spin etching device 30 is used to spin-etch the diffused wafer.
枚葉片面エッチング工程では、スピンエッチング装置３０を用いて、拡散ウェーハがスピンエッチングされる。 - 特許庁 - INCREASING ETCH SELECTIVITY OF CARBON FILMS WITH LOWER ABSORPTION CO-EFFICIENT AND STRESS
吸収係数および応力を低減しつつ炭素膜のエッチング選択性を改善する方法 - 特許庁 - Then XeF_2 as a reactive gas is introduced to etch the semiconductor substrate under predetermined conditions.
続いて、反応性ガスであるＸｅＦ_２を導入し、所定の条件に保持してエッチングする。 - 特許庁 - The flattening processing is performed by using resist etch-back, the application of spin-on glass and chemical mechanical grinding, etc.
平坦化処理は、レジストエッチバック、スピンオンガラスの塗布、化学機械研磨などを用いて行う。 - 特許庁 - In this manufacture, Si3N4 2 is grown on an Si substrate 1, and a mask Si3N4 2 is left behind, so as to plasma-etch it.
Ｓｉ基板１上にＳｉ_3Ｎ_4２を成長させ、マスクＳｉ_3Ｎ_4２を残し、プラズマエッチングする。 - 特許庁 - METHOD OF MINIMIZING WET ETCH UNDERCUTS AND CARRYING OUT PORE-SEALING TO SUPER-LOW K (K<2.5) DIELECTRICS
ウェットエッチングアンダカットを最小にし且つ超低Ｋ（Ｋ＜２．５）誘電体をポアシーリングする方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF METAL COATED PART AND CONTACT STRUCTURE IN INTEGRATED CIRCUIT HAVING ETCH STOP LAYER
エッチストップ層を具備した集積回路における金属被覆部およびコンタクト構造の製造方法 - 特許庁 - Then, the etch back of a part of deposition insulating layer 23 is carried out, so as to secure the space of a gate electrode 22.
その後，堆積絶縁層２３の一部をエッチバックし，ゲート電極２２のスペースを確保する。 - 特許庁 - To pattern a film of transition metal which is difficult to dry etch so that side etching is minimized.
ドライエッチングが困難な遷移金属の膜を、サイドエッチングが極力生じないようにパターニングする。 - 特許庁 - An additional mask is formed over the etch layer, where the additional mask defines a plurality of spaces with widths.
エッチングレイヤ上に追加マスクが形成され、追加マスクは幅を持つ複数のスペースを規定する。 - 特許庁 - The etch stop can reduce undesirable over-etching of the sacrificial layer and the mirror layer.
エッチング停止は犠牲層とミラー層との望ましくないオーバーエッチングを減少させることができる。 - 特許庁 - A first mask is formed over an etch layer, where the first mask defines a plurality of spaces with widths.
エッチングレイヤ上に第１マスクが形成され、第１マスクは幅を持つ複数のスペースを規定する。 - 特許庁 - The single crystal sapphire substrate having etch pits is manufactured by wet etching the substrate with hot phosphoric acid or the like.
熱リン酸等でウェットエッチングことによりエッチピット付きの単結晶サファイア基板を作製する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE HAVING ETCH RESISTANT LINER ON TRANSISTOR GATE STRUCTURE AND ITS FORMING METHOD
トランジスタ・ゲート構造上にエッチ耐性ライナを有する半導体デバイス構造およびその形成方法 - 特許庁 - To selectively etch an AlGaAs layer or a GaAs layer with respect to an InGaAs layer.
ＡｌＧａＡｓ層またはＧａＡｓ層をＩｎＧａＡｓ層に対して選択的にエッチングする。 - 特許庁 - To etch and melt noble metals represented by ruthenium, within a practicably usable time range.
ルテニウムに代表される貴金属を、実用的な時間の範囲でエッチング・溶解を可能とさせる。 - 特許庁 - To enable performing etching of an etching material hard to etch by using an ECR plasma etching apparatus.
ＥＣＲプラズマエッチング装置を使用して難エッチング材料のエッチングを行えるようにする。 - 特許庁 - The etch stop layer 34 of a semiconductor device is a high-resistance film having a resistance greater than 10 ohm-cm.
エッチング停止層は、１０Ω−ｃｍより大きい抵抗を有する高抵抗膜である。 - 特許庁 - In one embodiment, the door is a slit valve door sealing a substrate transfer port of an etch chamber.
一実施形態において、ドアは、エッチングチャンバの基板搬送ポートを密閉するスリットバルブドアである。 - 特許庁 - The layers (a p-type first clad layer 14B and a p-type contact layer 15) above the etch stopper layer 19 are subjected to etching, and then the etch stopper layer 19 is processed by wet etching to form a ridge 16.
エッチングストップ層１９より上層（ｐ型第１クラッド層１４Ｂおよびｐ型コンタクト層１５）をドライエッチングし、その後エッチングストップ層１９をウエットエッチングにより加工してリッジ部１６を形成する。 - 特許庁 - This allows the system to realize high resolution and etch the etched membranous portion into an excellent profile, and allows the system to etch the etched membranous portion into the excellent profile regardless of the thickness of an initial thin photoresist.
これにより、高解像度と良好なプロファイルの被エッチング膜質のエッチングが可能であり、初期の薄いフォトレジストマスクの厚さに関係なく被エッチング膜質を良好なプロファイルにエッチングすることができる。 - 特許庁 - In a pre-metal process, an ozone TEOS film is once etched back so that an etch stop film on a gate structure is exposed after the ozone TEOS film is formed on an etch stop film.
しかし、コンタクト・ホール形成プロセスにおいて、プリ・メタル層間絶縁膜中のクラックがコンタクト・ホール内に露出し、そこにバリア・メタルが入り込み、ショート不良の原因となることが明らかとなった。 - 特許庁 - Although the fact that the crystalline damage increases an etch rate of the ferroelectric material is publicly known, the inventors have discovered that the electronic damage increases the etch rate of the material.
結晶性損傷が強誘電体材料のエッチングレートを増加させることは公知であるが、本発明者らはさらに電子的損傷も又材料のエッチング速度を増加させることを見いだした。 - 特許庁 - Consequently, at the same time of suppressing an etching quantity in the depthwise direction of a cavity 15, a side etch quantity can be increased.
従って、窪み１５の深さ方向のエッチング量を抑えると同時に、サイドエッチ量を大きくできる。 - 特許庁 - On the main surface of the semiconductor substrate 1S which is exposed by the etch-back, a tunnel insulating film 15 is formed.
エッチバックで露出した半導体基板１Ｓの主面上にトンネル絶縁膜１５を形成する。 - 特許庁 - To provide an etchant which ensures small side etch, little unevenness of an etched side face and small environmental load.
サイドエッチが小さく、エッチング側面の凹凸が少なく、かつ環境負荷が小さいエッチング液を提供する。 - 特許庁 - In this condition, an etching solution 92 is fed to the wafer 28 from a nozzle 94 to etch the wafer 28.
この状態でウェーハ２８にノズル９４からエッチング液９２を供給し、ウェーハ２８をエッチングする。 - 特許庁 - To contrive to make it possible to etch large-caliber wafers by a single wafer treatment with good accuracy with a small quantity of an etching liquid.
大口径のウエ−ハを少ないエッチング液で精度を良く枚葉処理でエッチングできるようにする。 - 特許庁 - Then, the spacer and insulation film are used as a mask to etch the interlayer insulation film, thereby forming a contact hole.
次に、スペーサ及び絶縁膜をマスクとして層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する。 - 特許庁 - The pattern N1 is used as a mask to etch the pattern R1 to form a pattern R2 of the resist film (Fig.7(f)).
パターンＮ１をマスクとしてパターンＲ１をエッチングし、レジスト膜のパターンＲ２を形成する（図７（ｆ））。 - 特許庁 - The obtained photosensitive resist is used as a mask to etch the halftone film to form the specified pattern in the halftone film.
感光性レジストをマスクとしてハーフトーン膜をエッチングして、ハーフトーン膜に所定のパターンを形成する。 - 特許庁 - To provide a technique for attaining high etch selectivity of a silicon nitride film over a silicon oxide film.
シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の高いエッチング選択比を達成する技術を提供する。 - 特許庁 - To simultaneously etch a laminated film an organic antireflection film, and an oxide film, and prevent a pattern shift.
有機反射防止膜と酸化膜との積層膜を同時にエッチング加工し、かつ寸法シフトを抑制する。 - 特許庁 - It exfoliates on the sufficient peeling conditions to etch the surface deterioration layer of the extracted thickness.
そして、その抽出された膜厚の表面変質層をエッチングするに十分な剥離条件で剥離する。 - 特許庁 - Next, the given solvent is used to etch the conductive layer 5a and thereby to form a conductor pattern 5.
次に、所定の溶媒を用いて導体層５ａをエッチングすることにより導体パターン部５を形成する。 - 特許庁 - The above fluorine series and chlorine series etching seeds etch both the tungsten film 3 and the oxide film 2.
上記弗素系および塩素系のエッチング種は、タングステン膜３及び酸化膜２の両方をエッチングする。 - 特許庁 - To electroless-etch an aluminum foil when roughening the aluminum foil for an electrolytic capacitor through an etching process.
電解コンデンサ用アルミニウム箔をエッチングによって粗面化する際に、無電解でのエッチングを可能にする。 - 特許庁 - To provide methods for forming anisotropic features for high aspect ratio application in etch process.
エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - FORMULATION FOR REMOVAL OF PHOTORESIST, ETCH RESIDUE AND BOTTOM ANTIREFLECTION COATING (BARC), AND METHOD USING THE FORMULATION
フォトレジスト、エッチ残留物及びＢＡＲＣを除去するための配合物及び同配合物を含む方法 - 特許庁 - To provide a bipolar transistor having a structure where an etch pit can be reduced, and a method for manufacturing the same.
エッチピットを低減可能な構造を有するバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The processes used to etch the layers are plasma processes performed at a temperature between 200°C and 500°C.
層のエッチングに用いられる工程は、２００℃と５００℃の間の温度で実施されるプラズマ工程である。 - 特許庁 - An electric field is generated within the etchant solution to cause an anisotropic etch pattern to form on a surface of the workpiece.
エッチャント溶液内に電界が生成され、加工物の表面に異方性エッチング・パターンを形成させる。 - 特許庁 - In embodiments, the etch is highly selective between the material of the insulation layer and the material of the substrate.
実施例でエッチングは、絶縁層の材料と基板の材料との間で高度に選択的である。 - 特許庁 - METHOD OF PATTERNING HARD-TO-ETCH MATERIAL FILM, AND INK JET HEAD USING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD
難エッチング材料膜のパターン形成法、また、その膜を用いたインクジェットヘッドおよびその形成法 - 特許庁 - Afterwards, the silicon nitride film 6 is masked to etch the SOI layer 4 and form a trench 8.
その後、シリコン窒化膜６をマスクにしてＳＯＩ層４のエッチングを行ってトレンチ溝８を形成する。 - 特許庁 - To uniformly etch an aluminum film or its alloy film without generating residue, unevenness or defect in the etching.
アルミニウム膜またはその合金膜をエッチング残渣、エッチングムラまたはエッチング不良なく、均一にエッチングする。 - 特許庁 - One method for forming layers having tapered edges includes the use of an etch leading layer.
テーパ縁を有する層を形成するための１つの方法は、エッチング誘導層を使用することを含む。 - 特許庁 - This is used as a mask to etch an interlayer insulating film 107 as a film to be etched, thereby forming a contact hole.
これをマスクにエッチング対象膜である層間絶縁膜１０７をエッチングしコンタクトホールを形成する。 - 特許庁 - To provide a bipolar transistor having a structure capable of reducing etch pits, and to provide a method for manufacturing the same.
エッチピットを低減可能な構造を有するバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The SOG film 13 is left behind in a large step region and narrow inter-wiring regions by etch back.
エッチバックして段差の大きな領域や、配線間の狭い領域にＳＯＧ膜１３を残留させる。 - 特許庁
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