「etch」を含む例文一覧(916)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 18 19 次へ＞- To provide an etching apparatus which can quickly and accurately etch a resin film into a uniform geometry in a short time, and can etch the film anisotropically in the thickness direction to be etched.
本発明は、樹脂膜を、短時間で、かつ、速く、形状が均一で、精度良くエッチングができ、さらにエッチングされる膜の厚み方向に対しても異方的にエッチングができるエッチング装置を提供するものである。 - 特許庁 - The detecting step includes: a determining step of determining that each of the etch pits is a cone-shaped pit or a truncated cone-shaped pit; and a step of calculating the etch pit density of the truncated cone-shaped pits.
検出工程は、エッチピットの各々が錐形状ピット及び錐台形状ピットのいずれであるかを判別する判別工程を含み、さらに、錐台形状ピットのエッチピット密度を算出する工程を含む。 - 特許庁 - After an interlayer dielectric 4, an etch stopping film 5 and an upper layer insulating film 6 over a lower wiring layer are etched into a hole shape, the upper insulating film 6 is etched into a groove shape by utilizing the etch stopping film 5.
下層配線層上の層間絶縁膜４とエッチング阻止膜５と上層絶縁膜６をホール形状にエッチングした後、エッチング阻止膜５を利用して上層絶縁膜６を溝形状にエッチングする。 - 特許庁 - The method includes steps of: forming a hard mask layer 410 and an etch still film 420 over a semiconductor substrate 400; forming a sacrificial oxide film pattern over the etch still film; forming a spacer on sidewalls of the sacrificial pattern; removing the sacrificial oxide film pattern; and etching the etch still film and the hard mask layer with the spacer as an etch mask to form a hard mask pattern.
半導体基板４００上部にハードマスク層４１０及びエッチング静止膜４２０を形成する段階と、前記エッチング静止膜上部に犠牲酸化膜パターンを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンを除去する段階と、前記スペーサをマスクに前記エッチング静止膜及び前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To evenly etch the line width of a spiral type flat coil used for a bias coil type magnetic impedance element.
バイアスコイル型磁気インピーダンス素子に用いられる渦巻き型の平面コイルの線幅を均一にエッチング加工する。 - 特許庁 - The sacrificial film G is used as a mask to etch the pattern F1, and a pattern F2 is formed on the film F to be treated (Fig.5(g)).
犠牲膜ＧをマスクとしてパターンＦ１をエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ２を形成する（図５（ｇ））。 - 特許庁 - To provide an etching method of a zinc oxide-based material, which can evenly etch the zinc oxide-based material without generating etching residues.
エッチング残渣を発生させず平坦にエッチングできる酸化亜鉛系材料のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To prevent both sides of a tunnel insulating layer from being excessively etched in a subsequent floating gate etch process.
後続のフローティングゲートエッチング工程時にトンネル絶縁膜の両側が過度にエッチングされるのを防止すること。 - 特許庁 - An opening 5 which reaches the etch stopper film is then formed on the insulating film by etching using a first mask 4.
次に、第１のマスク４を用いたエッチングにより、絶縁膜にエッチストッパー膜に達する開口部５を形成する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for enhancing the etch characteristics of a plasma formed in a remote plasma generator.
遠隔プラズマ発生器内で生成したプラズマのエッチング特性を高める方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - A thin damaged layer 37b on an upper face of a contact plug 37b is formed by means of accelerated ions in an etch-back process.
コンタクトプラグの上部表面にエッチバック工程時加速化されたイオンにより損傷層が薄く形成される。 - 特許庁 - Since the etch rate increases in the grain boundaries 211, the nanocrystals 212 can be formed uniformly and at high density.
この時、グレーン境界211部分での蝕刻比が増加するため、ナノ結晶212が均一で高密度に形成される。 - 特許庁 - To suppress a leak current caused by an etch pit formed on a surface part of an epitaxial layer in a manufacturing step.
製造過程でエピタキシャル層の表面部に形成されるエッチピットに起因するリーク電流を抑えること。 - 特許庁 - POLYCRYSTAL SILICON CONTACT PLUG FORMING METHOD BY USE OF ETCH-BACK AND MANUFACTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
エッチバックを用いた多結晶シリコンコンタクトプラグ形成方法およびこれを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can etch the surface of the semiconductor device obliquely.
半導体基板の表面に対して斜め方向にエッチング可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The etch stop layer 44 may also serve as a barrier layer, buffer layer, and/or template layer.
エッチング停止層４４はまた障壁層、緩衝層、および／またはテンプレート層としても機能することができる。 - 特許庁 - Thereafter, a nitride etch barrier layer 20 is formed, a contact region 21 is opened and filled with a polysilicon layer 22.
全面を窒化物エツチ・バリア層２０を付着させ、コンタクト領域２１を開口してポリシリコン層２２を充填する。 - 特許庁 - In addition, the scribe line 16, that is etch-stopped at the arbitrary depth of the SiO_2 film 104, is formed simultaneously.
また、これと同時にＳｉＯ_２膜１０４の任意の深さでエッチングが留められたスクライブライン１６が形成される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a printed circuit board, which is able to etch seed layers, while preventing a circuit pattern from being etched.
回路パターンのエッチングを防ぎつつ、シード層をエッチングできるプリント基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Tapered protrusions 20 by a side etch phenomenon is formed at a spot where the through-hole 11a is photo-etched.
貫通孔１１ａがフォトエッチングされた箇所には、サイドエッチ現象によるテーパー状の突起２０が形成される。 - 特許庁 - The compositions are particularly suitable for removing polymer residues from electronic devices following plasma etch processes.
この組成物は、プラズマエッチ工程に続いて電子デバイスからポリマー残留物を除去するために特に好適である。 - 特許庁 - In this process, the contacts are established only through overlaps between the openings in the hard mask and openings in the etch mask layer.
この工程で、ハードマスク及びエッチマスク層双方の開口部が重複する部分のみで、接点が確立される。 - 特許庁 - To provide an SiGe etch-stop material system on a monocrystalline silicon substrate useful for aqueous anisotropic etchants.
水性異方性エッチング剤に対して有用な、シリコン基板上のＳｉＧｅエッチング停止構造物を提供する。 - 特許庁 - To suppress a difference between etching amounts caused at simultaneous etch-back in regions with different pattern coating rates.
パターン被覆率の異なる領域で同時にエッチバックを行った際に生じるエッチング量の差を抑制する。 - 特許庁 - The conductivity of the thin film on the side wall is enhanced by ion bombardment carried out periodically during the etch process.
側壁上の薄膜の導電性はエッチ処理中に周期的に行うイオン衝突により増強される。 - 特許庁 - In an etch process using the hard mask pattern, a contact hole (112) through which a semiconductor substrate (100) is exposed is formed.
このハードマスクパターンを用いたエッチング工程で半導体基板(100)が露出されるコンタクトホール(112)を形成する。 - 特許庁 - A first mask is formed over the etch layer and the first mask defines a plurality of spaces with widths.
第１のマスクが前記エッチレイヤ上に形成され、前記第１のマスクは、幅を有する複数のスペースを定義する。 - 特許庁 - In the VSE, reactive ion etching or wet etching is used in order to etch the surface to be bonded slightly (3).
ＶＳＥは、結合される面を僅かにエッチングするためにリアクチブイオンエッチングまたは湿式エッチングが用いられる（３）。 - 特許庁 - The etching gas CF4O2 for the Ti oxide does not etch Al and no galvanic corrosion is caused between the Ti oxide and Al.
Ti酸化物のエッチングガスであるCF_4O_2はAlをエッチングせず、また、Ti酸化物とAlとの間には電触が発生しない。 - 特許庁 - In the third step, the mask is used to etch the silicon oxide film and the main surface of a semiconductor thereunder.
第３工程は、上記マスクを用いて上記酸化シリコン膜及びその下の半導体主面をエッチングする。 - 特許庁 - The SiGe etch-stop material system comprises a relaxed buffer layer graded up to Si_1-xGe_x and a relaxed uniform etch-stop layer of the Si_1-yGe_y, and it is preferable that x is equal to or smaller than 0.17 and y is equal to or greater than 0.3.
ＳｉＧｅエッチング停止構造物が、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘまでの段階が設けられた弛緩されたバッファ層と、Ｓｉ_１−ｙＧｅ_ｙの弛緩された均質なエッチング停止層とを有しており、ｘ≦０．１７、ｙ≧０．３が好ましい。 - 特許庁 - Using the ex-situ measuring information combining with the in-situ monitoring, for example, an end point of the etch process, an etch depth profile of a feature formed on a substrate, and fault detection in a manufacturing process of the integrated circuit may be monitored.
インサイチューモニタリングと組合せてエクスサイチュー測定情報を使って、例えば、エッチング処理の終点、基板上に形成された外観のエッチング深度プロフィール、集積回路製造プロセスの欠陥検出などをモニタリングしても良い。 - 特許庁 - A pattern of spacer pedestals is created by deposition and etch back, or by a surface etch process to precisely reference surface information from a master surface to a carrier wafer 12 to a thin optically transmissive wafer 14.
マスタ表面からキャリヤ・ウェーハ１２への表面情報を薄い光透過型ウェーハ１４に正確に引用するために、付着およびエッチ・バックによって、あるいは表面エッチ・プロセスによってスペーサ・ペデスタルのパターンが生成される。 - 特許庁 - There can be obtained a glass substrate being free from any etch pits at grooving without detriment to the smoothness of the glass substrate.
ガラス基板の平坦性を損なうことなく溝形成時にエッチピットが生じないガラス基板とすることができる。 - 特許庁 - In the pattern forming method, the metal mask 4 is used to dry-etch a film for patterning, and the metal mask 4 is removed.
この金属マスク４を用いて膜をドライエッチングしてパターニングし、金属マスク４を除去するパターン形成方法である。 - 特許庁 - To obtain a shape without skirt trailing and side etch while preventing the penetration through a base oxide film upon dry etching of polysilicon.
ポリシリコンのドライエッチング時に、下地酸化膜の突き抜けを防止しながら、スソ引き及びサイドエッチの無い形状を得る。 - 特許庁 - The anisotropic etching process and the isotropic etching process are alternately repeated to etch the color filter on the support member 32.
異方性エッチング処理と等方性エッチング処理とを交互に繰り返して支持体３２上のカラーフィルタをエッチングする。 - 特許庁 - Etching is performed from the contact layer to the etch stop layer for the formation of a 3 μm-wide stripe-shape ridge 42.
コンタクト層からエッチングストップ層までエッチングされて、リッジ幅３μｍのストライプ状リッジ４２として形成されている。 - 特許庁 - The significant negative etching bias of the BARC etching is then utilized to etch an opening, having a reduced critical dimension into the substrate layer.
ＢＡＲＣエッチングの大きな負のエッチングバイアスを利用して、限界寸法の減じた開口部を、基板層にエッチングする。 - 特許庁 - To suppress the occurrence of defects in a protection film formed in an etched portion as well as to attain a high etch rate.
エッチング部に形成される保護膜における欠陥の発生を抑制するとともに、高いエッチングレートを実現する。 - 特許庁 - Then spray development is carried to remove (etch) exposed areas, and bleach exposure is carried out by a contact exposing machine.
そして、スプレー現像を行うことにより露光された領域を除去（エッチング）し、密着露光機でブリーチ露光を行う。 - 特許庁 - An etch stopper film (14) is formed on the modified SOG film (13a), and then a modified SOG film (15a) is formed.
この改質ＳＯＧ膜（１３ａ）上にエッチストッパ膜（１４）を形成した後、改質ＳＯＧ膜（１５ａ）を形成する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING NITRIDE FILM FORMED BY LOW-TEMPERATURE ATOMIC LAYER DEPOSITION FOR ETCH-STOP LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
低温原子層蒸着による窒化膜をエッチング阻止層として利用する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a photoelectric converter having an antireflection film and an etch stop film which can be formed in a simplified process.
反射防止膜及びエッチングストップ膜を設けるための工程を簡素化できる光電変換装置を提供する。 - 特許庁 - To prevent side etch formation due to fluorine compounds (CFX) generated during barrier insulating film etching.
バリア絶縁膜をエッチングする際にフッ素化合物（ＣＦ_X）が生成され、それが原因でサイドエッチが形成されることを防止する。 - 特許庁 - A stripping gas, such as a mixture of oxygen and argon is provided to the etch chamber and is excited to form an oxygen plasma.
酸素とアルゴンとの混合物等の剥離ガスが、エッチングチャンバに提供され、酸素プラズマを形成するために励起される。 - 特許庁 - A medical fluid is injected into the recessed part 31a to etch the first substrate 31 until the nitride semiconductor layer 11 is exposed.
凹部３１ａに薬液を注入し、窒化物半導体層１１が露出するまで第１基板３１をエッチングする。 - 特許庁 - Or nitriding with a decomposition product of the gas containing nitrogen atom in molecule may be used instead of the channel etch process.
または，分子中に窒素原子を含んだガスの分解生成物で窒化することでチャネルエッチ工程の代替とする。 - 特許庁 - To accurately form a metal wiring pattern, even when a metal wiring material which is difficult to dry-etch is used.
ドライエッチングが困難な金属配線材料を用いた場合であってもて、金属配線パターンを精度良く形成する。 - 特許庁 - METHOD USING THREE MASKS FOR FORMING FINAL HARD MASK USED TO ETCH SILICON FIN OF FINFET
ＦｉｎＦＥＴのシリコンフィンをエッチングするために用いられる最終ハードマスクを構築するための３つのマスクによる方法 - 特許庁
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