「etch」を含む例文一覧(916)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 18 19 次へ＞- Further, a second silicon nitride film 8 having a first opening 101 is formed, which is used as a mask to etch the first polysilicon film 3.
さらに、第１の開口部１０１を有した第２のシリコン窒化膜８を形成し、これをマスクとして第１のポリシリコン膜３をエッチングする。 - 特許庁 - To provide a dry etching method providing a good profile with less side etch without receiving restriction by a micro loading effect.
マイクロローディング効果の制限を受けることなく、さらにサイドエッチの少ない良好な形状を得ることのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - This allows the total ion milling etch mask thickness to be well controlled before the ion milling process used to define the sensor side walls.
これにより、イオンミリングプロセスを使用してセンサ側壁を画定する前に、イオンミリングエッチングマスクの合計厚を適切に制御することが可能である。 - 特許庁 - Then etch-back is carried out all over, the silicon nitride film 7 between wiring layers is removed and a sidewall of the silicon nitride film 7 is formed in a wiring layer side wall.
その後、全面エッチバックし、配線層間のシリコン窒化膜７を除去して、配線層側壁にシリコン窒化膜７のサイドウォールを形成する。 - 特許庁 - To provide a superior etching liquid which can secure high stability and process margin, and which can uniformly taper-etch a metal layer, including copper.
高い安定性と工程マージンを保障し、銅を含む金属層を均等にテーパエッチングすることができる優れたエッチング液を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method, with which it is possible to etch a processing target film with favorable controllability using a resist having high etching resistance.
エッチング耐性の高いレジストを用いて、被加工膜を制御性良くエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A supporting insulating film, an etch-end film containing a tantalum oxide, and a molding sacrifice insulating film are formed in this order on a semiconductor substrate.
半導体基板上に支持用絶縁膜、酸化タンタル膜を含む蝕刻終了膜及びモールド用犠牲絶縁膜を順次に形成する。 - 特許庁 - The method further includes pumping a purge gas into the upper process zone to remove polymer etch species from the upper process zone.
この方法は、更に、上方処理ゾーンへとパージガスを送り込むことで上方処理ゾーンから重合体エッチング種を除去することを含む。 - 特許庁 - By forming an oxidized film 13 on the entire surface and performing etch-back, a sidewall oxidized film 13 is formed on the sidewall of an oxidized film hard mask 12.
全面に酸化膜１３を成膜し、エッチバックを行うことにより、酸化膜ハードマスク１２側壁に、サイドウォール酸化膜１３を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a highly precise fine pattern by reducing side etch in the case of using wet etching.
ウエットエッチングを用いた際のサイドエッチを低減することにより精度の高い微細なパターンを形成できる、パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - The sodium hydroxide aqueous solution containing alkanolamines is used to etch the silicon wafer and then metal contamination of the silicon wafer can be greatly suppressed.
アルカノールアミン類を含有させた苛性ソーダ水溶液をシリコンウエハーのエッチングに供することで、シリコンウエハーの金属汚染を大幅に抑制できる。 - 特許庁 - A planarization process (d) by a chemical and mechanical polishing method or etch back method is introduced before the removal of the resist mask 4 used for processing tracks.
トラック加工に用いたレジストマスク４の除去前に化学的機械研磨法あるいはエッチバック法による平坦化工程（ｄ）を導入する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor element that can etch a conductor film on a semiconductor substrate by using a spin etching process.
スピンエッチング方法を使用して、半導体基板上の伝導体膜をエッチングすることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Film-formation is performed using a material of a sidewall lower electrode 7A, and etch-back is performed, and then a dielectric film 8 and an upper electrode 9 are formed.
サイドウォール下部電極７Ａの材料を膜形成してエッチバックを行い、その後、誘電体膜８および上部電極９を形成する。 - 特許庁 - To provide etchant which can etch a layer of gold or silver, or an alloy thereof of a substrate surface uniformly in a short time.
同基板表面の金又は銀もしくはこれらの合金の層を短時間で均一にエッチングすることが可能なエッチング液を提供すること。 - 特許庁 - The present invention discloses a process of depositing a carbon-containing silicon oxide film, or a carbon-containing silicon nitride film having an enhanced etch resistance.
本発明は、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜、または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積方法を開示する。 - 特許庁 - Features are etched into the etch layer through the sidewall layer, where the features have widths that are smaller than the widths of the spaces defined by the additional mask.
側壁レイヤを通してエッチングレイヤにフィーチャがエッチングされ、フィーチャは、追加マスクによって規定されるスペースの幅よりも小さい幅を有する。 - 特許庁 - To etch an aluminum oxide and a silicon oxide film formed thereon with the same etchant in accordance with selectivity to a wiring made of an aluminum film.
アルミニウム膜からなる配線との選択比をとりつつアルミニウム酸化物及びその上の酸化珪素膜を同一のエッチャントでエッチングする。 - 特許庁 - Features are etched into the etch layer through the sidewall layer, where the features have widths that are smaller than the widths of the spaces defined by the first mask.
側壁レイヤを通してエッチングレイヤにフィーチャがエッチングされ、フィーチャは、第１マスクによって規定されるスペースの幅よりも小さい幅を有する。 - 特許庁 - A polysilicon film 160 is formed and whole surface etch back is performed, thereby forming a side wall 142, and transfer electrode 140, 150 with 152.
次に、ポリシリコン膜１６０を形成し、全面エッチバックを施すことにより、サイドウォール１４２、１５２付の転送電極１４０、１５０を形成する。 - 特許庁 - First etching gas is supplied into the reaction chamber and plasma is generated by discharge from the plasma etching system in order to etch the antireflection film 2.
反応室内に第１のエッチングガスを供給し、プラズマエッチング装置からの放電によりプラズマを生成して反射防止膜２をエッチングする。 - 特許庁 - To accurately control the flatness of pattern surface formed by burying and stacking a metal on a fine recessed pattern and the height of the pattern by etch-back.
微細な凹部パターンに金属が埋め込まれ堆積されたパターン表面の平坦化と、パターン高さを精度よくエッチバックにより制御する。 - 特許庁 - To manufacture a semiconductor device which has a stable and highly reliable self-matching contact, while avoiding increase of etch stop, wiring shorting and contact resistance.
エッチストップ、配線ショート、コンタクト抵抗の増加を回避しつつ、安定で信頼性の高い自己整合コンタクトを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁 - To satisfactorily etch substrates by eliminating the occurrence of such a phenomenon that the adhesive surface of a substrate connecting tape adheres to the exposed surfaces opposite to the adhesive substrates and becomes inseparable.
基板接続用テープの粘着面が逆の露出面に接着して離れない現象を解消し、良好なエッチングを行うことを課題とする。 - 特許庁 - The surface of the organic compound film 2 is exposed by polishing (etch back) through the use of CMP, RIE, etc., (c), and the organic compound film 2 is removed (d).
ＣＭＰ、ＲＩＥ等により研磨（エッチバック）を行って有機化合物膜２の表面を露出させ（ｃ）、有機化合物膜２を除去する（ｄ）。 - 特許庁 - SF_6 gas is made to flow through the space between the quartz tube 1 and the quartz rod 2 to etch the surface of the quartz rod 2 to remove the water content present thereon.
石英管１と石英棒材２との間の空間にＳＦ_6ガスを流して石英棒材２の表面をエッチングしてそこに存在する水分を除去する。 - 特許庁 - Furthermore, specific technologies re used to etch a gold-containing seed layer from above the surface of a board, without causing damage to an electroplated copper coil.
さらに、特定の技術が、電気めっきされた銅コイルに損害を与えることなく、基板表面から金を含んだシード層をエッチングするために使用される。 - 特許庁 - To sufficiently narrow the interval of a cell pitch while securing an insulation breakdown voltage between a gate and a source in a semiconductor device of an interlayer insulating film etch-back structure.
層間絶縁膜エッチバック構造の半導体装置において、ゲート−ソース間の絶縁耐圧を確保しつつ、セルピッチの間隔を十分に狭めること。 - 特許庁 - Fe-Ni-Co ALLOY EXCELLENT IN ETCHING CHARACTERISTIC AND LOW THERMAL EXPANSION CHARACTERISTIC, AND SHADOW MASK EXCELLENT IN SMOOTHNESS OF INSIDE SURFACE SHAPE OF ETCH PIT
エッチング性および低熱膨張特性に優れたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金およびエッチング孔内郭形状の円滑性に優れたシャドウマスク - 特許庁 - Further, the substrate 41 is provided with an etching liquid introduction hole 47 for sacrifice layer etching to etch the sacrifice layer for forming the air gap 42.
また、基板４１には犠牲層をエッチングして空隙４２を形成するために用いる犠牲層エッチング用のエッチング液導入孔４７が設けられている。 - 特許庁 - To flatten the surface of filling material by etch back when the inside of a trench with high aspect ratio is filled by filling material.
アスペクト比が高いトレンチ内を埋め込み材料で埋め込む場合において、エッチバックにより埋め込み材料表面をより平坦化できるようにする。 - 特許庁 - A helicon-wave plasma etching apparatus 1 is provided with a processing chamber 2 to etch a wafer 50 by plasma, wherein a stage 3 is provided.
ヘリコン波プラズマエッチング装置１では、ウェハ５０にプラズマエッチング処理を施すための処理室２が設けられ、その処理室２内にステージ部３が配設されている。 - 特許庁 - To provide a device and a method for manufacturing a semiconductor device in which sudden etch-stop during etching for formation of a deep hole is prevented.
深いホール形成のためのエッチング時における突然のエッチストップを防止しうる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Further, the coating part 502 of a half-finished diode 510 is immersed into etching liquid to apply etch-packing to the coating part 502, thereby forming a projected cathode inside electrode 202.
次に、仕掛かりダイオード５１０の被覆部５０２をエッチング液に浸漬し、エッチバックすることによって、凸設されたカソード内部電極２０２を形成する。 - 特許庁 - By using a resist pattern, the modified SOG film (15a), etch stopper film (14), and modified SOG film (13a) are etched for removal, and a via hole (17) is formed.
レジストパターンを用いて改質ＳＯＧ膜（１５ａ）、エッチストッパ膜（１４）、改質ＳＯＧ膜（１３ａ）をエッチング除去してビアホール（１７）を形成する。 - 特許庁 - A silicon nitride film as a second film is formed on the core material pattern 24, a sidewall pattern is formed by an etch back treatment, and the core material pattern 24 is removed to obtain a mask pattern.
芯材パターン２４上に第２膜のシリコン窒化膜を形成し、エッチバック処理で側壁パターンを形成し、芯材パターン２４を除去してマスクパターンを得る。 - 特許庁 - Further, the damaged layer is reduced even when an alkaline etchant of ≤20 wt.% in concentration is used to eliminate an increase in depth of an etch pit and a decrease in flatness.
また、濃度２０ｗｔ％以下のアルカリ性エッチング液を使っても加工変質層が減り、エッチピットの深さ増大や平坦度低下が解消される。 - 特許庁 - The open pore 61 is eliminated by etch-back processing and an SiN recess 60a of a low aspect ratio is formed in SiN within the BPSG recess 32a.
エッチバック処理により開気孔６１を除去するとともに、ＢＰＳＧ凹部３２ａ内のＳｉＮに低アスペクト比のＳｉＮ凹部６０ａを形成する。 - 特許庁 - To suppress the attachment of foreign matters to a substrate to treat without deteriorating the etching properties in a plasma treatment to etch an organic film.
有機膜をエッチングするプラズマ処理において、エッチング特性および加工形状を劣化させることなく、被処理基板への異物の付着を抑制可能とすること。 - 特許庁 - Then the island structure 124 is used as a mask as shown in (b) to etch the BOE 121 with an etching liquid to 55 nm depth to form a grooved fine structure 125.
続いて、(b)に示すように島構造１２４をマスクとし、ＢＯＥ１２１をエッチング液により深さ５５ｎｍエッチングし、錐状の微細構造１２５を形成する。 - 特許庁 - To provide a channel etch type thin film transistor wherein an optical off-leakage current can be reduced without damaging manufacturing throughput as compared with the conventional TFT.
従来のＴＦＴに比べて製造スループットを損ねることなく光オフリーク電流を低減することのできるチャネルエッチ型薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁 - To provide an etching system which is contrived to uniformly etch the whole surface of an object to be treated with a small amount of etchant.
少量のエッチング液で被処理物の全面にわたって均一なエッチングによる加工を施すことができるようにしたエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - The amorphous silicon phase shift layers (14 to 20) are separated by silicon dioxide etch stop layers (22 to 26) being about 5nm thick or thinner.
アモルファスシリコン位相シフト層(14-20)は、各々が約５ｎｍ又はそれより小さい厚さを有する二酸化シリコンエッチストップ層(22-26)によりそれぞれ分離されている。 - 特許庁 - To provide a cleaning process for recovering an anodized aluminum part particularly useful when the part has been exposed to a fluorine-containing plasma in etch reactor.
陽極酸化アルミニウムパーツを再生するためのクリーニングプロセスは、パーツが、エッチングリアクタにおいてフッ素含有プラズマに露出された時に特に有用である。 - 特許庁 - Ozone RIE processing is executed for this structure, to etch the PS sea organ part 5, whereby the pattern of a PMMA island-like organ part 6 is formed (FIG. 2(b)).
これにオゾンRIE処理を施すことによりPSの海状組織部５がエッチングされPMMAの島状組織部６のパターンを形成することが出来る（図２(b)）。 - 特許庁 - The antireflection film 9 serves as an etch stop film when the interlayer insulating film is etched for forming openings used to bury the conductive members in the interlayer insulating film.
そして、反射防止膜９は、層間絶縁膜に導電性部材を埋め込む開口の形成における層間絶縁膜のエッチング時のエッチングストップ膜である。 - 特許庁 - Compositions of the invention also can serve effectively as a hard mask layer by exhibiting a sufficient plasma etch selectivity from an undercoated layer.
また、本発明の組成物は、下塗りされた層との十分なプラズマエッチング選択性を示すことによって、ハードマスク層として効果的に機能することができる。 - 特許庁 - Finally, the upper surfaces of the element separating insulating films (2) and (3) are exposed to etch the element separating insulating films (2) and (3) to make them lower than first conductor film (22).
次に、素子分離絶縁膜（２）（３）の上面を露出し、その素子分離絶縁膜（２）（３）を第１導電体膜（２２）よりも低くなるようにエッチングする。 - 特許庁 - To etch both of a transparent conductive film formed on an organic insulating film and a transparent conductive film formed on an inorganic conductive film at a time with good accuracy.
有機絶縁膜上に形成された透明導電膜と無機絶縁膜上に形成される透明導電膜を同時に精度良くエッチングする。 - 特許庁 - A process gas containing HF as a reactive component is blown off from a blow-off port 21 into contact with a treated object 90 to etch a silicon film 93.
反応成分としてＨＦを含む処理ガスを吹出し口２１から吹き出して被処理物９０に接触させ、シリコン膜９３をエッチングする。 - 特許庁
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