「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 58 59 60 61 62 63 64 65 66 .... 137 138 次へ＞- An alternative to this method includes a step to join the two wafers with the device layer and a step to subject the separating function to an etching process.
代替方法は、１対のウェハをデバイス層に接合するステップと、次いで分離機能をエッチングするステップを含む。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device for easily and accurately processing the shape with different etching depth.
エッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工できる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing high purity electrolytic copper from an ammonia-based copper etching waste liquid by a small-scale and simple treatment.
小規模で、かつ簡便な処理でアンモニア系銅エッチング廃液から高純度銅を製造する方法の提供。 - 特許庁 - This method comprises etching a ruthenium film formed on a base plate with a chemical solution having pH of 12 or more and an oxidation reduction potential of 300 mVvsSHE.
基板に形成したルテニウム膜を、ｐＨ１２以上かつ酸化還元電位３００mVvsSHE 以上の薬液でエッチングする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method which does not deteriorate the reliability of wiring even though etching a barrier metal layer by sputtering.
バリアメタル膜をスパッタエッチングしても、配線の信頼性を低下させない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - For the process for patterning the crystal element, a wet etching method is used for solving problems.
また、上述する水晶素子にパターンニングする工程にはウェットエッチング工法を用いることにより課題を解決する。 - 特許庁 - This method to manufacture these spacers does not need an additional deposition, excessive lithography process, and an additional etching.
これらのスペーサを製造する本方法は、追加の付着，余分なリソグラフィ工程，および追加のエッチングを必要としない。 - 特許庁 - Etching in an optional manner can be performed through the method by covering the glass surface with a masking agent in a prescribed pattern.
この方法は、ガラス表面に所定パターンでマスキング剤を被覆することで、任意のエッチングを行なうことができる。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF ETCHING MASK FOR SILICON STRUCTURE HAVING OPENING OF HIGH ASPECT RATIO, ITS DEVICE AND ITS MANUFACTURING PROGRAM
高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体用エッチングマスクの製造方法及びその装置並びにその製造プログラム - 特許庁 - To provide a method for forming a fine rectangular resist pattern having satisfactory resistance to dry etching with reproducibility.
十分なドライエッチング耐性を有し、微細なレジストパターンを矩形形状で再現性良く形成する方法を提供する。 - 特許庁 - Thereafter, a gate electrode formation film 62 is formed by processing the amorphous silicon film by a photolithography method and dry etching.
次に、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングにより、アモルファスシリコン膜を加工してゲート電極形成用膜６２を形成する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method which uses an electrostatic latent image in which a sufficient etching resistance is not required for a toner image.
トナー画像に十分なエッチング耐性が要求されない静電潜像を利用したパターン作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of semiconductor device which performs anisotropic etching to a conductive layer in vertical direction or substantially vertical direction.
半導体装置の製造方法に関し、垂直あるいはほぼ垂直に導電層を異方性エッチングすること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an optical semiconductor element in which the etching depth for forming mesa portions can be controlled with excellent accuracy.
メサ部を形成するためのエッチング深さを精度良く制御できる光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To eliminate a sacrifice layer with a hydrogen fluoride gas etching method without having some failures to be a cause of a serious result.
重大な結果を招く幾つかの欠点を有さずにフッ化水素ガスエッチング法による犠牲層除去を行う。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of anisotropically etching a conductive layer vertically or approximately vertically.
導電層を垂直あるいはほぼ垂直に異方性エッチングできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which enables metal wiring to be prevented from corroding when etching.
エッチング中における金属配線の腐食を防止することが可能な半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - WET ETCHING METHOD AND DEVICE, PRODUCTION OF VIBRATION DIAPHRAGM OF INK JET HEAD, INK JET HEAD AND INK JET RECORDING DEVICE
ウェットエッチング方法および装置、インクジェットヘッドの振動板の製造方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット記録装置 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a color filter in which the occurrence of damage (scrap) of a support in dry etching is suppressed.
ドライエッチング処理時の支持体ダメージ（削れ）の発生が抑制されたカラーフィルタの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To realize a preparation method of a planar display panel capable of satisfactorily masking in an etching process.
エッチング工程におけるマスキングが良好に行える平面型表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of preventing residue from deposition to the bottom part and side face of a via hole and a trench.
ビアホールやトレンチの底部や側面に残渣が付着するのを防止することができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a liquid delivering head capable of preventing foreign substances from being generated during etching.
エッチング処理中に異物が発生するのを防止することが可能な液体吐出ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of etching NdFeB, by which NdFeB can be formed in a desired shape readily and easily.
ＮｄＦｅＢを迅速且つ容易に所望する形状を形成することが可能なＮｄＦｅＢのエッチング方法を得る。 - 特許庁 - To provide the etching method of copper for easily forming a fine pattern with excellent copper selectivity.
優れた銅選択性を有し、微細なパターンの形成が容易である銅のエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an etching method for a substrate which can remarkably reduce the generation of foreign matter and can satisfactorily etch a substrate.
異物の発生を大幅に低減して基板を良好にエッチングすることができる基板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a part of a first material from a substrate including a surface layer of the first material by etching.
第１材料の表皮層を含む基板から第１材料製の部品をエッチングで製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment method and a post-treatment method which can prevent etching not only in a processing chamber, but also surely in a carrier system.
処理チャンバー内だけでなく、搬送システムにおける腐食も確実に防止できるようなプラズマ処理方法および後処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an anisotropic wet-etching method and a method for manufacturing a MEMS device which can suppress appearance of micro projections, without using a special oxidizing agent.
特殊な酸化剤を用いることなく微細突起の発生を抑制できる異方性ウェットエッチング方法およびＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A PVD method enables film formation at a temperature lower than that in a CVD method, results in no growth of crystal grains and eliminates occurrence of selective etching of particular crystal planes.
また、ＰＶＤ法は成膜温度もＣＶＤに比べて低く、結晶粒も成長せず、特定の結晶面の選択エッチングも排除できる。 - 特許庁 - To provide an etching method which forms a tapered via hole in a semiconductor substrate by using a metal mask and through a simple method.
本発明は、メタルマスクを用いて、簡易な方法により半導体基板に先細状ビア孔を形成するエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a TMR (Tunnel Magnetic-Resistance effect) element high in performance, the method suppressing mixing of particles generated in etching a magnetic film or a diamagnetic film.
磁性膜又は反磁性膜をエッチングする際に発生するパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - As an alternate method, such a composition is used in a combined method of etching and smut removal in Al pretreatment.
別法として、かかる組成物は、Ａｌ予備処理においてエッチング工程及びスマット除去工程を組み合わせた方法において使用することができる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a pattern electrode with excellent conductivity, transparency, and etching property, and to provide a pattern electrode manufactured by the same manufacturing method.
導電性及び透明性、エッチング性に優れたパターン電極の製造方法及び当該製造方法により製造したパターン電極を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a display substrate for reducing defects due to excessive etching, a mask for the manufacturing method, and a display substrate.
過剰なエッチングによる不良を減少させるための表示基板の製造方法、その製造方法のためのマスク、及び表示基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently producing HFC-41 having high purity and usable as an etching gas for semiconductor and provide a product produced by the method.
半導体用エッチングガスとして使用することができる高純度のＨＦＣ−４１を効率的に製造する方法およびその製品を提供する。 - 特許庁 - The method further comprises the steps of then etching the protective film (step S14), forming a metal thin film (step S16), and forming an electrode layer by using a lift-off method (step S18).
その後、保護膜のエッチング（工程Ｓ１４）と金属薄膜の形成とを（工程Ｓ１６）行ない、リフトオフ法を用いて電極層（工程Ｓ１８）を形成する。 - 特許庁 - ALUMINUM FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR ELECTRODE HAVING EXCELLENT ETCHING PROPERTY, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND METHOD OF PRODUCING ALUMINUM ETCHED FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR ELECTRODE
エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔およびその製造方法、ならびに電解コンデンサ電極用アルミニウムエッチド箔のの製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF DETERMINING FILM DEPOSITION TIME, CHAMBER, CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE AND BOAT THEREFOR, ETCHING DEVICE, AND FILM DEPOSITION SYSTEM
半導体装置の製造方法、成膜時間の決定方法、チャンバー、化学気相成長装置及びそのボート、エッチング装置、並びに成膜処理システム - 特許庁 - To provide a method and apparatus for etching silicon by which the surface of a silicon wafer is capable of being processed with a simple method, and the cost for processing the surface of a silicon wafer is reduced.
簡易な方法によってシリコンウェーハ表面を加工することができるようにし、シリコンウェーハ表面を加工するためのコストを低減する。 - 特許庁 - The profile quartz resonator is composed of a resonance part, a connection part and a support part, and the above parts are formed by a particle method and/or a chemical etching method.
輪郭水晶振動子は振動部と接続部と支持部からなり、これらは粒子法及び／又は化学的エッチング法により形成されている。 - 特許庁 - This method can be applied to an interface between an a-Si layer and an active semiconductor layer, and the method can be also applied to a back channel type or an etching stop type TFT.
この方法はａ−Ｓｉの活性半導体層との界面であれば応用でき、またバックチャンネルエッ型やエッチストップ型ＴＦＴにも応用可能である。 - 特許庁 - A fine raw of grooves 12 is machined on the end face of an optical fiber by a photolithography method and a dry etching method to match the optical axis of a polarized wave conservation fiber 10.
偏波保存ファイバ１０の光軸に合わせ、フォトリソグラフィーとドライエッチング法により光ファイバの端面に微細な溝列１２を加工する。 - 特許庁 - To provide a processing apparatus and a product manufacturing method for continuously and accurately monitoring a composition of a fluid such as a plating liquid, an etching liquid, etc. by using a simple method.
めっき液やエッチング液といった流体の組成を簡単な方法で常時的確に監視できる処理装置および製品製造方法を提供する。 - 特許庁 - To give a resist pattern an excellent etching resistance, concerning the method of forming a minute pattern including a new processing method for a resist pattern.
本発明はレジストパターンの新規な処理方法を含む微細パターン形成方法に関し、レジストパターンに優れたエッチング耐性を与えることを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of processing a substrate and method of manufacturing a semiconductor chip where an etching mask is formed at low cost by my means of a plasma processing.
プラズマ処理を用いたエッチングのためのマスクを低コストで形成することができる基板の加工方法および半導体チップの製造方法を提供する。 - 特許庁 - As coating work having the plasma etching resistance, there is alumite work (aluminizing) for instance and Al coating is by a thermal spray method or a sputter vapor deposition method.
プラズマエッチング耐性を有する被膜加工としては例えばアルマイト加工（アルミナイズ）であり、溶射法やスパッタ蒸着法によるＡｌコーティングとしている。 - 特許庁 - To provide a method for forming a multilayer interconnection by which the over-etching of a first insulating film can be prevented, and to provide a method for manufacturing an electronic device.
第１絶縁膜に対するオーバエッチングを防止できるようにした多層配線の形成方法及び、電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method and a post-treating method which can prevent etching not only in a processing chamber but also in a carrier system certainly.
処理チャンバー内だけでなく、搬送システムにおける腐食も確実に防止できるようなプラズマ処理方法および後処理方法を提供する。 - 特許庁 - In a semiconductor device formed on a GaAs substrate 1, a base to which an emitter electrode 9 contacts uses an n-GaAsNSb layer 8, and hence if the dry etching method using a chloric gas as an etching gas is applied to etch, there is no fear of impeding the etching reaction at all.
ＧａＡｓ基板１上に形成された半導体装置に於いて、エミッタ電極９がコンタクトする下地がｎ−ＧａＡｓＮＳｂ層８になっているので、塩素系ガスをエッチング・ガスとするドライ・エッチング法を適用してエッチングを行なっても、エッチング反応が阻害されるおそれは皆無である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an oscillator in sufficient yield by preventing a damage of a crystal chip during etching by exactly finishing contours of a plurality of oscillation legs projected from a base part without etching residue by a process of a crystal oscillator in which electrodes are provided by forming the oscillation legs with thin groove parts by the etching.
基部から突き出した複数の振動脚に、細い溝部を形成して電極を設けた水晶振動子のエッチングによる製法にて、振動脚外形をエッチング残渣なく正確に仕上げ、エッチング中の水晶片の破損を防いで振動子を歩留まりよく製造する方法を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
