「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 57 58 59 60 61 62 63 64 65 .... 137 138 次へ＞- To provide a method for etching a high aspect ratio feature through a mask into a layer to be etched over a substrate.
マスクを通して基板上のエッチングされるべきレイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - For the polishing, a method for mechanically polishing them by using an abrasive can be applied instead of the polishing by the etching solution.
研磨は、エッチング液による研磨に変えて、研磨剤を使用して機械的に研磨する方法をとることができる。 - 特許庁 - A dry-etching method is used for the process to cut out the semiconductor substrates from the semiconductor wafer to suppress a slant of the lateral side.
半導体ウエハから斯様な半導体基板を切り出す工程にはドライエッチングを用い、側面の傾斜を抑える。 - 特許庁 - Further, contrary to the above means, a processing method and a processing apparatus for alternatingly performing resist modification and etching is applied.
さらに、上記手段とは別に、レジスト改質とエッチングを交互に行なうプロセス方法及びプロセス装置を適用した。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently etching a nitride silicon layer on the surface of a substrate.
基板表面の窒化シリコン層を効率的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of producing an Fe-Ni or Fe-Ni-Co alloy thin sheet excellent in etching properties.
エッチング性に優れたＦｅ−Ｎｉ系またはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系の合金薄板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and method for processing a substrate periphery capable of obtaining a desired etching width easily.
容易に所望のエッチング幅を得ることができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device, having short etching period and with low fault density.
エッチング時間が短く、かつ欠陥密度が少ない半導体装置を製造する方法及び製造装置の提供。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing the generation of polymer residue and variation in etching process.
ポリマー残渣の発生と、エッチングプロセスの変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this manufacturing method, etching solution is injected to the front and the rear surfaces of a large size panel 20 from a plurality of nozzles 51.
この製造方法によれば、複数のノズル５１からエッチング溶液が大判パネル２０の表裏面に噴射される。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method capable of preventing the generation of an etching stop without causing damage to a photoresist film layer.
フォトレジスト膜層を損傷することなくエッチストップの発生を防止することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a liquid chemical processing method and a liquid chemical processor for accurately comprehending the progress conditions of etching.
エッチングの進行状況を精度良く把握することのできる薬液処理方法及び薬液処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for preventing a fine structure from collapsing and for efficiently developing, cleaning or etching.
微細構造体の倒壊を防止するとともに、効率よく現像、洗浄またはエッチングをするための方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a laminated structure in which good patterning can be made in a superior form by preventing side etching.
サイドエッチングを防止して良好な形状にパターニングすることができる積層構造の製造方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR SELECTIVELY ETCHING INORGANIC MATERIAL, INORGANIC MATERIAL SELECTIVELY ETCHED THEREWITH AND OPTICAL ELEMENT
無機材料の選択的なエッチング処理方法および該方法により選択エッチング処理された無機材料並びに光学素子 - 特許庁 - The graphene film 101 can be separated from the HOPG substrate by removing the catalyst layer by etching or another method.
エッチングなどで触媒層を除去することにより、グラフェンフィルム１０１をＨＯＰＧ基板から分離することができる。 - 特許庁 - In addition, the processing method for board has the process of etching the board 101 from the rear surface through the guidance hole.
さらに、基板の加工方法は、裏面から先導穴を通じて基板１０１に対してエッチングを行うことを有する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for plasma treatment wherein anisotropic film formation characteristics and anisotropic etching characteristics are improved.
異方性成膜特性や異方性エッチング特性が改善されたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a wiring board with higher accuracy, an etching apparatus, and an apparatus for manufacturing a wiring board.
精度が高い配線基板の製造方法、エッチング装置並びに配線基板の製造装置を提供することにある。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, METHODS OF MANUFACTURING PIEZOELECTRIC DEVICE AND PIEZOELECTRIC OSCILLATING PIECE UTILIZING THE SAME, AND STRUCTURE OF ELECTRIC CORROSION INHIBITION PATTERN
エッチング方法およびこれを利用した圧電デバイスと圧電振動片の製造方法、ならびに電喰抑制パターンの構造 - 特許庁 - To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus in which the selection ratio of selective etching can be enhanced.
選択エッチングの選択比を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for producing etching parts of high quality in which the recessed parts or piercing parts are made into the desired shape.
凹部もしくは貫通部が所望される形状となった品質の良いエッチング部品を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD OF DRY-ETCHING PIEZOELECTRIC SUBSTRATE PREFORM, PIEZOELECTRIC SUBSTRATE PREFORM, PIEZOELECTRIC VIBRATION ELEMENT AND PIEZOELECTRIC DEVICE
圧電基板母材のドライエッチング装置、圧電基板母材のドライエッチング方法、圧電基板母材、圧電振動素子、及び圧電デバイス - 特許庁 - SILICON WET ETCHING PROCESS USING PARYLENE MASK AND METHOD FOR PRODUCING NOZZLE PLATE OF INK JET PRINTHEAD USING THIS PROCESS
パリレンマスクを用いたシリコン湿式エッチング方法及びこの方法を用いたインクジェットプリントヘッドのノズルプレートの製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF NANO PATTERN AND CARBON NANO TUBE WITH BIO NANO ARRAY USING SELF-ASSEMBLY OF ORGANIC SUPRAMOLECULE AND UV ETCHING
有機超分子の自己集合及びＵＶエッチングを用いたナノパターン及びカーボンナノチューブ−バイオナノアレイの製作方法 - 特許庁 - Next, the surface of the silicon support substrate 108 is etched until the thickness becomes a predetermined value by a dry etching method.
次に、ドライエッチング法により前記シリコン支持基板１０８の表面を、その厚さが所定の値になるまでエッチングする。 - 特許庁 - To provide an etching method which can provide a smooth etched plane without black silicon, that is, needle-shaped silicon residues.
ブラックシリコン即ちシリコン針状残渣の無く滑らかなエッチング面を得ることが可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method which enables the easy confirmation of a mask pattern formed by etching a block copolymer on a substrate.
基板上のブロック共重合体のエッチングにより形成されたマスクパターンを、容易に確認できる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor element, which can easily convert a patterned etching object film to silicide.
パターニングされた被エッチング膜のシリサイド化を簡便に行うことのできる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a composite board, which patterns a thin-film for a functional-material board without etching.
機能性材料基板の薄膜をエッチングすることなくパターニングできる複合基板の製造方法の提供を図る。 - 特許庁 - To provide a surface processing method used for etching the surface of a workpiece to make the surface have a target profile.
被加工物の表面が目的のプロファイルになるように該表面をエッチングする表面加工方法を提供する。 - 特許庁 - The method carries out a patterning by forming a low-resistance metal film 5 and a low-dielectric constant film 7 and then dry-etching using a resist 9.
低抵抗金属膜５、低誘電率膜７を成膜した後、レジスト９を用いてドライエッチングし、パターニングする。 - 特許庁 - To provide plasma etching method and apparatus by which no special region for detecting an end point is required to be set on.
終点検出のための特別な領域を設定する必要がないプラズマエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of working one member to a structure having a step with fewer processes.
少ない工程で一つの部材を段差のある構造に加工することが可能なエッチング加工方法等を提供する。 - 特許庁 - To obtain a manufacturing method for a thin-film transistor capable of preventing the damage of a channel forming region by an etching.
エッチングによってチャネル形成領域がダメージを受けることを防止し得る、薄膜トランジスタの製造方法を得る。 - 特許庁 - Consequently, the manufacturing method of the electrooptical device capable of uniformly etching the glass substrate is provided.
よって、ガラス基板を均一にエッチングすることが可能な電気光学装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁 - To provide a processing device of a processing sample for allowing high speed and accurate etching, and to provide a production method of thin-film samples.
高速かつ高精度なエッチングが可能な加工試料の加工装置および薄膜試料の生産方法の提供。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device suppressing a plasma charge to a gate insulating film in case of dry etching, and to provide a method of manufacturing the same.
ドライエッチング時のゲート絶縁膜へのプラズマチャージを抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a low resistance metal wiring, consisting of only wet-type film forming process with few etching processes.
湿式成膜プロセスのみから成ってエッチングプロセスが少なく低抵抗な金属配線の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method which allows the formation of a fine surface structure on a surface of amorphous TiO_2.
アモルファスＴｉＯ_２の表面に微細な表面構造を形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a composite substrate capable of patterning a thin film of a functional material substrate without etching.
機能性材料基板の薄膜をエッチングすることなくパターニングできる複合基板の製造方法の提供を図る。 - 特許庁 - To provide a method for producing a semiconductor element, in which an etching process using a mask is improved, and the semiconductor element.
マスクを用いたエッチング加工を改良した半導体素子の作製方法及び半導体素子を提供すること。 - 特許庁 - Before the etching step S20, the method preferably comprises a step S10 of cleaning the surface of the crystal with an organic solvent.
エッチング工程Ｓ２０の前に、結晶の表面を有機溶剤で洗浄する工程Ｓ１０を備えるのが好ましい。 - 特許庁 - To obtain a method for fabricating an embedded integrated circuit, using decreased number of masking levels and an improved etching process.
埋込み集積回路を減少した数のマスキング・レベルと改善エッチング・プロセスで以て製作する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etchant composition and an etching method which are capable of reliably forming a texture of appropriate shape.
適切な形状のテクスチャーを確実に形成することができるエッチング液組成物およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - LOW THERMAL EXPANSION Fe-Ni BASED ALLOY SHEET FOR SHADOW MASK EXCELLENT IN ETCHING PROPERTY AND DEFORMATION RESISTANCE AND ITS PRODUCTION METHOD
エッチング性及び耐変形性に優れたシャドウマスク用低熱膨張Ｆｅ−Ｎｉ系合金板及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of achieving a sufficient organic film modifying effect by high-velocity electrons.
高速電子による有機膜の改質効果を十分に発揮することができるプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for removing silicon nitride film on a copper interconnection by etching, while suppressing generation of copper fluoride.
銅配線上のシリコン窒化膜をエッチング除去する際に、銅フッ化物の生成を抑制したエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an ink jet head excellent in characteristics, and a manufacturing method thereof, by performing etching process well.
エッチング工程を良好に行なうことにより、特性に優れたインクジェットヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein silicon nitride is set higher for etching rate than for silicon oxide.
酸化シリコンのエッチングレートに比べて窒化シリコンのエッチングレートを大きくした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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