「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 53 54 55 56 57 58 59 60 61 .... 137 138 次へ＞- To provide a method for manufacturing a liquid ejection head can completely perform protection from an etching liquid.
エッチング液からの保護をより完全に行うことができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a circuit board, by which the end point of wet etching of a metal film is accurately detected.
金属膜のウェットエッチングの終点を的確に検出できる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a wet etching method having excelling operational efficiency and having a large selective range of materials for an etched board.
作業効率がよく、エッチングされる基板の材料の選択範囲も大きい、ウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for processing a silicon substrate by which an etching rate is strictly controlled while processing treatments are performed.
加工処理と同時に厳密なエッチングレート管理が可能となるシリコン基板の加工方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an Si substrate working method for accurately working an Si substrate using Si anisotropic dry etching.
Ｓｉ異方性ドライエッチングを用いて精度良くＳｉ基板を加工するＳｉ基板加工方法を提供する。 - 特許庁 - By this method, the semiconductor layer 52 on the ridges 50, 51 is substantially flattened and the easy removal of the same by etching is permitted.
こうして、リッジ部５０，５１上の半導体層５２を略平坦にし、エッチングで容易に除去可能にする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element which can improve etching using a mask, and a method for manufacturing the semiconductor element.
マスクを用いたエッチング加工を改良した半導体素子の作製方法及び半導体素子を提供すること。 - 特許庁 - Then, the etching solution can reach hardly into the piezoelectric body film 52A at the production method of the piezoelectric device 74.
従って、圧電デバイス７４の製造方法においては、エッチング液が圧電体膜５２Ａに達しづらくなっている。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method of high precision graze etching in a simple constitution and process.
簡単な構成及び工程で高精度エッチングを実現可能なグレーズエッチング装置及びグレーズエッチング方法を得る。 - 特許庁 - To provide a method for performing a polish processing simply and at high speed by etching of side peripheral surface of a glass disk.
ガラスディスクの側周面のエッチングによる研磨加工を簡単且つ高速に行うための方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dielectric layer etching processing method which does not damage a silicon substrate in a bottom part of a contact point opening.
接点開口の底部でシリコン基板を損傷させない誘電体層エッチング処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for etching a metal layer disposed on a substrate such as a photolithographic reticle.
フォトリソグラフィーレチクル等の基板上に配置された金属層をエッチングする方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a silicon rich film can be etched at a desired etching rate.
所望のエッチングレートでシリコンリッチ膜をエッチングすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for patterning a metal foil with high precision without requiring etching.
エッチングを必要とせず、かつ精度の良いパターンを得ることができる金属箔パターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING LOW HEAT EXPANSION ALLOY THIS SHEET EXCELLENT IN ETCHING PROPERTY AND THIN SHEET FOR SHADOW MASK AND SHADOW MASK
エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板の製造方法およびシャドウマスク用薄板ならびにシャドウマスク - 特許庁 - To realize a plasma processing method in which a selection can be made arbitrarily between etching process and deposition process during plasma processing.
プラズマ処理中に任意にエッチング処理とデポジション処理とを選択できるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - STRUCTURALLY SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH TECHNIQUE AND METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON PATTERN USING SELECTIVE SILICON ETCHING TECHNIQUE
構造選択エピタキシヤル成長技術および選択シリコンエッチング技術を用いた単結晶シリコンパターン形成方法 - 特許庁 - To provide a plasma generation method in which high processing control of a precision is possible in etching processing or padding.
エッチング加工や埋め込みにおいて精度の高い加工制御が可能なプラズマ生成方法を提供すること。 - 特許庁 - MICRO-ETCHING AGENT FOR COPPER AND COPPER ALLOY AND METHOD FOR MICRO-ROUGHENING COPPER OR COPPER ALLOY BY USING THE AGENT
銅および銅合金用のマイクロエッチング剤並びにこれを用いる銅または銅合金の微細粗化方法 - 特許庁 - The method of etching the chromium layer through the patterned carbon hard mask layer is useful for manufacturing a photomask.
パターン化された炭素ハードマスク層を介してクロム層をエッチングする方法は、フォトマスクを製造するのに有用である。 - 特許庁 - To provide a carrying method for preventing any crease of a thin substrate occurring at a liquid drain-off roll section of an etching machine or the like.
エッチング機等で液切りロール部にて発生する、薄手基板の折れ防止を目的とした搬送方法 - 特許庁 - To provide an etching method by which a fine pattern is formed by a simple process.
本発明は、微細なパターンを単純な工程で形成し得るエッチング方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - Further, after the power feeding layer etching process, the method includes a resist removal process for insulating film protection of removing the resist.
さらに、該給電層エッチング工程後、該レジストを除去する絶縁膜保護用レジスト除去工程を備える。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, without etching a silicon substrate when eliminating a mask layer, even if the ground of a film to be machined is a silicon substrate.
被加工膜の下地がシリコン基板であっても、マスク層の除去時にシリコン基板をエッチングしない。 - 特許庁 - The step parts 15, 16 of the oxidized films are removed by the etching in the final stage described above by this method.
この方法によれば、酸化膜の段部１５，１６が上記最終工程においてエッチングで除去される。 - 特許庁 - To provide rolled copper foil having an excellent etching factor and suitable for pitch-fining, and to provide a method for producing the same.
優れたエッチングファクタを有するファインピッチ化に好適な圧延銅箔及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The sealing plate 30 having a concave part is manufactured from the glass base plate of NA-35 by using wet-etching method.
ウェットエッチング法を用いてＮＡ−３５のガラス基板から凹部が形成された封止板３０を作製する。 - 特許庁 - The method may include an ashing stage (B) of cleaning the surface exposed by the dry etching before the stage (A).
工程（Ａ）の前にドライエッチングにより露出した面の清浄化を行なうアッシング工程（Ｂ）を設けてもよい。 - 特許庁 - This method relates to a process of transferring a thin film device formed on a substrate to an arbitrary support after substrate etching.
基板上形成された薄膜デバイスを、基板エッチング後に任意の支持体へ転写するプロセスに関する。 - 特許庁 - To provide an etching method for a silicon material where the thickness of a silicon oxide film used as a mask material can be reduced.
マスク材として用いるシリコン酸化膜の膜厚が薄くて済むシリコン材のエッチング方法を提案すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a piezoelectric vibration chip wafer, with which etching of a vibrating part can be efficiently performed in a short time.
振動部のエッチングを効率的に短時間で行える圧電振動片ウエハの製造方法の提供。 - 特許庁 - Also the supporting plate is made of a metallic material, for example, it can be formed by a chemical etching method.
また支持板は、金属材料によって作られ、例えば化学エッチング方法にて形成することができる。 - 特許庁 - To provide a method for simply performing polishing of side peripheral surfaces of glass disks by etching at high speed.
ガラスディスクの側周面のエッチングによる研磨加工を簡単且つ高速に行うための方法を提供する。 - 特許庁 - CHEMICAL AMPLIFICATION-TYPE NEGATIVE-WORKING PHOTORESIST COMPOSITION FOR LOW-TEMPERATURE DRY ETCHING AND METHOD FOR PHOTORESIST PATTERN FORMATION USING THE SAME
低温ドライエッチング用化学増幅型ネガ型ホトレジスト組成物及びこれを用いたホトレジストパターン形成方法 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method which can control a variation caused by a fluctuation of an etching process.
エッチングプロセスのゆらぎによるばらつきを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - When a reactive ion etching method is carried out, the semiconductor substrate 101 is kept at a temperature of 80 to 150°C.
反応性イオンエッチング法を行っている時には、半導体基板１０１を８０乃至１５０℃にしておく。 - 特許庁 - To provide an electrochemical etching method for a semiconductor by which the semiconductor is improved in adhesion with metal.
半導体の金属密着性を向上させることができる、半導体の電気化学エッチング方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR ELECTRONIC COMPONENT MOUNTING FILM CARRIER TAPE
電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理装置および電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理方法 - 特許庁 - To provide a method of forming a semiconductor which allows skipping steps of repeatedly performing and halting etching and testing.
エッチング、試験を繰り返し停止、実行する工程を省略可能とする半導体の形成方法の提供。 - 特許庁 - To achieve an accurate depth in the control method of an etching depth applied to the manufacturing process of a semiconductor.
半導体の製造プロセスに適用される食刻深度の制御方法であって、精確な深度を達成する。 - 特許庁 - This method for manufacturing a nitride semiconductor element is used for forming the end face of a resonator by dry etching.
本発明の窒化物半導体素子の製造方法では、ドライエッチングにより共振器端面を形成する。 - 特許庁 - This method includes a shape processing step for performing shape processing to the shape of a cover glass by etching a glass substrate.
ガラス基板をエッチングすることによりカバーガラスの形状に形状加工する形状加工工程を含む。 - 特許庁 - To improve etching rate and shorten a treatment time in a method for removing a resist film which used ozone dissolving water.
オゾン溶解水を用いたレジスト膜の除去方法において、エッチングレートを向上させ、処理時間を短縮する。 - 特許庁 - To provide a surface processing method for etching the surface of a work piece until it becomes a target profile.
被加工物の表面が目的のプロファイルになるように該表面をエッチングする表面加工方法を提供する。 - 特許庁 - In a method for manufacturing semiconductor device, etching is executed under conditions of high pressure, high power, and high gas flow.
半導体装置の製造において、高い圧力、高いパワーおよび高いガスフロー条件でエッチングを実行する。 - 特許庁 - A selective etching possible layer 14 is formed on the semiconductor substrate 12 by the method for forming the deep trench.
深いトレンチを形成する方法は、半導体基板１２上に選択エッチング可能層１４を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor element that appropriately applies trench etching to a semiconductor layer.
半導体層に対して良好にトレンチエッチングを行うことができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of subjecting a metal material of a polysilicon film lower layer to etching processing without giving damage to a polysilicon film.
ポリシリコン膜下層の金属材料を、ポリシリコン膜へダメージを与えずにエッチング処理する方法を提供する。 - 特許庁 - After a coating film 20 is formed on a transparent substrate 7, grooves 203 are formed by etching or a 2P method.
透明基板７上にコーティング膜２０を形成した後で、エッチングまたは２Ｐ法により溝２０３を形成する。 - 特許庁 - SILICA GROUP ETCHING STOPPER FILM, COATING LIQUID FOR FORMING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MULTILAYER WIRING FORMING METHOD
シリカ系エッチングストッパー膜形成用塗布液、シリカ系エッチングストッパー膜および半導体多層配線形成方法 - 特許庁
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