「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 49 50 51 52 53 54 55 56 57 .... 137 138 次へ＞- To provide a novel etching method of a group III-V nitride semiconductor layer.
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層の新規なエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - This method comprises etching metallic tin or a tin alloy by contacting a material to be treated with a water-soluble solution including tin (IV) chloride.
塩化スズ（IV）含有水溶液を被処理材に接触させて金属スズ、スズ合金をエッチングする。 - 特許庁 - The manufacturing method is characterized by treating the steel sheet with the chromating liquid containing Cr^3+, Cr^6+, and etching ions of a predetermined quantity ratio.
Ｃｒ^3+およびＣｒ^6+と、特定量比のエッチング性イオンとを含むクロメート液で処理する。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently recovering indium from an indium-containing oxalic-acid etching waste solution.
インジウムを含有するシュウ酸エッチング廃液からインジウムを効率よく回収する方法を提供する。 - 特許庁 - COMPOUND FOR PHOTORESIST, PHOTORESIST FILM, PHOTORESIST MATERIAL, PHOTORESIST SOLUTION, AND METHOD FOR ETCHING USING THEM
フォトレジスト用化合物、フォトレジスト膜、フォトレジスト材料、フォトレジスト液、およびこれらを用いるエッチング方法 - 特許庁 - To provide a method for advantageously and effectively collecting indium from a waste etching liquid of oxalic acid.
シュウ酸エッチング廃液から、インジウムを有利に且つ効率的に回収する方法を提供すること。 - 特許庁 - This etching method is used to remove a silicon nitride film 12 on a substrate 3 to be processed.
被処理基板３上に形成されたシリコンナイトライド膜１２を除去するためのエッチング方法である。 - 特許庁 - To provide an etching treatment method of a tunnel junction element capable of preventing a short circuit of a tunnel barrier layer.
トンネルバリア層のショートを防止することが可能な、トンネル接合素子のエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁 - To form fine wiring by a semi-additive method for removing a feeding film by wet etching.
ウエットエッチングにより給電膜を除去するセミアディティブ法により、微細な配線を形成できるようにする。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING BLANK FOR IRON-NICKEL BASE ALLOY COLD-ROLLED SHEET FOR SHADOW MASK HAVING EXCELLENT ETCHING PIERCING PROPERTY
エッチング穿孔性に優れたシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ系合金冷延板用素材の製造方法 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing DRAM which allows over-etching of poly silicon forming a storage node to be prevented.
ストレージノードを形成するポリシリコンの過エッチングを防止できるＤＲＡＭの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of controlling spatial distribution of plasma, by which etching rate can be uniformized, even with a wide area.
広い面積でもエッチング速度を均一にできるプラズマの空間分布制御方法を提供する。 - 特許庁 - The structure 7 is removed by a wet etching method to form a groove 12 in the film 17.
ウェットエッチング法によってゲート状構造７を除去し、層間絶縁膜１７内に溝１２を形成する。 - 特許庁 - The method for forming a silicon film includes a first deposition step, an etching step, and a second deposition step.
シリコン膜の形成方法は、第１成膜工程と、エッチング工程と、第２成膜工程とを備えている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a color filter capable of suppressing the occurrence of support damage on dry etching.
ドライエッチング処理時の支持体ダメージの発生を抑制可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING DISSOLVED SUBSTANCE CONTENT IN LIQUID, AND ETCHING-SOLUTION REPRODUCING SYSTEM
液体中の溶存物質含有量測定方法及び測定装置、並びに、エッチング液再生システム - 特許庁 - To provide an exposure condition setting method capable of easily obtaining an etching pattern of predetermined shape.
所望形状のエッチングパターンを容易に得ることができる露光条件設定方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for removing hypofluorite used as a cleaning gas or an etching gas by decomposition of hypofluorite for its removal.
クリーニングガス、エッチングガスとして使用したハイポフルオライトを分解除去する除害方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a flash memory element for preventing an occurrence of a residue of a gate etching.
ゲートエッチングの残余物の発生を防止するためのフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the control of etching is easy and which has good electrical characteristics.
エッチングの制御が容易で、電気特性の良好な半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide the forming method of an anisotropic feature for a high aspect ratio in an etching step.
本発明は、エッチング工程における、高アスペクト比用途の異方性フィーチャの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To precisely form the shape of a semiconductor device by controlling etching of a lateral direction by a simple method.
簡便な方法で横方向のエッチングを制御して半導体デバイスの形状を精度良く形成する。 - 特許庁 - To provide an etching mask forming method which can reduce the number of processes and readily simplifies the processes.
プロセス数の低減が可能であり、プロセスの単純化が容易なエッチングマスク形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate machining method for efficiently washing or etching the upper and lower faces of a substrate.
基板の上部面と下部面を効率的に洗浄またはエッチングできる基板加工方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and system for etching by which all wiring patterns can be formed with high precision.
全ての配線パターンを精度よく形成することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - SOFT ALUMINUM FOIL FOR MEDIUM-LOW PRESSURE ELECTROLYTIC CAPACITOR TO BE SUBJECTED TO AC ETCHING AND ITS PRODUCTION METHOD
交流エッチングに供する中・低圧電解コンデンサ用軟質アルミニウム箔およびその製造方法 - 特許庁 - To provide an electronic device and its manufacturing method enabling formation of fine patterns by wet etching.
ウェットエッチングにより微細なパターンを形成可能とした電子デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing flash memory elements which prevents a polysilicon film from residing at gate etching.
ゲートエッチングの際にポリシリコン膜の残留を防止するためのフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method which reduces the nonconformites due to wet etching.
ウェットエッチングにより生じる不具合を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a novel apparatus and method for etching silicon nitride that can overcome the problems associated with conventional heating bath techniques.
加熱浴技術に伴う問題を解決する新たな窒化シリコンをエッチングする装置及び方法。 - 特許庁 - As the method for producing it, grooves are mechanically formed on the steel sheet, and, after that, the grooves are deepened by etching.
その製造方法として、鋼板に機械的に溝を形成した後、エッチングにより溝を深める。 - 特許庁 - METHOD FOR CARRYING OUT UNIFORMLY PLASMA ETCHING OF WAFER SURFACE USING SILICON ELECTRODE BOARD OF ALMOST THE SAME SIZE AS WAFER
ウエハとほぼ同じ寸法のシリコン電極板を用いてウエハ表面を均一にプラズマエッチングする方法。 - 特許庁 - Further, the method comprises an etching step for physically or chemically activating the surface of the injection-molded key.
さらに射出されたキーの表面を物理的または化学的に活性化させるエッチング工程を含む。 - 特許庁 - To provide a method for forming a trench having an arbitrary pattern and depth by performing an anisotropic etching only once.
任意のパターン、探さを持つトレンチを一度の異方性エッチング工程にて形成することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a substrate processing method which can raise an etching rate of a copper member without using a halogen gas.
ハロゲンガスを用いずに銅部材のエッチングレートを高くすることができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing semiconductor device in which an electrochemical etching process can be performed stably.
電気化学エッチングプロセスを安定して行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the vapor deposition mask includes forming a hole 25 in a sheet made from a metal 34 through an etching process.
蒸着マスクの製造方法において、エッチングにより金属製シート３４に孔２５が形成される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method in which high-accuracy dry etching can be performed.
高精度なドライエッチングを行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - RESONANT FREQUENCY ADJUSTING APPARATUS AND RESONANT FREQUENCY ADJUSTING METHOD FOR PIEZOELECTRIC RESONATOR BY ION ETCHING
イオンエッチングによる圧電共振子の共振周波数調整装置及び共振周波数調整方法 - 特許庁 - Then, the silicon nitride film is etched isotropically and selectively by isotropic etching method.
この後、等方的ドライエッチングを用い、シリコン窒化膜６に対して等方的かつ選択的にエッチングを行う。 - 特許庁 - To provide an etching method to prevent a shape deterioration of an opening without degrading the productivity excessively.
生産性を極端に落とすことなく、開口の形状悪化を抑止するエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a thin film transistor capable of highly accurately etching a gate electrode and a resist.
ゲート電極およびレジストを精度良くエッチングできる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this case, these through holes are formed so as to be penetrated by wet etching method.
またこれらの貫通孔はウェットエッチング法によって貫通させて形成されることを特徴としている。 - 特許庁 - An inner wall surface of the via hole 3 is planarized by removing a scallop shape 4 by a dry etching method.
次に、ドライエッチング法によりスキャロップ形状４を除去し、ビアホール３の内壁面を平坦化させる。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR ACTIVELY CONTROLLING RF PEAK-TO- PEAK VOLTAGE OF INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ETCHING SYSTEM
誘導結合型プラズマエッチング装置のＲＦピークトゥピーク電圧を能動的に制御する装置および方法 - 特許庁 - Removing by etching causes less damage to the silicon wafer 10 than by conventional polishing method.
エッチングによる除去のため、従来の研磨での除去に比べてシリコンウェーハ１０に加工ダメージが起きにくい。 - 特許庁 - A preparation method of an etching liquid, etching method and etching device are constituted wherein, liquid-state tetraethoxysilane is mixed with water or gas and added into a flowing phosphoric acid solution little by little thereafter, and the phosphoric acid solution is prepared by dissolving the desired quantity of tetraethoxysilane.
液状のテトラエトキシシランを水または気体と混合した後、これを流動する燐酸溶液中に少量ずつ添加し、所望量のテトラエトキシシランを溶解させて燐酸溶液を調製することを特徴とするエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を構成したことにある。 - 特許庁 - When a pattern is formed with wet etching carbon nano-tube 6 by a transferring method, solution used for dissolving binder used in the transferring method is used as solution used for wet etching and carbon nano- tube entangled during wet etching is scoured off with cloth-like matter 12.
転写法によるカーボンナノチューブ６をウエットエッチングしてパターンを形成するに当たり、ウエットエッチングに用いる溶液として転写法に用いたバインダーを溶解する溶液を用いるとともに、ウェットエッチングの際には絡まりあったカーボンナノチューブを布状物質１２によって擦り落とす。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing semiconductor device by which satisfactory etching can be performed by strengthening etching utilizing a chemical action by lowering ion energy at the time of etching metallic films composed of titanium, molybdenum, tantalum, etc., or their nitrides or silicides; and to provide a semiconductor manufacturing device for executing the method.
チタン、モリブデン、タンタル等の金属膜や、その窒化膜、珪化膜をエッチングする際に、イオンエネルギーを下げて、化学的な作用によるエッチングを増強し、良好なエッチングの行える半導体装置の製造方法およびそれを実施するための半導体製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching treatment method which can form a wiring pattern having a high aspect ratio in its cross section, so as to have few irregularities and spots within a substrate plane and have adequate uniformity, when etching a large-sized substrate to be etched such as a printed circuit board with a spray method, and to provide an etching treatment apparatus.
スプレー法によるプリント基板等の大型被エッチング基板のエッチングにおいて、断面のアスペクト比の高い配線パターンを基板面内でのばらつきや斑が少なく均一性良く形成することができるエッチング処理方法およびエッチング処理装置を提供することを目的としている。 - 特許庁
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