「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 48 49 50 51 52 53 54 55 56 .... 137 138 次へ＞- To provide an etching method capable of reducing a difference of level for a thin film transistor matrix substrate and its manufacturing method.
エッチング、薄膜トランジスタマトリックス基板およびその製造方法に関し、段差を緩和することのできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a bipolar semiconductor device with low-energy RF power in the case of the RF etching method of an Ar ion.
ＡｒイオンのＲＦエッチ法の場合、低エネルギーのＲＦパワーのバイポーラ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - MASK FOR PHOTO-ELECTROCHEMICAL ETCHING, ITS FORMING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
光電気化学エッチング用マスク、その形成方法及び光電気化学エッチング用マスクを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - A first barrier layer 11 is formed in the via hole 8 by a sputtering method or a PVD method and reverse-sputtering (etching).
次に、スパッタリング法またはＰＶＤ法、及び逆スパッタリング（エッチング）によりビアホール８内に第１のバリア層１１を形成する。 - 特許庁 - To provide an etching method which can inexpensively etch a platinum group film at high workability, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.
白金族の膜を加工性良く安価にエッチングできるエッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING ETCH STOP LAYER HAVING TOLERANCE OVER WET ETCHING, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置の製造方法、湿式エッチングに対する耐性を有するエッチング阻止層の形成方法、及び半導体装置 - 特許庁 - FABRICATION PROCESS OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, ETCHING CONDITIONS SETTING METHOD, CONDUCTIVE FILM REMOVING CONDITIONS SETTING METHOD, AND RETICLE
半導体装置の製造方法，半導体装置、エッチング条件の設定方法、導電膜除去条件の設定方法、及びレチクル - 特許庁 - The method of processing a substrate includes processing the underlaid substrate with a particulate pattern formed using the method as an etching mask.
上記の方法を用いて形成された微粒子パターンをエッチングマスクとして、下地基板を加工するする基板の加工方法。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a mold used for a nano imprint technique with high accuracy, a tray for dry etching capable of conveniently manufacturing the mold, a method of manufacturing the same, and a dry etching method using the tray.
ナノインプリント技術に用いるモールドを高い精度で製造する方法と、このモールドの製造を簡便に行うことができるドライエッチング用のトレーとその製造方法、および、このトレーを用いたドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a mask blank and a photomask suitable for a wet process in a large mask for an FPD (such as a resist stripping method, an etching method and a cleaning method).
ＦＰＤ用大型マスクにおけるウエットプロセス（レジスト剥離方法やエッチング方法、洗浄方法等）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR CLEANING DEPOSITION FILM FORMING DEVICE, DRY ETCHING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE INCLUDING STEP OF EXECUTING EITHER OF THE METHODS
堆積膜形成装置のクリーニング処理方法、ドライエッチング方法、およびこれらの方法のいずれか一方を行う工程を含む物品の製造方法 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a solar cell, by the use of a gas-precipitation manufacturing method, for making it unnecessary to use the micro-lithography or etching manufacturing method of any photo-mask.
ガス沈殿製造法により、如何なるフォトマスクのマイクロ・リソグラフィー、エッチング製造法を使用する必要がない太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING SILICON WAFER SURFACE OXIDE FILM, METAL CONTAMINATION ANALYSIS METHOD OF SILICON WAFER WITH OXIDE FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON WAFER WITH OXIDE FILM
シリコンウェーハ表面酸化膜のエッチング方法、酸化膜付きシリコンウェーハの金属汚染分析方法、および酸化膜付きシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁 - Patterning of a plurality of transistors 7, 8 and 9 is performed on a substrate 2 by applying a vapor phase growth method, lithography method and etching method or the like.
基板２に対して気相成長法、フォトリソグラフィー法、エッチング法等を施すことによって複数のトランジスタ７，８，９を基板２上にパターニングする。 - 特許庁 - To provide a magnetic element and manufacturing method thereof where use of etching method with physical sputtering such as ion milling method is suppressed as much as possible.
イオンミリング法等の物理的スパッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えることにより製造する磁気素子と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SINGLE-PARTICLE FILM ON NON-PLANAR SURFACE, MANUFACTURING METHOD OF MICROSTRUCTURE USING SINGLE-PARTICLE FILM ETCHING MASK, AND MICROSTRUCTURE ACQUIRED BY MANUFACTURING METHOD
非平面上単粒子膜の製造方法、該単粒子膜エッチングマスクを用いた微細構造体の製造方法および該製造方法で得られた微細構造体。 - 特許庁 - To provide a mask blank and a photomask suitable for processes (such as a resist coating method, an etching method and a cleaning method) in a large mask for an FDP (flat panel display).
ＦＰＤ用大型マスクにおけるプロセス（レジスト塗布方法やエッチング方法、洗浄方法等）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁 - ETCH BACK METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING INORGANIC POLARIZER BY USING THIS METHOD, ETCHING STOP CONTROL DEVICE FOR REALIZING THESE METHODS, AND INORGANIC POLARIZER TO BE MANUFACTURED
エッチバック方法、それを用いた無機偏光子製造方法及びそれらの方法を実現するエッチング停止制御装置、並びに製造される無機偏光子 - 特許庁 - The patterning of a plurality of transistors 7, 8 and 9 is carried out on a substrate 2, by using a vapor phase growth method, a photolithography method, an etching method or the like for the substrate 2.
基板２に対して気相成長法、フォトリソグラフィー法、エッチング法等を施すことによって複数のトランジスタ７，８，９を基板２上にパターニングする。 - 特許庁 - The hole 8 has a shape in which a first recess 8a and a second recess 8b are continued, the first recess 8a is formed by etching a part of the dielectric 7 by a wet etching method, and the second recess 8b is formed by etching the film 2, the dielectric 4 and the dielectric 7 by a dry etching method.
コンタクトホール８は、第１凹部８ａと第２凹部８ｂとが連なった形状を有しており、第１凹部８ａは、第２層間絶縁膜７の一部をウエットエッチング法によりエッチングして形成し、第２凹部８ｂは、ゲート絶縁膜２、第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７をドライエッチング法によりエッチングして形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a silicon carbide mold includes forming a dry etching mask having an opening and comprising tungsten silicide on a silicon carbide substrate, and then dry-etching the silicon carbide substrate by a reactive ion etching method using a single fluorine-containing gas or a mixture gas of the fluorine-containing gas and oxygen gas as an etching gas.
炭化ケイ素基板上に、開口部を有するタングステンシリサイドからなるドライエッチング用マスクを形成した後、エッチングガスとしてフッ素含有ガス単独又はフッ素含有ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いて、反応性イオンエッチング法によって炭化ケイ素基板をドライエッチングすることを特徴とする炭化ケイ素製モールドの製造方法。 - 特許庁 - To provide a method for precipitating copper chloride contained in a chemical etching waste water, which can effectively remove a copper chloride component contained in a enormous amount of chemical etching waste water produced in an etching process for a printed wiring board, and to provide an apparatus for precipitating copper chloride contained in the chemical etching waste water, preferably used for the precipitation method.
プリント配線板のエッチングプロセスにおいて発生する膨大な化学エッチング廃液に含まれる塩化銅成分を高効率に除去することができる化学エッチング廃液に含有される塩化銅の析出方法と、その析出方法に好適に用いられる化学エッチング廃液含有に含有される塩化銅の析出装置を提供する。 - 特許庁 - The etching method of a conductor layer comprises a process for forming a conductor layer 22 on an insulation substrate 21, a process for forming metallic etching resist 23 on the formed conductor layer 22, and a process for etching the conductor layer 22 by a spray method for spraying etchant to the conductor layer 22 wherein the metallic etching resist 23 is formed.
1)絶縁基板上に導体層を形成する工程、2)形成された前記導体層上に金属製エッチングレジストを形成する工程、および、3)前記金属製エッチングレジストが形成された導体層にエッチング液を噴霧するスプレー法により前記導体層をエッチングする工程を含むことを特徴とする導体層のエッチング方法である。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor element, reducing the amount of hydrocarbon deposited during etching.
エッチング中に堆積するハイドロカーボン量を低減可能な、半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of removing a substance from a base material used for etching and/or cleaning.
エッチング及び／又はクリーニング用途向けの基材から物質を除去するための方法を提供する。 - 特許庁 - This manufacturing method is characterized by employing an insulative film containing colloidal silica and phosphate as the main components, for a resist film used in etching.
エッチング加工時のレジスト被膜にコロイダルシリカと燐酸塩を主成分とした絶縁皮膜を用いる。 - 特許庁 - To provide a dry etching method in which a trench whose upper and lower portions are in different shapes can be formed.
トレンチの上部と下部とで形状を変えたトレンチを形成できるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a bit-line contact plug by directly etching a bit-line contact material film.
ビット線コンタクト材料膜を直接にエッチングしてビット線コンタクトプラグを形成する方法を提供する。 - 特許庁 - Then the conductive film 2A is patterned by dry etching method to shape the conductive layer 2, as specified.
次に、導電膜２Ａをドライエッチング法によりパターニングして所定の形状の導電層２を形成する。 - 特許庁 - SELECTIVE ETCHING TREATMENT METHOD FOR THIN FILMS OF SIO2, TI AND IN2O3 APPLIED TO FERAM DEVICE
ＦｅＲＡＭ装置に適用するＳｉＯ２、ＴｉおよびＩｎ２Ｏ３薄膜の選択的エッチング処理法 - 特許庁 - RADIATION-CURABLE RESIST RESIN COMPOSITION FOR GLASS ETCHING AND METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE USING THE SAME
ガラスエッチング用放射線硬化性レジスト樹脂組成物およびこれを用いたガラス基板の製造方法 - 特許庁 - The antenna pattern 2 is manufactured by the same method as that for the circuit pattern, printing alternatively etching is performed, and a copper foil is produced.
アンテナパターン２は、配線パターンと同じ方法で銅箔を印刷あるいはエッチングして作製する。 - 特許庁 - To provide a method of etching a ferroelectric substrate that suppresses cracking of the substrate during a process.
プロセス中の基板の割れを抑制することができる強誘電体基板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an improved method and apparatus relating to ion-assisted etching processing in a plasma processing system.
プラズマ処理システムにおけるイオン支援エッチング処理に関する改良された方法及び装置を開示する。 - 特許庁 - Additionally, etching can provide a method of manufacturing the Ge island 2 having excellent manufacturing efficiency.
さらに、エッチングにより、製造効率の良いＧｅアイランド２の製造方法を提供することができる。 - 特許庁 - Then, the method further includes a step of forming a sidewall 10 on a side face of the ferroelectric capacitor C by etching back this alumina.
次に、このアルミナをエッチバックして強誘電体キャパシタＣの側面にサイドウォール１０を形成する。 - 特許庁 - To provide an inorganic material surface etching method by which the number of processes is reduced and fine processing is carried out.
工程数を少なくでき微細な加工も可能な、無機表面エッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - PHOTOMASK BLANKS ADDED WITH HIGH DRY ETCHING RESISTANCE POLYMER LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING PHOTOMASK USING PHOTOMASK BLANKS
高ドライエッチング耐性ポリマー層を付加したフォトマスクブランクスおよびそれを用いたフォトマスクの製造方法 - 特許庁 - The resist pattern is used as a mask for a dry etching method to transfer the figure onto a substrate material.
このレジストパターンをマスクとしてドライエッチング法を用いることで、基板材料に形状転写する。 - 特許庁 - The method has a feature of rinsing the semiconductor wafer 1 by using an oxidizing liquid after the etching.
上記エッチング後、上記半導体ウェハ１を酸化性の液を用いてリンスすることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor element capable of determining a terminal point of etching appropriately.
エッチングの終点を適切に判断することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - ELECTROSTATIC CHUCK AND METHOD THEREOF, AND PLASMA ETCHING DEVICE PROVIDED THEREWITH
静電吸着装置および静電吸着装置を備えたプラズマエッチング装置ならびに静電吸着方法 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for monitoring of plasma etching and deposition processes having a non-extended light source.
非分散光源を備えるプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a composition for cleaning removing a residue caused by selective etching and to provide a processing method.
選択的なエッチングから生じる残留物を除去する洗浄用組成物と処理方法の提供。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING SIDEWALL OF GROUP III-V BASED COMPOUND FOR ELECTRO-OPTICAL ELEMENT
電気光学素子のためのＩＩＩ−Ｖ族ベースの化合物による側壁にエッチングを施すための方法 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a waveguide element capable of forming an optical circuit without etching a passive core layer.
パッシブコア層をエッチングすることなく光回路を形成できる導波路素子の製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a circuit board which effectively improves positioning accuracy in laser etching process.
レーザーエッチング過程の位置決め精度を有効に向上させる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In another method, a defective bump and a UBM layer are removed by chemical etching, without forming a metal layer.
別の方法では、不良バンプおよびＵＢＭ層を金属層を形成せずに化学エッチングして取り除く。 - 特許庁 - MULTISTAGE LOCAL DRY ETCHING METHOD FOR CORRECTING THICKNESS SHAPE OR SURFACE SHAPE OF SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウエハの厚さ形状もしくは表面形状を修正するための多段局所ドライエッチング方法 - 特許庁 - To provide a dry etching method that has very small lateral roughness and brings about high perpendicular processing accuracy.
側壁ラフネスが極めて小さく、かつ高い垂直加工精度が得られるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁
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