「except gate」を含む例文一覧(59)

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  • No other gate except the south gate has been found.
    南門以外の門は見つかっていない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To prevent a gate from opening except when an opening operation is performed.
    開放操作時以外、後煽りが開かないようにする。 - 特許庁
  • Except for Daigo Station and Karasuma Oike Station, all other stations have only one ticket gate.
    醍醐駅、烏丸御池駅を除くと、すべて改札口は1箇所である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Except a time when performing an IO propagation delay test, a transmission gate 8 is turned on while a transmission gate 10 is turned off.
    ＩＯ伝搬遅延試験時以外の時は、トランスミッションゲート８をＯＮ、トランスミッションゲート１０をＯＦＦとする。 - 特許庁
  • In the semiconductor device having the damascene gate or the replaced gate, a dummy gate 12a is additionally disposed at a position 14 except the gate formed position, whereby the uneven gate pattern density is reduced.
    ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲート形成位置以外の位置１４に、ダミーゲート１２ａを追加して配置することにより、ゲートパターン密度の偏りを小さくする。 - 特許庁
  • It's pretty much everyone on the duty roster, except us two and a couple of men posted at the gate.
    勤務表ではかなりの人数で 我々二人と正門に数人以外です - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Except two years later, the company's worth $500 million, and roy raymond jumps off the golden gate bridge.
    だが2年後 会社は5億に成長 レイモンドは ゴールデンゲート・ブリッジから 身を投げた - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • On that night, Negoro-ji Temple was destroyed by fire except a part of it such as the Hondo (main hall), Tahoto pagoda (a "multi-treasure" pagoda) (big pagoda) and Nandai-mon gate (great south gate).
    その夜根来寺は出火して炎上し、本堂、多宝塔（大塔）や南大門など一部を残して灰燼に帰した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To provide a gate device for restraining interference between a structure except the gate device such as a building frame and a mechanism for lifting-driving a gate body.
    躯体等のゲート装置以外の構造物とゲート本体を昇降駆動する機構とが干渉するのを抑制することが可能なゲート装置を提供すること。 - 特許庁
  • An N type impurity region 104 is formed except below the gate electrode 106 to the well 102 in the periphery of the gate electrode 106.
    ゲート電極１０６の周囲のウェル１０２に、ゲート電極１０６下の領域を除いて、Ｎ型不純物領域１０４が形成されている。 - 特許庁
  • An interlayer insulating film 17 is formed in the trench 13 except formation of the gate electrode 15.
    また、ゲート電極１５の形成以外の溝部１３には層間絶縁膜１７が形成されている。 - 特許庁
  • The transistor part 40 of the semiconductor device has constitution similar to conventional one except for a gate electrode.
    本半導体装置のトランジスタ部４０は、ゲート電極を除いて、従来と同じ構成を備えている。 - 特許庁
  • To prevent slimming of an interlayer insulating film, and to remove a dummy gate pattern so that a region except for the dummy gate pattern is protected self-adjustably.
    層間絶縁膜の膜減りを防止するとともに、自己整合的にダミーゲートパターン以外の領域が保護されるようにしてダミーゲートパターンを除去する。 - 特許庁
  • Thereby excessive polishing is enabled when the replacement gate structure is formed, and electrode material except a gate electrode part can be eliminated completely, so that the short circuit between gate electrodes can be prevented.
    これにより、リプレースメントゲート構造形成時の研磨を過剰に行うことができるので、ゲート電極部分以外の電極材料を完全に除去することができ、ゲート電極同士の短絡を防止できる。 - 特許庁
  • Thereafter, oxide pads 14 are removed from the substrate 12 except the lower part of the spacer 28 and a gate dielectric layer 30 is formed.
    スペーサ２８下部を除く酸化物パッド１４を基板１２から除去し、ゲート誘電層３０を形成する。 - 特許庁
  • To move a gate door only when consciously desiring to open and close the gate door, by preventing the situation of carelessly moving the gate door, when the gate door exists in a midway position except for a fully closed position and a fully opening position.
    門扉が完全に閉まった位置やいっぱいに開いた位置以外の途中の位置に存在している場合において、不用意に門扉が移動する事態を防止し、意識して門扉を開閉したい場合にのみ門扉を移動できるようにする。 - 特許庁
  • A first tie bar 10 is so provided as to enclose a first mold region in which an inside resin part 20 is formed, except for the gate region formed by the gate part 9.
    上記ゲート部９により形成されたゲート領域を除いて、内側樹脂部２０が形成される第１モールド領域を囲うように第１タイバー１０を設ける。 - 特許庁
  • In a method for manufacturing a semiconductor device having a gate insulating film, after the dummy gate pattern has been formed in a gate forming region on a semiconductor substrate, a first film is formed on the semiconductor substrate except for the dummy gate pattern, and a second film is formed on the first film, sequentially.
    ゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上のゲート形成領域にダミーゲートパターンを形成した後、ダミーゲートパターンを除いた半導体基板上に第１の膜と、第１の膜上に第２の膜とを順次形成する。 - 特許庁
  • In the MOSFET having a ring-shaped gate electrode, gate drawing wiring 5 connecting between the ring-shaped gate electrode 1 and a pad 6 for a gate contact is located on an area except for a drain area 2 and source area 3, that is, an element separating area 10.
    リング状のゲート電極を持つＭＯＳＦＥＴにおいて、リング状ゲート電極１とゲートコンタクト用パッド部６とを接続するゲート引き出し配線５は、ドレイン領域２及びソース領域３以外の領域、即ち、素子分離領域１０の上にて配置される。 - 特許庁
  • Etching is conducted in the manner that the silicon nitride film covers the upper part of the vertical transfer channel, and is projected to the upper part of gate except for the area near the drain.
    窒化シリコン膜が垂直転送チャネル上方を覆い、ドレイン近傍を除くゲート上方に張り出すようにエッチングする。 - 特許庁
  • The transfer gate 105 has, in a region except the region 105a, a configuration wherein a gate oxide film 1051, a polysilicon film 1052 and a silicide film 1053 are laminated in this order from a bottom side.
    転送ゲート１０５は、領域１０５ａを除く領域で、ゲート酸化膜１０５１とポリシリコン膜１０５２とシリサイド膜１０５３とが下から順に積層された構成となっている。 - 特許庁
  • The unit cell 6 includes a unit cell 6B formed near a gate pad 3 and a unit cell 6A formed in a place except for the unit cell 6B.
    このユニットセル６は、ゲートパッド３の近傍に形成されるユニットセル６Ｂと、それ以外の箇所に形成されるユニットセル６Ａとを含む。 - 特許庁
  • Thus, a multilayered gate electrode can be manufactured, without having to form a pattern for forming the gate electrode, except the low-resistance metal layer 30 on the refractory metal layer 14 and the manufacturing cost can be suppressed.
    このように、高融点金属層１４上に低抵抗金属層３０以外のゲート電極形成用パターン等を形成することなく多層ゲート電極を製造でき、製造コストを抑えることができる。 - 特許庁
  • Establishment of AND conditions of an AND gate 6 is evaded by performing OFF output of a logical gate 7 except when either of a signal (ADD) and a signal (NEXT) is at H (high level).
    信号（ＡＤＤ）と信号（ＮＥＸＴ）のいずれかがＨ（ハイレベル）になっている時以外は、論理ゲート７をＯＦＦ出力させて、ＡＮＤゲート６のＡＮＤ条件を成立させないようにする。 - 特許庁
  • N-type dose is selectively implanted with a mask to form an N source 201, further a trench for the gate is etched with a mask to form an insulating film 204, on which a polysilicon is deposited and flattened except for the gate 205.
    マスクにより選択的にＮ型ドーズを注入してＮソース２０１を形成し、更にマスクしてゲート用トレンチをエツチングして絶縁膜２０４を成膜の上ポリシリコンを堆積しゲート２０５を残して平坦化する。 - 特許庁
  • The film thickness of the gate insulating film of at least one transistor from among D2, D3, L2, L3 transistors, except for the first stage transistor D1 of the transistor group is thinner than the gate insulating film of the first state transistor.
    トランジスタ群の第１段トランジスタＤ１を除くトランジスタのうち少なくとも１つのトランジスタＤ２，３、Ｌ２，３のゲート絶縁膜１９の膜厚が、第１段トランジスタのゲート絶縁膜１４の膜厚にくらべて薄い。 - 特許庁
  • The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 11 having a recessed part 13 on the surface, a gate insulation film 20 formed along the recessed part 13, a gate electrode 21 formed on the gate insulation film 20, and a source 22 and a drain 23 formed on the surface of the semiconductor substrate 11 except the recessed part 13.
    表面に凹部１３を有する半導体基板１１と、この凹部１３に沿って形成されたゲート絶縁膜２０と、ゲート絶縁膜２０上に形成されたゲート電極２１と、凹部１３以外の半導体基板１１の表面に形成されたソース２２及びドレイン２３を有する。 - 特許庁
  • A manufacturing method is provided with a reduction process for reducing an aspect ratio of a partial region between gate electrodes and diffusion layers made to be lower than that of a region, except for the partial region between the gate electrodes, prior to the formation of an interlayer insulating film.
    層間絶縁膜を形成する前に、ゲート電極間かつ拡散層間の一部領域のアスペクト比を、このゲート電極間のこの一部領域以外の領域のアスペクト比より低減させる低減工程を備える。 - 特許庁
  • A field plate (340) is connected to a gate semiconductor (51), extending by a second distance (L2) toward the drain (302), and is isolated from the channel (351) via dielectric materials (318, 340) except the connecting part with the gate semiconductor (51).
    フィールドプレート（２４０）は、ゲート導体（５１）に接続されており、ドレーン（３０２）に向かって第２所定距離（Ｌ２）だけ延びており、ゲート導体（５１）との接続部を除き、誘電材料（３１８，３４０）によってチャンネル（３５１）から隔離されている。 - 特許庁
  • The drive transistor 6 and the switch transistor 5 can be formed separately by the manufacturing method that standardizes steps except the steps for forming the first gate electrode 6a of the drive transistor 6 and the second gate electrode 5a of the switch transistor 5.
    こうして、駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａと、スイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａを形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分ける。 - 特許庁
  • Thereby, electrons can be collided in a phosphor on an anode electrode even at a portion corresponding to a part except for the opening part of the gate electrode to suppress light emission unevenness.
    このため、アノード電極上の蛍光体において、ゲート電極の開口部以外に対応する部位であっても電子を衝突させることができ、発光ムラを抑えることができる。 - 特許庁
  • A shutter 3 is provided at the gate of the reticle transfer system 2, and the shutter 3 is closed so as to maintain airtight sealing, except when carrying in and carrying out the reticles.
    レチクル搬送系２の出入り口には、シャッタ３が設けられ、レチクルの搬入、搬出を行うとき以外はシャッタ３を閉じることにより気密性が保たれるようになっている。 - 特許庁
  • A common electrode 72 covers each of a plurality of drain bus lines 56 entirely, and also covers a gate bus lines 55 corresponding to a plurality of pixel regions except for predetermined areas.
    共通電極７２は、複数のドレインバスライン５６の各々の全面を覆うと共に、複数の画素領域の各々に対応するゲートバスライン５５の所定領域を除いて覆っている。 - 特許庁
  • The reception signal storage section 12 consists of registers placed in parallel, and a pre-stage of each register is provided with a gate circuit, that masks a signal input except in a signal write state.
    受信信号保持部１２は、並列配置された複数のレジスタからなり、各レジスタの前段には、信号書き込み時以外の信号入力をマスクするゲート回路が設けられる。 - 特許庁
  • The side-wall dielectric film 108 is located on a portion except the portion adjacent to the gate dielectric film pattern 104 among the side-walls of the first and second electrodes 107a, 107b.
    側壁絶縁膜１０８は、第１および第２電極１０７ａ，１０７ｂの側面のうちゲート絶縁膜パターン１０４に接している部分以外の部分に設けられている。 - 特許庁
  • In the case except for the prescribed game state, the recessed part 36A of the rotary member 36 is rotated from that inlet 40 to a discharge hole 42 and the pachinko ball is rolled to a gate 20 or the like on the center of a play board 2.
    所定の遊技状態以外の場合、回転部材３６の凹部３６Ａを、その入り口４０から排出口４２へ回転させ、遊技盤２の中央のゲート２０等へ転動させる。 - 特許庁
  • Consequently, the film thickness of the silicon oxide film 7a formed on the surface of the heavily doped area 6 becomes larger than that of the trench 5 except the terminal part, so that the gate reliability can be obtained.
    これにより、高濃度不純物領域６の表面に形成されたシリコン酸化膜７ａの膜厚がトレンチ５の終端部以外の部位よりも大きくなって、ゲート信頼性を得ることができる。 - 特許庁
  • A phosphosilicate glass is deposited and etched except for the upper part of gate 205 and source 201 to form an inter level dielectrics 207, over which a source metal 212 is deposited for function with a drain as a contact point.
    ホスシリケートガラスを堆積してソース２０１及びゲート２０５上部を残してエツチングしてインターレベル誘電体２０７を形成し、その上にソースメタル２１２を堆積してドレインを接点として機能させる。 - 特許庁
  • In this device, since an opening 17 is formed in the overcoat film 14 in the center region of an auxiliary capacitance electrode 4 except for the peripheral part, the pixel electrode 15 is formed on a gate insulating film 6.
    この場合、補助容量電極４の周辺部を除く中央部においては、オーバーコート膜１４に開口部１７が設けられていることにより、画素電極１５はゲート絶縁膜６上に設けられている。 - 特許庁
  • Since current due to the electromagnetic energy of the reactor 4 together with a rectified current from the diode bridge 3 flows into a capacitor 6 except the time period of IGBT gate voltage and consequently a conduction angle equivalently expands to improve the power factor.
    ＩＧＢＴゲート電圧の期間以外はダイオードブリッジ３からの整流電流と共にリアクタ４の電磁エネルギによる電流がコンデンサ６に流れるので、等価的に通電角が広がって力率が改善される。 - 特許庁
  • A person who has a train medium such as the commutation ticket or the coupon ticket except for tradable coupons puts it into an entering management machine 1 so that an entrance gate 4 is opened to make a vehicle 9 enter the parking lot.
    定期券や回数券等の金券以外の乗車媒体を所持している者は、それらを入庫管理機１へ投入することにより、入口ゲート４が開いて車両９を入庫することができる。 - 特許庁
  • Opposed gate ends are positioned on outer sides of channel ends respectively positioned closest to a video signal line side and a pixel electrode side of channel ends of a plurality of channel regions provided in series and at least one channel end except the channel ends is positioned closer to the gate ends.
    直列に設けれた複数個のチャネル領域のチャネル端のうち、映像信号線側及び画素電極側の最も近くに位置するチャネル端の外側に、対向するゲート端が位置し、当該チャネル端以外のチャネル端のうち少なくとも一つにおいて、チャネル端がゲート端のより近くに位置している。 - 特許庁
  • On the surface of the silicon substrate 11 except for a portion where the gate electrode 16 is formed, a shallow low-concentration diffusion layer 17 and a two-step layer composed of a shallow high-concentration diffusion layer 19 and a deep high-concentration diffusion layer 22 are formed.
    一方、ゲート電極１６の形成位置を除く、シリコン基板１１の表面部には、浅い低濃度拡散層１７、および、二段構造の浅い高濃度拡散層１９と深い高濃度拡散層２２とが形成されている。 - 特許庁
  • Convex parts 3 which respectively have equal distances to a center O are formed at least at trisected three places on a circumference except a position of an emission gate 9 and outer surfaces of these convex parts 3 are used as mounting moieties to the mirror frame.
    射出ゲート９の個所を除く円周上の少なくとも３等分した３ヶ所に夫々中心Ｏまでの距離を等しくした凸部３が形成され、これら凸部３の外面が鏡枠への取付部位とされている。 - 特許庁
  • The Ofune boko, also called the 'Gaisen funaboko,' was a grand boat-shaped hoko float that paraded at the end in the Ato no Matsuri; the Ofune boko was lost in a fire caused by Conspiracy of Hamaguri-gomon Gate in 1864 except for the object of worship of Empress Jingu and some of the objects used for decoration.
    後祭の最後尾を飾っていた壮大な船型の鉾で「凱旋船鉾」とも呼ばれていたが、元治元年（1864年）の蛤御門の変による大火で神功皇后の御神体や懸装品を残して消失。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The first interlayer insulating film 5 has a lower film 3 having a first recessed part 5a at least over one gate electrode 2 and coming into contact with the plurality of gate electrodes 2 and substrate 1, and an upper film 4 disposed on the lower film 3 except at the first recessed part 5a, and the second interlayer insulating film 6 is buried in the first recessed part 5a.
    第１の層間絶縁膜５は、少なくとも一つのゲート電極２上方に第１の凹部５ａを有すると共に、複数のゲート電極２及び基板１に接する下部膜３と、第１の凹部５ａ以外の部分において下部膜３上に配置された上部膜４とを有し、第１の凹部５ａ内に、第２の層間絶縁膜６が埋め込まれている。 - 特許庁
  • A reference update clock is passed through by being restricted to a period except the calibration period and initial clock pulse by a first clock gate circuit 109, a first update clock CLK1 is generated to be considered as an operation clock of a hit determination circuit 105.
    基準更新クロックを第１のクロックゲート回路１０９にてキャリブレーション期間であって最初のクロックパルスを除く期間に制限して通過させ、第１の更新クロックＣＬＫ１を生成してヒット判定回路１０５の動作クロックとする。 - 特許庁
  • The Ti/Au film 36 and the Au layer 38 on an SiN film 32 is etched back over its entirety by means of ion milling process, and a gate electrode 40 is formed as shown in Fig. (f) only on the gateopening 34 except for the metal layers 36, 38.
    続いて、ＳｉＮ膜３２上のＴｉ／Ａｕ積層膜３６及びＡｕ層３８をイオンミリング法で全面エッチバッグし、図２（ｆ）に示すように、ゲート開口３４のみに金属層３６／３８を残してゲート電極４０を形成する。 - 特許庁
  • To provide a bulky pigment-coated paper for printing, produceable in good production efficiency, hardly having defects of coating unevenness on the surface of the coated paper, and providing good finish of printing by a transfer-type coating machine referred to as a film sizer, a metering size press or the like except a gate roll.
    本発明の目的は、ゲートロールを除くフィルムサイザー、メタリングサイズプレス等と呼ばれる転写型塗工機によって、生産効率が良好で、塗被紙面上に塗被ムラの欠点がなく、印刷上りも良好な、嵩高な印刷用顔料塗被紙を得ることである。 - 特許庁
  • An insulating film 11 is formed on the exposed semiconductor surface except the semiconductor surface on which the drain electrode 10 and the source electrode 9 are formed and the semiconductor surface covered with the gate insulating film 7, so that all the exposed semiconductor surface is covered with the insulating film 11.
    ドレイン電極１０とソース電極９が形成された半導体表面及びゲート絶縁膜７で被覆されている半導体表面とを除く露出した半導体表面に、その露出した半導体表面がすべて覆われるように絶縁膜１１が形成される。 - 特許庁
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