「except gate」を含む例文一覧(59)

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  • Since the reflection body 3 has a housing part 3a which can house and shielding a gate 2a protruding from the first light guide 2, leakage light from the part except the light incidence part 21 and the light emission part 22 of the first light guide 2 can be effectively shielded.
    このとき、反射体３は、第１の導光体２から突出したゲート２ａを収容して遮蔽し得る収容部３ａを有することから、第１の導光体２の光入射部２１および光出射部２２を除く部位からの漏洩光が有効に遮蔽される。 - 特許庁
  • An AND gate AG for executing an AND operation of new trail data TDN and data read from the memory 9 during the trail erasing period retaining the new trail data TDN as it is and outputting it as updating trail data TDRN during a period except it, and a switch circuit SW2 are provided.
    トレール消去期間には新たなトレールデータＴＤＮとトレール消去データ用画像メモリ９から読み出されたデータとのＡＮＤ処理をし、それ以外の期間では新たなトレールデータＴＤＮをそのまま、更新用トレールデータＴＤＲＮとして出力するＡＮＤゲートＡＧ、スイッチ回路ＳＷ２を設ける。 - 特許庁
  • After a protective film 6 has been formed on the first insulation film 4 in the DRAM circuit region 11 and on the logic circuit region 12, except a prescribed region 51 of the diffusion layer 5 formed on the periphery of a specified gate electrode 3a, a silicide layer 7 is formed above the prescribed region 51 by salicide method.
    ＤＲＡＭ回路領域１１に形成された第１の絶縁膜４上と、所定のゲート電極３ａの周辺に形成された拡散層５の所定領域５１を除いたロジック回路領域１２上に、保護膜６を形成した後、所定領域５１の上部にシリサイド層７をサリサイド法により形成する。 - 特許庁
  • With an MOS type capacitor employed as a variable capacity element, a second conductive type diffusion region 15 is provided which covers a first conductive type high-concentration diffusion region 3 constituting a substrate electrode except for the vicinity of the end of a gate insulating film 5, so that a variable resistor is formed within the substrate electrode to enhance the capacitor change coefficient.
    可変容量素子をＭＯＳ型コンデンサとし、基板電極を構成する第１導電形の高濃度拡散領域３の周囲のうち、ゲート絶縁膜５の端付近以外を被う第２導電形の拡散領域１５を設けることにより、基板電極内に可変抵抗部分を形成して、容量変化率を助長する。 - 特許庁
  • Takayama originated before the Onin War, and it was a giant-float parading the streets of Kyoto before "Ofuneboko" (a different yamaboko), but in 1826 the ornaments of Takayama become grossly stained from the raindrops of a hard shower, so parading the float stopped and in 1864, a big fire broke out at "Hamagurigomon no Hen" (the rebellion at the Hamaguri Gate) and burned the float except for some of it's ornaments and "Goshintai" (object of worship in Shinto).
    応仁の乱以前に起源を持ち、大舩鉾の直前を巡行した大規模な曳山だったが、文政9年（1826年）に激しい夕立に遭って懸装品に甚だしい汚損を被ってしまい、休山していたところに元治元年（1864年）の蛤御門の変による大火で御神体と一部の懸装品を残して焼失。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The Taka yama originates before the Onin War; the Taka yama was a large-scale hikiyama (festival float) paraded just in front of the Ofune boko (decorative floats shaped after the vessel of Empress Jingu); the Taka yama was caught in a sudden heavy evening rain in 1826 causing great damage to the objects used for decoration; while being stored, the Taka yama was lost in fire caused by Conspiracy of Hamaguri-gomon Gate in 1864 except for the object of worship and some of the objects used for decoration.
    応仁の乱以前に起源を持ち、大舩鉾の直前を巡行した大規模な曳山だったが、文政9年（1826年）に激しい夕立に遭って懸装品に甚だしい汚損を被ってしまい、休山していたところに元治元年（1864年）の蛤御門の変による大火で御神体と一部の懸装品を残して焼失。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In the village, there are spots where it is difficult to stop and watch the festival, especially in front of the main gate of the Kurama-dera Temple where visitors are forbidden to stop, therefore it is difficult to get a good view of the portable shrine coming down the steps (except those who have something to do with ujiko (people under the protection of the local deity) or if you can watch the event from a house in the village.
    また、集落内は立ち止まって見学することが難しい場所もあり、特に鞍馬寺山門前は見学者が立ち止まることを禁止されるため、神輿が下るシーンなどをよく見える場所で見学することは難しい（一部の氏子関係者や、集落内の民家で見学する際はこの限りではない）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • A clock can be collected from a burst mode signal having a specific frequency by using one device which is similar to American patents No.5, 237, and 290 except that a delay line used in each oscillator with a gate is selected in a controllable state so that oscillators with gates can provide clock signals having multiple frequencies.
    各ゲート付き発振器内で用いられている遅延ラインがそれらゲート付き発振器がそれぞれ複数の周波数でクロック信号を提供することができるように制御可能に選択されることを除いては米国特許Ｎｏ．５，２３７，２９０と同様のひとつの装置を用いて、所定の周波数を有するバースト・モード信号からクロックを回収することができる。 - 特許庁
  • To provide an EPROM device which can improve datagram retention property in a single poly OTP (one time programmable) cell, and prevent leak of electron charged at a floating gate, and provide a semiconductor device which can secure the datagram retention property in the single poly OPT cell, and HCI and insulating properties in a transistor constituting a main chip in other regions except OTP cell region simultaneously, and its manufacturing method.
    シングルポリＯＴＰセルにおけるデータリテンション特性を向上させ、フローティングゲートに荷電された電子の漏れを防止できるＥＰＲＯＭ素子と、シングルポリＯＴＰセルにおけるデータリテンション特性を確保すると同時に、ＯＴＰセル領域を除いた他の領域でメインチップを構成するトランジスタにおけるＨＣＩ特性及び絶縁特性を確保できる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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