「film」を含む例文一覧(49991)
＜前へ 1 2 .... 990 991 992 993 994 995 996 997 998 999 1000- Film thickness is calculated through the fitting of spectral permeability calculated assuming film thickness and measured spectrum permeability.
膜厚を仮定して計算によって求められた分光透過率と実測された分光透過率のフィッティングにより、膜厚を求める。 - 特許庁 - The etching of the conductor film 3 which is the process object film is performed by etching using the mask pattern as a mask.
被加工膜である導体膜３のエッチングは、当該マスクパターンをマスクにしてのエッチングにより行う。 - 特許庁 - The valve reversing part 25a has an arcuate rotation guide face 25A formed at a level lower than a film reversing part 25b through which the film 20 passes.
バルブ反転部２５ａは、フィルム２０が通過するフィルム反転部２５ｂより低い位置に、円弧面状の回転案内面２５Ａが形成されている。 - 特許庁 - Since an amount of the resist liquid discharged to the wafer W becomes almost constant thereby, a liquid film of a stabilized film thickness can be formed.
これによりウエハＷに吐出されるレジスト液の量がほぼ一定となるので、安定した膜厚の液膜を形成することができる。 - 特許庁 - Then, with the W new creation film as the nucleus, by the CVD method, the W film is formed.
そして、Ｗニュークリエーション膜を核にしてＣＶＤ法によりＷ膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a film forming method capable of forming a silicon oxide film having a high density and a high stress on a workpiece surface.
被処理体の表面に高密度で且つ高い応力のシリコン酸化膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁 - Then the transistor has a gate insulating film and an electrode, stacked in order, in the region of the semiconductor film overlapping the cavity.
そして上記トランジスタは、半導体膜の空洞と重なる領域上に、順に積層されたゲート絶縁膜と電極とを有する。 - 特許庁 - An SiO2 film 3 of 100 Å or more thickness is formed on an Si substrate 2 by thermal oxidation, and a ZnO film 4 is c-axis-orientated thereon.
Ｓｉ基板２の上に熱酸化によりＳｉＯ_2膜３を１００Å以上の厚みに形成し、その上にＺｎＯ膜４をｃ軸配向させる。 - 特許庁 - The pattern is formed by using an unmagnified projection aligner at the same time when forming an aluminum wiring or a protection film (passivation film).
このパターンは、等倍投影露光装置を用いて、アルミ配線形成時あるいは保護膜（パッシベーション膜）形成時に同時に形成する。 - 特許庁 - The coating film having a sidewall is formed on the isolation insulating body 2 and has a film thickness equal to or less than that of the gate electrode 5.
被覆膜は、分離絶縁体２上に形成され、側壁を有し、ゲート電極５の膜厚以下の膜厚を有する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has a Ta2O5 thin film, having high permittivity and little leakage current, as a capacitor insulating film.
高誘電率でリーク電流の少ないTa_2O_5薄膜を容量絶縁膜とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The multicomponent film is deposited by sequentially coating liquid-based precursor compositions containing film components.
フィルム成分を含む液体前駆体組成物を順次コーティングすることによって多成分フィルムを堆積させる。 - 特許庁 - Next, an insulator film 112 is formed on the substrate 1 after forming a sacrificial film 111 to fill the gap between wires only in the wire densely forming area.
ついで、密の配線の形成領域にのみ配線間を埋め込む犠牲膜１１１を形成した後、基板１上に絶縁膜１１２を形成する。 - 特許庁 - A second insulating film (12) is located on the first insulating film in the groove, and has a density higher than the first density.
第２絶縁膜（12）は、溝内で第１絶縁膜上に設けられ、第１密度より高い第２密度を有する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a thin-film pattern, capable of more accurately and easily forming the thin-film pattern having the minute dimension.
微小な寸法を有する薄膜パターンをより高精度、かつ容易に形成することのできる薄膜パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND SYSTEM ON PANEL
多結晶シリコン薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタ、液晶表示装置およびシステムオンパネル - 特許庁 - PRINTED RESIN FILM, DECORATIVE BOARD LAMINATED WITH PRINTED RESIN FILM, AND UNIT BATH USING DECORATIVE BOARD
印刷樹脂フィルム、その印刷樹脂フィルムを積層した化粧板、及びその化粧板を用いたユニットバス - 特許庁 - Thus, the lens 20 is moved to the film surface side, and the focal position of the lens 20 is compensated on the film surface.
これにより、撮影レンズ２０がフイルム面側に移動され、撮影レンズ２０の焦点位置がフイルム面上に補正される。 - 特許庁 - A solar battery panel 1 is direct-coupled to the conductive paint film 2 to apply positive voltage to the conductive paint film 2 and negative voltage to the negative electrode 3.
太陽電池パネル１は、導電塗膜２に直結されており、導電塗膜２に正電圧を印加し、また、陰極３に負電圧を印加する。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element has a slanted end surface, on which an insulating film and a reflecting film are formed in sequence.
また、半導体発光素子を、傾斜した端面を持ち、その端面に順次絶縁膜および反射膜を形成したものとする。 - 特許庁 - The surface acoustic wave device has a pattern 1 for measuring the line width of the metal electrode film on a part of the metal electrode film.
金属電極膜の一部に、金属電極膜の線幅を測定するための線幅測定用パターン１を有する。 - 特許庁 - To realize the prevention of a water permeation from an inorganic film to a basic material and the high adhesive properties of the inorganic film, and as a result to display excellent durability.
無機塗膜から基材への透水の防止と無機塗膜の高い密着性とを実現し、ひいては優れた耐久性を発揮することができる。 - 特許庁 - An interlayer insulation film 4 is provided between the first-layer wiring 3 and the second-layer wiring 5, and the second- layer wiring 5 is covered with a protection insulation film 6.
第１層目配線３と第２層目配線５との間には、層間絶縁膜４が設けられ、第２層目配線５は、保護絶縁膜６で被覆される。 - 特許庁 - After that, a TFT and capacity are created on the Poly-Si film with superior uniformity and the Poly-Si film with large surface area, respectively.
その後、均一性の良いＰｏｌｙ−Ｓｉ膜上にＴＦＴを、表面積の大きなＰｏｌｙ−Ｓｉ膜上に容量をそれぞれ作製する。 - 特許庁 - After a metal film 15 is deposited on the surface of the semiconductor substrate, a drug solution is discharged from the rear surface of the semiconductor substrate to etch all the sacrifice film.
半導体基板の表面に金属膜１５を成膜した後、半導体基板の裏面から薬液を吐出し、犠牲膜を全てエッチングする。 - 特許庁 - Subsequently, a part of the TaN film 7 is polished by the CMP method and a whisker TaN film 7b is left.
その後、ＣＭＰ法によりＴａＮ膜７の一部を研磨して、ヒゲ状のＴａＮ膜７ｂを残存させる。 - 特許庁 - A tunnel insulating film 260 is formed on a sidewall of a floating gate 210, which is formed by etching the conductive layer with the between-gate oxide film as the mask.
ゲート間酸化膜をマスクとして導電層をエッチングし形成された浮遊ゲート210aの側壁にトンネル絶縁膜260を形成する。 - 特許庁 - A film 2 for resist application, such as titanic tungsten, is provided on a fluorocarbon-based resin substrate 1 for applying resist 3 onto the film (S1).
フッ素系樹脂基板１上にチタンタングステンなどのレジスト塗布用膜２を設け、その上にレジスト３を塗布する（Ｓ１）。 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING SOLDER FILM, HEAT SINK PROVIDED WITH SOLDER FILM, AND JOINED BODY OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND HEAT SINK
ハンダ皮膜の製造方法、ハンダ皮膜を備えたヒートシンク、および半導体素子とヒートシンクの接合体 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a glass film for an optical waveguide with which particles are not generated on the glass film.
ガラス膜上でのパーティクルの発生がない光導波路用ガラス膜の製造方法及びその製造装置を提供することを提供する。 - 特許庁 - The film-forming apparatus 10 further comprises a means for applying a predetermined bias voltage between the plasma-generating chamber 14 and the film-forming chamber 20.
成膜装置１０は、プラズマ発生室１４と成膜室２０との間に所定のバイアス電圧を印加する手段をさらに含む。 - 特許庁 - ROLLER FOR WEB MANUFACTURING DEVICE, MANUFACTURING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR FILM ROLL BY USE OF IT, AND FILM ROLL
ウェブ製造装置用ローラ、及びこれを用いたフィルムロールの製造装置、製造方法、フィルムロール。 - 特許庁 - An automatic film loader 11, an edge sensor 35, a picture plane sensor 36 and a 1st reservoir 12 are provided on the upstream side of a film carrier 13.
フィルムキャリア１３の上流側に、オートフィルムローダ１１、先端センサ３５、画面センサ３６、第１リザーバ１２を設ける。 - 特許庁 - ZINC OXIDE BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM FORMING MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THE MATERIAL, TARGET USING THE MATERIAL, AND METHOD FOR FORMING ZINC OXIDE BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an organic thin film, capable of forming a large-area single-crystal organic thin film on a substrate.
基板上に大面積の単結晶の有機薄膜を形成することができる有機薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A Cu film layer 6 is formed on an organic substrate 5, and Ni plating 7 and Au plating 8 are conducted, to form a film structure of a wiring pattern 10.
有機基板５上に、Ｃｕ膜層６を形成し、Ｎｉめっき７，Ａｕめっき８を施して、配線パターン１０の膜構成とする。 - 特許庁 - The greater the work function of a metallic electrode material is, the higher the discharge voltage is, and the thicker the film thickness of the conductive thin film, the higher the discharge voltage becomes.
電極金属材料の仕事関数が、大きいほど放電電圧が高く、また、導電性薄膜の膜厚が厚いほど放電電圧が高くなる。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING WHITE PEARLY MULTILAYER COATING FILM, AND COATED ARTICLE HAVING WHITE PEARLY MULTILAYER COATING FILM
白色パール調複層塗膜の形成方法、及び白色パール調複層塗膜を有する塗装物品 - 特許庁 - To provide a transparent film having a higher steam barrier than that of conventional film and not having deterioration of its barrier performance even on bending it.
従来よりも高い水蒸気バリア性能を持ちかつ曲げてもそのバリア性能が劣化しない透明フィルムを生産性良く提供する。 - 特許庁 - COLOR DIFFUSION TRANSFER FILM UNIT AND IMAGE FORMING METHOD USING COLOR DIFFUSION TRANSFER FILM UNIT
カラー拡散転写フイルムユニット及びカラー拡散転写フイルムユニットを用いた画像形成方法 - 特許庁 - ELIMINATING METHOD OF ORGANIC THIN FILM, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE METHOD, AND ELIMINATING EQUIPMENT OF ORGANIC THIN FILM USED FOR MANUFACTURING
有機薄膜の除去方法およびそれを用いた半導体装置と液晶表示装置の製造方法及びそれに用いる有機薄膜の除去装置 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
