「film」を含む例文一覧(49991)
＜前へ 1 2 .... 990 991 992 993 994 995 996 997 998 999 1000 次へ＞- To provide a film deposition method and a plasma film deposition apparatus for increasing the step coverage, and accordingly, keeping a throughput high.
ステップカバレジを向上させることができ、これによりスループットも高く維持することが可能な成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供する。 - 特許庁 - The presence of the thin film in the inspected object 20 and its film quality are judged based on the measured transmission luminous energy.
そして、この測定された透過光量にもとづいて、被検査物２０における薄膜の有無やその膜質が判断される。 - 特許庁 - In addition, the resin film 10 of the cover film 7, which becomes the outside while being bent, has an elastic modulus of 6 GPa or greater.
そして、屈曲時に外側となるカバーレイフィルム７の樹脂フィルム１０の弾性率が６ＧＰａ以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - In the microwave plasma treatment equipment 100, a precoat film is formed on the inner wall of the chamber before forming a film on a substrate G.
マイクロ波プラズマ処理装置１００は，基板Ｇへの成膜処理前にチャンバ内壁にプリコート膜を形成する。 - 特許庁 - The liner film remaining in the bottom part of the first contact hole, and the liner film remaining in the bottom part of the second contact hole, are removed thereafter.
次に、第１のコンタクトホールの底部に残存するライナー膜、及び第２のコンタクトホールの底部に残存するライナー膜を除去する。 - 特許庁 - The drying of the outer peripheral side of the coating film 34 is delayed by setting the outer peripheral side zone of the coating film 34 to a high steam concentration atmosphere.
塗膜３４の外周側領域は高濃度蒸気の雰囲気に設定して塗膜３４の外周側の乾燥を遅らせる。 - 特許庁 - Further the film obtained by this way is used as a transparent electrically conductive film 2 to constitute various solar cells such as a CdS/CdTe solar cell.
さらに、このようにして得られる膜を透明導電性膜として用いてＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池などの各種太陽電池を構成する。 - 特許庁 - To provide a stretch film packaging machine having a packaging control mechanism capable of performing the packaging by using a film of different nature.
性質の異なるフィルムを使用して包装することが出来る包装制御機構を備えたストレッチフィルム包装機を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a thin film piezoelectric resonator and a method for manufacturing the same for achieving the formation of the cavity of the thin film piezoelectric resonator and frequency adjustment with satisfactory controllability.
薄膜圧電共振子の空洞部の形成と周波数調整を制御性良く行う薄膜圧電共振子及びその製造方法。 - 特許庁 - An insulating lower film of silicon oxide is formed covering the gate electrode, and an upper film of silicon nitride is laminated thereon.
ゲート電極を覆う状態で、酸化シリコンからなる絶縁性下層膜を成膜し、さらに窒化シリコンからなる上層膜を当積層成膜する。 - 特許庁 - The metal silicide film 104 is formed on the polycrystalline silicon film 103 across the PN junction boundary 105.
多結晶シリコン膜１０３上にＰＮ接合境界１０５を跨ぐように金属シリサイド膜１０４が形成されている。 - 特許庁 - To improve the uniformity of the film thickness on an end part by forming a stable curtain film without freshly improving a device.
新たな装置の改良を必要とせず、安定なカーテン膜を形成し、端部での膜厚の不均一を改善することである。 - 特許庁 - To provide a hardenable resin composition giving a coating film having high hardness, excellent adhesiveness to plastics and excellent coating film dryability.
高硬度でかつプラスチックに対して優れた密着性を有し、塗膜乾燥性にも優れる塗膜を得ることができる硬化性樹脂組成物の提供。 - 特許庁 - Other film tools include a mitt, glove, cleaning cloth and a similar thing formed of a textured film of at least one layer.
その他のフィルム器具として、ミット、グローブ、洗浄用布、及び少なくとも１層の表面模様付きのフィルムから形成された類似物がある。 - 特許庁 - The second bottom face 45c of the pillar wall 45 is joined to a plasma oxide film 7 in a layer lower than the silicon nitride film 11 through the recessed opening 42.
柱状壁４５の第２の底面４５ｃは、凹状開口４２を介してシリコン窒化膜１１より下層のプラズマ酸化膜７に接合されている。 - 特許庁 - A copper wiring film and an insulating film, consisting of a low dielectric constant material are formed on the surface of the wafer W.
ウエハＷの表面には、銅配線膜および低誘電率材料からなる絶縁膜が形成されている。 - 特許庁 - The thin-film-forming apparatus is an apparatus for forming the thin film on the substrate through plasma treatment at atmospheric pressure.
本発明に係る薄膜形成装置は大気圧プラズマ処理により基材上に薄膜を形成する装置である。 - 特許庁 - To improve the film quality of a dielectric film constituting a storage capacitor provided for each pixel in an electrooptical device, for example, a liquid crystal device.
例えば液晶装置等の電気光学装置において、各画素に設けられた蓄積容量を構成する誘電体膜の膜質を向上させる。 - 特許庁 - To provide a view field selective film and to provide a method for manufacturing the film having prescribed selectivity for the view field and having various colors.
所定の視野選択性を有しカラーバリエーション豊富な視野選択性フィルム、および、その製造方法を提供する。 - 特許庁 - ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE RESIN COMPOSITION FOR FILM-PROTECTIVE LAYER, AND FILM AND OPTICAL SHEET USING THE COMPOSITION
フィルム保護層用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、それを用いたフィルム及び光学シート - 特許庁 - The electronic component has a layer of a pattern as an interlayer insulation film layer or a surface protective film layer in an electronic device.
電子部品は、電子デバイス中にパターンの層を層間絶縁膜層又は表面保護膜層等として有する。 - 特許庁 - A silicide film is arranged on the surface of the source/drain region and is extended to the element isolation insulating film.
シリサイド膜は、ソース／ドレイン領域の表面上に配設され、素子分離絶縁膜上まで延在する。 - 特許庁 - The high dielectric element 5 is easily reduced in mounting area by employing a thin film type film adhesive tape or the like.
高誘電体素子５は、薄膜状のフィルム粘着テープ等を用いることで、実装面積を小さくすることが容易である。 - 特許庁 - MEASUREMENT DEVICE FOR FILM CARRIER TAPE FOR MOUNTING ELECTRONIC COMPONENT, AND MEASUREMENT METHOD OF FILM CARRIER TAPE FOR MOUNTING ELECTRONIC COMPONENT
電子部品実装用フィルムキャリアテープの測定装置および電子部品実装用フィルムキャリアテープの測定方法 - 特許庁 - To enhance power generation efficiency by facilitating to increase optical intensity on the interface of a p-type Si film and an n-type Si film.
本発明は、該ｐ型Ｓｉ膜とｎ型Ｓｉ膜との界面の光強度を上げやすくして発電効率を高めることを課題とする。 - 特許庁 - In a driver LSI arranged region 6a, a film wall 15 is formed of a film member so as to surround the plurality of Au bumps 7.
ドライバーＬＳＩ配置領域６ａにおいて、複数のＡｕバンプ７を取り囲むように膜部材により膜壁部１５を形成する。 - 特許庁 - The heater electrode has recess structure, and the heater electrode and a phase change film are brought into contact with each other in an area surrounded by the side wall insulation film.
ヒータ電極をリセス構造とし、サイドウォール絶縁膜に囲まれた領域において、ヒータ電極と相変化膜とを接触させる。 - 特許庁 - To provide a light control film which suppresses deterioration in light transmittance to heat, and a light control material capable of forming the light control film.
熱に対する光透過率の低下を抑えた調光フィルム、及び該調光フィルムを形成可能な調光材料の提供。 - 特許庁 - An oxide-film removing process removing a solder oxide film formed on the surface of a solder ball 7 for the BGA 8 is carried out in the burn-in process.
その後、バーンイン工程でＢＧＡ８の半田ボール７の表面に形成された半田酸化膜を除去する酸化膜除去工程を実施する。 - 特許庁 - Contacts 6a, 6b electrically connected to the conductive film 5 are formed, respectively, on the outer faces of both ends 4a, 4b of the resin film 4.
樹脂フィルム４の両端４ａ，４ｂの外面にそれぞれ導電膜５に導通する接点６ａ，６ｂを形成する。 - 特許庁 - POWDER COATING MATERIAL COMPOSITION USED FOR SPECIFIC METHOD FOR FORMING FILM AND TONING THEREOF AND FORMATION OF FILM USING THE SAME POWDER COATING MATERIAL COMPOSITION
特定の皮膜形成法に使用される粉体塗料組成物、その調色方法及びその粉体塗料組成物を用いる皮膜形成方法 - 特許庁 - Each contact plug 34 is formed by implanting an n^+-type poly-Si film 17 and a tungsten film 18 in respective films 13-16.
各膜１３〜１６膜内にｎ^＋型ポリＳｉ膜１７およびタングステン膜１８を埋め込んでコンタクトプラグ３４を形成する。 - 特許庁 - A label 18 of recording information on a film sheet 3 is stuck to an inner surface of a paper tube 4 of a film sheet roll 2.
フィルムシートロール２の紙管４内面に該フィルムシート３に係る情報が記録されたラベル１８が貼付されている。 - 特許庁 - The insulating layer 34 functions as a protective film (first protective film) for covering the lower surface (a surface at a side opposite to the semiconductor chip 10) of the circuit formation region A1.
絶縁層３４は、回路形成領域Ａ１の下面（半導体チップ１０と反対側の面）を覆う保護膜（第１保護膜）として機能する。 - 特許庁 - To provide a method of depositing a SiNx layer and an a-Si layer on a thin film transistor(TFT) substrate at a sufficient deposition rate keeping high film quality.
ＴＦＴ基板上にＳｉＮ_Ｘ層及びａ−Ｓｉ層を充分な堆積速度で堆積し、膜品質を極高く維持する方法を提供する。 - 特許庁 - ANTISTATIC PRINTING INK FOR PLASTIC FILM AND PLASTIC FILM PRINT PRINTED BY USING THE INK
帯電防止性プラスチックフィルム用印刷インキ及びこのインキを用いて印刷されたプラスチックフィルム印刷物 - 特許庁 - To provide a method for producing an amorphous carbon thin film, wherein the amorphous carbon thin film can be produced easily and inexpensively.
簡易にしかも安価に作製することができるアモルファスカーボン薄膜作製方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING FILM OF CARBON NANOTUBE, CARBON NANOTUBE FILM FORMED BY THE METHOD AND ELECTRIC FIELD ELECTRON RELEASE SOURCE USING THE SAME
カ—ボンナノチュ—ブのフイルム化方法、その方法によりフィルム化されたカ—ボンナノチュ—ブ及びこれを用いた電界電子放出源 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING CORELESS FILM ROLL FOR PACKAGING, AND CUBIC PACKAGING MACHINE USING THE SAME FILM ROLL
包装用芯なしフィルムロールの製造方法とその装置及びそのフィルムロール用いた立体包装機 - 特許庁 - To prevent a ferroelectric film from being deteriorated, and to prevent the reliability of a wiring film from being decreased in a ferroelectric element.
強誘電体素子において、強誘電体膜の劣化を防止するとともに、配線膜の信頼性の低下を防止することにある。 - 特許庁 - The memory device also comprises a first metal wiring 13 formed on the insulating film, and a first buffer film 14 covering the wiring 13.
第２層間絶縁膜上には第１金属配線１３を形成し、この第１金属配線１３を第１バッファ膜１４が覆う。 - 特許庁 - As the hybrid coating film which constitutes the surface layer 3, a coating film, wherein silica nano-fine particles are compounded with organic coating, is preferable.
表面層３を構成するハイブリッド塗膜としては、有機塗料中にシリカナノ微粒子を配合したものが好適である。 - 特許庁 - To produce a thin film having a uniform thickness even when a multilayer structure of thin film is formed.
多層の薄膜の積層構造を構成する場合であっても、膜厚の均一な薄膜の製造を可能にする。 - 特許庁 - To provide a transparent gas barrier film having a gas barrier film, which has high gas barrier properties even if thin, formed thereon.
薄くても高いガスバリア性を有するガスバリア膜が形成された透明ガスバリアフィルムを提供する。 - 特許庁 - Preferably, the sum of the average thickness of the oxide film 3 and the average thickness of the metallic film 4 is 0.02-2.5 μm.
また、酸化物被膜３の平均厚さと金属被膜４の平均厚さとの和は、０．０２〜２．５μｍであるのが好ましい。 - 特許庁 - A first gate insulating film and a first metal-containing film are sequentially stacked all over a substrate with an element separator formed thereon.
本発明では、素子分離が形成された基板全面に第１ゲート絶縁膜と第１金属含有膜を順次にスタックする。 - 特許庁 - After a semiconductor layer 22 is subjected to pattern formation on a glass substrate 20, a gate insulating film 33 is formed, and then a metal film 24 is formed.
ガラス基板２０上に半導体層２２をパターン形成後ゲート絶縁膜２３を成膜した後金属膜２４を成膜する。 - 特許庁 - A liner layer 9 of SiN film or the like is not provided between the side of a side wall spacer 6 and an interlayer insulating film 12.
ＳｉＮ膜等からなるライナー層９を、サイドウォールスぺーサ６の側面と層間絶縁膜１２との間には形成しない。 - 特許庁 - The film excellent in planarity can be obtained by the suppression of the foaming of the solvent in the vicinity of both side ends and the inside of the cast film 80.
流延膜８０の内部や両側端部近傍で溶媒が発泡するのを抑制して、平面性に優れたフイルムを得ることができる。 - 特許庁 - SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, METHOD FOR MONITORING GENERATION OF ARCING IN SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, METHOD FOR DEPOSITING TUNGSTEN THIN FILM AND TUNGSTEN THIN FILM DEPOSITING DEVICE
基板処理装置、基板処理装置におけるアーキング発生監視方法、タングステン薄膜作成方法及びタングステン薄膜作成装置 - 特許庁
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