「first layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 473 474 475 476 477 478 479 480 481 .... 489 490 次へ＞- A semiconductor device 100 include: an interlayer dielectric 108 formed over a substrate 101; an electric fuse 150 comprising first wiring 120 formed in the interlayer dielectric 108 and having a cut portion 152; and second wiring 126 and third wiring 128, which are formed respectively on both sides of the cut portion 152 while extending along the cut portion 152, in the same layer as the first wiring 120.
半導体装置１００は、基板１０１上に形成された層間絶縁膜１０８と、層間絶縁膜１０８中に形成された第１の配線１２０により構成され、被切断部１５２を有する電気ヒューズ１５０と、第１の配線１２０と同層において、被切断部１５２の両側方に、それぞれ、被切断部１５２に沿って延在して形成された第２の配線１２６および第３の配線１２８と、を含む。 - 特許庁 - The resin structure has a resin layer formed by subjecting the first coating film formed on a substrate made of a resin composition comprising an epoxy resin and/or an oxetane resin being solid at ordinary temperatures, a photoacid generator and an organic solvent and the second coating film formed on the first coating film with a resin composition containing a cation-polymerizable modified silicone to simultaneous exposure to light for development.
常温で固体のエポキシ樹脂及び／又はオキセタン樹脂、光酸発生剤及び有機溶剤を含む樹脂組成物からなる基材上に形成された第１の塗膜と、カチオン重合可能な変性シリコーンを含有する樹脂組成物によって前記第１の塗膜上に形成された第２の塗膜とを一括露光、又は一括露光と現像して形成した樹脂層を有することを特徴とする樹脂構造体。 - 特許庁 - The display filter 110 to be disposed in a front side of a display panel includes: a transparent substrate 111; a first polarizing film 112, which is supported by the transparent substrate 111 and which allows only a component of incident ambient light to be transmitted, the component parallel to a first polarization axis; and further an ambient light shield layer, which blocks UV light and IR light included in the incident ambient light.
ディスプレイパネルの前方に具備されるディスプレイフィルター１１０であって、透明基板１１１、及び前記透明基板１１１に支持され、入射した外部環境光の成分のうち第１の偏光軸に平行な成分のみを透過させる第１の偏光フィルム１１２、を含み、入射した外部環境光に含まれた紫外線と赤外線を遮蔽する外光遮蔽層を更に含む。 - 特許庁 - The thermal transfer system 10 includes: a delivering unit 16 sending out the ink ribbon 13; a first transfer device 17 arranged downstream of the delivering unit 16; a winding unit 21 arranged downstream of the first transfer device 17 and winding up the ink ribbon 13 completing ink transfer; and a second transfer device 22 provided in the vicinity of the winding unit 21 and heating the ink ribbon 13 completing ink transfer from a support layer 11 side.
熱転写システム１０は、インクリボン１３を送り出す送出部１６と、送出部１６の下流側に配置された第１転写装置１７と、第１転写装置１７の下流側に配置され、インク転写済のインクリボン１３を巻き取る巻取部２１と、巻取部２１の近傍に設けられ、インク転写済のインクリボン１３を支持層１１側から加熱する第２転写装置２２と、を備えている。 - 特許庁 - The liquid crystal display device includes a light source, a first polarizer, a first transparent film, a liquid crystal cell having a pair of transparent substrates and a polymeric stabilized blue phase liquid crystal disposed therebetween, a second transparent film, and a second polarizer, disposed in this order, and is characterized in that one of the pair of transparent substrates is an array substrate and that no color filter layer is disposed on the other transparent substrate.
光源、第１の偏光子、第１の透明フィルム、一対の透明基板とその間に配置される高分子安定化ブルー相液晶とを有する液晶セル、第２の透明フィルム、及び第２の偏光子がこの順に配置され、一対の透明基板のいずれか一方が、アレイ基板であり、且つ他方の透明基板にカラーフィルタ層が配置されていないことを特徴とする液晶表示装置である。 - 特許庁 - In the organic TFT element having a first and a second transistor each including a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer connecting the electrodes to each other, cells which are formed of regions between electrodes of the first and second transistors and in a length direction of the electrodes and where organic semiconductor layers are disposed are all in the same shape and intervals between adjacent cells are all constant.
ソース電極及びドレイン電極並びに前記電極間を接続する有機半導体層を含む第１及び第２のトランジスタと、を有する有機ＴＦＴ素子において、第１及び第２のトランジスタの電極間及び電極の長手方向の領域とで形成され有機半導体層が配置されるセルは全て同一形状でありかつ隣り合うセルの間隔は全て一定であることで解決できる。 - 特許庁 - In the multi-layer molding comprising the first and second members, a first member mainly comprises polyethylenenaphthalate, and a second member mainly comprises a polyester comprising 2,6-naphthalene dicarboxylic acid units, bis[4-(hydroxyethoxy)phenyl]sulfone units, and 2-4C aliphatic glycol units in which the bis[4-(hydroxyethoxy)phenyl] sulfone units occupy 20-60 mol% of the total glycol units.
第１の部材と第２の部材とよりなる多層成形物において、第１の部材が主としてポリエチレンナフタレートからなり、第２の部材が、主として、２，６−ナフタレンジカルボン酸単位とビス［４−（ヒドロキシエトキシ）フェニル］スルホン単位と炭素原子数２〜４の脂肪族グリコール単位とよりなるポリエステルであって、ビス［４−（ヒドロキシエトキシ）フェニル］スルホン単位が全グリコール単位中の２０〜６０モル％を占めるポリエステルからなるようにする。 - 特許庁 - To provide a control method of an electric heating device with extremely high safety having a heating element formed by winding a secondary heating conductor around a first heating conductor through an insulation layer, capable of quickly detecting a short-circuit between the first heating conductor and the second heating conductor, and stopping current supply upon the detected short-circuit.
第１発熱導体の周囲に絶縁層を介して第２発熱導体を巻いた発熱体を有する電気採暖具において、第１発熱導体と第２発熱導体の短絡の発生を迅速に検出でき、この短絡の発生の検出によりこれらの発熱体に供給する電流を停止できる、極めて安全性の高い電気採暖具の電流制御方法及び電気採暖具を提供する。 - 特許庁 - The reflector 10 is characterized by having a double sided adhesive sheet 18 comprising a transparent film substrate 15 provided with first and second adhesive layers 16, 17 on both surfaces and joined to a reflection substrate 13 with a plurality of recessing parts formed on the surface via the first adhesive layer 16, the method for manufacturing the same and the liquid crystal display device provided with the reflector 10.
本発明は、表面に複数の凹部が形成された反射基板１３上に、透明のフィルム基板１５の両面に第１粘着層１６と第２粘着層１７とを備える両面粘着シート１８が、前記第１粘着層１６を介して接合されたことを特徴とする反射体１０及びその製造方法、並びに係る反射体１０を備えた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - The process for fabricating a ridge type semiconductor laser comprises a step for forming a structure of a plurality of semiconductor layers including an active layer on a substrate, a step for forming a first electrode having a width narrower than that of the multilayer structure on the surface thereof, and a step for forming a ridge structure by etching the multilayer structure using the first electrode as a mask.
本発明による製造方法は、基板上に活性層を含む複数の半導体層を積層して積層構造を形成する積層構造形成ステップと、その積層構造の表面において、積層構造よりも狭い幅を有する第１の電極を形成する第１電極形成ステップと、第１の電極をマスクとして積層構造をエッチングし、リッジ構造を形成するリッジ構造形成ステップとを含む。 - 特許庁 - The rear projection screen is equipped with an optical unit having a first surface provided with a plurality of columnar convex lenses and a second surface installed relatively to the first surface and provided with a plurality of irregular projecting parts and a light shielding layer having a plurality of strip-like light absorption units adjacent to the second surface, and an optical lens positioned adjacent to the optical unit.
本発明に係わる背面投射型スクリーンは、複数の柱状凸面レンズが設けられた第１表面と前記第１表面と相対的に設置され複数の不規則的な突出部が設けられら第２表面とを有する光学ユニットと、前記第２表面に隣接され複数の条状光吸収ユニットを有する遮光層と、前記光学ユニットに隣接される光学レンズとを備える。 - 特許庁 - The multidomain liquid crystal display device consists of a first substrate 31 and a second substrate 33 on which pixel regions are formed, a liquid crystal layer formed between the substrates 31 and 33, a first dielectric structure 53 formed on one of the pixel region, a second dielectric structure 53 formed on the other pixel region, and a third dielectric structure 53 formed between these dielectric structures 53.
画素領域が形成された第１基板３１及び第２基板３３と、これら基板３１，３３の間に形成された液晶層と、画素領域の一方に形成された第１誘電体構造物５３と、画素領域の他方に形成された第２誘電体構造物５３と、これらの誘電体構造物５３の間に形成された第３誘電体構造物５３とからなるマルチドメイン液晶表示素子を提供する。 - 特許庁 - In the semiconductor device having an insulation film structure where an organic insulation film is laid on an inorganic insulation film, the insulation film structure has a moisture absorbing first insulation film 12, a second insulation film 13 formed on the first insulation film 12 in order to reduce permeation of moisture to the upper layer, and an organic insulation film 14 formed on the second insulation film 13.
無機絶縁膜上に有機絶縁膜を積層した絶縁膜構造を有する半導体装置において、絶縁膜構造は、吸湿性を有する第１の絶縁膜１２と、前記第１の絶縁膜１２上に形成された上層への水の透過を減少させる第２の絶縁膜１３と、前記第２の絶縁膜１３上に形成された有機絶縁膜１４とを有する半導体装置である。 - 特許庁 - The multilayered capacitor C1 includes: a laminate 1 for which an insulator layer 20 is laminated; first and second terminal electrodes 10 and 11 provided on the outer surface of the laminate 1; internal electrodes provided inside the laminate 1 and connected to the first terminal electrode 10 at one end face; and internal electrodes provided inside the laminate 1 and connected to the second terminal electrode 11 at one end face.
積層コンデンサＣ１は、絶縁体層２０が積層された積層体１と、積層体１の外表面に設けられた第１及び第２の端子電極１０，１１と、積層体１内に設けられると共に一端面が第１の端子電極１０に接続された内部電極と、積層体１内に設けられると共に一端面が第２の端子電極１１に接続された内部電極とを備えている。 - 特許庁 - In individual regions corresponding to pixels on a surface of an alignment layer constituting the substrate for aligning the liquid crystal used in a liquid crystal panel for display in the multidomain mode liquid crystal display device, a plurality of hydrophilic regions containing at least a first hydrophilic part which is relatively more hydrophilic and a second hydrophilic part which is relatively less hydrophilic and is connected to the first hydrophilic part are regularly formed.
マルチドメイン方式の液晶表示装置の表示用液晶パネルに使用される液晶配向用基板を構成している配向膜の表面のうちで画素に対応する個々の領域内に、相対的に高親水性の第１親水部と該第１親水部に連なる相対的に低親水性の第２親水部とを少なくとも含んでいる親水性領域を複数、規則的に形成する。 - 特許庁 - The apparatus comprises; a second electrodes opposed to the plurality of the first electrodes and interposing a light emitting layer with the first electrodes; and wiring for the second electrodes which extend to a neighboring area from the area other than the neighboring area in a peripheral area and which have a contact part connected to a part of the second electrodes, being extended to the neighboring area and formed in the neighboring area.
画素毎に形成された複数の第１電極に対向すると共に、該第１電極との間に発光層を挟持する第２電極と、周辺領域のうち隣接領域以外の領域から隣接領域に延在すると共に、隣接領域において該隣接領域に延在して形成された第２電極の一部分と接続されるコンタクト部を有する第２電極用配線とを備える。 - 特許庁 - The photodetector (100) has a first phototransistor (102) which includes germanium, and is structured such that it generates an output current signal in response to incident light, a second phototransistor (104), that is electrically linked to the first phototransistor to generate a reference current signal, and an opaque layer that covers the second phototransistor to shield incident light so as to make the reference signal independently of the incident light.
光検出器（１００）は、入射光に応答して出力電流信号を生成する構成でゲルマニウムを含む第１のフォトトランジスタ（１０２）と、第１のフォトトランジスタに電気的に結合し基準電流信号を生成する第２のフォトトランジスタ（１０４）と、第２のフォトトランジスタを覆って入射光を遮蔽して前記基準電流信号を前記入射光から独立させる不透明層とを備える。 - 特許庁 - A first internal electrode 50 is connected to two external terminal electrodes 56 and 57 adjoining at edge position and the external terminal electrode 61 on the side surface 46, while a second internal electrode 51 facing the first internal electrode 50 with a dielectrics layer 49 is connected to two adjoining external terminal electrodes 58 and 59 at edge position and the external terminal electrode 60 on the side surface 44.
第１の内部電極５０を、隣り合う２つの稜位置の外部端子電極５６，５７と側面４６上の外部端子電極６１とに接続するとともに、第１の内部電極５０に誘電体層４９を介して対向する第２の内部電極５１を、隣り合う他の２つの稜位置の外部端子電極５８，５９と側面４４上の外部端子電極６０とに接続する。 - 特許庁 - A semiconductor memory device includes an insulating film of high dielectric constant has first and second impurity regions formed on a semiconductor substrate, an insulating film, formed in contact with the first and the second impurity regions on the semiconductor substrate from among at least one among Hf silicate, Zr silicate, Y silicate or lanthanum-based metal silicate, and a gate electrode layer formed on the insulating film.
半導体基板にそれぞれ形成された第１及び第２不純物領域と、半導体基板上に第１及び第２不純物領域とそれぞれ接して形成され、Ｈｆシリケート、Ｚｒシリケート、Ｙシリケートまたはランタン系金属シリケートのうち少なくとも何れか一つの物質を含む絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を含む高誘電率の絶縁膜を含む半導体メモリ素子。 - 特許庁 - In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.
本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとを加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁 - The semiconductor device 1 is provided with two capacitor electrodes 11 which are formed with an interval from each other and have conductive impurities of first conductivity types, and an electrode isolating film 14 which is positioned between the two capacitor electrodes 11 and constituted of the same layer as the two capacitor electrodes 11 and has conductive impurities of second conductivity types different from the first conductivity types.
半導体装置１は、互いに距離を隔てて形成され、第１導電型の導電性不純物を含む２つのキャパシタ電極１１と、２つのキャパシタ電極１１の間に位置し、２つのキャパシタ電極１１と同一レイヤによって構成されるとともに、第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の導電性不純物を含む電極分離膜１４とを備える。 - 特許庁 - The mixing apparatus comprises an oil tank 1, a first feeding means for feeding a fuel oil to the oil tank 1 and a second feeding means for feeding the waste edible oil to the oil tank, where either one of the first and the second feeding means feeds the fuel oil or the waste edible oil through a cavitation nozzle 11 inserted into the oil layer to accelerate reforming of the waste edible oil.
油槽１と、この油槽１に燃料油を供給する第１の供給手段と、油槽に廃食用油を供給する第２の供給手段とを有し、第１の供給手段と第２の供給手段のいずれか一方は、油層内に挿入されたキャビテーションノズル１１から燃料油または廃食用油を供給することにより、廃食用油の改質を促進させることができる。 - 特許庁 - The aluminum electroplating method includes a first stage aluminum electroplating step for forming the aluminum plating film on the material to be plated, a non-conducting step for forming an electric insulating layer on the surface of the aluminum plating film and a second stage aluminum electroplating step for forming the aluminum plating film on the surface of the material where the aluminum plating film is not formed in the first stage aluminum electroplating step.
被めっき物にアルミニウムめっき皮膜を形成する第一段電解アルミニウムめっき工程と、前記アルミニウムめっき皮膜の表面に電気絶縁層を形成する不導体化工程と、第一段電解アルミニウムめっき工程でアルミニウムめっき皮膜が形成されない被めっき物の表面にアルミニウムめっき皮膜を形成する第二段電解アルミニウムめっき工程とを備える電解アルミニウムめっき方法。 - 特許庁 - Then in manufacturing the first insulating film 2, the first semiconductor layer 3 and the second insulating film 4, the material which does not contain carbon in molecule composition is used.
第２絶縁膜に被覆された第１半導体層を溶融再結晶化する工程と、第２絶縁膜を除去することにより、溶融再結晶化により粒径拡大された第１半導体層を露出させる工程と、露出した第１半導体層の上に、第２半導体層をエピタキシャル成長する工程とを備えてなり、第１絶縁膜、第１半導体層および第２絶縁膜の作製においては、分子組成に炭素を含まない材料を用いる。 - 特許庁 - The fuel cell X1 comprises a fuel cell body 10 equipped with a first electrode 11 for oxidizing a fuel, a second electrode 12 for reducing oxygen, and an electrolyte layer 13 held between the first electrode 11 and the second electrode 12; and an opening and closing device 20 which can select an opened state for permitting feed of the fuel and a closed state for stopping the feed.
燃料電池Ｘ１において、燃料を酸化するための第１電極１１、酸素を還元するための第２電極１２、並びに、第１電極１１および第２電極１２に挟まれた電解質層１３を備える燃料電池本体１０と、第１電極１１への燃料の供給を許容するための開状態および停止するための閉状態を選択可能な開閉装置２０とを具備する。 - 特許庁 - After gelling of the first coating layer, the first and second coating layers are dried and formed.
フィルムマスクを被処理物表面に配置した後、エッチング処理を施して、被処理物の表面に凹凸を形成するエッチングする表面処理方法に利用される、表面処理用マスクとしてのフィルムマスクを、基材上に結着剤及びゲル化剤を含む第１塗布層と粒子を含む第２塗布層とをこの順で略同時に塗布形成し、前記第１塗布層をゲル化させた後、前記第１塗布層及び前記第２塗布層を乾燥させて、前記フィルムマスクを形成する。 - 特許庁 - The electrode for a secondary battery according to the present invention includes: a porous collector formed of a conductive material; first active material layers which are disposed in pores of the porous collector and have a first active material capable of reversibly storing/releasing lithium; and a second active material layer which is disposed on a surface of the porous collector and has a second active material made of a carbon material.
本発明の二次電池用電極は、導電性を有する材質により形成された多孔質集電体と、多孔質集電体の細孔内に配置された、リチウムを可逆的に吸蔵・放出可能な第一の活物質を有する第一の活物質層と、多孔質集電体の表面に配置された炭素材料よりなる第二の活物質を有する第二の活物質層と、を有することを特徴とする。 - 特許庁 - The method for manufacturing a compound semiconductor comprises a first heating step for heating a GaN single crystal substrate 2 under a first gas atmosphere containing at least hydrogen gas, a second heating step for heating the GaN single crystal substrate 2 under a second gas atmosphere containing at least ammonia, and an epitaxial growth step for forming a nitride compound semiconductor layer 3 on the GaN single crystal substrate 2.
本発明による化合物半導体の製造方法は、少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第１加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物半導体層３を形成するエピタキシャル成長工程とを含む。 - 特許庁 - The electric double-layer capacitor includes a first collector electrode 11 as a positive electrode, having a rolled electrode 12 on one side and a coated electrode 13 on the other side, a second collector electrode 21 as a negative electrode, having a rolled electrode 22 on one side and a coated electrode 23 on the other side, and a separator 1 interposed between the first collector electrode 11 and the second collector electrode 21.
一方の側に圧延型電極１２を形成し他方の側に塗布型電極１３を形成して正極とした第１集電極１１と、一方の側に圧延型電極２２を形成し他方の側に塗布型電極２３を形成して負極とした第２集電極２１と、上記第１集電極１１と第２集電極２１との間に介挿されたセパレータ１とを具備する。 - 特許庁 - Of a plurality of diffused layer regions 2 and 3 formed within a semiconductor device 10, the region 2 has impurity concentration higher than that of the other region 3, and the sectional area of a first contact wiring layer 4 for connection to the region 2 having the higher impurity concentration is arranged to be larger than that of a second contact wiring layer 5.
半導体装置内に形成された複数の拡散層領域２、３の内の少なくとも一部の拡散層領域２に於ける不純物濃度が、その他の部分に於ける拡散層領域３に於ける不純物濃度よりも高くなる様に構成されており、且つ当該不純物濃度の高い拡散層領域２に接続される第１のコンタクト配線４の断面積が、当該不純物濃度の低い拡散層領域３に接続される第２のコンタクト配線５の断面積よりも大きくなる様に構成されている半導体装置１０。 - 特許庁 - This optical semiconductor integrated device comprises a mesa stripe 6 including an upper clad layer 5 laminated on the optical waveguide 4 and having side faces insulated by a high resistance embedded layer 7, and first and second electrodes 12a, 12b provided on the upper surface of the mesa stripe 6 via a separating zone 10.
光導波路４上に積層された上部クラッド層５を含み、その側面が高抵抗の埋込み層７により絶縁されたメサストライプ６と、そのメサストライプ６の上面に分離帯１０を介して設けられた第１及び第２の電極１２ａ、１２ｂとを有する光半導体集積素子において、分離帯１０でのメサストライプ６の最小幅を、第１の電極１２ａ下の最大幅及び第２の電極１２ｂ下の最大幅より狭く構成する。 - 特許庁 - The sintering degree of a second material which is a security layer material is set lower than the sintering degree of a third material which is an internal electrode material, the sintering degree of each of the second material and the third material, and/or a sintering degree of a surface between the second material and the third material, and a sintering degree of a first material which is a piezoelectric ceramic layer material.
前記課題は、セキュリティ層材料である第２の材料の焼結度を、内部電極材料である第３の材料の焼結度と、該第２の材料および第３の材料それぞれにおける焼結を示す焼結度および／または該第２の材料と第３の材料との間の表面における焼結を示す焼結度と、圧電セラミック層材料である第１の材料の焼結度より低くすることによって解決される。 - 特許庁 - The method for forming a semiconductor layer on the substrate comprises a first step of generating a three-dimensional nucleus made of a semiconductor material crystal on the substrate with low nucleus density, and a second step of performing crystal growth of the three-dimensional nucleus generated on the substrate in a crosswise growth mode, fusing the three- dimension nucleus for forming a semiconductor layer made of a semiconductor substance crystal on the substrate.
基板上に半導体層を形成する半導体層の形成方法において、基板上に半導体物質結晶よりなる三次元核を低密度の核密度で生成する第１のステップと、上記基板上に生成された前記三次元核を横方向成長モードで結晶成長させ、上記三次元核を融合して半導体物質結晶よりなる半導体層を上記基板上に形成する第２のステップとを有する。 - 特許庁 - The chemical mechanical polishing method uses polishing liquid containing colloidal silica particles having a positive ζ potential and anionic surfactant and having pH ranging 1.5-7.0 to polish the body to be polished at least including a first layer containing polysilicon or modified polysilicon and a second layer containing at least one selected from a group consisting of silicon oxide, silicon nitride, silicon carbonate, silicon carbonitride, silicon carbide and silicon oxynitride.
正のζ電位を有するコロイダルシリカ粒子と、アニオン性界面活性剤とを含み、且つｐＨが１．５〜７．０の範囲である研磨液を用いて、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第１層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも１種を含む第２層とを少なくとも有して構成される被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法。 - 特許庁 - The epitaxial substrate and its manufacturing method comprises: a step to form an epitaxial substrate by growing an epitaxial layer on a silicon substrate added with carbon; and a heat treatment step to apply a first heat treatment and second heat treatment to the epitaxial substrate so that an oxygen precipitate density at a surface layer part of the silicon substrate which constitutes the epitaxial substrate becomes larger than an oxygen precipitate density at a thickness center part after the step to form the epitaxial substrate.
炭素が添加されたシリコン基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル基板を形成する工程と、該エピタキシャル基板を形成する工程後に、該エピタキシャル基板を構成する前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きくなるよう、前記エピタキシャル基板に第１熱処理および第２熱処理を施す熱処理工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The field emission element comprises a cathode electrode C on which numerous CNT emitters E are arranged, an insulation layer I having through holes T through which electrons from the above CNT emitters E pass, and a gate electrode G corresponding to the hole T of the insulation layer I having an elongated gate hole H forming an electric field having different intensity in a first direction and a second direction orthogonal to the CNT emitters E.
多数のＣＮＴエミッタＥがその上面に配列されるカソード電極Ｃと、前記ＣＮＴエミッタＥからの電子が通過する貫通孔Ｔを有する絶縁層Ｉと、前記絶縁層Ｉの貫通孔Ｔに対応するものであって、前記ＣＮＴエミッタＥに対して第１方向及びこれに直交する第２方向に相異なる強度の電場を形成する細長型のゲートホールＨを有するゲート電極Ｇと、を具備する電界放出素子。 - 特許庁 - The method for manufacturing the heat dissipation structure includes a first process to form a carbon nanotube deposited layer being as a main composition on the surface of the substrate and a second process to extrude the top of carbon nanotube near the surface of substrate at least to contact with the partner material from the carbon nanotube deposited layer and to orient the lengthwise direction of carbon nanotube to direct in the direction vertical to the substrate surface.
本発明に係る放熱構造の製造方法は、基板表面にカーボンナノチューブを主成分とするカーボンナノチューブ堆積層を形成する第一の工程と、少なくとも相手材に接触させる基板表面近傍のカーボンナノチューブの先端をカーボンナノチューブ堆積層から突出させ、かつ、カーボンナノチューブの長さ方向が基板面に垂直な方向に向くように配向させる第二の工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁 - The production line for manufacturing semi-finished products of a flexible polymer organic EL display is provided with a first coating unit for obtaining an adhesive layer processed film by forming an adhesive layer through coating of an adhesive on a printed film, and a bonding unit for obtaining a bonded film by bonding special processed films with insulating layers formed while automatically registering them.
フレキシブル高分子有機ＥＬディスプレイの中間製品を製造するための製造ラインであって、印刷済フィルムに接着剤を塗工して接着層を形成し接着層加工済フィルムを得る第１塗工ユニットと、前記接着加工済フィルムとすくなくともバリア層、透明または半透明電極、絶縁層を形成した特殊加工済フィルムを自動見当合わせしながら貼り合せ貼合済フィルムを得る貼合ユニットとを具備するようにした製造ライン。 - 特許庁 - Improved methods are disclosed for catalyst-assisted atomic layer deposition to form a silicon dioxide layer having favorable properties on a semiconductor substrate by using a first reactant component composed of a silicon compound which has at least two silicon atoms, or using a tertiary aliphatic amine as a catalyst component, or using both in combination with related purging method, and by sequencing them.
少なくとも２個のシリコン原子を有するシリコン化合物から成る第１の反応物成分を用いることによって、又は、触媒成分として第三脂肪族アミンを用いることによって、又は、関連するパージ法と組合せて両方を用いること、及びそれらを順序づけることによって、半導体基板上に良好な性質を有する二酸化シリコン層を形成するための触媒補助型原子層堆積法の改良法を開示する。 - 特許庁 - A curable composition containing acidic metal phosphate, a curing agent thereof and lightweight aggregate and reinforcing fibers formed in a layered state are compounded to impregnate the reinforcing fibers with the curable composition while regulating the movement of the lightweight aggregate by the reinforcing fibers to obtain a molding material 13 having a first layer 11 containing the lightweight aggregate in relatively large quantities and a second layer 12 containing the reinforcing fibers in relatively large quantities.
酸性リン酸金属塩、その硬化剤、及び軽量骨材を含有する硬化性組成物と、層状に形成した強化繊維とを複合して、前記軽量骨材の移動を前記強化繊維によって規制しつつ、前記硬化性組成物を前記強化繊維に含浸させて、前記軽量骨材を相対的に多く含む第１層１１と、前記強化繊維を相対的に多く含む第２層１２とを有する成形用材料１３を得る。 - 特許庁 - In the stacked photoelectric converter device containing a plurality of photoelectric converter units formed by a pin junction, at least one or more portions constituted sequentially of a first photoelectric converter unit, a silicon composite layer and a second photoelectric converter unit from a side close to the light incident side are contained, and the silicon composite layer contains a silicon crystal phase in an amorphous alloy of silicon and oxygen, thereby solving the problem.
本発明によると、ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置において、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、シリコン複合層、第二の光電変換ユニットより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含み、前記シリコン複合層はシリコンと酸素の非晶質合金中にシリコン結晶相を含むことを特徴とすることによって課題を解決する。 - 特許庁 - The solid oxide fuel cell power generating device has a plurality of solid oxide fuel cells C, and the solid oxide fuel cell C is interposed between a first conductor 41 having air permeability and coming in contact with a cathode layer 2 and a second conductor 42 having air permeability and coming in contact with an anode layer 3.
本発明の固体電解質燃料電池発電装置は、カソード電極層２とアノード電極層３とが固体電解質基板１の両面に形成された複数の固体酸化物型燃料電池Ｃを備え、固体酸化物型燃料電池Ｃは、通気性を有してカソード電極層２に接触して配置された第１の導電体４１と、通気性を有してアノード電極層３に接触して配置された第２の導電体４２とにより挟持されている。 - 特許庁 - This laminated optical film includes a first optical anisotropic layer, and a second optical anisotropic layer.
少なくとも、第１の光学異方性層及び第２の光学異方性層を有する積層光学フィルムであって、第１の光学異方性層のＲｔｈ１と、第２の光学異方性層のＲｔｈ２とが、（１）ΔＲｔｈ１≧０ｎｍ、かつ、ΔＲｔｈ２≦０ｎｍ、及び（２）ΔＲｔｈ１＜０ｎｍ、かつ、ΔＲｔｈ２＞０ｎｍ、のいずれかの関係を満たし、積層光学フィルム全体の厚み方向のレターデーション値Ｒｔｈが、５０ｎｍ≦Ｒｔｈ≦５００ｎｍである積層光学フィルムを提供する。 - 特許庁 - The method for forming the inorganic alignment layer, where the inorganic oriented film 3A constituted principally of an inorganic oxide is formed on a base material 100, has a first step for applying a solution containing an inorganic oxide precursor and a surfactant on the base material to form a coating film and a second step for baking the coating film and changing the inorganic oxide precursor into the inorganic oxide to obtain the inorganic alignment layer.
基材１００上に、主として無機酸化物で構成される無機配向膜３Ａを形成する無機配向膜の形成方法であり、基材上に、無機酸化物前駆体と界面活性剤とを含む溶液を塗布して、塗膜を形成する第１の工程と、この塗膜を焼成することにより、無機酸化物前駆体を無機酸化物に変化させて、無機配向膜を得る第２の工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The separator for the electrochemical element contains a first separator layer and a second separator layer, of which, the former mainly contains resin B swelling by absorbing nonaqueous electrolyte solution as it is heated and increasing its swelling degree in accordance with rise of temperature, and the latter mainly contains a filler with a heat-resistant temperature of 150°C or more, and at least either of them contains planar particles.
本発明の電気化学素子用セパレータは、第１セパレータ層と、第２セパレータ層とを含み、前記第１セパレータ層は、加熱により非水電解液を吸収して膨潤し且つ温度上昇と共に膨潤度が増大する樹脂Ｂを主体として含み、前記第２セパレータ層は、耐熱温度が１５０℃以上のフィラーを主体として含み、前記第１セパレータ層および前記第２セパレータ層の少なくとも一方は、板状粒子を含む。 - 特許庁 - In the optical information recording medium, wherein at least two recording layers containing dyestuff are formed on a substrate and an intermediate layer is formed between respective recording layers, the extinction coefficient k_0 in 660 nm laser wavelength of the first recording layer being the nearest to the substrate on a laser beam incident side among the recording layers is made lower than each extinction coefficient k_n of other recording layers.
基板上に、色素を含有する記録層が少なくとも２層形成されており、それぞれの記録層の層間に中間層が形成されている光情報記録媒体であって、前記記録層のうち、レーザー光が入射される側の前記基板に最も近い第１の記録層のレーザー波長６６０ｎｍにおける消衰係数ｋ_0が、それ以外の記録層のそれぞれの消衰係数ｋ_nよりも小さいことを特徴とする光情報記録媒体である。 - 特許庁 - The method has steps of forming an internal electrode pattern, forming a laminate, forming a laminate block, coating an outer periphery of the laminate block using a second dielectric material composition layer added with more SiO_2 to the first dielectric material composition in a non-sintered dielectric layer, forming a laminate chip, sintering the chip, and forming an external electrode.
積層セラミックコンデンサの製造方法は、内部電極パターンを形成する工程、積層体を形成する工程、積層体ブロックを形成する工程、未焼成誘電体層中の第１の誘電体材料組成物に対してさらに多量のＳｉＯ_２が添加された第２の誘電体材料組成物層を用いて積層体ブロックの外周を被覆する工程、積層体チップを形成する工程、焼成工程、外部電極を形成する工程を有する。 - 特許庁 - A display device includes wiring including a first layer containing a thermoresistant conductive material and a second layer containing Al and Nd in a terminal portion of an active matrix substrate used for the display device, and a transparent conductive film electrically connected to the wiring, wherein the transparent conductive film is electrically connected through an anisotropical conductive material to a circuit provided on a substrate different from the active matrix substrate.
表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の端子部において、耐熱性導電性材料を含有する第１の層と、Ａｌ及びＮｄを含有する第２の層と、を含む配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜と、を有し、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記アクティブマトリクス基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁 - One end of the photoelectric conversion layer is in contact with the first electrode, and an end of the color filter is located on the inside as compared with the other end of the photoelectric conversion layer.
絶縁表面上に、第１の電極と第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極との間にカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆ってオーバーコート層と、前記オーバーコート層上に、ｐ型半導体膜、ｉ型半導体膜及びｎ型半導体膜を有する光電変換層と、前記光電変換層の端部の一方は、前記第１の電極と接しており、前記カラーフィルタの端部は、前記光電変換層の端部の他方より内側にある半導体装置に関する。 - 特許庁 - The electroforming mold 6 free from the residue in the opening part is formed with high precision by forming a first photoresist layer 2 having large absorption coefficient in a photosensitive wavelength on the surface of the conductive substrate 1 having the projecting and recessed parts on the surface and further forming a second photoresist layer 3 having smaller absorption coefficient is formed thereon and exposing and developing, thereby providing the electroforming component 8 faithfully transferred of the substrate surface shape.
表面に凹凸を有する導電性を有する基板１の表面に、感光波長における吸収係数が大きな第１のフォトレジスト層２を形成し、さらにその上に、吸収係数が小さな第２のフォトレジスト層３を形成し、露光、現像することにより、精度が良く、かつ、開口部に残渣がない電鋳型６を作ることができるので、基板表面形状を忠実に転写した電鋳部品８を提供する。 - 特許庁
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