「first layer」を含む例文一覧(24472)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 489 490 次へ＞- The first outer layer covers the first surface of the inner layer.
第一外層は、内層の第一面を覆う。 - 特許庁 - The first conductivity type layer includes a first contact layer, a composition inclination layer and a first clad layer.
第１導電形層は、第１コンタクト層、組成傾斜層、第１クラッド層を含む。 - 特許庁 - The first conductive layer is buried in the first surface of the inner layer and contacts with the first outer layer.
第一導電層は、内層の第一面に埋まり第一外層に接する。 - 特許庁 - The first layer includes a first overlay portion.
第１層は第１オーバレイ部分を含む。 - 特許庁 - The first light-emitting layer includes a first barrier layer, a first well layer provided between the n-type semiconductor layer and the first barrier layer, a first n-side intermediate layer provided between the first well layer and the first barrier layer, and a first p-side intermediate layer provided between the first n-side intermediate layer and the first barrier layer.
第１発光層は、第１障壁層と、ｎ形半導体層と第１障壁層との間に設けられた第１井戸層と、第１井戸層と第１障壁層との間に設けられた第１ｎ側中間層と、第１ｎ側中間層と第１障壁層との間に設けられた第１ｐ側中間層と、を含む。 - 特許庁 - The first function layer includes a first metal layer, a first counter layer, and a first semiconductor layer disposed between the first metal layer and the first counter layer and contacting both the first metal layer and the first counter layer.
前記第１機能層は、第１金属層と、第１対向層と、前記第１金属層と、前記第１対向層と、の間に設けられ、前記第１金属層及び前記第１対向層のそれぞれに接する第１半導体層と、を有する。 - 特許庁 - The pin layer exists on the first side of the free layer.
ピン層は、フリー層の第１の側にある。 - 特許庁 - The insulating layer covers the first conductive layer.
絶縁層は、第１の導電層上を覆う。 - 特許庁 - The first dielectric layer has a first surface.
第１誘電層が第１表面を有する。 - 特許庁 - The luminescent layer is provided between the first semiconductor layer and the first electrode layer.
発光層は、第１半導体層と第１電極層との間に設けられる。 - 特許庁 - The dielectric layer covers the first metal layer.
誘電体層は、第一金属層を被覆する。 - 特許庁 - The first layer is a semiconductor layer and the second layer is a metal layer.
前記第１層は、半導体層であり、前記第２層は、金属層である。 - 特許庁 - Each first lamination has a first opening to expose the first electrode layer, and includes a first conductive layer and also a first insulating layer disposed between the first conductive layer and the first electrode layer.
各第１積層は、第１電極層を露出する第１開口を有するとともに、第１導電層および第１導電層と第１電極層の間に配置された第１絶縁層を含む。 - 特許庁 - A first resin layer and a mask layer are formed on a first surface, and a conductive layer and an opening of a through hole on the first surface are covered with the first resin layer and the mask layer.
第１面に第一樹脂層及びマスク層を形成して、第１面の導電層及び貫通孔開口部を第一樹脂層及びマスク層で覆う。 - 特許庁 - The flexible low permeability hose generally includes a first layer and a second layer surrounding the first layer, wherein a first adhesive secures the second layer to the first layer.
フレキシブル低浸透性ホースは、一般的に第１層と、第１層を囲む第２層を備え、第１接着剤が第２層を第１層に固定する。 - 特許庁 - The second-layer gate electrode layer partially overlaps with the first-layer gate electrode layer 18, and is connected to the protection diode and the gate electrode via the first-layer gate electrode layer.
電極構造を２層とし、ゲートパッド部の少なくとも一部に保護ダイオードとの非重畳領域を形成する。 - 特許庁 - The second layer, the intermediate layer and the first layer are fixedly attached, and the intermediate layer is disposed between the second layer and the first layer.
第２層、中間層および第１層は固定的に取り付けられ、中間層は第２層と第１層の間に配置される。 - 特許庁 - A separation layer (120) is arranged between the first layer and the second layer.
第１の層と第２の層の間に分離層(120)が配置される。 - 特許庁 - The p-type semiconductor layer includes a first p-type layer to a fourth p-type layer.
ｐ形半導体層は第１〜第４ｐ形層を含む。 - 特許庁 - The electrode comprises the first layer and the second layer.
電極は、第１の層と第２の層とを含む。 - 特許庁 - The upper substrate has a first conductive layer and a first alignment layer.
上部基板は、第１導電層と第１配向層を有する。 - 特許庁 - A first bonding layer is formed on the first ohmic contact layer.
第１のオーミックコンタクト層の上に第１の接合層を形成する。 - 特許庁 - The first gate insulating layer 11 is a first cavity layer.
第１のゲート絶縁層１１は第１の空洞層となっている。 - 特許庁 - The flexible circuit board includes a first dielectric layer and a first circuit layer.
フレキシブル回路板が第１誘電層と第１回路層とを含む。 - 特許庁 - The layer 114 is formed in a three-layer structure consisting of a first layer Ti layer, a second layer Pt layer and a third layer Au layer.
第二の電極層１１４は、第１層目がＴｉ、第２層目がＰｔ、第３層目がＡｕからなる３層構造とする。 - 特許庁 - The layer 113 is formed in a two-layer structure consisting of a first layer Ni layer and a second layer Pt layer.
第一の電極層１１３は、第１層目がＮｉ、第２層目がＰｔからなる２層構造とする。 - 特許庁 - A first clad layer is formed on a base plate 50, further, a first core layer is formed on the first clad layer.
基板５０に第１クラッド層を形成し、さらに第1クラッド層上に第１コア層を形成する。 - 特許庁 - An angle restriction filter includes: a first light shielding layer having a first opening; and a second light shielding layer having a second opening and positioned above the first light shielding layer.
また、任意の傾斜角度を有する光路を含む角度制限フィルターを製造する。 - 特許庁 - The first wiring structure includes a first dielectric layer, a first wiring layer, a second wiring layer, and a metal via.
第１配線構造が、第１誘電層と第１配線層と第２配線層と金属バイアとを含む。 - 特許庁 - First, a patterned first metal layer, an insulating layer, a semiconductor layer and a second metal layer are formed subsequently on a substrate.
パターン化された第一金属層１つ、絶縁層１つ、半導体層１つ、第二金属層１つ。 - 特許庁 - The first nonmagnetic layer is arranged between the first magnetic layer and the second magnetic layer.
第１の非磁性層が第１の磁性層と第２の磁性層との間に配置される。 - 特許庁 - A first semiconductor layer and a first electric insulating layer are successively formed on the sacrifice layer.
この犠牲層の上に第１半導体層、第１電気絶縁層を順次形成する。 - 特許庁 - A cutter path defining the first layer as a current layer is found from the contour data of the first layer.
第１層目のコンターデータから、第１層をカレント層としたときのカッターパスを求める。 - 特許庁 - The first peeling sheet 10 has a first conductive layer 12 and a first peeling layer 11.
第１剥離シート１０は、第１導電層１２と第１剥離層１１とを有する。 - 特許庁 - A transparent conductive layer, a first metal layer, a first insulating layer, a semiconductor layer, a second insulating layer, and a sacrificial layer, are sequentially formed on the substrate.
基板上に透明導電層、第１金属層、第１絶縁層、半導体層、第２絶縁層及び犠牲層を順に形成する。 - 特許庁 - The inner layer circuit board has a first circuit layer, a second circuit layer, and a core layer positioned between the first circuit layer and the second circuit layer.
内層回路板は、第１回路層と、第２回路層と、第１回路層及び第２回路層の間に位置するコア層と、を有する。 - 特許庁 - The dopant layer has a first layer of dopant material and a second layer.
ドーパント層は、ドーパント材料の第１層と、第２層とを有する。 - 特許庁 - The photoelectric conversion layer 20 includes a first layer 21 and a second layer 22.
光電変換層２０は、第１層２１と第２層２２を含む。 - 特許庁 - A depletion layer is defined between the first layer and the embedded layer.
第１の層と埋込層との間に空乏層が画定される。 - 特許庁 - The first resist layer is developed.
第１のレジスト層が現像される。 - 特許庁 - The first layered body 14 has a first reflection layer 24, a visible information recording layer 26, a first dielectric layer 28 and a first cover layer 30.
第１積層体１４は、第１反射層２４と、可視情報記録層２６と、第１誘電体層２８と、第１カバー層３０とを有する。 - 特許庁 - A first insulation layer and a first metal layer are laminated onto the upper surface.
第１絶縁層と第１金属層とが上表面にラミネートされる。 - 特許庁 - A first electrode layer 5 is formed on the first dielectric layer 3.
第１の誘電層３の上に第１の電極層５を形成する。 - 特許庁 - A first organic layer is deposited on a first electrode.
第１有機層が第１電極に堆積される。 - 特許庁 - The coating layer 3 is formed into a five-layer structure from a first layer 3a to a fifth layer 3e.
コーティング層３を、第１層３ａ〜第５層３ｅまでの５層構造とする。 - 特許庁 - The semiconductor structure comprises a substrate, a metal layer, an insulation layer, a first semiconductor layer, and a second semiconductor layer.
基板、金属層、絶縁層、第一半導体層、第二半導体層を含む。 - 特許庁 - The first layer demarcates, underneath thereof, a depletion layer.
第１の層は、その下方に空乏層を画定する。 - 特許庁 - The first semiconductor layer 4 is an AlGaN layer.
第１の半導体層４はＡｌＧａＮ層とする。 - 特許庁 - A dielectric layer is formed on the first polysilicon layer.
第１ポリシリコン層上に誘電層が形成される。 - 特許庁 - Subsequently, after the first resist layer is removed, a first insulating layer 70 is formed on the first metal layer 40.
次いで、第１レジスト層を除去した第１金属層４０上面に第１絶縁層７０を形成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
