「first layer」を含む例文一覧(24476)

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  • First, a multilayer body including a substrate 11, a first transparent conductive layer 21, and a first metal layer 22 is prepared.
    はじめに、基板１１と、第１透明導電層２１と、第１金属層２２と、を有する積層体を準備する。 - 特許庁
  • A recording layer is constituted by interposing a non-magnetic layer 7 between a first recording layer 6 and a second recording layer 8.
    第１記録層６と第２記録層８との間に非磁性層７を介在させて記録層を構成する。 - 特許庁
  • The intersecting belt layer 5 holds the circumferential reinforcing belt layer 3 by a first belt layer 5A and a second belt layer 5B.
    交差ベルト層５は、第１ベルト層５Ａと第２ベルト層５Ｂとで周方向補強ベルト層３を挟む。 - 特許庁
  • The magnetic recording medium has a first base layer, second base layer, magnetic layer and protective layer in this order on a board.
    本発明の磁気記録媒体は、基板上に、第1下地層、第2下地層、磁性層、保護層をこの順に備える。 - 特許庁
  • The third layer 13B is arranged so that the magnetic pole layer 12 is sandwiched by the first layer 13A1 and the third layer 13B.
    第３層１３Ｂは、磁極層１２を第１層１３Ａ１との間で挟む位置に配置されている。 - 特許庁
  • The reflection enhancing layer includes a first high refractive index layer 231, a low refractive index layer 232, and a second high refractive index layer 233.
    これは、第１高屈折率層２３１、低屈折率層２３２及び第２高屈折率層２３３を含む。 - 特許庁
  • Each of the wiring patterns 7 includes an interface layer 2, a first seed layer 3, a second seed layer 4 and a wiring layer 6.
    各配線パターン７は、界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６を含む。 - 特許庁
  • The antiferromagnetic layer 52 includes a first layer 521, a second layer 522 and a third layer 523 stacked sequentially.
    反強磁性層５２は、順に積層された第１層５２１、第２層５２２および第３層５２３を含んでいる。 - 特許庁
  • The ratio of aluminum included in the third layer is made smaller than that in the first layer.
    第３の層のアルミニウム割合を第１の割合よりも低くする。 - 特許庁
  • The decorative sheet 11 has a two-layer structure and a second layer part 13 below the first layer part 12 of a surface is made to be darker than the first layer part.
    前記化粧シート１１を２層構造とし、表面の第１層部分１２よりも下の第２層部分１３のほうを暗色とする。 - 特許庁
  • Contour data from the first layer of a completed article to the final layer are prepared.
    完成品の第１層から最終層までのコンターデータを用意する。 - 特許庁
  • The electronic device has a first layer and second layer.
    本発明の電子デバイスの一は、第１の層と第２の層とを有する。 - 特許庁
  • The hardness of the first shield layer is lower than that of the second shield layer.
    第１のシールド層の硬度は第２のシールド層の硬度よりも低い。 - 特許庁
  • The second layer has dislocation density higher than that of the first layer.
    第１の層の転位密度に比して第２の層の転位密度は高い。 - 特許庁
  • Following the above process, the first layer 10a is completed by patterning the magnetic layer.
    その後、磁性層をパターニングして第１の層１０ａを完成させる。 - 特許庁
  • The second resin layer 5 is provided around the first resin layer 7.
    第１の樹脂層７の周囲に第２の樹脂層５が設けられる。 - 特許庁
  • The first AlGaN layer 25 is provided between the second AlGaN layer 27 and the active layer 19, and the first AlGaN layer 25 is closest to the active layer 19 in the first conductive type clad layer 13.
    第１のＡｌＧａＮ層２５は第２のＡｌＧａＮ層２７と活性層１９との間に設けられ、第１のＡｌＧａＮ層２５は第１導電型クラッド層１３において活性層１９に最も近い。 - 特許庁
  • The first ventilation layer 12 and the second ventilation layer 16 are made of a nonwoven fabric.
    第一通気層１２及び第二通気層１６は、不織布からなる。 - 特許庁
  • In the superlattice layer, a first layer 113A and a second layer 113B having a smaller lattice constant than that of the first layer are alternately laminated.
    超格子層は、第１の層１１３Ａ及び第１の層よりも格子定数が小さい第２の層１１３Ｂが交互に積層されている。 - 特許庁
  • A first insulating layer 18 is formed on the second semiconductor layer 13.
    第１の絶縁層18は、第２の半導体層13上に形成されている。 - 特許庁
  • The second layer 18 is more excellent in abrasion resistance than the first layer 14.
    第二層１８は、第一層１４よりも耐摩耗性に優れている。 - 特許庁
  • Marks 1 to 4 in Fig. 1 indicate the first layer to the fourth layer, respectively.
    図１において符号１〜４はそれぞれ第１層〜第４層を示す。 - 特許庁
  • The semiconductor device comprises an insulating layer, a first silicon layer arranged on the insulating layer, and a field effect transistor (FET) arranged in the first silicon layer as well as on the first silicon layer, above the insulating layer.
    半導体装置は、絶縁層と、絶縁層上に配置された第１シリコン層と、絶縁層の上方で第１シリコン層内および第１シリコン層上に配置された電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）と、を含む。 - 特許庁
  • The anti-ferromagnetism layer 22 and the first layer 311 is subjected to switched connection.
    反強磁性層２２と第１層３１１は交換結合している。 - 特許庁
  • This plasma treatment device 10 is provided with: a first electrode layer 2A; a first ceramic layer 1A for embedding the first electrode layer 2A therein; a second electrode layer 2B; and a second ceramic layer 1B for embedding the second electrode layer therein.
    プラズマ処理装置１０は、第一の電極層２Ａ、第一の電極層２Ａを埋設する第一のセラミック層１Ａ、第二の電極層２Ｂ、および第二の電極層を埋設する第二のセラミック層１Ｂを備える。 - 特許庁
  • The fourth mask defines a first conductive layer 620 on a flattened layer.
    第４マスクは、平坦化層上に第１導電層６２０を定義する。 - 特許庁
  • The translucent layer 12 has a first layer 12-1, and a second layer 12-2 having a refractive index larger than that of the first layer 12-1.
    透光性層１２は、第１の層１２−１と、第１の層１２−１より屈折率の大きい第２の層１２−２とを有している。 - 特許庁
  • The logo mark part 4 and the score line parts 5 have a laminate structure comprising a first layer and a second layer, in which the first layer and the second layer have different colors.
    ロゴマーク部４およびスコアライン部５は、第１層と第２層とからなる積層構造を有し、第１層と第２層との色彩が異なる。 - 特許庁
  • Then, the magnetic layer is patterned to complete the first layer 10a.
    その後、磁性層をパターニングして第１の層１０ａを完成させる。 - 特許庁
  • An active layer 108 covers and is adhered to the first cladding layer 106.
    活性層１０８は、第１クラッディング層１０６上に被着される。 - 特許庁
  • The second gas diffusion layer 10 has a first seal layer 12 on the end surface.
    第二ガス拡散層１０は、端面に第一シール層１２を備える。 - 特許庁
  • Then, a first spacer layer 62 is formed on the epitaxially grown layer.
    次に、エピタキシャル成長層上に、第１スペーサ層６２を形成する。 - 特許庁
  • The light-emitting part includes an n-side barrier layer and a first light-emitting layer.
    前記発光部は、ｎ側障壁層と第１発光層と、を含む。 - 特許庁
  • When heating is performed, the magnetization pattern is transferred from the first recording layer to the second recording layer since the second recording layer has coercive force lower than that of the first recording layer.
    また、加熱時には第二記録層の方が低保磁力となるため磁化パターンは第一記録層から第二記録層に転写される。 - 特許庁
  • A first layer 21a contains nickel, and a second layer 21b contains gold.
    第１の層２１ａはニッケルを含み、第２の層２１ｂは金を含む。 - 特許庁
  • The second polyimide layer 14B is softer than the first polyimide layer 14A.
    第２ポリイミド層１４Ｂは、第１ポリイミド層１４Ａよりも軟らかい。 - 特許庁
  • The sacrificial layer is spin-coated with a first photoresist layer to fill the hole.
    第１のフォトレジスト層が犠牲層にスピンコートされ、穴を充填する。 - 特許庁
  • A first semiconductor spacer layer 17 is provided on the active layer 15.
    第１の半導体スペーサ層１７は活性層１５上に設けられる。 - 特許庁
  • An ink for the electrolyte layer 20 is coated on the first catalyst layer 10.
    第１触媒層１０の上に電解質層２０のインクを塗布する。 - 特許庁
  • The first electrolyte layer 4 is formed on the dielectric layer 3.
    第１電解質層４は、誘電体層３上に形成されている。 - 特許庁
  • The first semiconductor layer is provided on a surface abutting on the gate insulating layer.
    第１の半導体層はゲート絶縁層と接する面に設けられる。 - 特許庁
  • The coating may have a first coating layer and a second coating layer.
    被覆は、第１の被覆層と第２の被覆層を備えていても良い。 - 特許庁
  • The second doped layer is provided higher than the first doped layer.
    第２のドープ層の方が第１のドープ層よりも上に配置されている。 - 特許庁
  • This gate turnoff thyristor includes: an n-type first emitter layer; a p-type first base layer; an n-type second base layer; and a p-type second emitter layer in this order.
    ｎ型の第１のエミッタ層、ｐ型の第１のベース層、ｎ型の第２のベース層、ｐ型の第２のエミッタ層をこの順に備える。 - 特許庁
  • The first heat reflecting layer 1 is the one outermost layer of the thermal insulation material.
    第１熱反射層１は、断熱材の一方の最外層である。 - 特許庁
  • A first VCC layer 16, a second VCC layer 17, a first GND layer 33, and a second GND layer 34, are also provided within the circuit board 10.
    回路基板１０内には第１ＶＣＣ層１６、第２ＶＣＣ層１７、第１ＧＮＤ層３３および第２ＧＮＤ層３４が設けられる。 - 特許庁
  • The antireflection layer 12A is formed by alternately stacking the first layer which is the low refractive index layer and the second layer which is the high refractive index layer and a first layer 121, a second layer 122, a third layer 123, a fourth layer 124 and a fifth layer 125 are stacked in order from a side of the hard coat layer 11.
    反射防止層１２Ａは、低屈折率層である第１の層と高屈折率層である第２の層とが交互に積層され、ハードコート層１１の側から、第１層１２１、第２層１２２、第３層１２３、第４層１２４および第５層１２５が順に積層されている。 - 特許庁
  • A buffer layer 102, a first contact layer 103, a first clad layer 104, a first optical guide layer 107, an active layer 108, a cap layer 109, a second optical guide layer 110, a second clad layer 111 and a second contact layer 112 are formed in order on a sapphire substrate 101.
    サファイア基板１０１上に、バッファ層１０２、第１のコンタクト層１０３、第１のクラッド層１０４、第１の光ガイド層１０７、活性層１０８、キャップ層１０９、第２の光ガイド層１１０、第２のクラッド層１１１、及び第２のコンタクト層１１２を順次形成する。 - 特許庁
  • The first transistor includes a first interface layer 516 formed on a first channel region of the substrate, a first gate dielectric layer 518 formed on the first interface layer, first gate electrodes 520, 522 formed on the first gate dielectric layer.
    第１のトランジスタは、基板の第１のチャネル領域上に形成された第１の界面層５１６と、第１の界面層上に形成された第１のゲート誘電体層５１８と、第１のゲート誘電体層上に形成された第１のゲート電極５２０，５２２とを具備する。 - 特許庁
  • The decorative film 20 is constituted by laminating a backing layer, a first adhesive layer, a metal vapor deposition layer, a second adhesive layer, an intermediate film layer and an outer protective film layer successively from a rear layer.
    加飾フィルム２０は、裏層から順にバッキング層、第１接着層、金属蒸着層、第２接着層、中間フィルム層、外部保護フィルム層が積層されている。 - 特許庁
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