「first layer」を含む例文一覧(24472)

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  • In a tandem-type organic photoelectric conversion element including at least one layer of a recombination electrode and at least two or more layers of photoelectric conversion layers between a first electrode and a second electrode, the recombination electrode contains metal nanoparticles coated with an organic substance.
    第１の電極と第２の電極の間に、少なくとも１層の再結合電極と少なくとも２層以上の光電変換層を有するタンデム型の有機光電変換素子において、前記再結合電極が有機物で被覆された金属ナノ粒子を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁
  • The electrode for the thermal battery is provided with an active material layer containing an active material and molten salt; the molten salt at least contains first salt and second salt, and a melting point of 350°C or more and 430°C or less, and a conductivity at 500°C of 2.2 S/cm or more.
    本発明は、活物質と、溶融塩とを含む活物質層を備え、前記溶融塩は、少なくとも第１の塩と第２の塩とを含み、前記溶融塩の融点が３５０℃以上、４３０℃以下であり、前記溶融塩の５００℃での導電率が２．２Ｓ／ｃｍ以上である、熱電池用電極を提供する。 - 特許庁
  • The optical waveguide 1 is configured such that the first optical path crosses a second optical path that connects the node 121 and the mirrors, and further comprises a low refractive index layer 145 having lower refractive index than the core unit 14, and extended along the second optical path in vicinity of the crossing core unit 14.
    この光導波路１は、接続点１２１とミラーとをつなぐ第２の光路と第１の光路とが交差するよう構成されており、コア部１４の交差の位置近傍に第２の光路に沿って延在するよう設けられたコア部１４より屈折率の低い低屈折率層１４５を有している。 - 特許庁
  • In the semiconductor wafer, a device region 10a for creating therein the semiconductor device is formed and partitioned; and on the top surface of the semiconductor layer 200 positioned in a scribing region 10b which serves as a cutting margin region when dicing the semiconductor wafer, an alignment mark 30 (first oxide film) is so formed as to expose it to the outside.
    半導体デバイスが作製される領域であるデバイス領域１０ａを区画形成するとともに、当該半導体ウエハのダイシング時に切り代となる領域であるスクライブ領域１０ｂに位置する半導体層２００の上表面に、アライメントマーク３０（第１酸化膜）が露出するように形成されている。 - 特許庁
  • The article comprises a first layer 10 including a substrate, a cross-link parent nuclear polymer which is a parent nuclear organic polymer bridging the surface or the inside of the substrate, and contains a functional group effective to form a covalent bond with a chemical substance or a biological agent, and a reactive particle positioning on the surface or the inside of the substrate.
    基材と、基材の表面又は内部で架橋した親核性有機ポリマーであって、化学物質又は生物剤と共有結合を形成するのに有効な官能基を含む架橋親核性ポリマーと、基材の表面又は内部に位置する反応性粒子とを含む第１の層１０を備える物品。 - 特許庁
  • The annular metal cord C1 comprises an annular core part 3 formed to be annular with first and second strand substances 1, 2 provided by twisting plural metal wires 5, 6, and an outer layer part 4 covering the periphery of the annular core part 3 and provided by spirally twisted plural times around the annular core part 3.
    金属素線５，６を複数本撚り合わせてなる第１，第２のストランド材１，２により、環状に形成された環状コア部３と、環状コア部３に対して螺旋状に複数周巻き付けられ環状コア部３の外周面を覆う外層部４とを有する環状金属コードＣ１を形成する。 - 特許庁
  • The upper layer 101 is equipped with a second conductivity-type well region 102 opposite to the first conductivity, and an edge passivation zone equipped with a junction terminal expansion(JTE) depletion region 403, where the depletion region 403 is provided with an extension 406 which is separate from the well region 102 and extends under it.
    上側層１０１は、第１の導電型とは逆の第２の導電型のウェル領域１０２と、接合終端拡張（ＪＴＥ）空乏領域４０３を具えるエッジパシベーションゾーンを具え、空乏領域４０３は、ウェル領域１０２から離れ、かつその下に延在する部分４０６を具える。 - 特許庁
  • An organic EL display device 1 includes a first electrode 14, organic layers 16R(16G, 16B) including at least an organic electroluminescent layer, and a second electrode 17 having a thickness smaller than that of the organic layers 16R(16G, 16B), in order from the side of a drive side substrate 10 having a light extraction surface.
    有機ＥＬ表示装置１は、光取り出し面を有する駆動側基板１０の側から順に、第１電極１４と、少なくとも有機電界発光層を含む有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）と、有機層１６Ｒ（１６Ｇ，１６Ｂ）よりも小さな膜厚を有する第２電極１７とを備える。 - 特許庁
  • This vibration control sheet 13 for floor material is formed of a three-layer structure by providing a second sheet member 13b formed of a metal plate between a first sheet member 13a and a second sheet member 13b formed by mixing metal powder of 10 to 95 wt.% with binder of 90 to 5 wt.% and forming the mixture in sheet shape.
    床材用制振シート１３は、１０〜９５重量％の金属粉末と９０〜５重量％のバインダーとを混合してシート状に形成してなる第１シート部材１３ａ及び第３シート部材１３ｃの間に、金属板にて形成された第２シート部材１３ｂを介在させた三層構造からなる。 - 特許庁
  • The insulating film is subjected to overetching, to make its surface lower than that of the semiconductor substrate, a gate spacer is formed on the side of the gate stack, then an epitaxial layer is selectively grown on the side and base of the semiconductor substrate which are exposed by overetching, and first source/drain region 112 and second source/drain regions 114 are formed.
    半導体基板表面以下にエッチングされるように絶縁膜をオーバーエッチングしながらゲートスタックの側面にゲートスペーサを形成した後、オーバーエッチングにより露出した半導体基板の側面及び底面で同時に選択的なエピタキシャル層を成長させ、第１及び第２ソース／ドレイン領域１１２、１１４を形成する。 - 特許庁
  • In a fuel cell 10 generating electrical energy, at least one conductive gas distributor 14 is a reticulated three dimensional structure 40 including a first ductile basic skeleton 46 made of metal or a metal alloy used under compression in its elastic region and a conductive upper layer 42 made of corrosive resistant metal or alloy.
    電気エネルギーを発生する燃料電池（10）において、少なくとも１個の導電性ガス分配器（14）は、その弾性領域で圧縮下に用いた第１の金属又は金属合金製の延性基本骨格（46）と耐蝕性金属又は合金製の導電性上層（42）とを包含してなる網状三次元構造体（40）である。 - 特許庁
  • The semiconductor element 4 is formed in a self-alignment manner in which magnetic contact is made in the first electrode 2 and the second electrode 3 with respect to a source electrode 22 and a drain electrode 23 having a magnetized layer of a magnetic material by connecting the two electrodes so that the field-effect transistor 20 is formed.
    帯磁した磁性体層を有するソース電極２２およびドレイン電極２３に対し、両電極間をつなぎ、それぞれの電極に対し第１の電極部２および第２の電極部３において磁力で接触する配置を、半導体素子４に自己整合的に形成させ、電界効果トランジスタ２０を作製する。 - 特許庁
  • The cassette 10 for radiography having a casing 11 for housing a stimulable phosphor sheet 20 is provided with a phosphor layer 13 including a first phosphor which instantaneously emits light when irradiated with a radiation between a front plate 11b of the casing 11 and the stimulable phosphor sheet 20.
    輝尽性蛍光体シート２０を収納する筐体１１を備える放射線撮影用カセッテ１０において、前記筐体１１の前面板１１ｂと前記輝尽性蛍光体シート２０との間に、放射線が照射されることにより瞬時に発光する第一の蛍光体を含む蛍光体層１３を設ける。 - 特許庁
  • A first low-dose ion implantation is made to a source forming region and a drain forming region located on both sides of the gate electrode, by implanting arsenic As+ or phosphorus P+ with a low concentration to a silicon substrate from a tilted direction in such a way that the impurities are doped in regions just underneath the edges of the polysilicon layer 16 (Fig. 1 (B)).
    ゲート電極の両側のソース形成予定領域とドレイン形成予定領域とに、ポリシリコン層１６の端部直下の領域に不純物が入り込むようにシリコン基板１０に対して斜めの方向からヒ素Ａｓ^+或いはリンＰ^+を低濃度でイオン注入して（図１（Ｂ））、１回目の低濃度イオン注入を行う。 - 特許庁
  • A second wiring section 37 along the inclined inner-surface 45 ranges at an obtuse angle to a direction B1, where the first wiring section 36 along one surface 36 of the semiconductor substrate 31 is extended in the wiring layer 33, and a direction B3 where a third wiring section 38 is extended along the thickness direction T of the semiconductor substrate 31.
    この傾斜する内周面４５に沿う第２配線部３７は、配線層３３のうち半導体基板３１の一表面３６に沿う第１配線部３６の延びる方向Ｂ１、半導体基板３１の厚み方向Ｔに沿って第３配線部３８の延びる方向Ｂ３に対して鈍角に連なる。 - 特許庁
  • A semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 11, a sealing layer 26 laminated on a surface 14b of an insulation film 14, a first heat dissipation part 40 provided on an outer peripheral surface 11c of the semiconductor substrate 11, and a second heat dissipation part 30 provided on a main surface 11b of a rear side of the semiconductor substrate 11.
    半導体装置１が、半導体基板１１と、絶縁膜１４の表面１４ｂに積層された封止層２６と、半導体基板１１の外周面１１ｃに設けられた第１の放熱部４０と、半導体基板１１の裏側の主面１１ｂに設けられた第２の放熱部３０と、を備える。 - 特許庁
  • In adhering and fixing the first and second matching layers 4, 12 and an acoustic lens 14 onto the acoustic radiation surface side of the piezoelectric transducer 1 via adhesives, excessive adhesive and bubbles between respective members are made to flow into the through holes 3, 5, 13, and therefore, the adhesive layers are formed thinner without forming an air layer between the respective members.
    圧電振動子１の音響放射面側に接着剤を介して第１，２の整合層４，１２及び音響レンズ１４を接着固定する際に、各部材間の余剰な接着剤や気泡を貫通孔３，５，１３に流し込み、各部材間に空気の層を形成することなく接着層を薄く形成する。 - 特許庁
  • To allow a photodetection operation while generating near field light from a micro-opening, to allow electric connection to a substrate reverse face of a side same to a first conductivity type semiconductor layer, and to disturb no high speed operation for a photodetector.
    本発明は、微小開口から近接場光を発生しながら光検出動作を行うことができ、第一導電型の半導体層と同一の側である基板裏面へ電気的な接続が可能となると共に、光検出器の高速動作を妨げない近接場光プローブを提供することを目的とする。 - 特許庁
  • A second common electrode 23 which has a plurality of second constant potential electrode parts 33 arranged corresponding to the respective individual electrodes 21 and second electrode lines 34 electrically connected to all of the plurality of second constant potential electrode parts 33 is disposed between a vibration plate 15 and the first piezoelectric layer.
    振動板１５と第１圧電層との間には、各個別電極２１に対応させて配列された複数の第２定電位電極部３３と、複数の第２定電位電極部３３の全てと電気的に接続する第２電極配線３４とを有する第２共通電極２３が設けられている。 - 特許庁
  • In the semiconductor device of a multilayer wiring structure including wires formed with the damascene method, a first conductive layer 5 having a region for electrical connection with the external side of at least a part of electrodes is formed on a passivation film 4 that is essentially required for the region over semiconductor substrate 1 in the multilayer wiring structure.
    ダマシン工法で形成された配線を有する多層配線構造の半導体装置において、少なくとも一部の電極パッドは、外部との電気的接続をとるための領域を有する第１導電層５を、多層配線構造において半導体基板１上に必要不可欠なパッシベーション膜４上に形成する。 - 特許庁
  • Since a substrate 1 for mounting a light-emitting element is coated with a glass layer 7 from a second electrode 4 toward a first electrode 3, solder corrosion of an electrode can be limited at the time of direct-mounting by solder flow, or the like, and thereby such problems as increase in resistance, disconnection, and the like, can be reduced.
    発光素子実装用基体１は、第２の電極４から第１の電極３に向けて、ガラス層７が被覆されていることから、はんだフロー等により直付けするときに、電極が、はんだ喰われすることを抑制でき、それにより、抵抗値の増大や断線といった問題の発生を抑えられる。 - 特許庁
  • A pH of an aqueous water soluble paste kneaded and made of a desired cathode active material and a mixture by using an aqueous solvent is measured and then the aqueous paste of pH6-10 is coated on a collector base plate and an aqueous paste of pH11 or higher is coated on the first coated layer to form the second coated later, and then these laminated coated layers are dried.
    所望の正極活物質を水性溶媒を用い合剤と共に混練して成る水性ペーストのpHを測定した後、pH6〜10の水性ペーストを集電用基板上に塗布し、該第一塗工層上にpH11以上の水性ペーストを塗布し、第二塗工層を形成し、次いでこれらの積層塗工層を乾燥する。 - 特許庁
  • In addition, the first thermally oxidized film 4 and the surface section of the element isolating film 16 are wet-etched until the film 4 is removed by using an etchant containing a hydrogen fluoride (Fig.1 (E)) and, after a pressure-reduced oxide film 30 is formed on the etched surface, a polysilicon layer 36 which is used as a resistance element or transistor element is formed.
    次に、第１の熱酸化膜４が除去されるまで、第１の熱酸化膜４および素子分離膜１６の表面部を、フッ化水素を含むエッチング液を用いてウェットエッチングし（図１の（Ｅ））、その上に、減圧酸化膜３０を形成した後、抵抗素子やトランジスタ素子とするポリシリコン層３６を形成する。 - 特許庁
  • The first theory was rejected because there are foundations of later periods, and the second one is also currently denied because the fact of destruction by fire was proven by the layer of burned soil on the second-period foundation, however, it became clear that the third-period foundation was rebuilt in a bigger size.
    前者の考えについては各遺構面が存在することによって否定された。後者については、第2期遺構面上に堆積する焼土層によって焼失の事実は証明されたものの、第3期の遺構がさらに規模を拡大して再建されていることが明らかとなり、現在では否定されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The polymer layer 2 in the laminated glass 10 comprises a polymer obtained by polymerizing a polymerizable composition comprising a (meth)acrylic monomer, a divalent copper ion, a first phosphoric ester compound having a polymerizable functional group and a second phosphoric ester compound not having any polymerizable functional group.
    この合わせガラス１０における重合体層２は、（メタ）アクリル系モノマーと、２価の銅イオンと、重合性官能基を有する第１のリン酸エステル化合物と、重合性官能基を有しない第２のリン酸エステル化合物とを含有する重合性組成物を重合してなる重合体からなるものである。 - 特許庁
  • This vehicle occupant protective device 14 inflatable for assisting protection of an occupant on a vehicle comprises strands of material woven together to form a first and a second woven seams 120 and 150 of a single layer including strands of material from (a) an overlapped woven panel and (b) an overlapped panel.
    車両の乗員を保護する補助を行う膨張可能な車両乗員保護装置（１４）は（ａ）重なった織りパネル及び（ｂ）重なった各パネルからの材料のストランドを含む単一層の第１及び第２の織ったシーム（１２０、１５０）、の双方を形成するように一緒に織られた材料のストランドを有する。 - 特許庁
  • On the silicon substrate 21, a first conductivity type accumulation layer 31, which has an impurity concentration higher than that of the silicon substrate 21, is formed at the side of the second main surface 21b, and irregularities 10 are formed in a region opposite to at least the semiconductor region 23 on the second main surface 21b.
    シリコン基板２１には、第２主面２１ｂ側にシリコン基板２１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層３１が形成されていると共に、第２主面２１ｂにおける少なくとも半導体領域２３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁
  • To improve an integration degree by reducing use frequency of a second wiring layer and improving a degree of freedom on signal wiring between cells in a semiconductor integrated circuit designed, in such a way that a plurality of cells are arranged in orthogonal first direction and second direction and a plurality of cells are wired.
    直交する第１の方向及び第２の方向に複数のセルを配置し、複数のセル間を配線することにより設計される半導体集積回路において、第２層目の配線層の使用頻繁を低くしてセル間の信号配線の自由度を高めることにより、集積度を向上させる。 - 特許庁
  • A counter substrate 300 includes: a counter electrode 330 extended to the outside of the active area and provided with a cutout part CT formed opposite to an area interposed between the first connection wiring and the second connection wiring; and a light-shielding layer BMX disposed outside the active area and formed of resin.
    対向基板３００は、アクティブエリア外に延在し第１接続配線と第２接続配線とで挟まれる領域に対向する切欠部ＣＴが形成された対向電極３３０と、アクティブエリア外に配置され樹脂によって形成された遮光層ＢＭＸと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁
  • When forming these element separating part and oxidized part, a silicon-nitride film 22 that has been used as an oxidization blocking mask, is then used as an anti-etching mask in the mark forming area to perform etching upon the oxidized part 26b and a silicon-oxide film 14 to depth such that a first silicon layer 12 is exposed, thereby forming an alignment mark.
    その後、これら素子分離部及び酸化部の形成時に酸化阻止用マスクとして用いたシリコン窒化膜２２をマーク形成領域において耐エッチング用マスクとして用いて、第１のシリコン層１２が露出される深さまで酸化部２６ｂ及びシリコン酸化膜１４のエッチングを行って、位置合わせ用マークを形成する。 - 特許庁
  • A width direction end 22E of the spiral belt layer 22 is arranged in an area sandwiched between a first normal HL1 passing through a ground end 26E vertical to a tread, and a second normal HL2 passing through a point P reaching to 20 mm on a tire equator face side along a tread from the ground end 26E vertical to the tread.
    スパイラルベルト層２２の幅方向端部２２Ｅは、踏面に対して垂直でかつ接地端２６Ｅを通る第１の法線ＨＬ１と、踏面に対して垂直でかつ接地端２６Ｅから踏面に沿ってタイヤ赤道面側へ２０ｍｍ至る点Ｐを通る第２の法線ＨＬ２とで挟まれる領域内に配置する。 - 特許庁
  • Surplus liquid 201 remaining in a second portion 135 which is a portion furthermore on the gravity direction side than the first portion 134, including an end on the gravity direction side of the composite molding 130 is removed by the gas blown out from the nozzle, to thereby form a uniform suspension layer 203 on the surface of the composite molding 130.
    複合成形体１３０における重力方向側の端部を含み、且つ第一部位１３４より重力方向側の部位である第二部位１３５に残った余剰液２０１が、ノズルから吹き出される気体によって除去され、複合成形体１３０の表面に均一な懸濁液層２０３が形成される。 - 特許庁
  • The display label comprises; a first display part that displays a color corresponding to the scattered light when illuminated with white light from the front side of the display label; and a second display part that displays a color due to the print layer when illuminated with white light from the front side of the display label.
    この表示体は、前記表示体の前面側から白色光で照明した際に前記散乱光に対応した色を表示する第１表示部と、前記表示体の前面側から白色光で照明した際に前記印刷層に起因した色を表示する第２表示部とを備えている。 - 特許庁
  • An organic EL display 1 is provided with a first fractal structure layer F1 forming a fractal structure to temporarily hold a carrier (free electron) between respective luminescent layers 12R, 12G, 12B of an organic EL element 3R for red, an organic EL element 3G for green, and an organic EL element 3B for blue and a negative electrode 14.
    有機ＥＬディスプレイ１は、赤色用有機ＥＬ素子３Ｒ、緑色用有機ＥＬ素子３Ｇ、青色用有機ＥＬ素子３Ｂのそれぞれの発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと陰極１４との間に、キャリア（自由電子）を一時保持するフラクタル構造を成す第１フラクタル構造層Ｆ１を備えた。 - 特許庁
  • In the method for manufacturing an electronic component mounting circuit board, a flexible film is stuck to a first reinforcing plate via a strippable organic substance layer; and next, after a circuit pattern is formed on the flexible film, the flexible film with the circuit pattern is transferred to a second reinforcing plate, so that the electronic components are mounted on the circuit pattern.
    可撓性フィルムを剥離可能な有機物層を介して第１の補強板と貼り合わせ、次いで、可撓性フィルム上に回路パターンを形成した後、第２の補強板に該回路パターン付き可撓性フィルムを移し取り、電子部品を該回路パターン上に実装する電子部品実装回路基板の製造方法。 - 特許庁
  • A dielectric multilayer film including two dielectric layers is disposed on a diffraction grating on a substrate, in a thickness larger than the steps of the diffraction grating in a first cycle of laminating, the size of the steps is multiplied integral number of times against as the total thickness of the two dielectric layers, and only the same dielectric layer is made continuous on the steps.
    積層の１周期に２つの誘電体の層を含む誘電体多層膜を、回折格子上にその段差以上の厚さで設けるとともに、回折格子の段差の大きさを２つの誘電体の層の厚さの和の整数倍として、段差上で同一の誘電体層のみを連続させる。 - 特許庁
  • The structure is constituted in such a manner that in the melt-sprayed composite material layer 28, the first material has larger composition rate closer to the heat sink 21 and the second material has larger composition rate closer to the metal wiring 23, consequently the difference in thermal expansion coefficient between the heat sink 21 and metal wiring 23 is absorbed thereby reducing thermal stress.
    溶射複合材料層２８内において、ヒートシンク２１に近いほど第１の材料の組成率が大きく、金属配線２３に近いほど第２の材料の組成率が大きくなっており、ヒートシンク２１と金属配線２３との熱膨張係数差を吸収して、熱応力を低減する構造となっている。 - 特許庁
  • It is preferable that an anode activator layer 13B contains Sn and first elements (Al, Zn, Ag, In, Sb, Pb or the like) excluding Sn capable of reacting with Li as constituent, and further contains second elements (Mn, Fe, Co, Ni, Cr or the like) not electrochemically reacting with Li which are outside of constituent of anode current collector 11.
    負極活物質層１３Ｂは、構成元素として、Ｓｎと、Ｓｎ以外でＬｉと電気化学的に反応可能な第１元素（Ａｌ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｐｂなど）とを含んでおり、更に負極集電体１１の構成元素以外でＬｉと電気化学的に反応しない第２元素（Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒなど）とを含んでいることが好ましい。 - 特許庁
  • Especially, this has the constitution that the first dielectric layer 13a is formed in a region including a region in which the respective electrodes 121, 122 are formed in the electrode pairs 12, and a region between the respective electrodes in the electrode pairs 12 in the main face region of the one substrate.
    特に、第１誘電体層１３ａは、前記一方の基板の主面領域の中で少なくとも、前記電極対１２において各々の電極１２１、１２２が形成されている領域と、前記電極対１２において各々の電極間の領域とを含む領域に形成されている構成である。 - 特許庁
  • In the first process, when the ion to be injected into the silicon layer 13 is oxygen ion, its injection is started in the state where the temperature of the SIMOX wafer is 50°C or lower, the amount of ion dose is 5×10^15-1.5×10^16 atoms/cm^2, and an injected energy is 150 keV or more and 220 keV or less.
    第１の工程は、シリコン層１３に注入するイオンを酸素イオンとするとき、ＳＩＭＯＸウェーハの温度が５０℃以下の状態からイオンの注入を開始し、イオンドーズ量を５×１０^１５〜１．５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2、注入エネルギを１５０ｋｅＶ以上２２０ｋｅＶ以下とする。 - 特許庁
  • A thin-film magnetic head is provided with first and second magnetic layers 8 and 14, a connection 12 for magnetically connecting the magnetic layers 8 and 14 at a position apart from a medium opposite surface ABS, a gap layer 9 placed between the magnetic layers 8 and 14, and a thin-film coil 10 partially placed between the magnetic layers 8 and 14.
    薄膜磁気ヘッドは、第１および第２の磁性層８，１４と、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置において磁性層８，１４を磁気的に連結する連結部１２と、磁性層８，１４の間に設けられたギャップ層９と、一部が磁性層８，１４の間に設けられた薄膜コイル１０を備えている。 - 特許庁
  • A relation between a stress value and a wave number value of a fluorescence peak is found preliminarily using the first and second reference samples SB1, SB2 having compositions the same to those of the layers 1, 3 or the layer 2, utilizing the wave number value of the fluorescence peak emitted by Cr^3+ ion in the alumina crystal particle is varied by the stress when irradiated with a laser beam.
    レーザ光を照射したときにアルミナ結晶粒子中のＣｒ^3+イオンが発する蛍光のピークの波数値が応力によって変化することを利用し、層１，３あるいは層２と同じ組成の第１，第２基準試料ＳＢ１，ＳＢ２を用いて、応力値と蛍光ピークの波数値との関係を求めておく。 - 特許庁
  • In the method for transferring an element 3 arranged on a first substrate to a second substrate 5, an adhesive means 2 is used in place of a bonding material to form a transfer layer in the prior art, and a process to enhance peeling property of the adhesive means 2 and to enhance releasability at the interface between the adhesive means and the other material is provided additionally.
    第１の基板１上に配された素子３を第２の基板５へ転写する方法において、従来の転写層を形成する接着材のかわりに粘着手段２を用いるとともに、粘着手段２の剥離性や、粘着手段と他の材料との界面における離型性を高める処置を付加する。 - 特許庁
  • The integrated circuit device comprises a first conductivity type semiconductor layer, a plurality of semiconductor columnar parts extending outward from the semiconductor layer while defining a trench therebetween, gate structures in respective trenches, and at least one second conductivity type deep well region located beneath the bottom part of at least one trench defining at least one inactive gate structure therein and extending into the semiconductor layer between a pair of adjacent corresponding semiconductor columnar parts.
    集積回路装置は、第１導電型の半導体層と、この半導体層から外方に延在し、複数の互いに離間した半導体柱状部であって、これら半導体柱状部間にトレンチを規定している当該半導体柱状部と、各トレンチ内のそれぞれのゲート構造体と、少なくとも１つのトレンチの内部に少なくとも１つの不活性ゲート構造体を規定している当該少なくとも１つトレンチの底部の下側で且つ一対の隣接する対応の半導体柱状部間で前記半導体層内に延在するように位置する第２導電型の少なくとも１つの深い井戸領域とを具える。 - 特許庁
  • In the method for producing the transparent conductive film 70, a first film 16 having a hard coat layer and/or an anti-glare layer and a second film 62 having a transparent conductive film are laminated through an adhesive layer 44.
    【解決手段】ハードコート層及び／又はアンチグレア層を有する第１フィルム１６と透明導電膜を有する第２フィルム６２とを接着剤層４４を介して積層する透明導電性フィルム７０の製法であり、接着剤層付き前記第１フィルム１８のセパレーター１０の第２面と第１フィルム１６との間の両端部にスペーサーを供給しながら巻芯に巻き重ねて接着剤層付き第１フィルムのロール体とする工程、接着剤層付き第１フィルム１８のロール体から巻き戻しつつセパレーター１０を除去し、両端部にスペーサーを介して巻芯に巻き重ねられたロール体から第２フィルム６２を供給して接着する積層工程を有する製造方法とする。 - 特許庁
  • A method for manufacturing a photoelectric converter includes the steps of directly dissolving chalcogen elemental substance and metal in a mixed solvent including an organic compound containing a chalcogen element and a Lewis base organic solvent to prepare a material solution, applying the material solution onto a light absorbing layer 3 consisting of a first semiconductor to form a film, and heating up the film to form a buffer layer 4 consisting of a second semiconductor including a chalcogen compound semiconductor.
    含カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とを含む混合溶媒に、カルコゲン元素の単体および金属を直接溶解させることにより、原料溶液を作製する工程と、第１の半導体から成る光吸収層３上に前記原料溶液を塗布して被膜を形成する工程と、前記被膜を加熱してカルコゲン化合物半導体を含む第２の半導体から成るバッファ層４を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁
  • A light emitting element has a substrate, a plurality of lower electrodes disposed in a stripe shape, a plurality of transparent counter electrodes disposed in a stripe shape, and a luminescent layer disposed between the lower electrode and the transparent counter electrodes, and the display device has an auxiliary electrode disposed on the transparent counter electrodes and a first insulating layer below the auxiliary electrode and between the transparent counter electrode and the lower electrode.
    基板と、ストライプ状に配置される複数の下部電極と、複数の下部電極に交差し、ストライプ状に配置される複数の透明対向電極と、下部電極及び前記透明対向電極との間に配置される発光層と、を有する発光素子であって、透明対向電極上に配置される補助電極と、補助電極の下であって、透明対向電極と下部電極との間に設けられる第一の絶縁層とを有する表示装置。 - 特許庁
  • The second electrode layer has a window aperture section 34, in a region facing the bonding region of the first electrode layer and the support body.
    光透過性を有する圧電振動片１０１と、前記圧電振動片の一面に形成された第一電極層３３と、前記圧電振動片における前記一面と表裏の関係にある他面に形成された第二電極層３１と、前記第一電極層との接続のためのバンプ２３により接合され、前記圧電振動片を支持する支持体２０と、を有し、前記第二電極層は、前記第一電極層と前記支持体との接合領域と対向する領域に窓開け部３４を有することを特徴とする。 - 特許庁
  • In this electrochemical measurement sensor for measuring gas components in a gas mixture and/or the gas concentration with the use of a sensor element disposed on an ion conductive solid electrolyte and having at least one electrode at least exposed regionally to the gas, the electrode includes at least two layers, and the second layer opposite to the gas has a electron conductivity higher than that of the first layer counterposed to the solid electrolyte.
    イオン伝導性固体電解質体上に配置された、少なくとも領域的にガスに暴露される少なくとも１個の電極を有するセンサー素子を用いてガス混合物中のガス成分および／またはガス濃度を測定するための電気化学的測定センサーの場合に、電極が少なくとも２つの層を有し、この場合ガスに対向した第２の層は、固体電解質体に対向した第１の層と比較してよりいっそう高い電子伝導性を有する。 - 特許庁
  • The semiconductor device comprises a plurality of TFTs each having a back gate electrode, a semiconductor active layer provided in contact with the back gate electrode through a first gate insulating film, and a gate electrode provided in contact with the semiconductor active layer through a second gate insulating film, and a circuit for controlling the threshold of the plurality of TFTs wherein the back gate electrode is applied with an arbitrary voltage by the threshold control circuit.
    本発明に係る半導体装置は、バックゲート電極と、前記バックゲート電極に、第１のゲート絶縁膜を介して接して設けられた半導体活性層と、前記半導体活性層に、第２のゲート絶縁膜を介して接して設けられたゲート電極と、を有する複数のＴＦＴと、前記複数のＴＦＴのしきい値を制御するしきい値制御回路と、を有し、前記バックゲート電極には、前記しきい値制御回路によって任意の電圧が印加されることを特徴とする。 - 特許庁
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