「form pattern」を含む例文一覧(4548)

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  • The wiring pattern 102 is extended from the channel pattern 101 in order to form a gate wiring part extended from the channel part.
    配線パターン１０２は、チャネル部から延びたゲート配線部を形成するために、チャネルパターン１０１から延びている。 - 特許庁
  • A frequency adjustment capacitor pattern 29 is opposed to an open end of the inductor pattern 27 to form a capacitor C1.
    周波数調整用コンデンサパターン２９は、インダクタ用パターン２７の開放端に対向し、コンデンサＣ１を形成する。 - 特許庁
  • To obtain a fine pattern having an excellent form by preventing the occurrence of a pattern defect by a double patterning method.
    ダブルパターニング法によるパターン不良の発生を防止して、良好な形状を有する微細パターンを得られるようにする。 - 特許庁
  • A rewiring pattern 32 is formed on a top surface of the sealing resin part 30 to form an external connection terminal on the rewiring pattern.
    封止樹脂部３０の上面に再配線パターン３２を形成し、その上に外部接続端子を形成する。 - 特許庁
  • This pattern is then masked by a resist 11 in the form of a desired marker, which includes a larger pitch P2 than the pattern.
    次にこのパターンを、パターンより大きいピッチＰ２を有する所望のマーカの形態のレジスト１１によってマスキングする。 - 特許庁
  • A test pad addition part 2 adds a test pad for sampling and applying electrical signal to the layout pattern to form an additional layout pattern.
    テストパッド付加部２は、上記レイアウトパターンに、電気信号サンプリング／印加するテストパッドを付加し、付加レイアウトパターンとする。 - 特許庁
  • Pattern data of each of partial patterns that form the embroidery pattern obtained at Step S5 are allocated to mounting conditions (S10).
    Ｓ５で特定された刺繍模様を構成する部分模様の模様データが装着条件に割り当てられる（Ｓ１０）。 - 特許庁
  • To prevent pattern defects from occurring in extreme ultraviolet light exposure and to form a fine pattern having a good shape.
    極紫外線露光におけるパターン不良を防止して、良好な形状を有する微細パターンを形成できるようにする。 - 特許庁
  • To form, with satisfactory dimensional accuracy, a pattern of a thin layer resist crossing diffusion steps or etched pattern steps on a substrate.
    基体上の拡散段差やエッチングされたパターン段差を横断する薄層レジストのパターンを寸法精度良く形成する。 - 特許庁
  • To form an extremely minute dot pattern with high throughput, at a low cost and with excellent reproducibility in a method for forming a dot pattern.
    ドットパターンの形成方法に関し、極微小のドットパターンを高スループット且つ低コストで、再現性良く形成する。 - 特許庁
  • To form a narrow pattern by minimizing deformation of the pattern by a forming method for a contact hole of a semiconductor element.
    半導体素子のコンタクト孔形成方法として、パターンの変形を最小限にし、狭いパターン形成を可能にする。 - 特許庁
  • Then particulate food (G2) is spread over the second template (14) to form a detailed pattern (D) at a predetermined position of the base pattern (B).
    そこで、第２テンプレート(14)に粉粒食品(G2)をふりかけると、ベース図柄(B)の所定位置に詳細図柄(D)が形成される。 - 特許庁
  • Etching processing is performed using the resist pattern as a mask to form a pattern with the predetermined dimensions in the film to be processed (a step S6).
    レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、被処理膜に所定の寸法のパターンを形成する（ステップＳ６）。 - 特許庁
  • To provide a runway warning light that can form a complete circle light distribution pattern using light emission diodes of an elliptic light distribution pattern.
    楕円配光パターンの発光ダイオードを用いて真円配光パターンを形成できる滑走路警戒灯を提供する。 - 特許庁
  • To form a fine via pattern while reducing the man-hours for pattern design, the number of sheets of use masks and the deviation of superposition.
    パターン設計工数、使用マスク枚数及び重ね合わせずれを低減しつつ、微細なビアパターンの形成を可能にする。 - 特許庁
  • To provide an image forming apparatus which can form a background pattern image capable of exhibiting the effect of the background pattern image while preventing the degradation of an image quality.
    画像の品質の低下を防止しつつ、地紋画像の効果が発揮し得る地紋画像を形成すること。 - 特許庁
  • To form a camouflage pattern on a background pattern without sacrificing the detection accuracy of a specified code or the image quality of a latent image.
    所定コードの検出精度及び潜像の画質を低下させることなく、背景パターンにカモフラージュパターンを形成する。 - 特許庁
  • Then, after the scroll display speed of a center pattern is reduced, the center pattern is completely stopped in the display form of '7'.
    次に、中図柄のスクロール表示速度を減速させた後、中図柄を「７」の表示態様で完全停止させる。 - 特許庁
  • To provide a pattern forming method that can reduce the number of steps and form a multi-cycle pattern at low cost.
    工程数が削減でき、低コストで倍周期のパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a color filter that improves a pattern formation limit to form a finer pattern.
    パターン形成限界が向上し、より微細なパターンの形成が可能となるカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • By developing the resist film 3, the exposure pattern 5 is selectively removed to form a resist pattern 6.
    次いで、レジスト膜３に現像処理を施すことにより、露光パターン５を選択的に除去してレジストパターン６を形成する。 - 特許庁
  • XftFontOpen takes a list of pattern elements of the form (field, type,value) terminated with a 0, matches that pattern against the available fonts and opens the matching font.
    このリストの末尾は 0 である。 この関数はこのパターンと利用可能なフォントを比べ、一致するフォントをオープンする。 - XFree86
  • To appropriately form a reference image according to the characteristics of a pattern upon inspecting a pattern of an inspection object.
    検査対象物のパターンの検査における参照画像の作成をパターンの特徴に応じて適切に行うこと。 - 特許庁
  • The material to form the film pattern 30 is selectively deposited on either the projections 12 or the recesses 14 which are processed to easily deposit the material to form the film pattern 30 so as to form the film pattern 30.
    光透過性部材１０の凸部１２及び凹部１４のうち、膜パターン３０を形成するための材料が堆積されやすく加工された一方に、膜パターン３０を形成するための材料を選択的に堆積させて、膜パターン３０を形成する。 - 特許庁
  • To provide a resin for photoresist which can form a resist coating with a uniform thickness and can form a minute pattern with excellent precision.
    膜厚の均一なレジスト塗膜を形成でき、微細なパターンを精度よく形成できるフォトレジスト用樹脂を得る。 - 特許庁
  • To provide a method and apparatus for forming a printing form from a photosensitive element to form a relief pattern.
    レリーフパターンを形成するために、感光性要素から印刷フォームを形成するための方法および装置の提供。 - 特許庁
  • A form member that is formed in uneven pattern is pressed against the surface of the resin film to form irregularities on the resin film.
    この樹脂フイルムの表面に、凹凸のパターン形成された型部材を、押圧して、樹脂フイルムに凹凸を形成する。 - 特許庁
  • To form the conductive mesh pattern of a light transmission window material having electromagnetic wave shielding quality, with good form accuracy and good dimensional accuracy.
    電磁波シールド性光透過窓材の導電性メッシュパターンを形状精度及び寸法精度良く形成する。 - 特許庁
  • Further, a fourth insulating film 10 is deposited on the first insulating film pattern 9, a resist pattern is formed again, and spacer processing and anisotropic etching processing are performed to form a spacer part with the width F/2 on a line part of the first insulating film pattern 9 and form a line and spacer pattern with a pattern pitch F.
    更に、第１の絶縁膜パターン９上に第４の絶縁膜１０を堆積させ、再びレジストパターン形成、スペーサ加工、及び異方性エッチング処理を施すことで、第１の絶縁膜パターン９のライン部にＦ／２の幅のスペース部を形成してパターンピッチＦのラインアンドスペースパターンを形成する。 - 特許庁
  • After the silicon nitride film 23 is etched by using the resist pattern 24 as a mask so as to form a silicon nitride pattern 25, the Al alloy film 22 is ecthed while using the resist pattern 24 and silicon nitride pattern 25 as a mask, so as to form a wiring layer 26 made of Al alloy, and the resist pattern 24 is removed.
    レジストパターン２４をマスクとして窒化シリコン膜２３をエッチングして窒化シリコンパターン２５を形成した後、レジストパターン２４および窒化シリコンパターン２５をマスクとしてＡｌ合金膜２２をエッチングしてＡｌ合金の配線層２６を形成した後、レジストパターン２４を除去する。 - 特許庁
  • To provide a method for producing a pattern-form by which, in the production of a pattern-form, a pattern can be formed with high accuracy, a post-exposure treatment is not needed and any photocatalyst is not allowed to remain in the resultant pattern-form, whereby any problematic effect of the photocatalyst in the pattern-form itself is eliminated.
    本発明は、パターン形成体の製造に際して、高精度にパターンを形成することが可能であり、露光後の後処理が不要で、かつ製造されたパターン形成体内に光触媒が含有されていないことから、パターン形成体自体の光触媒による影響の心配もないパターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁
  • The rugged fine forming pattern is formed on the upper surface of the form plate material 4.
    版材４の上面には、凹凸による微細な成形パターンが形成されている。 - 特許庁
  • To draw or lithographically form an extremely fine linear pattern without any defect by using a liquid jet technology.
    液体噴射技術により極めて微細な線パターンを欠陥無く描画する。 - 特許庁
  • The resist film is exposed in a separate manner with a plurality of shots, and the exposed resist film is developed to form a resist pattern.
    そして、露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。 - 特許庁
  • The silicon wafer W is plasma-dry-developed to form a wanted resist pattern.
    このシリコンウエハＷにプラズマドライ現像を行い、所望のレジストパターンが形成される。 - 特許庁
  • To precisely form a conductor circuit pattern having fine line width and low electrical resistance.
    微細線幅でかつ電気抵抗の低い導体回路パターンを精度よく形成する。 - 特許庁
  • Then the formed layer of copper is etched to form an external-layer pattern.
    その後、形成された銅の層に対しエッチングを行ない外層パターンを形成する。 - 特許庁
  • To form a fine narrow-pitch pattern in one region and, at the same time, and to form a fine pattern in another region, without causing overlap deviations to occur among the patterns of the different regions.
    異なる領域のパターン間に重ね合わせズレを発生させずに、一の領域に微細な狭ピッチパターンを形成すると同時に他の領域に微細パターンを形成する。 - 特許庁
  • To properly form a predetermined resist pattern on a resist film for EUV on a substrate.
    基板上のＥＵＶ用レジスト膜に所定のレジストパターンを適切に形成する。 - 特許庁
  • The time it takes to form the developing pattern can be fast, since the time it takes to form the developing pattern (version) using the ultrasonic curing agent is about several seconds.
    超音波硬化剤を用いた現像パターン（版）の形成に要する時間は、数秒程度であることから、現像パターンの形成に要する時間を早くすることができる。 - 特許庁
  • To form a wiring pattern that is connected to an electrode terminal on the protection film of a pair of chips.
    ベアチップの保護膜上に電極端子に接続する配線パターンの形成。 - 特許庁
  • To print a form provided with a dot pattern normally readable by an electronic pen by correcting the dot diameter size of the dot pattern to be printed at the time of form printing.
    帳票印刷時に印刷すべきドットパターンのドット径サイズを補正して、電子ペンが正常にドットパターンを読み取り可能な帳票を印刷することである。 - 特許庁
  • Then etching processing is carried out to form a specific pattern on the reticle.
    その後、エッチング処理を施すことによりレチクル上に所定のパターンが形成される。 - 特許庁
  • To form a conductive pattern having high definition, high migration resistance, and high corrosion resistance.
    高精細、高耐マイグレーション性、高耐腐食を有する導電性パターンを形成する。 - 特許庁
  • The layers 150a, 150b are polished to form an uneven pattern layer 150c (Fig.2(f)).
    層１５０ａ、１５０ｂを研磨し、凹凸パターン層１５０ｃを形成する（図２（ｆ））。 - 特許庁
  • To form an embedded insulating film such that a pattern formed by etching will not collapse.
    エッチング形成したパターンが倒壊しないように埋め込み絶縁膜を形成する。 - 特許庁
  • To form a wiring pattern by an ink jet system without reference to the quality of a substrate.
    基板の材質に依らずインクジェット方式によって配線パターンを形成する。 - 特許庁
  • At this time, the magnetic substances in the coating film 17 reflect light to form the pattern.
    このとき、塗膜１７中の磁性体に光が反射し、模様が形成される。 - 特許庁
  • To excellently form a shape of a resist pattern obtained by immersion lithography.
    液浸リソグラフィにより得られるレジストパターンの形状を良好にできるようにする。 - 特許庁
  • To form a fine pattern with high precision on a magnetic recording medium in a technology to form a magnetic pattern on a magnetic recording medium by locally heating and applying magnetic field from the outside.
    局所加熱と外部磁界印加を組み合せて磁気記録媒体に磁化パターンを形成する技術において、微細な磁化パターンを効率よく更に精度よく形成する。 - 特許庁
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