「high- density plasma」を含む例文一覧(445)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 次へ＞- A final portion of the dielectric material may be deposited in the gap by the high-density plasma.
該誘電材料の最終部分が該高密度プラズマによって該ギャップに堆積されてもよい。 - 特許庁 - By overlappingly applying high-frequency power with different frequencies (different wavelength) to an electrode of a plasma cvd apparatus, high density of plasma and plasma uniformity without plasma surface standing wave effect are achieved.
周波数の異なる（波長が異なる）高周波電力をプラズマＣＶＤ装置の電極に重畳印加することで、プラズマの高密度化と、プラズマの表面定在波効果が生じないように均一化を図る。 - 特許庁 - Since the light emission from the plasma is detected without spectroscoping, the plasma density strongly depending on the intensity of the light emission from the plasma is controlled by ensuring a high S/N more than prior arts for controlling the plasma density through the spectroscoping.
プラズマからの発光を分光せず検出するため、プラズマからの発光強度に強く依存するプラズマ密度を、分光を行なって制御する従来の方法と比べ、高いＳＮ比を確保して制御することが可能となる。 - 特許庁 - Titanium or a titanium alloy is treated in a nitrogen atom plasma bath with a high density and a high dissociation degree excited by electron beams.
電子ビームにより励起させた高密度・高解離度の窒素原子プラズマ浴中でチタンおよぴチタン合金を処理する。 - 特許庁 - MAGNETRON REACTOR MADE OF METAL AND FEEDING HIGH DENSITY INDUCTION COUPLING HIGH FREQUENCY PLASMA SOURCE SPUTTERING DIELECTRIC FILM
金属製及び誘電体膜をスパッタリングする高密度誘導結合高周波プラズマ源を供給するマグネトロンリアクタ - 特許庁 - To obtain a plasma processing system in which the plasma density is made uniform easily and exactly while reducing the loss of high frequency energy.
プラズマ処理装置において高周波エネルギーの損失を少なくしてプラズマ密度の均一化を容易に、しかも精確に行うこと。 - 特許庁 - The dry etching device is provided with a plasma source (ICP) 11 for generating a high-density plasma, a high frequency power source 12 for ICP for controlling the plasma density and a high frequency power source 13 provided on the side of a lower electrode in order to give a bias potential to the substrate.
ドライエッチング装置は、高密度プラズマを生成するプラズマ源（ＩＣＰ）１１と、プラズマ密度を制御するＩＣＰ用高周波電源１２と、基板に対してバイアス電位を与えるために下部電極側に設けた高周波電源１３とを具備する。 - 特許庁 - An SiO2 film 7 is formed so as to be filled into the trench 5 through an HDP-CVD(high density plasma- chemical vapor deposition) method.
ＨＤＰ−ＣＶＤ法によりトレンチ５の内部に埋め込むようにＳｉＯ_2 膜７を形成する。 - 特許庁 - To make a rectilinear carbon nanotube (CNT) by performing perpendicular orientation to high density in a plasma enhanced CVD process.
プラズマＣＶＤ法において、高密度に垂直配向し、直線状のＣＮＴを簡易に作製する。 - 特許庁 - To provide an ICP circuit in which circuit adjustment is easy and in which plasma of high density is stably generated.
回路調整が容易で高密度のプラズマを安定的に発生させるＩＣＰ回路を提供する。 - 特許庁 - Alternatively the CVD method using high density plasma is adopted to attain water repellency.
あるいは高密度プラズマを用いるＣＶＤ法を利用することによって、撥水性にすることができる。 - 特許庁 - To provide a method for forming a dielectric material in a substrate gap, using a high-density plasma.
高密度プラズマを使用して誘電材料を基板ギャップに形成するための方法を提供する。 - 特許庁 - Uniform plasma with high density is formed by preventing the electric field from concentrating in the neighborhood of the central axis of the apparatus.
装置の中心軸付近への電界集中を防止し、均一で高密度なプラズマを形成する。 - 特許庁 - The plurality of silicon nanocrystal embedded SiOx film layers are deposited using a high density plasma-enhanced chemical vapor deposition (HD PECVD) process.
多層のシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層は、ＨＤＰＥＣＶＤプロセスにより堆積する。 - 特許庁 - A plasma is ignited by high-density electrons coming from a cathode and returning to a power supply through the anode.
プラズマは、カソードからやってきて、アノードを通して電源に戻る高密度の電子によって点火される。 - 特許庁 - Further, a sealing layer 22 is constituted of silicon nitride (SiNx) formed by using a high density plasma film-forming method.
また、封止層２２を、高密度プラズマ成膜法を用いて形成した窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で構成した。 - 特許庁 - Further, on the Al_2O_3 film 20, a silicon oxide film 23 is formed by the high density plasma method for instance.
更に、Ａｌ_2Ｏ_3膜２０上に、例えば高密度プラズマ法によりシリコン酸化膜２３を形成する。 - 特許庁 - A semiconductor substrate after ion implantation is exposed to high-density plasma and then subjected to heat treatment for activation.
イオン注入後の半導体基板を、高密度プラズマにさらしてから、活性化のための熱処理を行う。 - 特許庁 - HIGH-DENSITY PLASMA TOOL HAVING ADJUSTABLE UNIFORMITY AND STATISTICAL ELECTRONIC OVERHEAT AND REDUCING GAS CRACKING
調整可能な一様性及び統計的電子過熱を有し、ガス・クラッキングを低減する高密度プラズマ・ツール - 特許庁 - To provide a plasma reactor which can produce a high-density radical by a non-equilibrium plasma due to an electron beam of a pulse method, has a low energy loss in a plasma reaction, and also is small in size and high in efficiency.
パルス方式の電子ビームによる非平衡プラズマにより高密度ラジカルが生成でき、プラズマ反応におけるエネルギー損失が小さく、かつ、小型、高効率なプラズマ反応装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an equipment for magnetron plasma treatment and a method of magnetron plasma treatment that make deposition of a film with uniform film quality by restraining deposition of film with low quality which is deposited at low density plasma region and by utilizing only high density plasma region.
低密度プラズマの領域で堆積する低い膜質の膜堆積を抑制し、高密度プラズマ領域のみを利用して成膜を行うことにより膜質が一定な成膜を形成するマグネトロンプラズマ処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma generator capable of stably generating and maintaining high-density and high-energy-efficiency inductively-coupled microplasma, and of executing a process using the plasma.
高密度・高エネルギー効率誘導結合型マイクロプラズマの安定発生・維持が可能で、かつ、プラズマを用いた処理を行うことが可能なプラズマ発生装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method and a device for generating a uniform high-density plasma with good efficiency of high frequency power throughout a large area under lower pressure.
低圧力下で大面積にわたり高周波電力効率が良好で、均一な高密度プラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - This method is for forming an HDP-CVD(High Density Plasma- CVD) film by use of an LPCVD device in which a wafer is held by an electrostatic chuck 14.
本方法は、静電チャック１４によりウエハを保持する形式のＬＰＣＶＤ装置を使って、ＨＤＰ−ＣＶＤ（High Desity Plasma- ＣＶＤ）膜を成膜する方法である。 - 特許庁 - To realize a high-speed film forming by creating a stable high-density plasma by sealing the plasma between a mesh and a cathode plate so as to efficiently decompose the gas.
安定した高密度のプラズマをメッシュとカソード板との間に封じ込める形で生成することによりガスを効率よく分解し、高速製膜を実現させる。 - 特許庁 - To provide a plasma generating device capable of focusing plasma of a high-temperature and high-density state on one spot, through reduction of degradation of an insulator and secondary discharge.
絶縁物の劣化及び二次的な放電を低減し、高温高密度状態のプラズマを効率よく一点に収束形成することができるプラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁 - Consequently, a high-density high-temperature plasma P by the discharge gas is generated between the main discharge electrodes 3a and 3b, and EUV rays having a wavelength of 13.5 nm are emitted from the plasma.
これにより、主放電電極３ａ，３ｂ間に放電ガスによる高密度高温プラズマＰを発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。 - 特許庁 - To provide a plasma generating apparatus capable of obtaining plasmas of high density in the atmospheric pressure and making a plasma treatment process be in-line.
大気圧下で高密度のプラズマを得ることができて、プラズマ処理工程をインライン化することができるプラズマ発生装置を提供すること。 - 特許庁 - To form a thin film whose quality is satisfactory, and whose film thickness uniformity is satisfactory, at a high speed by improving plasma density without generating the increase of plasma potential.
プラズマ電位の増大を招かないでプラズマ密度を向上させて高速で良質の且つ膜厚均一性良好な薄膜を形成する。 - 特許庁 - A substrate is arranged in a plasma vapor growth apparatus, and then a fluorine-doped silicon oxide film 2 is formed on the substrate by the use of high-density plasma.
プラズマ気相成長装置内に基板を設置した後、高密度プラズマを用いて基板上にフッ素ドープシリコン酸化膜２を形成する。 - 特許庁 - Therefore, the material selectivity of a process can be maintained and, on the other hand, the high-density plasma accelerates the process and significantly improves the treating ability of the plasma tool.
従って、プロセスの材料選択性が維持される一方、高密度プラズマがプロセスを加速し、ツールの処理能力を多大に改善する。 - 特許庁 - When an insulating film is deposited on the W plug, first of all, a first insulating film is deposited by a technique not using high density plasma and successively a second insulating film is deposited by a technique using the high density plasma.
Ｗプラグ上に絶縁膜を堆積する際、まず始めに高密度プラズマを用いない手法で第１の絶縁膜を堆積し、続いて高密度プラズマを用いる方法で第２の絶縁膜を堆積する。 - 特許庁 - To provide plasma treatment of high treatment capacity and a treatment apparatus therefore by generating plasma of consistently and uniformly high density even at higher degree of vacuum and high power density, and a thin film manufacturing method and a thin film manufacturing apparatus in which a thin film of high quality can be deposited on a surface of a base material.
従来の技術よりも高い圧力の真空度および高い電力密度においても、安定かつ均一に高密度なプラズマを生成することにより、処理能力の高いプラズマ処理およびそのための処理装置を実現することである。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment device where high density plasma is efficiently generated extremely near a target electrode under a high working pressure using microwave power, and high speed film deposition can be performed to the surface of a substrate.
マイクロ波電力を利用して高い動作圧力でターゲット電極のごく近傍に効率良く高密度プラズマを生成し基板上へ高速の成膜を行えるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide uniform density of plasma generated under conditions, such as a narrow space between electrodes, and large high-frequency power applied thereto.
狭電極間隔、高周波高パワーを加えるという条件で発生するプラズマの密度を均一化する。 - 特許庁 - A first portion of silicon oxide is deposited over a substrate and within a gap using a high-density plasma process.
高密度プラズマプロセスを使用して酸化シリコンの第１の部分を該基板上および該ギャップ内に堆積する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING INTERMETALLIC DIELECTRIC LAYER USING LOW-BIAS RF POWER IN DEPOSITION OF FSG BY HIGH- DENSITY PLASMA
高密度プラズマでＦＳＧを堆積させる時に低バイアスＲＦパワーを使用する金属間誘電層製造方法 - 特許庁 - Thereafter, a high density plasma insulating film covering the Al_2O_3 film is formed by using O_2 gas and SiH_4 gas.
その後、Ａｌ_２Ｏ_３膜を覆う高密度プラズマ絶縁膜を、Ｏ_２ガス及びＳｉＨ_４ガスを用いて形成する。 - 特許庁 - The compressive stress layer 122 may include a high stress silicon nitride deposited using a high density plasma (HDP) deposition method.
圧縮応力層１２２は、高密度プラズマ（ＨＤＰ）堆積方法を使用して堆積された高応力窒化珪素を含むことができる。 - 特許庁 - To provide an arc plasma vapor-deposition apparatus which can produce a metal catalyst having a high carrying density and a fine particle diameter, and to provide an arc plasma vapor-deposition method.
高担持密度で粒径の微小な金属触媒を製造することのできるアークプラズマ蒸着装置とアークプラズマ蒸着方法を提供する。 - 特許庁 - To supply plasma generated by irradiation of an energy beam to a zone separated from a generating point of the plasma at a condition maintaining high density.
エネルギービームの照射により発生させたプラズマを、高い密度を維持した状態で、プラズマの発生地点よりも離れた領域に供給できるようにすること。 - 特許庁 - High density, uniform and large area plasma is provided by uniformly inducing plasma discharge in parallel in response to a large number of discharge inducing bridges 13 and 14.
多数の放電誘導ブリッジ１３，１４にしたがって、プラズマ放電が並列に均等に誘導されて高密度の均一な大面積のプラズマを得ることができる。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment device capable of forming uniform high-density plasma at low pressure over a large area.
本発明における課題は、大面積にわたり均一な高密度プラズマを低圧力で形成することのできるプラズマ処理装置を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a plasma sterilizer capable of surely and efficiently sterilizing an object to be treated by generating radicals in a high density by an underwater discharge plasma method.
水中放電プラズマ法により、ラジカルを高密度に発生させて、被処理物を確実に効率良く滅菌することができるプラズマ滅菌装置を提供する。 - 特許庁 - To generate uniform high density plasma, when a large substrate, such as large-scale substrate, glass substrate for liquid crystal display device, etc., is treated with plasma.
大型の基板や、液晶表示装置用のガラス基板等の大型基板をプラズマ処理する際に、均一な高密度プラズマを生成する技術に関する。 - 特許庁 - An inner wall of a treatment space, formed in the treatment chamber, where plasma treatment with high density plasma is conducted, is covered with aluminum fluoride or a quartz liner.
処理容器内に形成され、高密度プラズマによるプラズマ処理が行われる処理空間の内壁を、弗化アルミニウムあるいは石英ライナで覆う。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus that can highly efficiently generate high-density plasma, even when the apparatus processes an object to be processed has a large area.
大面積の被処理体を処理する場合であっても、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus that can highly efficiently generate high-density plasma, even when the device processes an object to be processed has a large area.
大面積の被処理体を処理する場合であっても、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus which makes possible the long-time execution of plasma processing with stable high-density plasma without damaging an introducing window or a three-dimensional microwave circuit in the plasma processing using microwave plasma, and to provide a plasma processing method and a method of manufacturing a semiconductor device.
マイクロ波プラズマを用いたプラズマ処理において、導入窓またはマイクロ波立体回路を破損させることなく、かつ、安定した高密度プラズマで長時間の処理を行なうことができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent the wasteful consumption of high-frequency power and control plasma density distribution without the limitation of the connecting position of a phase control circuit in a plasma processor unifying the plasma density distribution in a chamber by adjusting the phase of the high-frequency power applied to a plasma generating electrode with the phase control circuit.
プラズマ生成用電極に加える高周波電力の位相を位相制御回路で調整して、チャンバ内のプラズマ密度分布を均一化するプラズマ処理装置において、高周波電力消費の無駄をなくし、かつ位相制御回路の接続箇所の制約を伴うことなく、プラズマ密度分布の制御を可能とする。 - 特許庁
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