「implanted」を含む例文一覧(1969)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 39 40 次へ＞- To provide an artificial valve cusp for implantation regenerated as a self-organization after implanted, and a manufacturing method therefor.
移植後に自己組織として再生可能となる移植用人工弁尖及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To keep holding a stimulation electrode at a desired position while an electrostimulator body is implanted in a living body.
装置本体が生体内に植え込まれた状態において、刺激電極を所望の位置で保持し続けるようにする。 - 特許庁 - As a result, the color of the pigment gradually gets darker in the end part of the hair implanted region of the picture display region 100.
その結果、絵柄表示領域１００の植毛領域の先端部における色素の色が徐々に濃くなる。 - 特許庁 - N-type dopants are ion-implanted into a portion of an n-type silicon substrate 1 where the charge transferring portion 5 is to be formed (b).
ｎ型シリコン基板１の電荷転送部５の形成予定部位に、ｎ型の不純物をイオン注入する（ｂ）。 - 特許庁 - Using a photo resist 5 as the mask, P-type dopants are implanted into a P-type implantation region of the polysilicon film 3 (Fig. 1 (b)).
フォトレジスト５をマスクとしてポリシリコン膜３のＰ型注入領域にＰ型不純物を注入する（図１（ｂ））。 - 特許庁 - The fibers 5 are implanted on the inside formed into a loop of the small-diameter bar-like specimen collecting portion 2.
また、細棒状の検体採取部２のループ形状に形成されてある内側部分にも繊維５が植設されてある。 - 特許庁 - To provide a method of completely removing a resist film on a substrate which is etched or ion-implanted.
基板上に存在しているエッチングあるいはイオン注入されたレジスト膜を完全に除去し得る方法を提供する。 - 特許庁 - The base fabric is provided with reinforcement portions (10b, 10c) without the pile yarn on both sides of a part having implanted pile yarns.
基布のパイル毛が植設されている部分の両側にパイル毛が形成されていない補強部（１０ｂ，１０ｃ）を設ける。 - 特許庁 - In addition, before the terminal is soldered to the circuit board, a soldering ball 40 is preliminarily implanted in the bottom face of that soldering part 33.
かつ、前記端子が回路基板に半田付ける前に、ハンダボール４０がその半田付け部３３の底面に予植される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method which reduces crystal defects with inhibiting diffusion of implanted impurities.
注入した不純物の拡散を抑制しつつ結晶欠陥を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Conversely, the wafers having different amount of ions implanted can be manufactured, by optionally controlling the peripheral velocity for each divided disk.
また、反対に、区画されたディスク毎に周速度を任意に制御し異なるイオン注入量のウエハを製造できる。 - 特許庁 - The method for measuring a thin film includes steps of implanting atoms to the thin film 31 and measuring a signal derived from the atom implanted to the thin film 31.
薄膜３１に原子を打ち込み、前記薄膜３１に打ち込まれた原子に由来する信号を測定する。 - 特許庁 - To provide various methods and devices for constraining movement between two housings implanted under the skin.
皮膚の下に植込まれた２つのハウジングの間の動きを拘束するために、様々な方法および装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an extracardiac pumping system which can be implanted in a low-invasive manner for supplementing the circulation of blood through a patient.
低侵襲性で設置し得るような、患者の血液循環を補助する心臓外ポンピング装置を提供すること。 - 特許庁 - Sweeping bristles are implanted densely on the lower side of a base body T to make a sweeping part P, and a handle H is connected to the upper side of the base body T.
基体Ｔの下方側に掃毛を密植して掃部Ｐとし、基体Ｔの上側に柄体Ｈを連結する。 - 特許庁 - The conduction inhibiting structure can be made, for example, by a groove or a structure in which impurity ions are implanted.
導電阻止構造は、例えば、溝或いは半導体に不純物がイオン注入された構造により達成される。 - 特許庁 - Volumetric expansion is produced in the implanted region by the ion implantation and a plurality of stripe-like barrier walls 11 are formed.
このイオン注入により、注入部位に体積膨張が生じ、ストライプ状の複数の障壁１１が形成される。 - 特許庁 - Before forming the oxide semiconductor layer, chlorine may be implanted to an insulating layer where the oxide semiconductor layer is formed.
また、酸化物半導体層の形成前に、酸化物半導体層が形成される絶縁層に塩素を導入してもよい。 - 特許庁 - To estimate a dose amount of ions implanted by an ion implantation device with a quick and simple measuring method.
迅速かつ簡易的な測定方法によりイオン注入装置によって注入されるイオンのドーズ量を推定すること。 - 特許庁 - The embedded object is extracted from the living body and mounted with an annular artifact 20, and implanted again into the living body to form a tissue body 12.
生体から摘出し、環状人工物２０を装着し、再度生体に埋入し、組織体１２を形成する。 - 特許庁 - A slender vessel-shaped hood 10 in which a brush 9 is implanted at a peripheral end is pushed against a reflecting panel 3 on a tunnel interior wall 2 or the like.
トンネル内壁2等の反射パネル3に対し、外周端にブラシ9を植設した縦長容器状フード10を押しつける。 - 特許庁 - an artificial lens that is implanted into the eye of someone to replace a damaged natural lens or someone who has had a cataract removed
損傷した自然のレンズを取り替える人、あるいは白内障を取り除いた人の目に移植される、人工レンズ - 日本語WordNet - To provide an ion beam guide tube which is arranged in the vicinity of a semiconductor wafer implanted in an ion implanter.
イオン注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるイオンビーム用のガイド管を提供する。 - 特許庁 - As shown in (e), next, the photoresist is used as it is and proton ions are implanted thereinto while rotating the semiconductor substrate.
次に、（ｅ）に示すように、フォトレジストをそのまま使用し、半導体基板を回転させながら、プロトンイオンの注入を行う。 - 特許庁 - To block impurity ions containing fluorine from being implanted to a film containing tungsten, without increasing manufacturing processes.
製造工程を増やすことなく、弗素を含む不純物イオンがタングステンを含有する膜へ注入されることを阻止する。 - 特許庁 - This semiconductor laser device is electrically separated into three parts, part A, part B and part C by these proton implanted parts 34.
このプロトン注入部３４により、この半導体レーザー素子をＡ部、Ｂ部、Ｃ部の３つの部分に電気的に分離する。 - 特許庁 - First, ions are implanted into an ion implantation surface of a piezoelectric substrate, to form an ion implantation portion inside the piezoelectric substrate.
まず、圧電基板のイオン注入面からイオンを注入して、圧電基板内部にイオン注入部分を形成する。 - 特許庁 - In the manufacture of the titanium nitride film 106a, nitrogen ions are implanted into the titanium nitride film 106, and its work function is made small.
窒化チタン膜１０６ａは、窒化チタン膜１０６に窒素イオンの注入が行なわれ、仕事関数が小さくなる。 - 特許庁 - In the ion implantation process (S12), ions are implanted in a pattern region 1A exposed from the opening 2A of the resist mask 2.
イオン注入工程（Ｓ１２）は、レジストマスク２の開口２Ａから露出するパターン領域１Ａにイオンを注入する。 - 特許庁 - Impurities are implanted with prescribed intervals in a memory cell region of a silicon substrate, and a plurality of wells 36 are formed.
シリコン基板３０のメモリセル領域に所定間隔を空けて不純物を注入し、複数のウェル３６を形成する。 - 特許庁 - First, only the gate of an n-type transistor is worked, and then donor ions are implanted by a mass nonseparation-type ion implantation apparatus.
まずｎ型トランジスタのゲート加工のみを行い、ドナー・イオンを質量非分離型イオン注入装置で注入する。 - 特許庁 - The channel is made of a synthetic resin so as to reduce weight and lined brush bristles are implanted in the channel.
本発明のチャネルは、重量を軽減するために、合成樹脂製とし、この間に並べられたブラシ毛が植設される。 - 特許庁 - CLOTHES AND ATTACHMENT FOR IMPLANTED PACEMAKER USER, WHICH CORRESPONDS TO ELECTROMAGNETIC WAVE AND IS REDUCED IN SENSE OF INCOMPATIBILITY WHEN FASTENING SEATBELT
シートベルト装着時の違和感を軽減した電磁波対応の植え込みペースメーカー使用者用の衣類及び装着物 - 特許庁 - The implanted object is extracted from the living body and cuts C_1, C_2, and C_3 are made to demold the annular artifact 20 and the mandrel 10.
生体から摘出し、切り込みＣ_１，Ｃ_２，Ｃ_３を入れ、環状人工物２０及びマンドレル１０を脱型する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the silicon carbide semiconductor element comprise the steps of generating silicon(Si) holes near an impurity ion implanted region, and reducing Si interstitial atoms.
不純物イオン注入領域近傍にシリコン（Ｓｉ）空孔を生成させ、Ｓｉ格子間原子を減少させる。 - 特許庁 - A gate insulating film and a gate electrode are formed on a substrate, and ions are implanted into the substrate for the formation of a diffused layer.
基板に、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを形成した後、イオン注入をおこない拡散層を形成する。 - 特許庁 - Thereafter, impurity ions are implanted with this gate electrode 15 as a mask, thereby forming a source/drain diffusion layer 16.
その後、このゲート電極１５をマスクに不純物イオン注入することにより、ソース／ドレイン拡散層１６を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for obtaining a structure where a good epitaxial growth layer is further stacked on an ion implanted layer.
イオン注入された層の上にさらに良好なエピタキシャル成長層を積んだ構造を得る方法を提供する。 - 特許庁 - Each contact means in the implanted state, penetrates the through-hole of the base body and penetrates a part of the bone 18.
埋込まれた状態で、各接触手段は、ベース体の貫通穴を貫通すると共に骨（１８）の一部を貫く。 - 特許庁 - The top of the turntable base 46 is implanted with struts 47 in the three directions on the circumference enclosing the outer periphery of the turntable 36.
ターンテーブルベース４６上にはターンテーブル３６の外周を囲む円周上の三方向に支柱４７が植設される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a blocking zone implanted in semiconductors substrates, and a semiconductor component having the blocking zone.
半導体基板に埋設された阻止ゾーンを形成する方法、及び阻止ゾーンを有する半導体部品の提供。 - 特許庁 - Ions are implanted into the substrate 10 through the S/D contact opening 50, and a slightly doped drain region is formed.
Ｓ／Ｄ接点開口部５０を通じてイオンを基板１０内に注入し、軽くドープしたドレーン領域を形成する。 - 特許庁 - Subsequently, ions are implanted into the region for forming the source-drain region of a PMOS transistor, thus forming the source- drain region.
その後、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン形成予定領域にイオン注入を行い、ソース／ドレイン領域２５を形成する。 - 特許庁 - A photomask that is formed on a semiconductor substrate is deformed by thermal treatment and then impurities are implanted.
半導体体基板に作成したフォトマスクを、熱処理することによって変形させ、その後不純物注入を行なう。 - 特許庁 - Si^29 ions are then implanted in the GaN layer 2 under conditions where the GaN layer 2 does not take amorphous state easily.
そして、ＧａＮ層２のアモルファス化の起こりにくい条件で、ＧａＮ層２にＳｉ^２９のイオン注入を行なう。 - 特許庁 - Silver is implanted into the silicon oxide film 110 with a negative ion implantation method in the implantation energy of about 30 keV.
シリコン酸化膜１１０中に、約３０ｋｅＶの注入エネルギーで、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁 - Impurity ions are implanted through a gate insulating film of two different thicknesses to form an LDDTFT.
異った二種類の膜厚を有するゲート絶縁膜を通じて不純物イオンを打ち込んでＬＤＤＴＦＴを作成する。 - 特許庁 - Impurity ions are implanted into a semiconductor wafer 7 in which a capacitive insulating film is formed on the main surface.
主面上に容量性絶縁膜が形成された半導体ウェーハ７に対して、不純物イオンを注入する。 - 特許庁 - Fluorine ions are implanted into the surface of a silicon substrate 1 around a gate electrode in a PMOS forming region.
ｐＭＯＳ形成領域におけるゲート電極周辺のシリコン基板１表面にフッ素イオンをイオン注入する。 - 特許庁 - An organic SOG film 3 is formed on a silicon oxide film 2 and boron ions are implanted in the film 3.
シリコン酸化膜２の上に有機ＳＯＧ膜３を形成し、有機ＳＯＧ膜３に対し、ホウ素イオンを注入する。 - 特許庁
