「implanted」を含む例文一覧(1969)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 .... 39 40 次へ＞- The semiconductor substrate to be ion implanted is sequentially moved in parallel in horizontal direction at the ion implantation or after the ion implantation.
イオン注入時、あるいはイオン注入後、順次被イオン注入半導体基板を水平方向に平行移動させることである。 - 特許庁 - When the thus manufactured transdermal terminal is implanted into a rat, early extension of connective tissues is confirmed three days after the implantation.
このようにして作製した経皮端子を、ラットに埋植したところ、埋植後３日において結合組織の早期伸展が認められた。 - 特許庁 - A WSi film 22 is formed on the amorphous silicon film 16, and the n-type impurity is implanted only in the PMOS resion (Figure 1 (C)).
アモルファスシリコン膜１６の上にＷＳｉ膜２２を形成し、ＰＭＯＳ領域にのみＮ型不純物を注入する（図１（Ｃ））。 - 特許庁 - The electrostimulator includes an electrode block implanted inside a living body, and a stimulation signal generating block outside the body to be connected to the electrode block.
生体内に植え込まれる電極ブロックと、該電極ブロックに接続する体外の刺激信号生成ブロックとを含むものである。 - 特許庁 - The p-type dopant is ion-implanted into a silicon carbide substrate through an opening in a mask to form the deep p-type implantation region.
炭化シリコン基板内にマスクの開口部を通してｐ型ドーパントをイオン注入して深いｐ型注入領域を形成する。 - 特許庁 - The cathode design is useful for supplying electric power to an implanted medical device needing a high-rate discharge.
本発明にかかるカソード設計は高率の放電が必要である体内埋め込み可能な医療装置に、電力を供給するのに役立つ。 - 特許庁 - On the n^+ GaAs layer 3, an n^- GaAs layer 4 having an implanted low concentration n-type impurity is partially formed.
ｎ＋ＧａＡｓ層３上には、低濃度のｎ型不純物が注入されたｎ−ＧａＡｓ層４が部分的に形成されている。 - 特許庁 - A biocompatible material can be designed as various kinds of medical devices which can be implanted, including the intraluminal stent.
生体適合性材料は、管腔内ステントを包含する非常に多くの種類の植え込み可能な医療デバイスに設計することができる。 - 特許庁 - The change in the resistance by FG gas treatment is suppressed to a small degree by setting the impurity implanted into the polysilicon at the value above.
ポリシリコンに注入する不純物を上記の値とすることでＦＧガス処理による抵抗値の変化を微小なものに抑える。 - 特許庁 - To provide a stent for a vascular channel securely maintaining a vascular channel in a diameter expanding condition without damaging the implanted vascular channel.
植え込まれる脈管に損傷を与えることなく、確実に脈管を拡径させた状態に維持できる脈管用ステントを形成する。 - 特許庁 - An oxygen ion is implanted into an STI structure 501 and into a region other than 0.25 μm or smaller from the periphery of the structure with a resist 601 taken as a mask.
ＳＴＩ構造５０１、及びその周辺０．２５μｍ以外の領域にレジスト６０１をマスクとして酸素イオンを注入する。 - 特許庁 - P^+-Type impurities (such as boron B) are ion-implanted, and a p^+-type buried diffusion layer is formed on an n^+-type buried diffusion layer.
Ｐ^＋型不純物（例えばボロンＢ）をイオン注入し、Ｎ^＋型埋め込み拡散層上にＰ^＋型埋め込み拡散層を形成する。 - 特許庁 - The ions are implanted through the gate insulation film 10 and the p-type well and the n-type well are formed for a low-voltage system transistor.
ゲート絶縁膜１０を介してイオン注入を行って、低電圧系トランジスタ用にｐ型ウェル及びｎ型ウェルを形成する。 - 特許庁 - A pin 22 is implanted to the levers 15A, 15B, and fixing members 27A, 27B for holding the pin 22 are provided at the positions.
レバー１５Ａ，１５Ｂにはピン２２が植設され、交換位置においてこのピン２２が保持される固定部材２７Ａ，２７Ｂが設けられている。 - 特許庁 - When the mandrel 1 with the tubes 2 is implanted in the living body, a tissue body 3 is attached to the inner and outer surfaces of the mandrel 1 and the tubes 2.
チューブ２付きのマンドレル１を生体内に埋入すると、マンドレル１及びチューブ２の内外面に組織体３が付着する。 - 特許庁 - At this time, P-type impurity (e.g. boron (B)) ions are implanted in the large element isolation region 8a positioned in the N-well region 11.
このとき、Ｎウェル領域１１に位置する大きな素子分離領域８ａにｐ型不純物（例えば、ボロン（Ｂ））がイオン注入される。 - 特許庁 - To provide an ion-implanted electroformed structural material in which the strength of an electroformed body can be easily improved, and to provide a method of producing the same.
電鋳材の強度を簡単に向上させることができる、イオン注入電鋳部材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The fulcrum pins 21 are disposed outside the cam pins 35 and implanted in the windmill 20 where the rack 27 is formed.
支点ピン２１は、カムピン３５よりも外側に位置するとともに、各支点ピン２１をラック２７が形成された風車２０に植設している。 - 特許庁 - To provide a game machine capable of preventing the occurrence of a failure when adjusting obstacle nails implanted on a transparent game board.
透明な遊技盤に植設された障害釘の調整の際に不具合が発生するのを防止することができる遊技機を提供する。 - 特許庁 - To provide an implantable artificial organ which has a high mechanical strength, and shows a high stickability to biological tissue when implanted in a living body.
機械的強度が高く、生体内に植え込んだときに生体組織と優れた固着性を示す植え込み人工臓器を提供する。 - 特許庁 - Four clearance holes 128 are opened in the patch fixing parts 124, 125 to correspond to the four screws 115 implanted to the patch 111.
当て板固定部１２４、１２５には、当て板１１１に植設された４つのビス１１５に対応して、４つのバカ孔１２８が開けられている。 - 特許庁 - In the carbon layer formation step, a carbon layer is formed on the substrate surface to which the ion is implanted by the ion implantation step.
前記カーボン層形成工程では、前記イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。 - 特許庁 - A concrete slurry can be placed in a form with the anchor bolt 10 implanted, and jigs are unnecessary, and the fitting is facilitated.
そのため、アンカーボルトを植設した状態で、型枠内にコンクリートスラリを打設すればよく、治具等も不要となり、取り付けを容易に行える。 - 特許庁 - The artificial organ 10 sticks to the biological tissue by the guidance of the biological tissue into the metal nonwoven fabric by being implanted in a living body.
人工臓器１０は、生体に植え込むことにより前記金属不織布内に生体組織が誘導されて生体組織と固着する。 - 特許庁 - Next, impurities are implanted into the semiconductor layer under the exposed gate electrode using the interlayer dielectric and the gate electrodes as masks.
その後、層間絶縁膜及びゲイト電極をマスクとして、前記露呈されたゲイト電極の下の半導体層に不純物を注入する。 - 特許庁 - Impurity ions are implanted onto both sides of the electrode 4 on the surface of the substrate 1 to form a source and a drain.
半導体基板１の表面中であって、ゲート電極４の両側にソース／ドレインを形成するための不純物イオンを注入する。 - 特許庁 - Ions are implanted into the exposed parts A1, A2, and A3 of a second semiconductor layer 20 which are exposed by the trenches 51a, 52a, and 53a.
トレンチ５１ａ，５２ａ，５３ａにより露出された第２半導体層２０の露出部分Ａ１，Ａ２，Ａ３にイオンが注入される。 - 特許庁 - An element ion larger than Si is implanted to a contact liner 513 in an N-channel region 201 to break the connection of constituent atoms.
Ｎチャネル領域２０１内のコンタクトライナー５１３にＳｉより大きな元素イオンを注入して構成原子の結合を切断する。 - 特許庁 - Then, ion is implanted for source/drain formation, with the insulating layer 16 left on the emitter electrode 17 and the gate electrode 18.
次に、エミッタ電極１７とゲート電極１８の上に絶縁膜１６を残存させたままソース、ドレイン形成用のイオン注入を行う。 - 特許庁 - Thereafter, dopant ions for controlling the conductivity are implanted into the resistor 5 and activated by heat treatment.
抵抗体５には導電率を制御するためのドーパントがイオン注入され、さらにドーパントを活性化させるための熱処理が施される。 - 特許庁 - To provide a method of implanting ions into a semiconductor wafer, where ions can be implanted continuously into a semiconductor wafer.
半導体ウエハへのイオン注入工程を連続的に行わせることができる半導体ウエハへのイオン注入方法を提供する。 - 特許庁 - Then, the plurality of chips are implanted in a prescribed position of the circuit board and a required wire (gold or aluminum wire) are connected with each chip.
続いて、複数のチップを回路基板の所定の位置に植込み、必要なワイヤ(金またはアルミニウムのワイヤ)を各チップに接続する。 - 特許庁 - Projections 3 are implanted at the positions corresponding to space parts 15a and 15b formed between the batteries in the array.
トレイ１には、電池の配列により電池間に形成された空間部１５ａ、１５ｂに対応する位置に突起３が植立されている。 - 特許庁 - Thus, the insulating films 3, 4 become masks, and the ions can be implanted only on the end 6b of the bottom of the groove 6.
これにより、絶縁膜３及び４がマスクとなり、溝６の底面における端部６ｂのみにフッ素イオンを注入することができる。 - 特許庁 - For lower threshold voltage, for example, a gate oxide film is formed thin or ions are implanted to adjust the threshold.
このように閾値電圧を小さくするには、例えばゲート酸化膜を薄くしたり、閾値調整用のイオンを注入したりする方法がある。 - 特許庁 - Impurities are implanted in the source region and drain region of a semiconductor film, for example, by utilizing the level difference portion of a resist film.
そして、このレジスト膜の段差部分を利用して、例えば、半導体膜のソース領域とドレイン領域とに不純物を注入する。 - 特許庁 - Boron and the like is ion-implanted into a surface layer of an n-type SiC substrate 10 in which nitrogen is doped, to form an n-type SiC 11.
窒素がドーピングされたｎ型ＳｉＣ基板１０の表層部に、ボロン等をイオン注入してｎ型ＳｉＣ１１を形成する。 - 特許庁 - In addition, the fibers 28 may be continuously implanted on the counter face of the lower guide 24B on the upper guide 24A and its rear face.
また、上ガイド２４Ａにおける下ガイド２４Ｂとの対向面及びその裏面に連続的に繊維２８が植毛されていてもよい。 - 特許庁 - With the gate electrode 12 being the mask, a second conductivity type impurity is ion-implanted in the silicon layer 3 to form source/drain regions 14.
ゲート電極１２をマスクとしてシリコン層３に第２導電型の不純物をイオン注入しソース／ドレイン領域１４を形成する。 - 特許庁 - A second positive type photoresist 4 is formed on the first photoresist 3 in such a manner that each of a plurality of the hole patterns 3a is implanted.
複数のホールパターン３ａの各々を埋め込むように第１のフォトレジスト３上に第２のポジ型フォトレジスト４が形成される。 - 特許庁 - The impurity ion is implanted only into both the upper part of the polysilicon film and the single crystal silicon film 15, and then the polysilicon film is removed.
そして、不純物イオンを単結晶シリコン膜１５およびポリシリコン膜の上部にのみ注入した後に、ポリシリコン膜を除去する。 - 特許庁 - When the precursor film 304 fuses for laser beam irradiation, the dopant implanted in the precursor film is activated and taken in.
レーザ照射によってプリカーサ膜３０４が溶融するとき、プリカーサ膜の膜中に入っているドーパントが活性化されて取り込まれる。 - 特許庁 - When a p-type base region 3 is formed, ions obtained by bonding molecules B and C are implanted to implant B and C at the same time.
ｐ型ベース領域３の形成時に、ＢとＣとの結合分子をイオン注入することで、Ｂ及びＣを同時にイオン注入する。 - 特許庁 - To realize a p-type III nitride semiconductor having a high carrier concentration by improving the activation ratio of ion-implanted P-type impurities.
イオン注入したｐ型不純物の活性化率を高くして、キャリア濃度の高いｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体を実現する。 - 特許庁 - Following to formation of an SiN film 2 on an Si substrate 1, Si+ ions are implanted into the ion implanting region 3 of the SiN film 2.
Ｓｉ基板１にＳｉＮ膜２を形成した後に、Ｓｉ^+イオンをＳｉＮ膜２のイオン注入領域３にイオン注入する。 - 特許庁 - To provide an ion implanting device without using a dummy wafer, and a wafer ion-implanted using the same inexpensively.
ダミーウエハを使用せずにイオン注入可能なイオン注入装置、及びこれを用いてイオン注入されたウエハを低コストで提供する。 - 特許庁 - By the irradiation of laser light, the implanted ion impurities and the crystal damaged at the time of implantation are subjected to the activation and the restoration process, respectively.
レーザ光を照射してイオン注入した不純物の活性化と注入時に損傷を受けた結晶の回復処理を行う。 - 特許庁 - In the ion implantation process, the ions are implanted to the silicon carbide substrate where the implantation inhibition layer is formed with the implantation inhibition layer as the mask.
イオン注入工程では、注入阻止層が形成された炭化珪素基板に注入阻止層をマスクとしてイオンを注入する。 - 特許庁 - To provide methods and kits for flushing an interior lumen of an implanted catheter prior to closing the catheter between successive uses.
次の使用までの間のカテーテルを閉じる前に挿入カテーテルの内部ルーメンを洗浄するための方法およびキットを提供すること。 - 特許庁 - The brush body 20 has bristle bundles 40 that are bundles of the plurality of filaments 50, and the brush head 21 where the bristle bundles 40 are implanted.
ブラシ体２０は、複数のフィラメント５０の束であるブリスル束４０、およびこのブリスル束４０が植えられたブラシヘッド２１を有する。 - 特許庁
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