「indium」を含む例文一覧(1948)
＜前へ 1 2 .... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39- In the solder powder 10 with an average particle diameter of ≤5 μm composed of a central nucleus 11 and a coating layer 12 for coating the central nucleus 11, the central nucleus 11 is composed of an intermetallic compound of a metal element having a component of silver, copper, nickel, indium, cobalt or gold and tin, and the coating layer 12 is composed of tin.
中心核１１と中心核１１を被覆する被覆層１２で構成される平均粒径５μｍ以下のハンダ粉末１０において、中心核１１が銀、銅、ニッケル、インジウム、コバルト又は金を成分とする金属元素と錫との金属間化合物からなり、被覆層１２が錫からなることを特徴とする。 - 特許庁 - Moreover, since the ultraviolet rays of the wavelength of 180 nm or shorter are hardly transmitted to a transparent conductive oxide, such as an ITO(indium-tin oxide), the rays can be used for removing a polyimide orientation film having defects, such as a defective printing, on a TFT array board with an ITO transparent electrode pattern formed on the surface of the structure of a TFT.
また、１８０ｎｍ以下の紫外線は、ＩＴＯなどの透明導電酸化物をほとんど透過しないので、ＴＦＴ構造の表面にＩＴＯの透明電極パターンが形成されたＴＦＴアレイ基板上の、印刷不良などの欠陥のあるポリイミド配向膜を除去するのに用いることができる。 - 特許庁 - The method of manufacturing the transparent conductive film includes a step of providing a transparent substrate, a step of arranging carbon nano tube solution of metal type on the transparent substrate, a step of forming a metallic carbon nano tube network layer from the metallic carbon nano tube solution, and a step of arranging the indium tin oxide layer on the whole metallic carbon nano tube network layer.
透明導電性フィルムの製造方法は、透明基板を提供する工程、金属タイプカーボンナノチューブ溶液を透明基板上に配置する工程、金属性カーボンナノチューブネットワーク層を金属性カーボンナノチューブ溶液から形成する工程、およびインジウムスズ酸化物層を金属性カーボンナノチューブネットワーク層上全体に配置する工程を含み得る。 - 特許庁 - To provide a positive electrode active material made of lithium nickelate containing vanadium and indium which can improve thermal stability at over-discharge and high-temperature storage of a non-aqueous secondary battery manufactured using the same and, at the same time, can suppress deterioration of battery capacity, cycle life, and output, its efficient manufacturing method, and a non-aqueous secondary battery using it.
バナジウム又はインジウムを含むニッケル酸リチウムからなる正極活物質において、それを用いて製造した非水系二次電池の過充電及び高温保存時の熱的安定性を向上させ、一方、電池容量、サイクル寿命及び出力の低下を抑えることができる正極活物質とその効率的な製造方法、及びそれを用いてなる非水系二次電池を提供する。 - 特許庁 - The resin product containing a bright and discontinuously structured metal film 12 comprising a resin base material 11 and indium on the resin base material 11, is characterised by having an under anti-corrosive protection film 13 for improving the corrosion resistance of the metal film 12 comprising silicon oxonitride, aluminum nitride, aluminum oxonitride or chromium oxide formed by a physical vapor deposition method only under the metal film 12.
樹脂基材１１と、樹脂基材１１上にインジウムからなる光輝性でかつ不連続構造の金属皮膜１２とを含む樹脂製品であって、金属皮膜１２の下にのみ、物理的蒸着法により形成された、酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム又は酸化クロムからなる金属皮膜１２の耐食性を向上させる下耐食保護膜１３を有することを特徴とする。 - 特許庁 - The sputtering target is obtained by molding and sintering a conductive inorganic oxide powder having an average primary particle diameter of 3-40 nm, which is provided with conductivity by being doped with one or more components selected from aluminum, gallium and indium in an amount of 0.1-20.0 wt.% in terms of oxides.
この目的を達成するため、アルミニウム、ガリウム及びインジウムから選択される１種又は２種以上の成分を酸化物換算で０．１ｗｔ％〜２０．０ｗｔ％ドーピングして導電性を付与した、平均１次粒子径が３ｎｍ〜４０ｎｍの導電性無機酸化物粉を成形して焼結したスパッタリングターゲットとする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an organic light-emitting diode in which the performance of the device is improved and the manufacturing process is simplified by preventing degradation of reliability of the device caused by exposure in an environment containing moisture and generation of cross talk between the plural electrodes of indium tin oxide of parallel bar-shape.
水分を含んだ環境下に曝されることによるデバイス信頼性の低下と、複数個の平行バー状のインジウムスズ酸化物電極間におけるクロストークの発生とを防止して、デバイスの性能を向上させ、かつ製造プロセスを簡略化する有機発光ダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The oxide sintered compact is an oxide sintered compact mainly consisting of gallium, indium, and oxygen or an oxide sintered compact mainly consisting of gallium and oxygen, wherein the compact contains gallium in a proportion of 35 to 100 atom% based on the total metal atoms, contains no metallic phase, and has a density of 3.4 to 5.5 g/cm^3.
主としてガリウムおよびインジウムおよび酸素からなる酸化物焼結体、あるいは、主としてガリウムおよび酸素からなる酸化物焼結体であり、ガリウムが全金属原子に対して３５原子％〜１００原子％の割合で含まれ、金属相が含まれず、密度が３．４ｇ／ｃｍ^3以上５．５ｇ／ｃｍ^3以下である酸化物焼結体とする。 - 特許庁 - It is preferrable that the semi-conductor contains at least one type of metallic chalcogenide which is selected from Titanium, Tin, Zinc, Fe, Copper, Tungsten, Zirconium, Hafnium, Strontium, Indium, Cerium, Yttrium, Lanthium, Vanadium, Niobium, Tantalum, Cadmium, Lead, Silver, Antimony, Bismuth, Molybdenum, Aluminum, Galium, Chromium, Cobalt and Nickel.
半導体は、チタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストトンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。 - 特許庁 - A method of manufacturing the ITO target includes: preparing a slurry by mixing an indium oxide powder, a tin oxide powder, and a calcium-containing compound powder; granulating the slurry by milling and drying the slurry to prepare a granulated powder; shaping the granulated powder to form a shaped body; and sintering the shaped body.
本発明は、酸化インジウム粉末、酸化錫粉末およびカルシウム含有化合物粉末を混合してスラリーを準備するスラリー準備段階、前記スラリーをミリングした後に乾燥して顆粒粉末を準備する顆粒化段階、前記顆粒粉末を成形して成形体を製造する成形段階および前記成形体を焼結する焼結段階を含むＩＴＯターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - An anode foil having an oxide film layer formed on the surface and a cathode foil having a film of a metal nitride, a metal carbide, a metal carbonitride, carbon, indium tin oxide or an oxidation retardant conductive material formed previously on the surface are wound through a separator to form a capacitor element which is then subjected to restoration formation.
表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔と、予めその表面に金属窒化物、金属炭化物、金属炭窒化物、カーボン、インジウム酸化スズまたは酸化することの少ない導電性材料からなる皮膜を形成した陰極箔とを、セパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成し修復化成を施す。 - 特許庁 - In addition to high-refractive-index superfine particles selected from crystalline titanium oxide, zirconium oxide, zinc oxide, and indium oxide having an average particle size of 2-50 nm or either of a specific M(OR)n and its hydrolyzate, this composition contains a specific R'xM(OR)y-x and its hydrolyzate.
平均粒径２〜５０ｎｍの結晶性の酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化インジウムから選ばれる高屈折超微粒子、あるいは特定のＭ（ＯＲ）_n およびその加水分解物のいずれか一方が含まれてなる高屈折率組成物において、さらに特定のＲ’_x Ｍ（ＯＲ）_y-x およびその加水分解物が含まれる高屈折率組成物を提供する。 - 特許庁 - A crystalline oxide semiconductor film is formed without plural steps by preferentially depositing zinc having a smaller atomic weight on an oxide insulating film to form a seed crystal containing zinc as well as growing crystal of tin, indium and the like having a larger atomic weight on the seed crystal by use of difference in atomic weight between plural kinds of atoms included in a target for the oxide semiconductor film.
酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。 - 特許庁 - The magnesium oxide thin film has magnesium crystal phases with an average crystallite diameter of 1 to 18 nm and containing elements selected from among a group comprising aluminum, silicon, zinc, gallium, germanium, arsenic, cadmium, indium, tin, antimony, mercury, thallium, lead and bismuth, in a range of 0.0001 to 0.15 mol, dispersed in a magnesium oxide amorphous phase.
マグネシウム１モルに対して、アルミニウム、ケイ素、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、カドミウム、インジウム、スズ、アンチモン、水銀、タリウム、鉛及びビスマスからなる群より選ばれる元素を０．０００１〜０．１５モルの範囲にて含む、平均結晶子径が１〜１８ｎｍの範囲にある酸化マグネシウム結晶相が酸化マグネシウム非晶質相に分散されてなる酸化マグネシウム薄膜。 - 特許庁 - Moreover, this is the manufacturing method of the substrate with the transparent film which is equipped with a process of forming the first thin film layer composed of zinc oxide on the substrate by a magnetron sputtering method, and a process of forming the second thin film layer composed of indium oxide containing tin on the first thin film layer sequentially by a magnetron sputtering method.
また、基板上に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程と、該第１の薄膜層上にスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程とを順に備えることを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法とした。 - 特許庁 - The combined concentration by weight of the potassium hydroxide and lithium hydroxide should preferably range from 25 to 55%, and one preferable example of the negative electrode active material is a zinc alloy with at least one kind of metals including bismuth, indium, aluminum, and calcium, wherein the content of the metal(s) in the negative electrode active material should preferably be over 150 ppm.
アルカリ性電解液における水酸化カリウムと水酸化リチウムとを合わせた重量濃度は２５％以上５５％以下が好ましく、負極活物質としては、少なくともビスマス、インジウム、アルミニウムおよびカルシウムのうちの何れか一種の金属と亜鉛との合金であり、前記金属が負極活物質に１５０ｐｐｍ以上含有することが好ましい。 - 特許庁 - According to an embodiment, a manufacturing method of semiconductor light-emitting element includes a step of forming an active layer containing indium on a heated substrate and a step of forming a multilayer film made of a nitride semiconductor on the active layer in a state where the substrate is heated to the substantially same temperature as that when forming the active layer.
実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法は、加熱した基板上に、インジウムを含む活性層を形成する工程と、前記活性層を形成するときと実質的に同じ温度に前記基板を加熱した状態で、前記活性層上に、窒化物半導体からなる多層膜を形成する工程と、を備えた。 - 特許庁 - GaInNAs comprising gallium(Ga), indium(In), nitrogen(N), and arsenic(As) with a thickness of 2 nanometers or less, while a composition of arsenic(As) or phosphorus(P) being 20% or less, or GaInNP where the arsenic is replaced with phosphorus(P), is a light-emitting layer, providing light-emission at a wavelength of 500-600 nanometer range.
厚さが２ナノメートル以下で、砒素（Ａｓ）あるいは燐（Ｐ）の組成が２０％以下である、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、窒素（ N ）および砒素（Ａｓ）を構成元素とするＧａＩｎＮＡｓ、あるいはこの材料の砒素を燐（Ｐ）に置き換えたＧａＩｎＮＰ、を発光層とする半導体発光素子材料および構造により、波長５００〜６００ナノメートルにおける発光を得る。 - 特許庁 - This thin film solar cell has a transparent conductive layer 102 which is formed on a surface of a substrate 101 and is composed of indium oxide containing zinc; a unit cell 106 which transfers an optical energy to an electric energy and comprises a p layer 103, an i layer 104 and an n layer 105; and a collection electrode layer 107 for taking out the transferred electric energy.
本発明の薄膜太陽電池は、基板１０１表面に形成された、亜鉛を含む酸化インジウムからなる透明導電層１０２と、光エネルギーを電気エネルギーに変換する、ｐ層１０３，ｉ層１０４，ｎ層１０５からなる単位セル１０６と、変換された電気エネルギーを取り出す収集電極層１０７とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The catalyst for selectively reducing and removing nitrogen oxide by using a reducing agent in an oxygen environment containing water vapor and excessive oxygen is prepared by physically mixing: catalyst particles (A) comprising alumina which contains silver; and alumina particles and/or alumina particles (B) containing at least one kind metal selected from a group consisting of gallium, tungsten, indium, cobalt and iron.
アルミナに銀を含有する触媒粒子(A)と、アルミナ粒子及び／又はガリウム、タングステン、インジウム、コバルト、鉄よりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有するアルミナ粒子(B)を物理的に混合した、水蒸気と過剰の酸素が存在する酸化雰囲気中で、還元剤を使用して、窒素酸化物を選択的に還元除去するための触媒。 - 特許庁 - A sapphire film 50 is provided on a glass substrate 1, a single crystal silicon layer 7 is subjected to epitaxial growth from a silicon/indium fluxing liquid layer 6 on the sapphire film, specific treatment is made to the single crystal silicon layer, and a semiconductor device for IPIC where intellectual property function blocks or elements are isolated is formed.
ガラス基板１上にサファィア膜５０を設け、この上にシリコン・インジウム溶融液層６から単結晶シリコン層７をエピタキシャル成長させた後、この単結晶シリコン層に所定の処理を施し、知的資産機能ブロック又は素子間を分離したＩＰＩＣ用の半導体装置を形成する。 - 特許庁 - In the method for forming a silicon based thin film, a substrate having a surface formed with at least one thin metal film of aluminum, tin, zinc, antimony, indium, gallium, silver, nickel, tellurium and germanium is placed in a vacuum chamber and material gas is supplied onto the surface of the heated substrate in order to form a silicon based thin film.
本発明のシリコン系薄膜製造方法は、表面にアルミニウム、錫、亜鉛、アンチモン、インジウム、ガリウム、銀、ニッケル、テルル、及びゲルマニウムのうち少なくとも一つの金属薄膜を形成した基板を、真空槽内に設置し、加熱した当該基板の表面上に原料ガスを供給してシリコン系薄膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a thin film transistor, capable of obtaining an indium-containing metal oxide having stable characteristics by a comparatively easy control while maintaining the characteristics such that it can be formed by a non-heating sputter depositing method and includes both high mobility and high amorphous performance, and obtaining a TFT element having stable characteristics.
無加熱のスパッタ成膜法で形成でき、かつ高い移動度とアモルファス性を兼備するという特徴を維持したまま、比較的容易な制御により安定的な特性を有する含インジウム金属酸化物膜を得ることができ、安定的な特性を有するＴＦＴ素子を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The electroconductive polymer has a linear main chain, a plurality of carrier transport structures composed of phthalocyanine which contributes to carrier transport and may be substituted with a methyl or an ethyl or a copper, an iron, a zinc, an indium or a platinum complex thereof and connecting structures branched from the main chain and connecting each of the carrier transport structures, respectively.
直鎖状の主鎖と、複数の、キャリア輸送に寄与するメチルまたはエチルで置換していてもよいフタロシアニンまたはその銅、鉄、亜鉛、インジウムまたは白金錯体からなるキャリア輸送構造と、前記主鎖から分枝し、各前記キャリア輸送構造をそれぞれ連結する連結構造とを有する導電性高分子。 - 特許庁 - The curable composition contains (A) particles obtained by bonding an organic compound containing a polymerizable unsaturated group to particles of the oxide of at least one element selected from silicon, aluminum, zirconium, titanium, zinc, germanium, indium, tin, antimony and cerium, (B) a compound having a urethane bond and two or more polymerizable unsaturated groups in the molecule and (C) a photopolymerization initiator.
（Ａ）ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物粒子と、重合性不飽和基を含む有機化合物とを結合させてなる粒子、 （Ｂ）分子内にウレタン結合及び２以上の重合性不飽和基を有する化合物、及び （Ｃ）光重合開始剤を含有する硬化性組成物。 - 特許庁 - As the adsorbent, at least one type of metal oxide selected from a metal group consisting of a scandium, an yttrium, a titanium, a zirconium, a hafnium, a vanadium, a niobium, a tantalum, a chromium, a molybdenum, a tungsten, an aluminum, a gallium, an indium, a silicon, a germanium, a tin or metal group contained in a lanthanoid series is used.
ＨＣｌ吸着剤として、スカンジウム，イットリウム，チタン，ジルコニウム，ハフニウム，バナジウム，ニオブ，タンタル，クロム，モリブデン，タングステン，アルミニウム，ガリウム，インジウム，ケイ素，ゲルマニウム，スズ及びランタノイド系列に含まれる金属群の中から選ばれた少なくとも一種以上の金属の酸化物を使用する。 - 特許庁 - The semiconductor particulates containing indium (In) of a P type impurity, is formed as a current passage, and also houses a bulk body 20 of germanium (Ge) with a high resistor portion 23 that electric resistance is increased by constricting the current passage at a predetermined part, in a chamber 10 where the inside is maintained an inactive gas atmosphere.
Ｐ型不純物であるインジウム（Ｉｎ）を含んで電流路として形成されるとともに、その所定部位に電流路を狭窄することによって電気抵抗を高くした高抵抗部２３を設けたゲルマニウム（Ｇｅ）のバルク体２０を、内部が不活性ガス雰囲気に保たれたチャンバ１０内に収容する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the compound semiconductor element includes a process sequence for applying heat treatment at a heat treatment temperature in the range of 350 to 430°C, after electrodes 17, 19 containing Pt (platinum) and Ti (titanium) are formed in a compound semiconductor wafer 1 that contains Ga (gallium) or In (indium) or a compound semiconductor layer 15 containing Ga or In.
化合物半導体素子の製造方法において、Ｇａ（ガリウム）またはＩｎ（インジウム）を含む化合物半導体ウエハ１またはＧａまたはＩｎを含む化合物半導体層１５にＰｔ（白金）またはＴｉ（チタン）を含む電極１７，１９を形成した後、熱処理温度を３５０℃〜４３０℃の範囲内とする熱処理を施す工程を含む手順とする。 - 特許庁 - The transparent electrode base material 10 at least equipped with a transparent base material 11 and a transparent conductive layer 12 arranged on one of its face is provided with at least one intermediate layer 13 consisting of indium oxide containing a transition element and/or Ga between the transparent base material 11 and the transparent conductive layer 12.
透明基材１１及びこの一面に配した透明導電層１２を少なくとも備えた透明電極基材１０であって、前記透明基材１１と前記透明導電層１２との間には、遷移元素及び／又はＧａを含む酸化インジウムからなる少なくとも１層の中間層１３を有することを特徴とする透明電極基材を提供する。 - 特許庁 - In the display body including a substrate, a metallic layer and a transparent layer in this order and including an adhesive layer on one face of the substrate opposite to the metallic layer, the metallic layer is an indium vapor-deposited film disposed on the surface of the transparent layer and having ≤6% visible light transmittance and ≤600 Å thickness.
基体と、金属層と、透明な層とを順に含み、前記基体の金属層とは反対面に粘着剤層を含む金属光沢を有する表示体において、前記金属層が前記透明な層表面上に設けられたインジウム蒸着膜であり、このインジウム蒸着膜の可視光線透過率が６％以下でありかつその厚さが600 オングストローム以下であるようにする。 - 特許庁 - This negative electrode catalyst for the fuel cell contains the negative electrode catalyst for the fuel cell containing gold fine particles; at least one component selected from the group comprising titanium, vanadium, gallium, zirconium, niobium, cerium, tantalum, indium, and the oxides of them, and/or at least one component selected from the group comprising platinum, ruthenium, and ruthenium oxides.
金微粒子を含む燃料電池用負極触媒、更に、チタン、バナジウム、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、セリウム、タンタル、インジウム及びこれらの金属の酸化物からなる群から選ばれた少なくとも１種の成分、及び／又は白金、ルテニウム及びルテニウムの酸化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を含む燃料電池用負極触媒。 - 特許庁 - The electrophotographic carrier has a resin coating layer on the surface of a core material, contains conductive particles prepared by forming a conductive coating layer composed of a tin dioxide layer and an indium oxide layer containing tin dioxide prepared on the tin dioxide layer on the surface of substrate particles in the resin coating layer and has an oil adsorption of the conductive particles of ≥10 to ≥300 (ml/100 g).
芯材表面に樹脂被覆層を有するキャリアであって、該樹脂被覆層中に、基体粒子表面に、二酸化スズ層と該二酸化スズ層上に設けた二酸化スズを含む酸化インジウム層とからなる導電性被覆層を設けてなる導電性粒子を含有し、該導電性粒子の吸油量が１０（ｍｌ／１００ｇ）以上３００（ｍｌ／１００ｇ）以下であることを特徴とする電子写真用キャリア。 - 特許庁 - The thin film transistor includes a gate electrode 15, a gate insulation layer 12, a channel layer 11, a source electrode 13, and a drain electrode 14 formed on a substrate 10, in which: the channel layer 11 contains indium, germanium, and oxygen; and the channel layer 11 has a compositional ratio expressed by In/(In+Ge) of 0.5 or more and 0.97 or less.
基板上１０に、ゲート電極１５、ゲート絶縁層１２、チャネル層１１、ソース電極１３及びドレイン電極１４が形成される薄膜トランジスタにおいて、チャネル層１１はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含んでいて、チャネル層１１におけるＩｎ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）で表される組成比が０．５以上０．９７以下である。 - 特許庁 - Based on the various characteristics of rare metals such as tungsten, indium, cobalt, platinum and the rare earths, these mineral though included in wide range of products in small quantities have extremely important functions, and are used in a wide range of industries such as IT and automobile, thus supporting the competitiveness of Japanese industry (see Column 27 Figure 1).
タングステン、インジウム、コバルト、プラチナ、希土類（レアアース）等のレアメタルは、それぞれの持つ様々な特性により、製品中の含有量が少量であることが多いものの、極めて重要な機能を担う部品等として、IT、自動車など幅広い産業分野で利用され、我が国の産業競争力を支えている（コラム第27-1図）。 - 経済産業省 - However, even if the measured value was lower than the targeted value but exceeded the acceptable exposure concentration limit of 3×10－４mg/m3 that is a limit value calculated from the outcome of the test in long-term carcinogenicity studies in animals in this country, it is recommendable to take further actions as required continually to improve work environment and reduce the concentration of indium in air as much as possible.
なお、目標濃度以下となった作業場についても、我が国における動物を用いた長期がん原性試験結果により算定したばく露が許容される濃度3×10－４mg/m3を超える場合にあっては、作業環境を改善するため必要な措置を継続的に講じ、できる限り空気中のインジウムの濃度を低減させることが望ましい。 - 厚生労働省 - A fine flow path is created by patterning polydimethylsiloxane 113 on a glass substrate 112 having electrodes 111 formed from indium tin oxide, and first liquid droplets having a fine particle diameter are dispersed in second liquid droplets by injecting a conductive first liquid into a non-conductive second liquid in the presence of the electric field while a voltage difference 115 was applied between the electrodes to create an electric field.
酸化インジウムスズから形成された電極１１１を有するガラス基板１１２上にポリジメチルシロキサン１１３をパターニングすることにより微細な流路を形成するとともに、電極間に電位差１１５を印加して電界を形成しながら、導電性の第１の液体を電界の存在下で非導電性の第２液体に噴出することにより、第２の液滴中に微細径を有する第１の液滴を分散させる。 - 特許庁 - The color filter includes a glass substrate and a coloring portion arranged on the glass substrate and formed by discharging an ink for a color filter with an inkjet mode, wherein an ultraviolet absorption film composed of a material including zinc oxide or indium tin oxide is included between the glass substrate and the coloring portion, and the ink for the color filter includes a dye, a liquid medium in which the dye is soluble, and a resin material.
本発明のカラーフィルターは、ガラス基板と、該ガラス基板上に設けられ、インクジェット方式によってカラーフィルター用インクを吐出して形成された着色部とを備えたカラーフィルターであって、前記ガラス基板と前記着色部との間に、酸化亜鉛または酸化インジウムスズを含む材料で構成された紫外線吸収膜を有し、前記カラーフィルター用インクは、染料と、該染料が溶解する液性媒体と、樹脂材料とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The laminate has the buffer layer formed of at least one kind or more selected from a group composed of a gallium oxide thin film, an oxide thin film formed of gallium, indium and oxygen, and a transparent conductive film layer formed of an oxide thin film including at least one kind or more of elements selected from a titanium oxide as a main component and from niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, and tungsten are formed on its buffer layer.
基体上に、酸化ガリウム薄膜、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる酸化物薄膜、ならびにガリウム、インジウム、アルミニウムおよび酸素からなる酸化物薄膜の中から選択される少なくとも１種以上からなるバッファー層が形成され、そのバッファー層上に酸化チタンを主成分としニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、ならびにタングステンから選択される少なくとも１種以上の元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層が形成されていることを特徴とする積層体。 - 特許庁 - A semiconductor light emission element 1 has a substrate 110, a layered semiconductor layer 100 that includes a lightemission layer 150 and is laminated onto the substrate 110, a transparent electrode 170 including indium oxide and laminated on the layered semiconductor layer 100, a first bonding layer 190 laminated on the transparent electrode 170, and a first bonding pad electrode 200 laminated on the first bonding layer 190 and used for electrical connection with the exterior.
半導体発光素子１は、基板１１０と、発光層１５０を含み基板１１０上に積層される積層半導体層１００と、インジウム酸化物を含み積層半導体層１００上に積層される透明電極１７０と、透明電極１７０上に積層される第１の接合層１９０と、第１の接合層１９０上に積層されて外部との電気的な接続に用いられる第１のボンディングパッド電極２００とを備える。 - 特許庁 - To provide a a silicon carbide substrate; an optoelectronic diode having a nitride active layer of group III; a buffer structure selected from a group consisting of gallium nitride and indium gallium nitride between the silicon carbide substrate and the optoelectronic diode, and an optoelectronic device in which stress induced destruction generated in the buffer structure is not generated in other part of the buffer structure but is generated in a specified region.
炭化ケイ素基質；第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード；炭化ケイ素基質とオプトエレクトロニックダイオードとの間の窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造；および緩衝構造内で生じる応力誘発破壊が緩衝構造内の他の部分ではなくて所定の領域に生じるようなオプトエレクトロニックデバイスを提供する。 - 特許庁 - This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object.
この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁 - This ITO sintered compact is obtained by casting a casting mold of phenolic resin type with a slurry to produce a molded form followed by sintering the thus produced molded form; wherein the slurry is prepared by mixing powder consisting mainly of indium oxide and tin oxide with a dispersion medium containing an emulsion binder ≤200 nm in emulsion particle size and an emulsion-type lubricant at 1-3 wt.% based on the binder.
酸化インジウム及び酸化錫を主成分として含む粉末および、エマルジョン粒子径２００ｎｍ以下のエマルジョンバインダーと、上記バインダーの重量に対して１〜３％のエマルジョン型潤滑剤とを有する分散媒を混合したスラリーをフェノール系樹脂型鋳込み型に流し込むことにより成形体を得て、得られた成形体を焼結してＩＴＯ焼結体を得るＩＴＯ焼結体の製造方法。 - 特許庁 - The phosphor with a matrix being an oxide crystal comprises at least first metal ions and second metal ions, wherein the first metal ions comprise one or more ions of a trivalent metal selected from the group consisting of aluminum, gallium, vanadium, scandium, antimony, and indium, and part of the trivalent metal ions are replaced by at least one type of trivalent rare earth metal ions which serve as luminescent centers.
少なくとも第１の金属イオンと第２の金属イオンとを含有する酸化物結晶を母体とする蛍光体であって、前記第１の金属イオンは、アルミニウム、ガリウム、バナジウム、スカンジウム、アンチモンおよびインジウムからなる群から選択される１種以上のＩＩＩ価金属イオンを含み、かつ、前記ＩＩＩ価金属イオンの一部は、発光体となる１種以上のＩＩＩ価希土類イオンで置換されていることを特徴とする蛍光体。 - 特許庁 - The capacitive touch panel has a structure where at least a transparent conductive film and a dielectric layer are laminated onto a transparent substrate, and a member for position detection comprising at least a wiring portion for position detection and electrodes for position detection is arranged at a substrate frame portion, where the transparent conductive film is composed of oxide having indium oxide as a main component and containing gallium and tin.
透明基板上に、少なくとも透明導電膜と、誘電体層とが積層されており、該基板額縁部に少なくとも位置検出用配線部並びに位置検出用電極からなる位置検出用部材が配置された構造を有する静電容量式タッチパネルであって、前記透明導電膜が酸化インジウムを主成分とし、ガリウムおよびスズを含む酸化物からなることを特徴とする静電容量式タッチパネルなどによって提供。 - 特許庁 - The method for preparing metal nanoparticles includes: a step of preparing a solution by adding a polymer surfactant to an alcohol solvent; heating the solution; forming a metal seed by adding a first metal salt of at least one metal salt selected from the group consisting of platinum palladium and indium in the heated solution; and adding a second metal salt into the solution including the metal seed.
本発明の実施形態に係る金属ナノ粒子の製造方法は、アルコール系溶媒に高分子界面活性剤を添加して溶液を製造するステップと、上記溶液を加熱するステップと、上記加熱した溶液に白金、パラジウム、及びイリジウムから選択される金属塩の少なくとも１種の第１金属塩を添加して金属シードを形成するステップと、上記金属シードが含まれている溶液に第２金属塩を添加するステップと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - There are disclosed families of trivalent metal complexes including scandium, yttrium, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, aluminum, gallium, indium, manganese, antimony, bismuth; and of divalent metal complexes including magnesium, calcium, strontium, barium, manganese, cobalt, iron, nickel, ruthenium, copper, zinc, cadium.
開示されるのは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、マンガン、アンチモン、ビスマスを含む一群の三価金属錯体、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、銅、亜鉛、カジウムを含む一群の二価金属錯体である。 - 特許庁 - The polyphenylene sulfide(PPS) film has a ceramic layer formed on at least one side thereof, preferably the one has a ceramic layer of aluminum oxide, silicone oxide, indium oxide, zinc oxide or titanium oxide with a heat resistance or a complex ceramic layer thereof formed on at least one side thereof, and the capacitor is constructed by using the same.
ポリフェニレンスルフィドフィルムの少なくとも片面にセラミック層が設けられてなること特徴とするポリフェニレンスルフィドフィルムであり、好ましくは、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）フィルムの少なくとも片面に、耐熱性のある酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化チタン、またはそれらの複合体セラミック層を設けたポリフェニレンスルフィドフィルムであり、また、該ポリフェニレンスルフィドフィルムを用いてなることを特徴とするフィルムコンデンサー。 - 特許庁 - A binder resin layer contains white conductive particles comprising base particles coated with a conductive coating layer made of tin dioxide and indium oxide.
キャリアについては、芯材粒子は、重量平均粒径Ｄｗが２２μｍ以上３２μｍ以下であると共に、個数平均粒径Ｄｐに対する重量平均粒径Ｄｗの比Ｄｗ／Ｄｐが１．００以上１．２０以下であり、芯材粒子は、粒径が２０μｍ以下である粒子を０重量％以上７重量％以下含有すると共に、粒径が３６μｍ以下である粒子を９０重量％以上１００重量％以下含有し、芯材粒子のＢＥＴ比表面積は、３００ｃｍ^２／ｇ以上９００ｃｍ^２／ｇ以下であり、結着樹脂層は、基体粒子に二酸化スズ及び酸化インジウムからなる導電性被覆層が形成されている白色導電性粒子を含有する。 - 特許庁
