「indium」を含む例文一覧(1948)

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  • METHOD FOR PRODUCTION OF INDIUM TARGET, AND INDIUM TARGET
    インジウムターゲットの製造方法及びインジウムターゲット - 特許庁
  • In a process for precipitating the metallic indium by adding zinc into the indium chloride solution; this method for recovering the indium, desirably, indium hydroxide is produced by adjusting pH of the indium chloride solution to 2.5-3.5 and also, indium ion concentration in the solution is made to be 60-85g/L, and the indium ion and indium hydroxide are coexisted and the metallic indium is precipitated.
    塩化インジウム溶液に亜鉛を添加して金属インジウムを析出させる工程において、好ましくは、塩化インジウム溶液のｐＨを２.５〜３.５に調整して水酸化インジウムを生成させると共に液中のインジウムイオン濃度を６０〜８５g/Ｌとし、インジウムイオンと水酸化インジウムを共存させて金属インジウムを析出させることを特徴とするインジウムの回収方法。 - 特許庁
  • Indium oxide is contained as the essential component, and the indium in the indium oxide is substituted into tungsten with the ratio of 0.019-0.034 tungsten/indium in the rate of atom numbers, and the indium oxide is single crystal.
    酸化インジウムを主成分とし、タングステン／インジウムの原子数比で０．０１９〜０．０３４の割合で、酸化インジウムのインジウムがタングステンに置換され、かつ酸化インジウムは結晶質である。 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING INDIUM GALLIUM NITRIDE (InGaN) EPITAXIAL THIN FILM HAVING INDIUM NITRIDE (InN) OR HIGH INDIUM COMPOSITION
    窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 - 特許庁
  • The indium composites include indium metal or an alloy of indium with one or more ceramic materials.
    このインジウム複合体は、１種以上のセラミック材料と共に、インジウム金属又はインジウムの合金を含有する。 - 特許庁
  • After that, the indium aquo complex is released as an indium cation by being applied with water, and the indium is separated, concentrated and recovered.
    その後、水を通液することにより、インジウムアコ錯体はインジウムカチオンとして脱離させ、インジウムを分離・濃縮回収する。 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING INDIUM OXIDE POWDER, METHOD FOR PRODUCING GRANULATED INDIUM METAL, AND METHOD FOR PRODUCING INDIUM SALT SOLUTION
    酸化インジウム粉末の製造方法、粒状金属インジウムの製造方法、およびインジウム塩溶液の製造方法 - 特許庁
  • The indium oxide sputtering target is composed of an indium oxide sintered compact having an indium oxide phase and a metal phase.
    酸化インジウムスパッタリングターゲットを酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体により構成する。 - 特許庁
  • The step (δ) includes: mixing the spongy indium (1) and the spongy indium (2) with sodium hydroxide, and heating and melting them to obtain the crude indium.
    工程（ニ）：前記スポンジインジウム（１）とスポンジインジウム（２）に、水酸化ナトリウムを混合した後、加熱融解し、粗インジウムを得る。 - 特許庁
  • To provide a method for treating an indium-containing solution, which decreases the loss of indium and keeps the quality of collected indium.
    インジウムのロスの抑制および回収されるインジウムの品位の保持、の両者を実現するインジウム含有溶液の処理方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for recovering indium, with which indium can be efficiently recovered, and to provide an indium elution device.
    インジウムを効率よく回収できるインジウムの回収方法及びインジウム溶出装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide an indium tin oxide target, a method for manufacturing the indium tin oxide target, a transparent conductive film of indium tin oxide, and a method for manufacturing the transparent conductive film.
    酸化インジウムスズターゲットおよびこの製造方法、酸化インジウムスズ透明導電膜およびこの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Regarding the method for recovering indium, from a solution comprising indium and oxalic acid, the indium can be recovered at high efficiency.
    本発明のインジウムの回収方法は、インジウム及びシュウ酸を含有する溶液からインジウムを高い効率で回収することができる。 - 特許庁
  • At each measuring point, measure the concentration of indium contained in ITO and other indium compounds as element indium.
    各測定点においては、次の方法により、ＩＴＯ等に含まれるインジウム化合物をインジウムとして測定すること。 - 厚生労働省
  • Target substances under this guideline shall be respirable size aerosol1 of indium and other compounds including ITO, metal indium, indium hydroxide, indium oxide, indium chlorides and other substances (indium compounds) (hereinafter called “ITO, etc.,”) produced or handled during the process of production, use and recycle of ITO.
    本技術指針における対象物質は、インジウム及びその化合物のうち、ＩＴＯの製造、使用、回収等の過程で製造し、又は取り扱う、ＩＴＯ、金属インジウム、水酸化インジウム、酸化インジウム、塩化インジウム等（以下「ＩＴＯ等」という。）であって吸入性粉じん1であるものとする。 - 厚生労働省
  • also called in 111 ibritumomab tiuxetan and indium in 111 ibritumomab tiuxetan.
    「in 111 ibritumomab tiuxetan（in111イブリツモマブ・チウキセタン）」、「indium in 111 ibritumomab tiuxetan（インジウム111イブリツモマブ・チウキセタン）」とも呼ばれる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • SINGLE CRYSTAL INDIUM OXIDE NANOTUBES WHICH ENTAILS METAL INDIUM AND ITS MANUFACTURING METHOD
    金属インジウムが内含されている単結晶酸化インジウムナノチューブとその製造方法 - 特許庁
  • Methods of replenishing indium ions in the indium electroplating compositions are disclosed.
    インジウム電気めっき組成物においてインジウムイオンを補充する方法が開示される。 - 特許庁
  • INDIUM TIN OXIDE PRECURSOR, INDIUM TIN OXIDE FILM, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
    インジウム錫酸化物前駆体とそのインジウム錫酸化物膜、およびこれらの製造方法 - 特許庁
  • The indium composition of the first semiconductor layer 9a is smaller than an indium composition of the well region 5.
    第１の半導体層９ａのインジウム組成は、井戸領域５のインジウム組成より小さい。 - 特許庁
  • Indium ions are replenished using a specific weak acidic indium salts during electroplating.
    特定の弱酸のインジウム塩を用いて、インジウムイオンが電気めっき中に補充される。 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTION OF UNREACTED METAL INDIUM IN INDIUM PHOSPHORUS POLYCRYSTAL
    インジウムリン多結晶中の未反応金属インジウム検査方法及び検査装置 - 特許庁
  • The step (γ) includes: bringing aluminum into contact with the aqueous solution of indium chloride to obtain spongy indium (2).
    工程（ハ）：前記塩化インジウム水溶液に、アルミニウムを接触させ、スポンジインジウム（２）を得る。 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR RECOVERING INDIUM FROM INDIUM-CONTAINING FERRIC CHLORIDE ETCHING WASTE SOLUTION
    インジウム含有塩化第二鉄エッチング廃液からのインジウムの回収方法とその装置 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING INDIUM NITRIDE THIN FILM AND INDIUM NITRIDE ALLOY THIN FILM
    窒化インジウム薄膜及び窒化インジウム合金薄膜の製造方法とその装置 - 特許庁
  • Preferably the molybdenum is substitutionally dissolved into indium sites of indium oxide.
    そして、好ましくは、酸化インジウムのインジウムサイトにモリブデンが置換固溶しているものである。 - 特許庁
  • The stress relaxation layer 71 is configured of an indium (In)-silver (Ag) alloy or indium (In).
    応力緩和層７１は、インジウム（Ｉｎ）−銀（Ａｇ）合金、または、インジウム（Ｉｎ）により構成する。 - 特許庁
  • INDIUM OXIDE FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND INDIUM OXIDE FILM FOR FIELD EMISSION ELECTRODE OR CARRIER BASE
    酸化インジウム膜とその製造方法、電界放出電極用または担持基体用酸化インジウム膜 - 特許庁
  • To efficiently recover indium in a state suitable for reusing from waste containing the indium.
    インジウム含有の廃棄物からインジウムを再利用に適した状態で効率よく回収できる。 - 特許庁
  • METHOD FOR REMOVING AND RECOVERING INDIUM FROM INDIUM-CONTAINING FERRIC CHLORIDE ETCHANT WASTE
    インジウム含有塩化第二鉄エッチンク廃液からのインジウムの除去方法および回収方法 - 特許庁
  • To provide a new indium compound suitable for use in indium vapor deposition.
    インジウム蒸着法における使用に好適な新規なインジウム化合物の提供。 - 特許庁
  • Metal components including indium are eluted using hydrochloric acid from a pulverized indium-containing solid.
    インジウム含有固体の粉砕物から、塩酸を用いてインジウムを始めとする金属分を溶出させる。 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING FINE POWDER OF INDIUM OXIDE AND FINE POWDER OF INDIUM OXIDE CONTAINING TIN
    酸化インジウム微粉末及びスズ含有酸化インジウム微粉末の製造方法 - 特許庁
  • The method of recovering high purity indium and crude tin is carried out by reducing the block object containing indium oxide and tin oxide at 730-1,250°C in a reducing atmosphere to produce an indium, tin alloy anode, primarily indium electric refining to obtain an indium electrodeposition object, melting the indium electrodeposition object at 180-300°C to cast the indium anode and secondarily indium electric refining.
    酸化インジウム、酸化錫を含有する塊状物を７３０〜１２５０℃で還元雰囲気にて還元し、インジウム・錫合金アノードを製造した後、１次インジウム電解精製し、インジウム電着物を得て、このインジウム電着物を１８０〜３００℃の範囲にて溶融し、インジウムアノードを鋳造して、２次インジウム電解精製する高純度インジウム、及び粗錫の回収方法。 - 特許庁
  • The transparent conductive film 82 formed on the surface 83 of the substrate 81 is made of an ITOC (indium Tin Oxide Carbon) film.
    基板８１の表面８３に形成された透明導電膜８２は、ＩＴＯＣ（Indium Tin Oxide Carbon）膜からなる。 - 特許庁
  • ZINC SOLID PHASE DIFFUSION METHOD OF INDIUM PHOSPHIDE (InP) SYSTEM LIGHT RECEIVING ELEMENT AND INDIUM PHOSPHIDE SYSTEM LIGHT RECEIVING ELEMENT
    ＩｎＰ系受光素子の亜鉛固相拡散方法とＩｎＰ系受光素子 - 特許庁
  • INDIUM TIN OXIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, COATING MATERIAL FOR INDIUM TIN OXIDE CONDUCTIVE FILM, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
    ＩＴＯ粉体およびその製造方法、ＩＴＯ導電膜用塗料、並びに透明導電膜 - 特許庁
  • a metalic element called indium, whose atomic number is 49
    インジウムという,原子番号49の金属元素 - EDR日英対訳辞書
  • prostascint is combined with indium 111 and injected into the body.
    prostascintはインジウム111とともに体内に注入される。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • vi. Focal plane arrays which use indium gallium arsenide
    ６　砒化インジウムガリウムを用いたもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (xliv) indium and its compounds
    四十四　インジウム及びその化合物 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • Indium is employed as the ion species of ion implantation.
    イオン注入のイオン種として、インジウムを用いる。 - 特許庁
  • OXIDE CONTAINING INDIUM AND/OR GALLIUM
    インジウム及び／又はガリウム含有酸化物 - 特許庁
  • OXIDE COMPRISING INDIUM, GALLIUM AND ZINC
    インジウム、ガリウム及び亜鉛を含む酸化物 - 特許庁
  • GROWTH METHOD OF INDIUM GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR
    窒化インジウムガリウム半導体の成長方法 - 特許庁
  • The method of recovering the indium comprises recovering the indium in the form of indium hydroxide selectively on a cathode side by using the indium-containing scrap as an anode and performing an electrolysis using ammonium nitrate.
    インジウム含有スクラップをアノードとし、硝酸アンモニウムを用いて電解することにより、カソード側に選択的に水酸化インジウムとして回収することを特徴とするインジウムの回収方法。 - 特許庁
  • INDIUM PHOSPHORUS GUNN DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    インジウム燐ガンダイオード及びその製造方法 - 特許庁
  • INDIUM COMPOUND SPINTRONICS MATERIAL
    インジウム化合物スピントロニクス材料 - 特許庁
  • METHOD FOR RECOVERING GALLIUM AND INDIUM
    ガリウムおよびインジウムの回収方法 - 特許庁
  • A new indium gallium nitride laser diode is described.
    新規な窒化インジウムガリウムレーザダイオードを記載する。 - 特許庁
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