INDIUM-GERMANIUM VAPOR DEPOSITING TARGET AND ITS PRODUCTION インジウム−ゲルマニウム系蒸着ターゲット及びその製造方法 - 特許庁
INDIUM PHOSPHIDE NANOWIRE COVERED WITH CARBON FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 炭素膜で被覆されたリン化インジウムナノワイヤー及びその製造方法 - 特許庁
INDIUM-CONTAINING SEMICONDUCTOR METAL OXIDE AND ITS MANUFACTURING METHOD インジウム含有半導体金属酸化物とその製造方法 - 特許庁
GOLD-SOLDER CONTAINING CONTACT FOR INDIUM SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 金はんだを含むインジウム半導体装置用の接点とその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING AQUEOUS SOLUTION CONTAINING INDIUM HAVING DECREASED METAL IMPURITIES 金属不純物の低減されたインジウム含有水溶液の製造方法 - 特許庁
INDIUM OXIDE POWDER AND METHOD FOR MANUFACTURING ITO SPUTTERING TARGET 酸化インジウム粉末およびITOスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁
INDIUM GERMANATE SUBMICRON TUBE AND ITS MANUFACTURING METHOD ゲルマニウム酸インジウムサブミクロンチューブ及びその製造方法 - 特許庁
INDIUM-CONTAINING HARDENED PLATINUM ALLOY FOR JEWEL, AND PRODUCTS インジウムを含有する宝飾品用硬化白金合金及び製品 - 特許庁
METHOD OF CRYSTAL GROWTH OF INDIUM ALUMINUM NITRIDE SEMICONDUCTOR 窒化インジウムアルミニウム半導体の結晶成長方法 - 特許庁
When dry etching of indium phosphide is performed, dry etching is performed by using etching gas including chlorine atoms and oxygen atoms, etch rate of indium phosphide gallium is reduced, selectivity of indium phosphide and indium phosphide gallium is increased, and microfabrication of an element is performed. 燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。 - 特許庁
The indium target can be produced by performing the fusion casting of an indium alloy comprising copper of 0.5-7.5 atom% based on the total atom number of indium and copper, and the balance indium with inevitable impurities. 当該インジウムターゲットはインジウムと銅の合計原子数に対して0.5〜7.5at%の銅を含有し、残部インジウム及び不可避的不純物からなる組成をもつインジウム合金を溶解鋳造することにより製造可能である。 - 特許庁
INK FOR ORGANIC EL INDIUM REGULATING LAYER AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE 有機ELインジウム調整層用インク、および有機EL表示装置 - 特許庁
The oxide transparent conductive film is formed of an indium zinc oxide. 前記酸化物透明導電膜は、インジウム亜鉛酸化物からなる。 - 特許庁
METHOD FOR COLLECTING INDIUM FROM OXALIC ACID ETCHING WASTE LIQUID シュウ酸エッチング廃液からのインジウムの回収方法 - 特許庁
The Group III nitride layer including indium may also include aluminum. インジウムを含む第III属窒化物は、アルミニウムを含むこともできる。 - 特許庁
The negative electrode 3 contains zinc, indium, and bismuth. 負極3には、亜鉛とインジウムとビスマスとが含まれている。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for inspecting unreacted metal indium in an indium phosphorus polycrystal simply and efficiently by visually inspecting whether the unreacted metal indium remaining in the indium phosphorus polycrystal is present without cutting and breaking down an ingot. インゴットを切断破壊することなく、インジウムリン多結晶中に残存する未反応金属インジウムの有無と分布を視覚的に検査できる、簡便で効率的なインジウムリン多結晶中の未反応金属インジウムの検査方法及び検査装置を提供する。 - 特許庁
The transparent electrode layer 120 is, for instance, an indium oxide layer. 透明電極層120は、例えば酸化インジウム層である。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING INDIUM COMPOUND FROM FERROUS CHLORIDE SOLUTION 塩化第一鉄液中からのインジウム化合物の製造方法 - 特許庁
ETCHING SOLUTION AND ETCHING METHOD FOR INDIUM TIN OXIDE FILMS 酸化インジウム錫膜用エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁
INDIUM-ALUMINUM DEPOSITED FILM AND METAL COLOR DEVELOPING MOLDED PRODUCT インジウム−アルミニウム蒸着フィルムと金属発色をする成形品 - 特許庁
Further, powder obtained by mixing an indium compound and metal fine particles or powder obtained by mixing an indium compound and metal oxide fine particles is subjected to discharge plasma sintering to thereby produce the indium oxide sintered compact having the indium oxide phase and the metal phase. また、インジウム化合物と金属微粒子を混合した粉末又はインジウム化合物と金属酸化物微粒子を混合した粉末を放電プラズマ焼結することにより、酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体を製造する。 - 特許庁
The transparent conductive film 2 is made of indium zinc oxide. 透明導電膜2は、インジウム亜鉛酸化物からなることを特徴とする。 - 特許庁
METHOD FOR RECOVERING INDIUM COMPONENT FROM OXALIC-ACID ETCHING WASTE LIQUID シュウ酸エッチング廃液からのインジウム成分の回収方法 - 特許庁
SINTERED COMPACT OF FLUORINE-CONTAINING INDIUM-TIN OXIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME フッ素含有インジウム−錫酸化物焼結体及びその製造方法 - 特許庁
An additive for the lead-acid battery contains indium. インジウムを含むことを特徴とする鉛蓄電池用添加剤。 - 特許庁
PROCESS FOR FORMING INDIUM PHOSPHIDE LAYER ON SILICON SUBSTRATE シリコン基板上にリン化インジウム層を形成する方法 - 特許庁
Both the first well layer 25 and the second well layer 26 contain indium. 第一の井戸層25及び第二の井戸層26が、いずれもインジウムを含む。 - 特許庁
TIN OXIDE-ADDED INDIUM OXIDE POWDER AND ITS MANUFACTURING METHOD 酸化錫添加酸化インジウム粉末及びその製造方法 - 特許庁
Electrochemically deposited indium composites are disclosed. 電気化学的に堆積されたインジウム複合体が開示されている。 - 特許庁