「indium」を含む例文一覧(1948)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 38 39 次へ＞- To provide a method for producing a tin-doped indium oxide particulate having high crystallinity and a small particle diameter.
結晶性が高く、小粒径のスズドープ酸化インジウム微粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An indium layer 32 is formed on the sealing surface 11a by interlaying a base layer 31.
封着面１１ａには、下地層３１を介してインジウム層３２が形成される。 - 特許庁 - Electrodes 34 each used for carrying a current are connected to the four corner parts of the indium layer 32.
インジウム層３２の４つの角部には、それぞれ通電のための電極３４が接続されている。 - 特許庁 - INDIUM OXIDE SINTERED COMPACT, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME
酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット - 特許庁 - The bonding structure is provided with a substrate 10, an non-oxide adhesive layer 20, and an indium tin oxide film 30.
基板１０と、非酸化物接着層２０と、酸化インジウムスズ膜３０とを備える。 - 特許庁 - The film deposition method can also be applied to other oxides such as ITO (indium-tin-oxide) and SiO_2.
本発明の成膜方法によれば、ＩＴＯ、ＳｉＯ_2等その他の酸化物にも応用できる。 - 特許庁 - The indium based metal fine particles have a 2-200 nm average particle size.
平均粒子径が２〜２００ｎｍの範囲にあることを特徴とするインジウム系金属微粒子。 - 特許庁 - WAFER INCLUDING COMPOUND SEMICONDUCTOR SURFACE LAYER CONTAINING INDIUM AND CARRIER DENSITY EVALUATION METHOD THEREOF
Ｉｎを含む化合物半導体表面層を含むウエハとそのキャリヤ密度評価方法 - 特許庁 - ETCHING LIQUID COMPOSITION FOR INDIUM OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND ETCHING METHOD USING THE COMPOSITION
酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物及びそれを用いたエッチング方法 - 特許庁 - An indium metal thin film layer 3 is evaporated on the indented surface of the base resin layer 2.
基材樹脂層２の凹凸面には、インジウム金属薄膜層３を蒸着する。 - 特許庁 - The transparent film for heat dissipation includes a transparent indium oxide film provided on the surface thereof.
透明樹脂フィルムの表面に透明な酸化インジウム膜が付設されてなる放熱用透明フィルム。 - 特許庁 - INDIUM OXIDE-TUNGSTEN OXIDE BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
酸化インジウム−酸化タングステン系透明導電膜及びその製造方法 - 特許庁 - A 2nd storage capacitor comprises a 2nd metal layer, a protective insulating layer, and an indium tin oxide layer.
第二蓄積コンデンサは、第二金属層、保護絶縁層と、インジウムスズ酸化物層より形成される。 - 特許庁 - The ITO (tin-doped indium oxide) layer has refraction of 1.85-2.35 with the light of 400 nm in wavelength and is 5-50 nm in film thickness.
ＩＴＯ層は、波長４００ｎｍの光の屈折率が１．８５〜２．３５、膜厚が５〜５０ｎｍである。 - 特許庁 - METHOD FOR TREATING FINE INDIUM-TIN OXIDE PARTICLE FOR FORMING INSOLATION-SCREENING FILM AND INSOLATION- SCREENING FILM
日射遮蔽膜形成用インジウム錫酸化物微粒子の処理方法および日射遮蔽膜 - 特許庁 - The method for recovering indium comprises a step of using the above sulfurizing precipitation process.
該硫化沈殿方法による工程を含むことを特徴とするインジウム回収方法である。 - 特許庁 - The indium layer 43 has its surface oxidized to such a degree as to have a conductivity.
インジウム層４３は、電気的導通を有する程度にその表面が酸化されている。 - 特許庁 - It is preferable that the transparent membrane is formed of an indium oxide containing 0.5 to 8 mass% of a tin oxide.
透明導電膜は、酸化スズを０．５〜８質量％含む酸化インジウムが好ましい。 - 特許庁 - METALLIC TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
金属スズ含有酸化インジウム焼結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - Indium, Sn-58Bi, and 50Bi-28Pb-22Sn are preferable as the thermal storage material.
蓄熱材料としてはインジウム、Ｓｎ−５８Ｂｉ及び５０Ｂｉ−２８Ｐｂ−２２Ｓｎなどである。 - 特許庁 - Bismuth and indium are made to be present more in the particle surface of zinc than in the particle inner part thereof.
ビスマスおよびインジウムを亜鉛の粒子内部より粒子表面に多く存在させる。 - 特許庁 - Preferably, the silver solder material contains the indium (In) at 1 to 5 wt.%.
好ましくは、インジウム（Ｉｎ）を１乃至５重量パーセント含有するのが良い。 - 特許庁 - To verify an arrangement adequacy of indium oxide (IO) cells having a dependent relation in a semiconductor integrated circuit.
半導体集積回路において、依存関係を有するＩＯセルの配置の妥当性を検証すること。 - 特許庁 - To provide an indium oxide powder which can suppress warp of an ITO sintered compact.
ＩＴＯ焼結体の反りを抑制することができる酸化インジウム粉末を提案する。 - 特許庁 - To provide a conductive powder which has excellent conductivity and can reduce the use amount of indium.
インジウム使用量の低減が可能で、優れた導電性を有する導電性粉体を提供する。 - 特許庁 - An ITO (indium tin oxide) optically translucent electrode 15 is formed on the second semiconductor layer 14.
第２の半導体層１４の上には、ＩＴＯよりなる透光性電極１５が形成されている。 - 特許庁 - In this case, the dielectric multilayer may be composed of an indium tin oxide (ITO) layer and the SiO_2 layer.
この場合の誘電体多層膜はＩＴＯ層とＳｉＯ_２ 層から形成することができる。 - 特許庁 - To provide a simple method for producing an indium-containing aqueous solution having a reduced content of metallic impurities.
金属不純物の低減されたインジウム含有水溶液の簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁 - This method is suitable for producing a thin film of indium oxide, tin oxide, titanium oxide or the like.
酸化インジウム、酸化スズまたは酸化チタンなどの薄膜の作製に適している。 - 特許庁 - A hole injection electrode 2 consisting of ITO (indium tin oxide) is formed on a glass substrate 1.
ガラス基板１上にＩＴＯからなるホール注入電極２が形成されている。 - 特許庁 - The indium-tin-iron catalyst is composed of catalytic fine particles 24, whose diameters are prepared in the range of 1 nm-100 μm.
触媒微粒子２４の直径は１ｎｍ〜１００μｍの範囲に調製される。 - 特許庁 - The fine powder of hexagonal indium oxide or hexagonal indium oxide containing tin is manufactured by treating indium oxide hydrate or a mixture of tin oxide hydrate and indium oxide hydrate at 150-350°C in an atmosphere from oxygen-less to low oxygen and then thermally decomposing at 360-1,200°C.
酸化インジウム水和物、あるいは酸化スズ水和物及び酸化インジウム水和物の混合物を１５０〜３５０℃の温度域にて無酸素〜低酸素の雰囲気で処理した後、３６０〜１２００℃の温度域にて加熱分解することを特徴とする六方晶系酸化インジウム微粉末、あるいは六方晶系スズ含有酸化インジウム微粉末の製造方法。 - 特許庁 - The collection method of indium is characterized by including: a dilute sulfuric acid leaching step of leaching and separating impurity from drainage sludge containing indium oxide by dilute sulfuric acid, and collecting residues containing indium; and a sulfuric acid leaching step of leaching and collecting the indium from dilute sulfuric acid leaching residues by sulfuric acid.
希硫酸により酸化インジウムを含む排水泥から不純物を浸出して分離し、インジウムを含む残渣を回収する希硫酸浸出工程、硫酸により希硫酸浸出残渣からインジウムを浸出して回収する硫酸浸出工程を有することを特徴とするインジウムの回収方法。 - 特許庁 - This method for recovering indium includes: a step of reducing ferric ions to ferrous ions; a step of bringing an obtained solution into contact with a magnetic bead having a chelate group to indium; a step of magnetically separating the magnetic bead to which indium has been adsorbed; and a step of desorbing the indium from the magnetic bead using a desorbing liquid.
第二鉄イオンを第一鉄イオンに還元する工程と、得られた溶液をインジウムに対するキレート基を有する磁気ビーズに接触させる工程と、インジウムを吸着した磁気ビーズを磁気分離する工程と、脱着液を用いて磁気ビーズからインジウムを脱着する工程を含むことを特徴とするインジウム回収方法を用いる。 - 特許庁 - The electrolyte solution includes copper, indium, gallium, selenous acid (H_2SeO_3) and water.
電解質溶液は、銅、インジウム、ガリウム、亜セレン酸（Ｈ_２ＳｅＯ_３）及び水を含む。 - 特許庁 - The liquid metal 30 contains gallium, and at least one of indium and tin.
液体金属３０は、ガリウムと、インジウム及びスズの少なくとも一方とを含む。 - 特許庁 - An oxide including indium, silicon, and zinc is used as an oxide semiconductor material.
インジウムとシリコンと亜鉛を含む酸化物を酸化物半導体材料として用いる。 - 特許庁 - Indium oxide powder containing 3-100 ppm of Fe element is proposed.
Ｆｅ元素を３ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ含有する酸化インジウム粉末を提案する。 - 特許庁 - The epitaxial semiconductor layer 19 has an indium composition ratio of 0.35 to 0.65.
半導体エピタキシャル層１９のインジウム組成は０．３５以上０．６５以下である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a tin oxide powder by recycling an indium-tin oxide scrap.
インジウム−錫酸化物廃スクラップをリサイクルした錫酸化物粉末の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The indium composition of the InGaN layer also decreases uniformly in order of points P1, P2, and P3.
また、ＩｎＧａＮ層のインジウム組成は、点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の順に単調に減少する。 - 特許庁 - Then, a thin film 121 of nitride containing indium is formed on the main surface of the crystal substrate 101.
次に、結晶基板１０１の主表面の上に、インジウムを含む窒化物の薄膜１２１を形成する。 - 特許庁 - The primary particle diameter of indium oxide powder can be increased when Fe is added before firing.
焼成前にＦｅを添加すると、酸化インジウム粉末の一次粒子径を大きくすることができる。 - 特許庁 - To provide technique capable of simply and inexpensively separating and recovering indium of high purity.
簡便かつ安価に高純度のインジウムを分離・回収し得る技術の提供。 - 特許庁 - To provide a high-density oxide sintered compact containing indium oxide as a component, and to provide a method for producing the same.
酸化インジウムを成分とする高密度酸化物焼結体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the indium based oxide fine particle comprises the steps of: (a) preparing an organic solvent dispersion of indium hydroxide and (b) heating the organic solvent dispersion to 120-400°C, or (a') preparing an organic solvent dispersion of indium based hydroxide and an indium based oxide seed particles and (b).
下記の工程からなるインジウム系酸化物微粒子の製造方法；(a)インジウム系水酸化物の有機溶媒分散液を調製する工程、(b)前記有機溶媒分散液を120〜400℃の温度範囲で加熱処理する工程、または、(a')インジウム系水酸化物とインジウム系酸化物種粒子との有機溶媒混合分散液を調製する工程、(b)インジウム系水酸化物の有機溶媒分散を120〜400℃の温度範囲で加熱処理する工程。 - 特許庁 - An ITO(indium tin oxide) film 36 for the electrodeposition of a color filter is further formed on the SiO2 film 35.
さらにこの上に、カラーフィルタ電着用ＩＴＯ膜３６が形成される。 - 特許庁 - In the method of producing the indium based oxide fine particles, the pH of an indium hydroxide dispersed solution or a tin and/or fluorine compound- containing indium hydroxide dispersed solution (hereinafter referred to as an indium based hydroxide dispersed solution) is adjusted to 7 to 10 in the case that the concentration of the dispersed solution is 4 wt.% expressed in terms of oxide, and, after that, heat-treatment is performed.
インジウム水酸化物分散液、あるいは錫および／またはフッ素化合物を含むインジウム水酸化物分散液（以後、インジウム系水酸化物分散液という）のｐＨを、該分散液の濃度が酸化物として４重量％の場合に、７〜１０に調整したのち、加熱処理する前記インジウム系酸化物微粒子の製造方法。 - 特許庁 - The powered indium oxide, from which the high density sintered compact with ≥5.3 g/cm^3 sintered density can be manufactured, is manufactured by turning the indium hydroxide into needle crystals and suppressing agglomeration in the state of indium hydroxide and further by controlling particle diameters of the needle crystals so as to control the agglomeration and particle diameters of the powdered indium oxide obtained by calcinations.
水酸化インジウムを針状結晶とすることにより、水酸化インジウムの状態で凝集を抑制し、さらには、該針状結晶の粒子径を制御することにより、仮焼して得られる酸化インジウム粉末の凝集及び粒子径を制御して、焼結密度５．３ｇ／ｃｍ^３以上の高密度焼結体が製造可能な酸化インジウム粉末の製造が可能となる。 - 特許庁 - The transparent electrode composed of an ITO (indium tin oxide) film 3 is formed on the other surface of the substrate 1.
基板１の他方の面にＩＴＯ膜３からなる透明電極を形成する。 - 特許庁
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