「interface structure」を含む例文一覧(742)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 次へ＞- The stacking structure of the films is formed, in which a first transition layer in a first insulating film and a second transition layer in a second insulating film are formed interposing the contact interface between the first insulating film and the second insulating film by irradiating the stacking structure of the insulating films having mutually different compositions or composition ratios and containing at least silicon with ultraviolet rays under an atmosphere containing oxygen.
互いに組成、或いは組成比の異なる、少なくともシリコンを含有する絶縁膜の積層構造に対し、酸素を含有する雰囲気において紫外線照射を行うことにより、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の接触界面を挟んで、第１の絶縁膜に第１の遷移層、第２の絶縁膜に第２の遷移層が形成されている膜積層構造を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device of a transistor structure having a first interlayer insulating film, a first wiring layer, a second interlayer insulating film and a second wiring layer on a semiconductor substrate, which can prevent disconnection of electrode wiring at an interface between the first and second interlayer insulating films at the time of making a contact hole in the interlayer insulating films to form the transistor structure.
半導体基板上にトランジスタ構造、第１層間絶縁膜、第１配線層、第２層間絶縁膜、第２配線層を有する半導体装置において、第１及び第２層間絶縁膜にコンタクト孔を形成し電極構造を作成する際、層間絶縁膜界面での電極断線を防ぐ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A radio module 13 of a signal converter 11 receives data transmitted through a radio module 27 connected to an operation terminal 22, the data structure of the received data is collated with a data structure transmittable to a programmable controller 18 of a connection destination to check whether they coincide, and only normal data is transmitted to the programmable controller 18 from a communication interface 12 through a communication cable 29.
操作端末２２に接続された無線モジュール２７を介して送ったデータを信号変換機１１の無線モジュール１３で受信し、受信したデータのデータ構造が、接続先のプログラマブルコントローラ１８に送信可能なデータ構造と合致しているかを照合して、正常なデータだけを通信インタフェース１２から通信ケーブル２９を介してプログラマブルコントローラ１８に送信する。 - 特許庁 - The gate electrode G forming a two-dimensional electron-gas layer 5 just under a hetero-junction interface between both layers of the electron transit layer 3 and the electron supply layer 4 is used as one having an Ni/Au structure containing an Ni layer 21 on the electron supply layer 4 side and an Au layer 22 laminated on the Ni layer 21.
電子走行層３と電子供給層４両層のヘテロ接合界面の直下に２次元電子ガス層５が形成されるゲート電極Ｇは、電子供給層４側のNi層２１と該Ni層２１上に積層されたAu層２２とを含むNi/Au構造のゲート電極である。 - 特許庁 - In the copper wiring 10 with such a structure constructed, current is likely to relatively easily flow in more the central section than the upper section, and the scattering of copper atoms in the upper section is likely to be suppressed, further, this allows the scattering of copper atoms from an interface at a cap film 14 to be suppressed.
このような構造にしたＣｕ配線１０では、その上部よりも中央部に比較的電流が流れやすくなり、その上部のＣｕ原子の拡散が抑えられるようになり、また、それにより、キャップ膜１４界面からのＣｕ原子の拡散が抑えられるようになる。 - 特許庁 - To prevent a side etching of the interface between layers of metal wiring and to reduce voids occurred when an interlayer insulation film is formed and to stabilize contact resistance even if a contact hole for connection with a metal wiring layered on the insulation film has a borderless structure.
積層構造の金属配線界面のサイドエッチング発生を防止して、層間絶縁膜成膜時のボイドを抑制すると共に、その上層のメタル配線との接続のためのコンタクトホールがたとえボーダレス構造であっても、コンタクト抵抗を安定化させることを目的とする。 - 特許庁 - With the heat treatment of the laminated structure of Mo/Pd, a Pd-Ga compound is formed at the interface between the Pd layer and the group-III semiconductor, carrier concentration of the group-III nitride semiconductor increases and thereby contact resistance between the electrode and the group-III nitride semiconductor is maintained to a lower value.
Ｍｏ／Ｐｄ積層構造体で熱処理することで、Ｐｄ層とＩＩＩ族窒化物半導体界面にＰｄ−Ｇａ化合物が形成されるとともに、ＩＩＩ族窒化物半導体のキャリア濃度が増大し、電極とＩＩＩ族窒化物半導体の間のコンタクト抵抗が低く保たれる。 - 特許庁 - The method for manufacturing a transistor gate structure is disclosed, roughness of a high dielectric constant dielectric layer is decreased by forming a nucleation acceleration layer (120) on a substrate (104) or an arbitrary intentional interface layer, and a high dielectric constant dielectric (130) is formed on the nucleation acceleration layer (120).
トランジスタゲート構造を製造する方法が開示され、高誘電率誘電体層の粗さが、核形成促進層（１２０）を基板（１０４）又は任意の意図的な界面層の上に形成することによって低減され、高誘電率誘電体（１３０）が核形成促進層（１２０）の上に形成される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that simplifies the structure ranging from the mount section of a semiconductor switching element to a radiating fin, has no problems of separation at the interface between metal in a wiring board and ceramics, and can reinforce heat radiation, and to provide a power module and the radiating fin.
半導体スイッチング素子の実装部から放熱フィンに至る間の構造を簡単化して、配線基板における金属とセラミックスとの界面でのはがれの問題がなく、放熱を強化することができる半導体装置、パワーモジュールおよび放熱フィンを提供する。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor light-emitting device and a method of manufacturing the same whereby light-emitting efficiency can be improved by forming patterns with variable optical gradients on the upper and lower surfaces of a substrate receiving light, and reducing total reflection characteristics on an interface in a flip-chip bonding structure.
本発明は、フリップチップボンディング構造において、光が放出される基板の上下面に夫々光傾度を変えられるパターンを形成し界面での全反射特性を減少させることにより発光効率を改善した窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁 - When the fuel cell set is assembled, an anode gas diffusion layer and a cathode gas diffusion layer are joined on both sides of a membrane electrode of a fuel cell unit cell and then, a matching type bipolar electrode module is arranged on the adjoining interface, and thus a module structure of a plurality of unit cells is completed.
該燃料電池セットを組み立てる時は、燃料電池単電池の膜電極アセンブリの両側にアノードガス拡散層とカソードガス拡散層を結合させた後、その隣り合う界面に整合式双極板モジュールを配置すれば、複数の単電池をモジュール化した構造が完成する。 - 特許庁 - The shape of a three-dimensional CAD model created by a commercial three-dimensional CAD system and the hierarchical structure information are read out through a CAD system and a direct interface, and the rendering is performed by editing scenes necessary for rendering while uniformly keeping the data modelled at first.
ＣＡＤシステムと直接インターフェースを通じて商用３次元ＣＡＤシステムで作成された３次元ＣＡＤモデルの形状及び階層構造情報を読み取り、最初にモデリングしたデータを同一に維持しながらレンダリングに必要な場面を編集してレンダリングを行う。 - 特許庁 - The synthetic resin molding has a three-layer structure composed of a front surface layer 5 formed of the first synthetic resin composition 2, a back surface layer 6 formed of the second synthetic resin composition 3 and the interlayer layer sheet 1 formed in an interface between the front surface layer 5 and the back surface layer 6 and integrated with the front surface layer 5 and the back surface layer 6.
第１の合成樹脂組成物２よりなる表面層５と、第２の合成樹脂組成物３よりなる裏面層６と、表面層５と裏面層６との界面に設けられて表面層５及び裏面層６と一体となった界面層シート１の３層構造となっている。 - 特許庁 - Since such a structure separates flowing-in air from upper ends of the protrusions 230 to re-contact it with the tabular body 210 then thins a film of an existing temperature interface layer to increase a friction coefficient, a cooling efficiency is further improved owing to the promotion of the heat transfer.
このような構成によれば、流入空気が乱流促進形突出物の上端から分離され平板形胴体に再接触されることにより既存の温度境界層を薄膜化して摩擦係数を増加させるので、熱伝達率の促進により冷却効率がさらに向上される。 - 特許庁 - To provide an Ni system alloy powder for forming a fuel electrode of an oxide fuel cell, a fuel electrode which is fabricated of this and has a fine structure with an increased three-phase interface as a reaction field, and a power generation cell which incorporates this fuel electrode with an improved power generation performance.
酸化物形燃料電池の燃料極を形成するためのＮｉ系合金粉末、これから作製した微細構造を有し、反応場である３相界面が増加した燃料極およびこの燃料極を組み込んだ発電性能が向上した発電セルを提供する。 - 特許庁 - The lower end is sealed with an end face sealing tape (3), and a shielding structure (4) is installed on a lower end face part of a second gel formation domain, and first gel solution is filled from a first gel filling opening part (2a) on the side end face and polymerized, to thereby form the gel interface horizontally with excellent reproducibility.
下端部を端面封止テープ（３）で封止、第２のゲル形成領域の下端面部分に遮蔽構造物（４）を設置して側端面の第１のゲル充填用開口部（２ａ）より第１のゲル溶液を充填、重合させることにより、ゲル界面を水平に、再現よく形成させる。 - 特許庁 - By fine unevenness on the surface of the substrate 1 formed by the nano particle arrangement layer 5, fine unevenness can be formed on each surface of the first electrode 2, the luminous layer 3, and the second electrode 4, and a fine concavo-convex structure is formed in the interface of each layers to alleviate total reflection.
ナノ粒子配列層５によって形成される基板１の表面の微細な凹凸によって、第一電極２、発光層３、第二電極４の各表面に微細な凹凸を形成することができ、各層の界面に微細な凹凸構造を形成して全反射を緩和することができる。 - 特許庁 - To provide systems and methods for synchronizing mixed elements (MEs) comprising structure data components and unstructured filestream between peer computer systems in a hardware/software interface system environment that does not permit snapshotting of large unstructured ME filestreams during synchronization.
同期化中に大きな非構造化ＭＥファイルストリームのスナップショットの作成が可能ではないハードウェア／ソフトウェアインターフェースシステム環境におけるピアコンピュータシステム間で、構造化データコンポーネントおよび非構造化ファイルストリームを含む混合要素（ＭＥ）を同期化するシステムおよび方法を提供すること。 - 特許庁 - In order to improve the quality of the laminated layer structure with respect to the surface roughness and dislocation density, the composition parameter at the interface between the layer in the stack 5 with the gradient composition and the subsequent layer in the stack is chosen to be smaller than the composition parameter (1-xg) of the layer with a gradient composition.
表面粗さと転位密度に関して積層層構造１の品質を改善するため、スタック５内の勾配組成を有する層と後続層との界面で、組成パラメータが、勾配組成を有する層側の組成パラメータ（１−ｘ_ｇ）よりも小さくなるように選択される。 - 特許庁 - In the battery having a laminated structure, which comprises an electrode laminate layer, composed of a positive material or a negative material absorbing and discharging lithium and a current collector, a heat- expanding micro-capsule is included into the electrode laminate layer or along the interface between the electrode laminate layer and the current collector.
リチウムを吸蔵・放出する正極材料または負極材料からなる電極合剤層と、集電体との積層構造を有する電極において、該電極合剤層中または該電極合剤層と集電体との界面に沿って熱膨張性マイクロカプセルを含ませる。 - 特許庁 - To provide a highly reliable junction structure and method of manufacturing the same wherein this is no disconnection failure at an interface between a terminal and a wax junction layer and it has a highly reliable junction terminal between an electrode and the wax junction layer.
端子と電極との界面における断線不良が発生せず、また端子とロウ接合層の界面で脆牲層が形成されない、電極やロウ接合層との接続信頼性が高い端子を備える信頼性の高い接合構造体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - There is provided at least one of a bubbling lance and a furnace structure penetration nozzle for producing fluidization from a furnace peripheral edge section toward a furnace center section on an interface between a melting slag melt section and a covering layer of an inserted waste located just above the former, and for promoting a heat movement to the inserted waste.
ガス吹込みにより溶融スラグ浴部とその直上の装入廃棄物のカバーリング層との界面に炉周縁部から炉中心部に向かう流動を生じさせ、装入廃棄物への熱移動を促進させるバブリングランスおよび炉体貫通ノズルのうちの少なくとも一方を有する。 - 特許庁 - A nonvolatile memory cell 1 includes a channel 5 constituted of an organic semiconductor, a gate insulating film 3 and a transistor structure constituted of a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, and a trap 8 of carrier is formed on or near an interface of the channel 5 and the gate insulating film 3.
不揮発性記憶素子１は、有機半導体からなるチャンネル５とゲート絶縁膜３とゲート電極とソース電極とドレイン電極とからなるトランジスタ構造を有し、チャンネル５とゲート絶縁膜３との界面又は界面近傍に、キャリアのトラップ８が形成されている。 - 特許庁 - To provide a field effect transistor of high output wherein a structure for preventing a hetero interface between arsenic compound and phosphorus compound from affecting characteristics of a device is adopted, and a high frequency module whereon an MMIC prepared by using the transistor is mounted and high output is obtained.
砒素化合物と燐化合物のヘテロ界面がデバイスの特性に影響を及ぼさないようにする構造を採用した高出力の電界効果トランジスタと、それを用いて作製したＭＭＩＣを搭載した高出力が得られる高周波モジュールを提供すること。 - 特許庁 - The program design section 10 is provided with a component connecting section 12 defining the structure of the composite program based on a directive received via a graphical user interface section 11 and a composite component setting section 13 setting a plurality of correlated software components as one composite component.
プログラム設計部１０は、グラフィカルユーザインタフェース部１１を介して受け付けられた指示に基づいて複合プログラムの構造を定義する部品結線部１２と、互いに関連する複数のソフトウェア部品を一つの複合部品として設定する複合部品設定部１３とを備えている。 - 特許庁 - Resistance for low intensity structure failure of the interface 64 betweenmetal and ceramic under an input/ output pad 54 is increased by controlling the surface metallizing of a green sheet 50 during the process, and thereby a tensile strength of a pin of an input/output pad 54 on the multiplayer ceramic substrate can be increased.
処理中にグリーン・シートの表面メタラジを制御して、入出力パッド下の、金属とセラミックの境界面の、低強度の構造的故障に対する耐性を増大させ、多層セラミック基板上の入出力パッドのピンの引っ張り強さを増大させることができる。 - 特許庁 - A separable tape having a pressure sensitive adhesive layer on the lowest layer and multi-layer structure capable of peeling off in a layer on an interface is stuck on a current collector made of a long metal foil, and the active material layer is formed on the current collector part of which is covered with the separable tape.
長尺状の金属箔からなる集電体上に最下層に粘着剤層を有し、界面で層状にはがすことが可能な多層構造を有する剥離性テープを貼り付けて、前記剥離性テープに一部が被覆された集電体上に活物質層を形成する。 - 特許庁 - More than two indexes for prescribing the relation between an imaginary opening displacement and stress in a bonded or joined interface are used not only to clear conditions to be satisfied in order to ensure the strength reliability of a product but also to facilitate the rational determination and control of a structure and a process.
接着または接合界面における仮想開口変位と応力の関係を規定する２つ以上の指標を用いることにより、製品の強度信頼性を確保する上で満たすべき条件が明確になり、かつ、合理的な構造，工程の決定，管理が容易になる。 - 特許庁 - A layout setting part 334 generates definition data for displaying an editing user interface picture for a structured document file on the basis of element structure information by converting data included in the structured document file into data described by another tag set for edition.
レイアウト設定部３３４は、構造化文書ファイルに含まれるデータを、編集用の別のタグセットで記述されたデータに変換することにより、構造化文書ファイルの編集用ユーザインタフェース画面を表示するための定義データを要素構造情報に基づいて生成する。 - 特許庁 - Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer by interposing the thin film layer into ferromagnetic layers of the magnetoresistance effect element or the interface between them and a nonmagnetic spacer layer.
磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁 - All pieces of information flowing across the PCI bus interface 202 are encrypted with a media card encryption function or a second encryption function such as DES so as to impede access to a command structure or data encrypted on the media card 248 by an unauthorized person.
ＰＣＩバス・インターフェース２０２を通って流れる全ての情報は、メディア・カード暗号化機能またはＤＥＳなどの第2の暗号化機能で暗号化されるので、許可されていない人がコマンド構造またはメディア・カード２４８上に暗号化済みのデータにアクセスすることが防がれる。 - 特許庁 - In a display device side housing structure of the portable-type electronic instrument consisting of: an input interface side housing equipped with input interfaces such as a keyboard or the like; and a display device side housing equipped with display devices such as an LCD panel or the like, honeycomb cores are arranged between a top board and the LCD panel.
キーボード等の入力インターフェースを備えた入力インターフェース側筐体と、ＬＣＤパネル等の表示デバイスを備えた表示デバイス側筐体とからなる携帯型電子機器の表示デバイス側筐体構造において、天板と、ＬＣＤパネルとの間にハニカムコアを配置する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing apparatus of a multilayer thin film whereby the generations of cross-contaminations are prevented in the manufacture of the multilayer thin film having a hetero-structure of so laminating therein differen kinds of semiconductors, etc. as to join them to each other, and the compositive change in the interface between heterojunctions is made further more steep than conventional ones.
異種の半導体等を積層して接合させたヘテロ構造を有する多層薄膜の製造においてクロスコンタミネーションの発生を防止し、ヘテロ接合界面の組成変化を従来よりも更に急峻にする事を可能にする多層薄膜製造装置を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a metal-insulation film-semiconductor (MIS) structure having a heavy hydrogen concentration equal to or more than 1×10^19 cm^-3 in the neighborhood of an interface between a semiconductor substrate and films or layers formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation layer, and a protective insulation film.
半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。 - 特許庁 - To realize a semiconductor device and a method for manufacturing the same, capable of conducting a high speed operation by reducing an interface contact resistance between a high melting point metal layer and a silicon layer, in a laminated gate electrode and wiring structure of the high melting point metal layer, a metal barrier layer and the silicon layer.
高融点金属層／金属バリア層／シリコン層の積層ゲート電極・配線構造において、高融点金属層とシリコン層間の界面接触抵抗を低減し、高速動作を可能にする半導体装置及びその製造方法を実現することにある。 - 特許庁 - To provide a display device with an excellent man-machine interface for allowing a user to easily know a hierarchy or system to which a displayed screen is belonging and the relation with the other screens without reducing a display area by fully contriving the display of plural screens constituting a directory structure.
ディレクトリ構造をなす複数の画面の表示に工夫を凝らし、表示領域を小さくすることなく、表示している画面の属する階層または系統、さらに他の画面との関連を容易に知ることができるマンマシンインターフェイスに優れた表示装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a circuit board which has a terminal capable of holding the junction strength without fail, without causing interface breakage even in long-term use under severe harsh atmospheric conditions where high temperature and low temperature are repeated, and to provide a junction structure for the terminal part of such a circuit board.
高温および低温が繰り返される厳しい雰囲気条件下における長期使用においても、界面破壊を生じることなく、確実に接合強度を保つことができる端子部を有する回路基板、および、そのような回路基板の端子部の接合構造を提供すること。 - 特許庁 - To provide a sealing plate 1 with simplified structure and the reduced number of components, easy to assemble and capable of securing an interface sealing property between a breather film 10 and a sealing plate main body 2 without using a sealing member such as a packing or the like.
パッキン等のシール部材を併用しなくてもブリーザ膜１０および封口板本体２間の界面シール性を確保することができ、もって封口板１の構造を簡素化し、部品点数を削減し、製造・組立を容易化することができる封口板１を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a resistor component with a high connection reliability, which is free of: failure in an electrical conduction due to an increase in thickness of a semiconductor device caused by the resistor component, or a three-dimensional structure; reduction of an electrical conductivity caused by an interface between the resistor component and an electrode; and a like.
抵抗素子による半導体装置の厚みの増加や立体構造による導通不良、および抵抗素子と電極との間の界面によって生じる導通性の低下などに囚われない、接続信頼性の高い抵抗素子を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an electronic part built-in type multi-layer substrate having such highly reliable connection structure that cracks originated from a contact point of an edge of a transition layer and a passivation layer as a start point are not caused, also processing liquid does not enter an interface of a die pad and a resin layer through a wall surface of a bump.
トランジション層のエッジとパッシベーション層との接点を起点にした亀裂を生じず、しかも、処理液がバンプの壁面を通じてダイパットと樹脂層の界面に侵入しない信頼性の高い接続構造を有する電子部品内蔵型多層基板を提供する。 - 特許庁 - This new method for forming a MOS structure having a GaAs base 140 includes the steps of ion implanting after formation of an oxide and thereafter performing slow heating and cooling operations, in such a manner that an interface defect detectable by a high-resolution transmission electron microscope essentially will not be generated.
ＧａＡｓを基本とするＭＯＳ構造を形成する新しい方法は、酸化物形成後のイオン注入及び高分解透過電子顕微鏡によって検出できる界面欠陥が本質的に形成されないように行われるその後のゆっくりした加熱及び冷却を含む。 - 特許庁 - Thanks to such a structure of transfer electrode, an electric field is applied to deepen a channel potential in the CCD channel area adjacent to the interface than the center of the CCD channel area, which suppresses an acting to shallow the channel potential of the CCD channel area adjacent to the joint boundary.
この転送電極構造により、ＣＣＤチャネル領域中央よりも境界近傍のＣＣＤチャネル領域においてチャネル電位を深めるように電界が掛かり、接合界面近傍のＣＣＤチャネル領域のチャネル電位を浅くしようとする作用を抑える。 - 特許庁 - To provide a waterproof structure, which reliably prevents rainwater and moisture from penetrating into the interface between a light-transmitting glass sheet and a light reflection film so as to effectively avoid deterioration of the light reflection film caused by the penetration, to a mirror sheet having the light reflection film formed on the rear surface of the light-transmitting glass sheet.
透光性板ガラスの裏面に光反射膜を形成した板鏡において、該板ガラスと光反射膜の界面への雨水、水分の滲入を確実に防止し、該滲入による光反射膜の劣化を有効に防止する板鏡における防水構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a packaged double-layer jelly having a beautiful gradation structure with an anthocyanin pigment at the interface of an upper layer gel and a lower layer gel, and a method for stably producing the packaged double-layer jelly by a simple procedure.
上層のゲルと下層のゲルとの界面にアントシアニン色素によるきれいなグラデーション構造を有する視覚的に楽しめる容器入り二層ゼリー、及び、そのような容器入り二層ゼリーを、簡単な方法で、安定して得ることができる、容器入り二層ゼリーの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A diffraction optical system comprises: a free curved surface prism 14; and a multilayered diffraction optical device in which a plurality of diffraction device elements 121 and 122 are layered on each other and a grating structure diffraction optical surface DM formed at the interface thereof.
自由曲面プリズム１４と、複数の回折素子要素１２１，１２２が互いに積層され界面に格子構造の回折光学面ＤＭが形成された複層型回折光学素子とを備えるとともに、０．００５＜（ΔＮｇ＋ΔＮｓ）／２＜０．４５という条件式を満足するようにする。 - 特許庁 - The prestressed structure body includes an assembly of precast elements separated by gaps occupied by an interface product, one or more prestressing sheaths having sections respectively incorporated into the precast elements, and a prestressing tendon tensioned inside the sheath.
プレストレス建設構造物は、接合製品によって占有される間隙によって分離されているプレキャスト要素と、プレストレス要素内に組み込まれているセクションを有している１つ以上のプレストレスシースと、プレストレスシース内側で緊張されているプレストレス緊張材とから成る集合体を備えている。 - 特許庁 - To provide a method of forming a film by MOCVD method of a PZT capacitance comprising various superior ferroelectric characteristics on an Ru lower electrode which is easy to etch and to specify an Ru-PZT interface structure obtained by the method so as to be applied to a ferroelectric memory device.
本発明は、エッチングがし易いＲｕ下部電極上において優れた強誘電体諸特性をもつＰＺＴ容量のＭＯＣＶＤ法による成膜方法を示すと共に、これによって得られるＲｕとＰＺＴ界面構造を特定し、かつ強誘電体メモリデバイスに適用する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which the deterioration of reliability due to stress is prevented by sufficiently relaxing stresses caused at an external connection terminal and an interface between the external connection terminal and wiring, and to provide a method for manufacturing it, in a semiconductor device having a wafer level CSP structure.
ウエハレベルＣＳＰ構造を有する半導体装置において、外部接続端子および外部接続端子と配線との界面に生じる応力を十分に緩和し、応力による信頼性の低下を防ぐ半導体装置およびその半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a high-performance semiconductor device for preventing influence of an inverting layer that causes failures in electrical characteristics, such as variations in current amplification rate and generation of leakage current, and is formed on the interface between a semiconductor layer and an insulating film in a lateral bipolar transistor of SOI structure.
ＳＯＩ構造の横型バイポーラトランジスタにおいて、電流増幅率の変動とリーク電流の発生等の電気特性の不具合の原因となり、半導体層と絶縁膜との界面に形成される反転層の影響を防止する高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A layout setting part 334 generates definition data for displaying a user interface screen for editing a structured document file based on element structure information by converting data contained in the structured document file to data described by a different tag set for editing.
レイアウト設定部３３４は、構造化文書ファイルに含まれるデータを、編集用の別のタグセットで記述されたデータに変換することにより、構造化文書ファイルの編集用ユーザインタフェース画面を表示するための定義データを要素構造情報に基づいて生成する。 - 特許庁
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