「interface structure」を含む例文一覧(742)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15- The structure for the fuel cell contains at least one cell 300 formed with first and second electrodes 310, 320 separated with an electrolyte, and the cell is arranged between first and second interface elements for supplying reagent to the electrodes of the cell and for collecting current it generated.
燃料電池用の構造体は、電解質によって分離されている第１電極および第２電極３１０，３２０により形成されている少なくとも１つのセル３００を含み、セルは、セルの電極に反応物を供給し、それが生成する電流を収集するための第１および第２インターフェース・エレメントの間に配置されている。 - 特許庁 - This resin composition comprises two types of resins incompatible with each other and a modification-treated phyllosilicate, and shows an islands-sea structure in which islands constituted of one resin are dispersed in a matrix (sea) constituted of the other resin and the above modification-treated phyllosilicate is present at the interface between the islands and the sea.
互いに非相溶な２種類の樹脂と変性処理を施した層状ケイ酸塩からなる樹脂組成物であって、一方の樹脂が構成するマトリックス（海部）中にもう一方の樹脂からなる島部が分散された海島構造を示し、海部と島部の界面に前記の変性処理を施した層状ケイ酸塩が存在することを特徴とする樹脂組成物。 - 特許庁 - In the peelable metal foil prepared by laminating the metal foil on at least one face of a metal-made carrier, the metal foil is characterized by having a laminated structure consisting of a metal layer (I) deposited on an interface between the metal-made carrier and one or more metal layers (II) formed by deposition or electroplating on the metal layer (I).
金属製キャリアの少なくとも片面に金属箔が積層されてなるピーラブル金属箔において、金属箔は、金属製キャリアとの界面に蒸着された金属層（I）と、金属層（I）上に蒸着または電気めっきにより形成された１層以上の金属層（II）とからなる積層構造を有していることを特徴とするピーラブル金属箔。 - 特許庁 - To provide a communication interface device and a communication method, capable of transmitting updating information for a common data to a supervising node computer, while restraining an overhead to the utmost, when data arranged in the respective node computers depend on data arranged in the slaving node computers, in a parallel computer of multi-branched tree structure comprising multistage constitution.
多段構成の多分岐木構造をとる並列計算機において、各ノード計算機に配置されるデータがより下位のノード計算機に配置されるデータに依存している場合に、共有データの変更の情報を上位のノード計算機までオーバーヘッドを極力抑えつつ伝達することができる通信インターフェース装置及び通信方法を提供する。 - 特許庁 - In the polyolefin-based mold constituted by coating the surface of the polyolefin mold (A) with a polarized polymer (B), a polarized segment layer substantially without the delamination of the interface is coated without deteriorating the nature of polyolefin-based material by having the structure in which the polarized polymer (B) couples to the surface of the polyolefin mold (A) via covalent bonds.
ポリオレフィン成形体（Ａ）表面に極性重合体（Ｂ）がコーティングされたポリオレフィン系成形体であり、当該極性重合体（Ｂ）がポリオレフィン成形体（Ａ）表面に共有結合を介し結合した構造を有することにより、ポリオレフィン基材の性質を損なうことなく、実質的に界面の剥離がない、極性セグメント層がコーティングされる。 - 特許庁 - Since the crystal thin film 16 has a degree of freedom of deformation due to an oblong three-dimensional structure, even when stress takes place on an interface 16B between the substrate 10 and the crystal thin film 16 due to a lattice mismatch or a difference from coefficients of thermal expansion or the like, almost no residual stress exists on an upper face 16A.
該結晶薄膜１６は、縦長の３次元構造による変形の自由度を有するため、格子不整合や熱膨張係数差などに起因して基板１０と結晶薄膜１６との界面１６Ｂに応力が発生する場合であっても、上面１６Ａ側においては残留応力がほぼ存在しない状態となる。 - 特許庁 - Then, even if after the multilayer structure in a layer above the surface of a silicon semiconductor substrate 2 has been formed, the thermal treatment is carried out and a bond of heavy hydrogen to silicon is cut, heavy hydrogen can be continuously supplied to an interface between source/drain diffusion layers 16, 17 of the silicon semiconductor substrate 2 and a gate insulating film 18.
すると、シリコン半導体基板２の表面より上層の多層構造を形成した後に熱処理が行われ重水素とシリコンの結合が切断されたとしても、シリコン半導体基板２のソース／ドレイン拡散層１６および１７とゲート絶縁膜１８との間の界面に継続的に重水素を供給できるようになる。 - 特許庁 - In order to suppress especially transfer characteristics degradation caused by potential barrier wall of a surface shield layer 205 prominent in p/n/n^-/p^+/n structure, a part of a charge accumulation part 204 is formed in such depth as away from a silicon-gate oxide film interface 209 under a transfer gate electrode, directly below the transfer gate electrode 208.
特に、ｐ／ｎ／ｎ^−／ｐ^＋／ｎ構造において顕著となる表面シールド層２０５によるポテンシャル障壁に起因する転送特性劣化を抑えるために電荷蓄積部２０４の一部を転送ゲート電極２０８の直下であって、且つ、転送ゲート電極下のシリコン−ゲート酸化膜界２０９面から離れた深さに形成する。 - 特許庁 - In the waterproof structure, adhesive applied surfaces 12 of one or both of the upper case 1 and the lower case 3 have slopes 13 so that the adhesive thickness of the center of each side is smaller, to produce effects of pushing air entering on the adhesive interface between the upper case 1 and the lower case 3 when mounted, toward angle portions 14 of the cases.
本発明の防水構造は、上部ケース１または下部ケース３の片方あるいは両方の接着剤塗布面１２が各辺の中央部の接着剤厚さが薄くなるような傾斜１３を持つことで、上部ケース１と下部ケース３の取り付け時に接着界面に巻き込んだ空気をケースの角部１４に向けて押しやる効果を与える。 - 特許庁 - To provide an interface which is convenient to a user, and to easily construct document folder constitution in a structure which is the most convenient to the user while operating not only simple classification but also an identifying work at the time of automatically identifying the kind of a document image inputted at random, and then reading or editing the identified result.
ランダムに入力される文書画像の種類を自動識別した後に、識別結果を閲覧あるいは編集する際に、ユーザーにとって使いやすいインターフェースを提供し、また単なるクラス分類だけではなく、識別作業を行いながら同時に、ユーザーにとって最も使いやすい構造の文書フォルダ構成が容易に構築できる。 - 特許庁 - This hardcoating film and antireflection film are laminated with the hardcoating layer having an uneven structure in an interface between a polyester film and the hardcoating layer, on at least one face of the polyester film, a particle is contained in the hardcoating layer, and an average particle size of the particle is 50% or more to 150% or less of average thickness of the hardcoating layer.
ポリエステルフィルムの少なくとも片面に、ポリエステルフィルムとハードコート層の界面に凹凸構造を有するハードコート層が積層され、該ハードコート層中に粒子を含有し、該粒子の平均粒子径が該ハードコート層の平均厚みの５０％以上、１５０％以下であることを特徴とするハードコートフィルムおよび反射防止フィルム。 - 特許庁 - The gas barrier film has a polypropylene film having a tuning molecular chain with a structure of -O-Si-Oas the major skeleton which has been introduced into the carbons (C) present in the surface through the above oxygen (-O-), and a SiOx thin film formed on the surface of this tuning molecular chain-introduced polypropylene film and bonded to the above tuning molecular chain at the interface of the above film.
表面の炭素（Ｃ）に主骨格が−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−の構造を持つチューニング分子鎖を前記酸素(−Ｏ−)を介して導入されたポリプロピレンフィルムと、このポリプロピレンフィルムのチューニング分子鎖が導入された表面に形成され、前記フィルムとの界面で前記チューニング分子鎖と結合されたＳｉＯ_x薄膜とを備えたことを特徴とする - 特許庁 - When interlaminar separation of a laminated sheet having at least a structure in which a water-containing electroconductive composition layer 4 is interposed between first and second electrodes 2 and 3 is carried out, voltage is applied to a space between the first and second electrodes 2 and 3 and hydrogen is generated on an anode and the laminated sheet is released on the interface between these electrodes and the water-containing electroconductive composition layer 4.
第１，第２の電極２，３間に含水導電性組成物層４が挟まれている構造を少なくとも有する積層接合体を層間剥離するに際し、第１，第２の電極２，３間に電圧を印加し、陰極上で水素を発生させ、該電極と含水導電性組成物層４との間の界面で剥離する。 - 特許庁 - To provide a method for joining dissimilar metals capable of removing an oxide film on a bonding interface while suppressing generation of intermetallic compounds in a bonding process when bonding dissimilar metals by the resistance spot welding, and realizing the firm bonding of newly formed faces to each other, and to provide a firm structure for bonding dissimilar metals by the resistance spot welding.
抵抗スポット溶接により異種金属を接合するに際して、接合過程における金属間化合物の生成を抑制しながら、接合界面における酸化被膜を除去することができ、新生面同士の強固な接合が可能な異種金属の接合方法と、抵抗スポット溶接による異種金属の強固な接合構造を提供する。 - 特許庁 - To provide an adhesive material film difficult to generate voids in the adhesion interface and excessive squeeze-out of the adhesive material in a semiconductor device having a structure to connect semiconductor chips with an external connecting member having a wiring which mounts the semiconductor chips by using the adhesive material film and a semiconductor mounting external connecting member excellent in reliability which uses the adhesive material film, and a semiconductor device.
半導体チップとこれを搭載する配線付外部接続部材を接着材フィルムで接続する構造の半導体装置において、接着界面のボイドや接着材の過剰なはみ出しが発生しにくい接着材フィルムおよびそれを用いた信頼性に優れる半導体搭載用外部接続用部材、半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The interlayer peeling of a laminated material having at least a structure containing an electroconductive composition layer 4 sandwiched between the 1st and the 2nd electrodes 2, 3 is carried out by applying a voltage between the 1st and the 2nd electrodes 2, 3 to effect the anodic oxidization of the anode-side electrode and the peeling of the laminate at the interface between the electrode and the electrically conductive composition layer 4.
第１，第２の電極２，３間に導電性組成物層４が挟まれている構造を少なくとも有する積層接合体を層間剥離するに際し、第１，第２の電極２，３間に電圧を印加し、陽極側の電極を陽極酸化し、該電極と導電性組成物層４との間の界面で剥離する。 - 特許庁 - To provide a unit cell for solid oxide fuel cell and a solid oxide fuel cell, having excellent thermal shock resistance even when a solid oxide thin film is used as a solid electrolyte layer, and a manufacturing method of the unit cell for solid oxide fuel cell for simply forming a structure having excellent gas permeability and electricity generating performance and suppressing interface resistance.
固体電解質層として固体酸化物薄膜を用いるときでも、優れた耐熱衝撃性を有する固体酸化物形燃料電池用単セル及び固体酸化物形燃料電池、及びガス透過性及び発電性能が良好であり、界面抵抗が抑制される構造を簡便に形成できる固体酸化物形燃料電池用単セルの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - This invention relates to an electroluminescence electrooptical device having a structure in which a light emitting layer is sandwiched between a cathode and an anode, wherein the light emitting layer is provided on the cathode, the anode is provided on the light emitting layer, and a passivation film is provided on the anode, the light emitting layer nearby an interface between the light emitting layer and anode containing a halogen element.
陰極及び陽極で発光層を挟んだ構造を有するエレクトロルミネッセンス電気光学装置であって、陰極上に前記発光層が設けられ、発光層の上に前記陽極が設けられ、陽極の上にはパッシベーション膜が設けられ、発光層と陽極との界面近傍の発光層にはハロゲン元素が含まれている電気光学装置を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor structure forming method comprises a step of providing an Si substrate 10 having a surface, a step of forming an interface involving an adjacent seed layer 18 on the surface of the Si substrate 10, a step of forming a buffer layer 20 utilizing molecules of O, and a step of forming one or more high permittivity oxide layers 22 on the buffer layer 20 utilizing active O.
半導体構造を作成する方法は：表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板１０の表面１２上に隣接するシード層１８を含むインタフェースを形成する段階；分子酸素を利用してバッファ層２０を形成する段階；および活性酸素を利用してバッファ層２０上に１つ以上の高誘電率酸化物層２２を形成する段階；を備える。 - 特許庁 - The surface of the micro-phase isolated structure is capable of restraining the interface from adsorbing not only gaseous molecules 3 and 5 but also small suspended smuts 4, so that the precision apparatus can be protected against contamination by removing comparatively large suspended smuts 4 through a simple air cleaning device, and the clean room set up through a complete decontamination technique can be dispensed with.
このようなミクロ相分離表面は界面上への気体分子３，５の吸着を抑制出来るだけで無く、小さな浮遊煤煙４の吸着も抑制出来るため、簡易的な空気清浄装置により比較的大きな浮遊煤煙を除去するだけで、精密機器の汚染を防止する事が出来るため、徹底した汚染対策技術を講じたクリーンルームが不要となる。 - 特許庁 - The separator 3 for the fuel cell obtained by nitriding the surface of a substrate 10 comprising alloy containing a transition metal element selected from Fe, Cr, Ni, and Mo has a nitrided layer 11 having hexagonal system crystal structure in the depth direction from the surface 10a of the substrate 10, and the substrate 10 contains nitrogen in an interface region 10b between the substrate 10 and the nitrided layer 11.
Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＭｏの中から選ばれた遷移金属元素を含む合金からなる基材１０の表面を窒化処理することにより得られる燃料電池用セパレータ３であって、基材１０の表面１０ａから深さ方向に立方晶の結晶構造を有する窒化層１１を備え、基材１０は窒化層１１との界面領域１０ｂに窒素を含有する。 - 特許庁 - Since a catalyst mixture 29, which is a mixed substance of the catalyst substance, proton conductive substance, and conductive substance, serving as constituent of three phase interface respectively, is carried inside the plurality of fine holes 27 having regularity, these elements are naturally dispersed and carried in the fine holes 27 with regularity and an electrode structure with intended aim can be formed.
規則性を持った複数の微細穴２７の内部に、三相界面を構成する各要素である触媒物質とプロトン伝導物質と導電物質との混合物質である触媒混合物２９を担持させているので、自ずとこれら各要素が規則性を持った微細穴２７の内部で均一に分散担持され、狙い通りの電極構造を形成することができる。 - 特許庁 - The electrolyte membrane 100 has a leakage suppression part generating structure 140, which generates a leakage suppressing part for suppressing the leakage of hydrogen by utilizing a reaction caused by occurrence of a defect, when the defect has occurred inside the electrolyte layer 120 or at the interface of the hydrogen permeating metal layer 110 and the electrolyte layer 120, and the hydrogen leaks through the defect.
電解質膜１００は、電解質層１２０の内部や、水素透過性金属層１１０と電解質層１２０との界面に欠陥が発生し、欠陥を通って水素が漏洩したときに、欠陥の発生によって生起される反応を利用して水素の漏洩を抑制する漏洩抑制部を生成する漏洩抑制部生成構造１４０を有している。 - 特許庁 - An ohmic electrode structure has an SiC substrate 1, p-type SiC area 2 formed on the surface of the substrate 1, thermally reacted layer 8 formed on the surface of the area 2, thermally oxidized film 3 covering the interface between the substrate 1 and area 2, upper insulating film 4 arranged on the surface of the oxidized film 3, and electrode film 7 arranged on the reacted layer 8.
ＳｉＣ基板１、ＳｉＣ基板１の表面に形成されたｐ型ＳｉＣ領域２、このｐ型ＳｉＣ領域２の表面に形成された加熱反応層８、ＳｉＣ基板１とｐ型ＳｉＣ領域２との界面を覆う熱酸化膜３、熱酸化膜３の表面に配置された上部絶縁膜４、加熱反応層８の上部に配置された電極膜７とを有する。 - 特許庁 - The photomask comprises a transparent substrate 1, an antireflection structure formed by successively laminating a chromium oxide film 3, a chromium film 4 and a chromium oxide film 5 on the principal face side of the substrate 1, an LiF film 2 as an antireflection film formed on the interface between the chromium oxide film 3 and the substrate 1 and a spin-on glass film 6 formed on the surface of the chromium oxide film 5.
透明基板１と、この透明基板１の主面側に、酸化クロム膜３、クロム膜４及び酸化クロム膜５順次積層して形成された反射防止構造と、酸化クロム膜３表面であって透明基板１との界面に形成された反射防止膜としてのＬｉＦ膜２と、酸化クロム膜５表面に形成されたスピンオングラス膜６から構成される。 - 特許庁 - The multilayer wiring structure of semiconductor device includes a first insulating layer (2) formed on a semiconductor wafer (1), a Cu wiring layer (4) formed on the first insulating layer (2), a second insulating layer (6) formed on the Cu wiring layer (4), and a metal oxide layer (5) formed at the interface between the Cu wiring layer (4) and the second insulating layer (6).
半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ（１）上に形成した第１の絶縁層（２）と、前記第１の絶縁層上（２）に形成されるＣｕ配線層（４）と、前記Ｃｕ配線層上（４）に形成される第２の絶縁層（６）と、前記Ｃｕ配線層（４）と前記第２の絶縁層（６）との界面に形成される金属酸化物層（５）と、を備える。 - 特許庁 - There is provided a method for improving the electrode performance by coating a continuous porous oxygen ion conductive ceramic ceria film by a sol-gel method around an electrode of a solid oxide fuel cell (SOFC) or a sensor to provide a very fine structure with a three-phase interface extended with an electronic conductive material and an ion conductive material independent from each other.
固体酸化物燃料電池(Solid Oxide Fuel Cell:SOFC)またはセンサの電極(electrode)周囲に連続的な多孔性酸素イオン伝導性セラミックセリア膜をゾル−ゲル法でコーティングし、電子伝導材料とイオン伝導材料が互いに独立して存在しながら、三相界面が大きく拡張された新規の形態の微細構造をもつようにすることによって、電極性能を向上させる方法を提供する。 - 特許庁 - The target structure constituted by arranging the gallium or gallium-containing material on the holding section of a metal material is characterized in that a thin film having a contact angle of not more than 30° to the gallium or gallium-containing material in a molten state is formed on the surface of the holding section corresponding to the interface with the gallium or gallium-containing material.
金属材料からなる保持部の上にガリウムあるいはガリウムを含む材料が配置されてなるターゲット構造であって、前記ガリウムあるいはガリウムを含む材料との界面にあたる前記保持部の表面上に、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料との接触角が３０°以下である薄膜が形成されていることを特徴とするターゲット構造。 - 特許庁 - In an apparatus structure mounted with a software keyboard (application for virtual input) so as to perform an operation input by using display information, an input message is communicated to a control means 7 for the hardware key via an OS and the control means 7 which has received the input message controls application processing or a device which uses a key input interface.
表示情報を用いて操作入力を行うためのソフトウェアキーボード（仮想入力用アプリケーション）が実装された装置構成において、入力メッセージをＯＳ経由でハードウェアキー用の制御手段７に伝達するとともに、該入力メッセージを受け取った制御手段７が、キー入力インターフェースを用いたアプリケーション処理又はデバイスを制御する構成とした。 - 特許庁 - A transmission side apparatus T selectively inserts video stream data and MPEG data into a video storage area to store video stream data in a frame structure of an SDI system, generates SDI data of which the identification ID indicating a type of data is included in header information, by an SDI data insertion processing device T3, and transmits the SDI data to a coaxial cable C from a transmission interface device T4.
送信側装置Ｔは、ＳＤＩデータ挿入処理装置Ｔ３で、ＳＤＩ方式のフレーム構造の映像ストリームデータ格納のための映像格納領域に映像ストリームデータとＭＰＥＧデータを選択的に挿入し、データ種類を示す識別ＩＤをヘッダ情報に含めてＳＤＩデータを生成し、送信インターフェース装置Ｔ４からＳＤＩデータを同軸ケーブルＣに送信する。 - 特許庁 - To provide a collective disk device having a loading structure solving an optimal package arrangement considering deterioration in function and performance due to heat generation of disks and cards or the like in equipment, ensuring high reliability to prevent a system from going down, and considering loading ability and maintainability of a heavy load necessary for densification, cooling of various loading objects, interface, electric supply, or the like.
機器稼動の際、機器内のディスクやカード類の発熱による機能や性能の低下、システムダウンを防止する高信頼性の確保や、高密度化が要因となる重量物の搭載性と保守性、種々の搭載物の冷却、接続、給電など考慮した最適な実装配置を解決する搭載構造を有する集合ディスク装置を提供することにある。 - 特許庁 - The graphics programming interface is provided with simple and powerful structure having characteristics including unique apex expression to enable a graphics pipeline to hold apex state information and to mix indexed and direct apex values and attributes, a projection matrix value set command, a display list call object command and an embedded frame buffer clear/set command, in which an application programmer is easily used and mastered.
グラフィックスパイプラインが頂点状態情報を保持することを可能にし、インデックス付けされたものと直接の頂点値および属性とを混合することを可能にするユニークな頂点表現、投影行列値セットコマンド、表示リスト呼び出しオブジェクトコマンド、および埋め込みフレームバッファクリア／セットコマンドを含んだ特徴をもち、アプリケーションプログラマが容易に使用し習熟することができ、単純かつパワフルな構築物を備える。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element that can naturally implement a cut-off state of a transistor and increase driving current by selecting the Fermi level of a source region so that the Schottky barrier can be substantially reduced with suppressing the generation of a depletion layer in the neighborhood of the interface with a metal region in a semiconductor region, and a semiconductor element structure having the semiconductor element.
本発明は、かかる事情に鑑み、トランジスタの遮断状態を自然に実現し、半導体領域に金属領域との界面近傍の空乏層の形成を抑制しつつ、ショットキー障壁を実質的に下げることができるようにソース領域のフェルミ準位を選択することにより、駆動電流を増加させる半導体素子及び該半導体素子を備える半導体素子構造を提供することを課題とする。 - 特許庁 - In the insulating film structure formed with, on a substrate 1 of a wideband gap semiconductor material, an insulating film 4 using a silicon dioxide film ≥90% at a composition ratio as a matrix, and mainly formed of nitrogen ≤10% includes a transition region where a silicon composition ratio and a carbon composition ratio rapidly change in the vicinity of an interface between the insulating film 4 and the wideband gap semiconductor material substrate 1.
ワイドバンドギャップ半導体材料の基板１上に、組成比で９０％以上の二酸化珪素膜を母体とし且つ１０％以下の窒素で主に構成される絶縁膜４を形成した絶縁膜構造体であって、絶縁膜４とワイドバンドギャップ半導体材料基板１との界面近傍において、珪素組成比、及び、炭素組成比が急激に変化する遷移領域を有する。 - 特許庁 - The semiconductor substrate has an insulating layer formed on a semiconductor wafer and a semiconductor single-crystal layer for forming a device formed on the insulating layer, wherein the interface between the semiconductor single-crystal layer and the insulating layer has a level difference (step) structure consisting of flat surfaces (terraces), each of which is a plane parallel to a crystal plane of the semiconductor single-crystal layer.
半導体ウェーハ上に絶縁層が形成され、絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層が形成された半導体基板であって、半導体単結晶層と絶縁層の界面が、平坦面（テラス）が半導体単結晶層の結晶面に平行な面で構成される段差（ステップ）構造を有することを特徴とする半導体基板および半導体基板の製造方法。 - 特許庁 - The multi-interface controller mutually connects one computer with the plural pieces of peripheral equipment with different equipment structure and data forms,and it is constituted so as to receive, interpret a command to be outputted from one computer and input/output data according to the contents of the command with either one of the plural pieces of peripheral equipment based on an interpreted result.
１台のコンピュータと、装置機能やデータ形式が異なる複数の周辺装置とを相互に接続するマルチインタフェース制御装置であって、前記マルチインタフェース制御装置は、前記１台のコンピュータから出力されるコマンドを受信して解釈し、解釈した結果に基づいて前記複数の周辺装置の何れか１台の周辺装置との間で前記コマンドの内容に応じたデータ入出力を行う構成とした。 - 特許庁 - When the sectional structure of the film-coated sintered alloy is observed, a projecting bonded phase is formed on at least a part of an interface between the bonded phase 2 of the base material and the film 1.
結合相と硬質相とからなる焼結合金の基材の表面に周期律表４ａ、５ａ、６ａ族元素、Ａｌ、Ｓｉの炭化物、窒化物およびこれらの相互固溶体の中から選ばれた少なくとも１種の被膜を被覆した被覆焼結合金において、被覆焼結合金の断面組織を観察したときに、基材の結合相２と被膜１との界面の少なくとも１部に、凸状結合相が形成されている被覆焼結合金。 - 特許庁 - A substrate layer comprising a hard material is formed on the surface of the resin substrate and a fragile material is allowed to impinge against the resin substrate by a fine particle beam accumulation method so as to be partially embedded in the resin substrate to form an anchor part to form the polycrystalline fragile material structure substantially having no crystal orientation and not substantially having a grain boundary comprising a glass layer in the mutual interface of crystals.
樹脂基材表面に硬質材料からなる下地層を形成した後に、その下地層の上に微粒子ビーム堆積法によって脆性材料を衝突させ、一部が下地層に食い込んでアンカー部を形成し、多結晶で実質的に結晶配向性がなく更に結晶同士の界面にガラス層からなる粒界面が実質的に存在しない脆性材料構造物が形成されている。 - 特許庁 - To provide an information recording medium having a data structure simulating the recording and erasing areas of an information recording medium on a VTR tape, in order to provide a user's interface easy to understand as an image recordable medium for general home users who are only familiar with VTR, its information reproducing device, and an information recording/reproducing device thereof.
本発明は、映像が記録可能な媒体として今までＶＴＲしか知らない一般家庭ユーザが理解し易いユーザインターフェースを提供するため、情報記憶媒体上の記録、消去場所を擬似的にＶＴＲのような１本のテープ上での場所に対応させたデータ構造を有する情報記憶媒体とその情報再生装置及び情報記録再生装置を提供する事を目的とする。 - 特許庁 - The humidification element has a structure where an interface between a carbon coagulation formed with graphite having a small particle size which enables dielectric heating and a carbon coagulation formed with graphite having a large particle size has a cone concave and convex shape for lamination, and the carbon coagulation having minute air holes is placed at a lower position, and the humidification element is covered with a thin film which is substance exhibiting hydrophilicity inside the air holes.
この発明に係る加湿エレメントは、誘電加熱を可能とする小さな粒度の黒鉛から成るカーボン凝結体と、大きな粒度の黒鉛から成るカーボン凝結体の界面が錐状の凹凸を形成して積層し、下部位置に微細な気孔を備えたカーボンの凝結体を配され、前記気孔内に親水性を発現する物質である薄膜が被覆された構造体をなすものである。 - 特許庁 - To provide a coming-off preventing structure for expansion card, which can prevent the occurrence of a fault due to imperfect fixation of an expansion card which is constituted to add in interface section, etc., for outside connection to electronics, such as information processor, etc., when the electronics are moved, transported, or installed, while the card is inserted into the electronics.
本発明は、情報処理装置などの電子機器装置で、外部との接続インタフェース部などを追加するために構成する拡張カードと呼称されるプリント回路板の実装構造に関わり、当該拡張カードを電子機器装置に装着して移動あるいは運搬した場合や設置後の環境において、当該拡張カードの不完全な固定による障害の発生を防止することができる、拡張カードの抜け防止構造を提供する。 - 特許庁 - A user terminal 30 that reproduces multimedia contents comprises a pointer information detector 32 detecting metadata pointer information which is embedded in the contents and which describes information on the contents; a network interface 31 acquiring the metadata via a network based on the detected pointer information; and an index information creator 34 creating index information corresponding to the data structure of this digital contents based on the acquired metadata.
マルチメディアコンテンツを再生するユーザ端末３０において、コンテンツに埋め込まれた、このコンテンツに関する情報を記述したメタデータへのポインタ情報を検出するポインタ情報検出部３２と、検出されたポインタ情報に基づき、ネットワークを介してこのメタデータを取得するネットワークインターフェイス３１と、取得されたメタデータに基づいて、このデジタルコンテンツのデータ構造に対応したインデックス情報を作成するインデックス情報作成部３４とを備える。 - 特許庁
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