「interlayer」を含む例文一覧(6425)

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  • RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATION FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
    感放射線性樹脂組成物、および層間絶縁膜とその製造方法 - 特許庁
  • On the third interlayer insulation film 14, a drain interconnection 15 is formed.
    第3層間絶縁膜14上には、ドレイン配線15が形成されている。 - 特許庁
  • To increase the mechanical strength of a low-dielectric-constant film used as an interlayer insulating film.
    層間絶縁膜に用いる低誘電率膜の機械的強度を増加する。 - 特許庁
  • To improve reliability in interlayer connection while suppressing the enlargement of the chip size.
    チップサイズの拡大を抑制しつつ、層間接続の信頼性を向上させる。 - 特許庁
  • Subsequently, a second interlayer insulation film and a second conductive layer are formed.
    その後、第2層間絶縁膜と、銅を用いた第2導電層を形成する。 - 特許庁
  • IMPROVED INTERLAYER DIELECTRIC FOR PASSIVATION OF OVERHEAD TYPE INTEGRATED CIRCUIT SENSOR STRUCTURE
    高架型集積回路センサ構造のパッシベーション用の改良型層間誘電体 - 特許庁
  • The interlayer insulating film and the microlenses are formed by using the composition.
    層間絶縁膜およびマイクロレンズは上記組成物の使用により形成される。 - 特許庁
  • Subsequently, a second interlayer insulating film 15 is formed and a capacitor 16 is formed.
    その後、第2の層間絶縁膜15を形成し、キャパシタ16を形成する。 - 特許庁
  • MATERIAL FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING THE SAME
    半導体装置の層間絶縁膜形成材料及びその形成方法 - 特許庁
  • A plurality of upper-layer capacitors are arranged on the first interlayer insulating film.
    複数の上層キャパシタが、第1の層間絶縁膜の上に配置されている。 - 特許庁
  • The clay film preferably has an interlayer distance of clay particles of ≤1.3 nm.
    粘土膜の粘土粒子層間距離が1.3nm以下であることが好ましい。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes the interlayer insulating film 16 that has multiple holes.
    半導体装置は、複数の空孔を含む層間絶縁膜16を備えている。 - 特許庁
  • An interlayer insulation film 18 is formed to cover the dummy structure 16.
    このダミー構造物16を覆うように層間絶縁膜18を形成する。 - 特許庁
  • SHAPED INTERLAYER FOR HEADS-UP DISPLAY WINDSHIELD AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
    ヘッドアップディスプレイフロントガラス用の成形された中間層、およびその製造方法 - 特許庁
  • A silicon nitride film 13 is formed and an interlayer insulating film 10 is formed thereon.
    シリコン窒化膜13を形成し、その上に層間絶縁膜10を形成する。 - 特許庁
  • On an interlayer dielectric 2, wiring 3 is formed in a prescribed pattern.
    層間絶縁膜2上には、配線3が所定のパターンで形成されている。 - 特許庁
  • A first wiring groove 7 is formed as a groove pattern in the interlayer insulating film.
    この層間絶縁膜に第1配線溝7を溝パターンとして形成する。 - 特許庁
  • A barrier metal film 2 and a seed film 3 are formed on the interlayer dielectric 1.
    層間絶縁膜1上にバリアメタル膜2及びシード膜3を形成する。 - 特許庁
  • INTERLAYER INSULATION FILM, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    層間絶縁膜の製造方法および層間絶縁膜、ならびに半導体装置 - 特許庁
  • By so doing, it is possible to attain a leveled interlayer insulating film 10.
    そうすることで、平坦化された層間絶縁膜10を得ることができる。 - 特許庁
  • An interlayer insulating film 40 is formed covering the magnetoresistive element 51.
    磁気抵抗素子51を覆うように、層間絶縁膜40が形成されている。 - 特許庁
  • The interlayer insulating film is formed of the radiation sensitive resin composition.
    層間絶縁膜は、上記の感放射線性樹脂組成物から形成される。 - 特許庁
  • The first interlayer dielectric 113 is positioned above the insulating substrate 101.
    第1層間絶縁膜113は、絶縁基板101の上方に位置している。 - 特許庁
  • To improve reliability of a connection between an interlayer connection body and a wiring pattern.
    層間接続体と配線パターンとの接続の信頼性を向上すること。 - 特許庁
  • Then, an interlayer insulation film 7 is formed while being embedded into the second recess.
    ついで、第2凹部の内部に埋め込むように層間絶縁膜7を形成する。 - 特許庁
  • INTERLAYER INSULATION MATERIAL FOR PRINTED WIRING BOARD AND ELECTRONIC COMPONENT USING THE SAME
    プリント配線基板用層間絶縁材料およびこれを用いた電子部品 - 特許庁
  • (a) An interlayer dielectric provided with a recess is formed on a semiconductor substrate.
    (a)半導体基板上に、凹部が設けられた層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁
  • LOW DIELECTRIC-CONSTANT INTERLAYER INSULATION FILM, SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    低誘電率層間絶縁膜、それを有する基板およびその製造方法 - 特許庁
  • The contact trenches are formed by etching using the interlayer insulating film as a mask.
    コンタクトトレンチは、層間絶縁膜をマスクに用いてエッチングにより形成される。 - 特許庁
  • INTERLAYER INTERCONNECTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING CARBON NANOTUBE, AND ITS MANUFACTURING METHOD
    カーボンナノチューブを用いた半導体素子の層間配線およびその製造方法 - 特許庁
  • METAL OXIDE PARTICULATE DISPERSION, INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS, AND LAMINATED GLASS
    金属酸化物微粒子分散液、合わせガラス用中間膜、及び、合わせガラス - 特許庁
  • LOW-PERMITTIVITY HEXAGONAL BORON NITRIDE FILM, INTERLAYER DIELECTRIC AND ITS MANUFACTURING METHOD
    低誘電率六方晶窒化ホウ素膜、層間絶縁膜及びその製造方法 - 特許庁
  • DISPERSION LIQUID OF METAL OXIDE PARTICLE, INTERLAYER FILM FOR LAMINATED GLASS AND LAMINATED GLASS
    金属酸化物粒子分散液、合わせガラス用中間膜及び合わせガラス - 特許庁
  • INTERLAYER INSULATING LAYER FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    プリント配線板用層間絶縁層、プリント配線板およびその製造方法 - 特許庁
  • The group of interlayer insulating films 20 is located on the semiconductor device 10.
    半導体基板10上には、層間絶縁膜群20が設けられている。 - 特許庁
  • HIGHLY POROUS INTERLAYER TO TOUGHEN LIQUID-MOLDED FABRIC-BASED COMPOSITE
    液体モールドされたファイバベースの複合物の補強のための高多孔性中間層 - 特許庁
  • Then an interlayer insulating film 16 is formed on the cell plate 15 so as to cover the plate 15.
    セルプレート15を覆うようにして層間絶縁膜16を形成する。 - 特許庁
  • Fine-grain high density interlayer vertical bus connections 105 are used.
    微粒子の高密度層間垂直バス相互接続部(105)が使用されている。 - 特許庁
  • To reduce storage of charge in a semiconductor device, while preventing interlayer separation.
    半導体装置への電荷の蓄積を層間の剥離を防止しつつ軽減する。 - 特許庁
  • A silicon film 30 is formed on the surface of a second interlayer insulating film 18.
    第2層間絶縁膜18の表面上にシリコン膜30を成膜する。 - 特許庁
  • REFRACTORY FOR INTERLAYER OF NOZZLE FOR CONTINUOUS CASTING AND NOZZLE FOR CONTINUOUS CASTING
    連続鋳造用ノズルの中間層用の耐火物及び連続鋳造用ノズル - 特許庁
  • A wiring connected to the conductive plug is formed on the interlayer insulating film.
    層間絶縁膜の上に、導電性プラグに接続された配線を形成する。 - 特許庁
  • A transistor Q is formed on a silicon substrate 11 and covered with an interlayer insulating film 17.
    シリコン基板11にトランジスタQを形成し、層間絶縁膜17で覆う。 - 特許庁
  • A second wiring layer 13 is formed on the third interlayer dielectric 11.
    第3層間絶縁膜11上に第2配線層13が形成されている。 - 特許庁
  • An interlayer insulating film is formed between the gates 26 and 29.
    第1ポリゲートと第2ポリゲートとの間には層間絶縁膜が形成されている。 - 特許庁
  • INTERLAYER SPACE CONTROL METHOD FOR MIXTURE OF SMECTIC LIQUID CRYSTAL COMPOUND
    スメクティック液晶化合物の混合物における層間隔を制御する方法 - 特許庁
  • Resistive elements RM1 and RM2 are formed on an interlayer insulating film 20.
    層間絶縁膜20上には抵抗素子RM1、RM2が形成されている。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing multi-ply paper having high interlayer adhesive strength.
    優れた層間接着強度を有する多層紙の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING INTERLAYER INSULATING FILM, SEMICONDUCTOR PROCESSING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    層間絶縁膜の形成方法、半導体製造装置、及び半導体装置 - 特許庁
  • INTERLAYER FILM FOR LAMINATED GLASS, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND LAMINATED GLASS USING THE SAME
    合わせガラス用中間膜、その製造方法及びそれを用いた合わせガラス - 特許庁
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