「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .... 128 129 次へ＞- An interlayer insulating film is formed thicker at a part above the scanning line 11 than in other parts.
層間絶縁膜の走査線11上に位置する部分が他の部分より厚くなる。 - 特許庁 - INTERLAYER INSULATING-FILM MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING IT
層間絶縁膜材料並びにそれを用いた半導体装置とその製造方法 - 特許庁 - This can form the interlayer insulating film 3 having the predetermined film thickness.
これにより、所定の膜厚を有する層間絶縁膜３を形成することができる。 - 特許庁 - A semiconductor device 1000 is equipped with a pad 30A on an interlayer insulating layer 20.
半導体装置１０００は、層間絶縁層２０上にパッド部３０Ａを有する。 - 特許庁 - POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM FOR DISPLAY ELEMENT AND METHOD FOR FORMING THE FILM
ポジ型感光性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 - 特許庁 - The interlayer insulation film is etched to the midway in the direction of the thickness so as to form a wiring groove.
層間絶縁膜を厚さ方向の途中までエッチングして配線溝を形成する。 - 特許庁 - To prevent the deterioration of a light emitting element caused by oxygen and moisture contained in an interlayer insulating film.
層間絶縁膜に含まれる酸素と水分による発光素子の劣化を防止する。 - 特許庁 - RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM FOR DISPLAY ELEMENT AND FORMATION METHOD THEREOF
感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 - 特許庁 - An interlayer insulating film 115 is formed so as to cover the MOS transistor 114.
そして、ＭＯＳトランジスタ１１４を覆うように層間絶縁膜１１５が形成されている。 - 特許庁 - The projection 21 is formed of a gate insulating film 3 and an interlayer insulating film 7.
突起２１はゲート絶縁膜３および層間絶縁膜７によって形成される。 - 特許庁 - To suppress deformation of an interlayer insulating film due to temperature rise in a hollow structure.
中空構造において温度上昇による層間絶縁膜の変形を抑制する。 - 特許庁 - POLYVINYL ACETAL RESIN AND ITS PRODUCTION, INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS, AND LAMINATED GLASS
ポリビニルアセタール樹脂及びその製造方法、合わせガラス用中間膜、並びに、合わせガラス - 特許庁 - To provide a fuel system hose for an automobile, superior in an interlayer adhesiveness and flexibility.
層間接着性および柔軟性に優れた自動車用燃料系ホースを提供する。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 20 is further formed so as to cover the silicon nitride film 14.
さらに、そのシリコン窒化膜１４を覆うように層間絶縁膜２０が形成されている。 - 特許庁 - PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR SURFACE PROTECTIVE FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT OR INTERLAYER INSULATING FILM
半導体素子表面保護膜又は層間絶縁膜用の感光性樹脂組成物 - 特許庁 - Preferably, the antistatic film 5 and the interlayer 4 are dissolved in an alkaline developer.
帯電防止膜５および中間膜４は、アルカリ現像液に溶解することが好ましい。 - 特許庁 - An interlayer insulating film pattern for demarcating a hole region is formed on a semiconductor substrate.
半導体基板上にホール領域を画定する層間絶縁膜パターンを形成する。 - 特許庁 - Chemical and mechanical polishing is performed on the surface of the interlayer insulating film 3 by using the polishing liquid.
層間絶縁膜３の表面を研磨液を用いて機械的化学的研磨する。 - 特許庁 - An electrode 13 is formed on a floating gate 10 via an interlayer insulating film 11.
フローティングゲート１０の上に、層間絶縁膜１１を介して電極１３を形成する。 - 特許庁 - To provide a commutator having a high added value in which an interlayer short circuit is prevented.
レアショートを防止することができるとともに付加価値の高い整流子を提供する。 - 特許庁 - To accurately evaluate plasma damage that a gate insulating film receives when forming an interlayer insulating film.
層間絶縁膜形成時にゲート絶縁膜が受けるプラズマダメージを正確に評価する。 - 特許庁 - An insulation film is formed between an interlayer insulation film on TFTs and positive electrodes.
また、ＴＦＴ上の層間絶縁膜と陽極との間に、絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - INTERLAYER INSULATING FILM MATERIAL HAVING HIGH VOLTAGE RESISTANCE FOR SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR APPARATUS USING THE SAME
半導体用高耐圧層間絶縁膜材料とそれを用いた半導体装置 - 特許庁 - To provide a positive photosensitive resin composition for an interlayer insulating film which is excellent in insulation and retains high transparency even when baked at a high temperature, an interlayer insulating film using the same, and an organic EL display and a liquid crystal display including the interlayer insulating film.
絶縁性に優れ、高温でベークされた場合においても高い透明性を有する層間絶縁膜用ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた層間絶縁膜、該層間絶縁膜を具備する有機ＥＬ表示装置、及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - The interlayer insulating film has higher strength than the first and second wiring layer insulating films.
層間絶縁膜は、第１及び第２の配線層絶縁膜よりも高強度である。 - 特許庁 - Further, the connection terminal and the circuit wiring are connected electrically to an interlayer connection part.
さらに、接続端子と回路配線を層間接続部により電気的に接続する。 - 特許庁 - Photodiodes PD1, PD2 are disposed at the upper side of the second interlayer insulating layer 140.
第２層間絶縁層１４０の上部に、フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２が配置される。 - 特許庁 - On the interlayer insulating film 234, a pixel electrode 235 and an alignment film 253 are formed.
層間絶縁膜２３４上には、画素電極２３５、配向膜２５３が形成されている。 - 特許庁 - Connecting region 11 of a wiring layer is formed on the interlayer insulating film 10.
層間絶縁膜１０上に配線層の接続領域１１が形成されている。 - 特許庁 - Wiring lines 12, 12a in parallel to each other are provided on the surface of an interlayer insulating film 11.
層間絶縁膜１１表面に互いに並行する配線１２，１２ａを配設する。 - 特許庁 - Subsequenly, the first interlayer insulation film 140 is etched using a resist film 150 (resist mask).
次に、レジスト膜１５０（レジストマスク）を利用して第１層間絶縁膜１４０をエッチングする。 - 特許庁 - In the interlayer insulating film 2, a trench 8 is formed at a part corresponding to the cut region 102.
層間絶縁膜２には、切断領域１０２に位置して溝８が形成されている。 - 特許庁 - A wiring 90 and a via 91 are embedded in the porous interlayer dielectric film 1.
多孔質層間絶縁膜１には配線９０およびビア９１が埋め込まれている。 - 特許庁 - The interlayer insulation film is provided at least between the touch panel and the TFT group.
前記層間絶縁膜は、少なくともタッチパネルとＴＦＴ群との間に設けられる。 - 特許庁 - This intermediate layer is provided with a 1st interlayer insulating film 19 for filling the intervals between the signal wiring 17 arranged in a matrix form, and a 2nd interlayer insulating film 23 between the pixel electrodes 24, and the 1st interlayer insulating film and the signal wiring 17.
この中間層には、マトリクス状に配置された上記信号配線１７の間を埋め込む第１の層間絶縁膜１９と、第１の層間絶縁膜および信号配線１７と画素電極２４との間に第２の層間絶縁膜２３とが設けられている。 - 特許庁 - The first interlayer film (41) is an insulating film as a base of a semiconductor layer (1a).
このような第１層間膜（４１）は、半導体層（１ａ）の下地になる絶縁膜である。 - 特許庁 - To provide a multilayer printed board having high interlayer connection reliability, and a manufacturing method thereof.
層間接続信頼性が高い多層プリント基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A dual damascene profile is processed on an interlayer insulation film 11 on a semiconductor substrate.
半導体基板上の層間絶縁膜１１上にデュアルダマシン形状を加工する。 - 特許庁 - To improve flatness of a pre-metal interlayer insulating film in a metal gate process.
メタルゲートプロセスにおけるプリメタル層間絶縁膜の平坦性を向上できるようにする。 - 特許庁 - A damascene structure of wiring 38 is made in the wiring layer 12 and the interlayer film layer 24.
配線層１２と層間膜層２４の中にダマシン構造の配線３８を形成する。 - 特許庁 - Then a contact hole is formed to the interlayer insulating film, and an electrode is formed the inside.
そして、この層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、この内部に電極を形成する。 - 特許庁 - Film thickness variation of the interlayer insulation film 100 caused by the heat treatment is 2.3% and under.
層間絶縁膜１００は、熱処理による膜厚変動率が２．３％以下である。 - 特許庁 - An insulating thin film 3 having oxygen barrier performance is formed on an interlayer dielectric 2.
層間絶縁膜２の上に、酸素バリア性能を有する絶縁性薄膜３を形成する。 - 特許庁 - THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, ITS CURED PRODUCT, AND INTERLAYER ADHESIVE FILM FOR PRINT WIRING BOARD
熱硬化型樹脂組成物、その硬化物およびプリント配線板用層間接着フィルム - 特許庁 - There are also provided the substrate, prepreg, and resin-clad copper foil having the interlayer insulation material using this composition.
該組成物を用いた層間絶縁材料を有する基板、プリプレグ、樹脂付き銅箔。 - 特許庁 - In addition, an ozone TEOS film is used as an interlayer insulation film 16 on the capacitive element 15.
また、容量素子１５上の層間絶縁膜１６にオゾンＴＥＯＳ膜を用いる。 - 特許庁 - The semiconductor device has a plurality of gate electrode layers CG and interlayer insulating films.
半導体装置は、複数のゲート電極層ＣＧと、層間絶縁膜とを備えている。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING COPPER INTERCONNECT HAVING INTERLAYER INSULATOR OF VERY LOW PERMITTIVITY
非常に低い誘電率の層間絶縁体を有する銅インターコネクトを製造する方法 - 特許庁 - PRODUCTION OF POLYVINYL ACETAL RESIN, POLYVINYL ACETAL RESIN PRODUCED THEREBY, AND INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS
ポリビニルアセタール樹脂の製造方法、ポリビニルアセタール樹脂および合わせガラス用中間膜 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition for an interlayer dielectric having higher insulation.
より高い絶縁性を有する層間絶縁膜用感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
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