「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 128 129 次へ＞- TEG STRUCTURE, AND INTERLAYER PEELING POINT SEARCHING METHOD
ＴＥＧ構造、及び層間剥離箇所探索方法 - 特許庁 - A reflection-preventing film 4 is formed flatly on the interlayer dielectric 3, and the end point of the interlayer dielectric 3 is detected by monitoring reflected light intensity from the interlayer dielectric 3 while polishing the interlayer dielectric 3.
層間絶縁膜３上に反射防止膜４を平成し、層間絶縁膜３を研磨しながら、層間絶縁膜３からの反射光強度をモニタすることにより、層間絶縁膜３のエンドポイントを検出する。 - 特許庁 - The semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 10, a group of interlayer insulating films 20 (a first group of interlayer insulating films), a group of interlayer insulating films 30 (a second group of interlayer insulating films), and a seal ring 40 (guard ring).
半導体装置１は、半導体基板１０、層間絶縁膜群２０（第１の層間絶縁膜群）、層間絶縁膜群３０（第２の層間絶縁膜群）、およびシールリング４０（ガードリング）を備えている。 - 特許庁 - METHOD FOR DRY-ETCHING LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERLAYER INSULATING FILM
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - The synthetic image includes interlayer deviation information.
この合成画像は層間ズレ情報が含まれている。 - 特許庁 - To provide a rotor of a rotary electric machine which prevents an interlayer insulating plate from being peeled off from a field wiring or ruptured by reducing a stress generated at the interlayer insulating plate, and eliminates interlayer short circuit even if the interlayer insulating plate is ruptured.
層間絶縁板に発生する応力を低減して層間絶縁板の界磁巻線からの剥離や破断を防止し、また層間絶縁板が破断したとしても層間短絡をなくすことにある。 - 特許庁 - INTERLAYER INSULATING THIN FILM FOR SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
半導体用層間絶縁薄膜及びその製法 - 特許庁 - The interlayer insulating film 44 comprises silicon nitride for example.
層間絶縁膜４０は、例えば窒化シリコンからなる。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND APPARATUS OF INTERLAYER INSULATION FILM
層間絶縁膜のドライエッチング方法及びその装置 - 特許庁 - BONDING INTERLAYER AND COMPOSITE MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT
接合中間層および複合積層型電子部品 - 特許庁 - The interlayer insulating films 10 for separating the wiring 11 from the wiring 12 consist of the first interlayer insulating film 101 and the second interlayer insulating film 102 having a low dielectric constant as compared with the first interlayer insulating film 101.
配線１１，１２を隔てる層間の絶縁膜１０は、第１層間絶縁膜１０１及び少なくとも前記第１層間絶縁膜１０１よりも低誘電率の第２層間絶縁膜１０２からなる。 - 特許庁 - RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATING FILM
層間絶縁膜用感放射線性樹脂組成物 - 特許庁 - INTERLAYER INSULATING ADHESIVE AND RESIN-LAMINATED METAL FOIL
層間絶縁接着剤および樹脂付き金属箔 - 特許庁 - DISPERSION, INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS AND LAMINATED GLASS
分散液、合わせガラス用中間膜及び合わせガラス - 特許庁 - INTERLAYER FILM FOR HEAT-SHIELDING LAMINATED GLASS AND LAMINATED GLASS
遮熱合わせガラス用中間膜及び合わせガラス - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING COLOR INTERLAYER FILM FOR LAMINATED GLASS
合わせガラス用着色中間膜の製造方法 - 特許庁 - INTERLAYER INSULATING ADHESIVE SHEET AND MULTILAYER CIRCUIT BOARD
層間絶縁接着シ−トおよび多層回路基板 - 特許庁 - THERMOPLASTIC RESIN FILM AND INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS
熱可塑性樹脂膜及び合わせガラス用中間膜 - 特許庁 - METHOD OF DRY ETCHING LOW-DIELECTRIC CONSTANT INTERLAYER INSULATING FILM
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - METHOD OF DRY-ETCHING LOW-DIELECTRIC CONSTANT INTERLAYER INSULATING FILM
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - An interlayer film 19 is laminated on the LSI 3.
ＬＳＩ３上には、層間膜１９を積層する。 - 特許庁 - FORMATION OF INTERLAYER INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
層間絶縁膜の形成方法、及び半導体装置 - 特許庁 - FORMATION OF INTERLAYER INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
層間絶縁膜の形成方法及び半導体装置 - 特許庁 - Then, an interlayer insulating film is formed, and in addition, the trench is formed in the interlayer insulating film with a resist as a mask.
次に、層間絶縁膜を形成し、さらに、レジストをマスクにして、層間絶縁膜にトレンチを形成する。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 2 is formed on an Si substrate 1, and a contact hole 4 is formed at the interlayer insulating film 2.
Ｓｉ基板１上に層間絶縁膜２を成膜し、層間絶縁膜２にコンタクトホール４を形成する。 - 特許庁 - A first interlayer insulation film 13 is formed on a substrate 11, and conductor posts 14A, 14B are formed in the first interlayer insulation film 13.
基板11上に第1層間絶縁膜13を形成し、第1層間絶縁膜13に導電体柱14A、14Bを形成する。 - 特許庁 - The plug formation layer on the interlayer insulating layer is etched back.
層間絶縁層上のプラグ形成層をエッチバックする。 - 特許庁 - A first interlayer insulating film 11 and a second interlayer insulating film 13 are formed on a semiconductor substrate 10.
半導体基板１０の上に第１の層間絶縁膜１１、第２の層間絶縁膜１３が形成されている。 - 特許庁 - The interlayer insulating film 16 is a film having a single layer structure.
層間絶縁膜１６は、単層構造の膜である。 - 特許庁 - The interlayer insulating film 16 is formed on a substrate 11 in which the transistor 10A is formed, and the interlayer insulating film 17 is formed on the interlayer insulating film 16.
層間絶縁膜１６はトランジスタ１０Ａが形成された基板１１上に形成されており、この層間絶縁膜１６上に層間絶縁膜１７が形成されている。 - 特許庁 - A passivation film is formed on the interlayer insulating film.
層間絶縁膜の上に、パッシベーション膜を形成する。 - 特許庁 - TCP PACKAGE AND INTERLAYER TAPE THEREFOR
ＴＣＰ用包装層間テープおよびＴＣＰ包装パッケージ - 特許庁 - The first interlayer insulation film 3 of a low dielectric constant is formed on a substrate insulation film 2, and a second interlayer insulation film 4 is formed on the first interlayer insulation film 3.
下地絶縁膜２上に低誘電率の第１の層間絶縁膜３を形成し、第１の層間絶縁膜３上に第２の層間絶縁膜４を形成する。 - 特許庁 - METHOD OF FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, PRECURSOR SOLUTION FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, CVD MATERIAL FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, AND MATERIAL FOR FORMING SILOXANE OLIGOMER
層間絶縁膜の形成方法、層間絶縁膜形成用の前駆体溶液、層間絶縁膜形成用のＣＶＤ原料、及びシロキサンオリゴマー形成用原料 - 特許庁 - Thereafter, an interlayer insulating film 12 is stacked, and a space between the gate electrodes 7 is filled with the interlayer insulating film 12.
この後、層間絶縁膜１２を堆積し、ゲート電極７間のスペースを層間絶縁膜１２によって埋める。 - 特許庁 - An addressing scheme peculiar to the interlayer is set up.
中間層に固有のアドレス指定方式をセットアップする。 - 特許庁 - A via hole 111 is made in the third interlayer insulating film 103, the second interlayer insulating film 104, the second etching stopper film 105 and the first interlayer insulating film 106.
第三層間絶縁膜１０３、第二層間絶縁膜１０４、第二エッチングストッパ膜１０５、および第一層間絶縁膜１０６にビアホール１１１を形成する。 - 特許庁 - INTERLAYER INSULATING MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
半導体用層間絶縁材料及びその製法 - 特許庁 - INTERLAYER CONNECTION MATERIAL, AND MANUFACTURING METHOD AND USING METHOD THEREFOR
層間接続材、その製造方法及び使用方法 - 特許庁 - CONDUCTOR FOR INTERLAYER CONNECTION AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
層間接続用導電体およびその製造方法 - 特許庁 - A second interlayer insulating film 15 is provided on the two first gate transistors and the first interlayer insulating film.
第２層間絶縁膜１５は、２つの第１ゲートトランジスタ上および第１層間絶縁膜上に設けられる。 - 特許庁 - METHOD OF PRESERVING COATING LIQUID FOR FORMING SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM
半導体層間絶縁膜形成用塗布液保存法 - 特許庁 - PROCESS FOR PREPARING COATING COMPOSITION FOR MANUFACTURING INTERLAYER INSULATION FILM
層間絶縁膜製造用の塗布組成物の製造法 - 特許庁 - RESIST ASHING METHOD AFTER ETCHING WITH ORGANIC INTERLAYER INSULATING FILM
有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法 - 特許庁 - INTERLAYER FILM FOR TRANSPARENT LAMINATE AND TRANSPARENT LAMINATE
透明積層体用中間膜及び透明積層体 - 特許庁 - An interlayer insulating film 10 is deposited on a semiconductor substrate 1.
半導体基板上に層間絶縁膜を堆積する。 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING VIRTUAL PROTOCOL INTERLAYER
仮想プロトコル中間層を提供する方法およびシステム - 特許庁 - INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS, RESIN COMPOSITION THEREFOR AND LAMINATED GLASS USING THE INTERLAYER
合わせガラス中間膜用樹脂組成物、合わせガラス用中間膜および前記中間膜を用いた合わせガラス - 特許庁 - The obtained resin is used to produce interlayer for laminated glass.
この樹脂を用いて合わせガラス用中間膜を得る。 - 特許庁 - INTERLAYER JUNCTION AND MULTILAYER PRINTED CIRCUIT BOARD HAVING THE SAME
層間接合部及びそれを有する多層配線板 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
