「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 42 43 44 45 46 47 48 49 50 .... 128 129 次へ＞- To suppress the occurrence of low-k void in a low dielectric constant insulating film when using the low dielectric constant insulating film as an interlayer insulating film.
層間絶縁膜として、低誘電率絶縁膜を用いる場合に、低誘電率絶縁膜に、Low-kボイドが発生するのを抑える。 - 特許庁 - In this way, the interlayer continuity via 1 is exposed to the section of the multilayer wiring board 2 to form a continuity via section 4.
切断することにより層間導通ビア１を多層配線基板２の切断面に露出させて、導通ビア切断面４を形成する。 - 特許庁 - A bottomed via hole is formed by forming a recess into an interlayer insulating layer 3 until a first layer 2 is partially exposed and a second layer 4.
層間絶縁層３に窪みを設けて第１層２を部分的に露出させ，第２層４を形成して有底ビアホール５とする。 - 特許庁 - To reduce a transferring gate by forming an interlayer dielectric film between the upper-layer electrode and the lower-layer electrode under proper control of a film thickness.
上層電極と下層電極との間の層間絶縁膜を膜厚制御性良く形成して、転送ゲート部の縮小化を図る。 - 特許庁 - To provide an epoxy resin composition which is excellent in drillability, moldability, and interlayer adhesion, and in which a desmear treatment can be preferably performed.
ドリル加工性、成形性、層間密着性に優れ、デスミア処理を良好に行うことができるエポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide an interlayer for laminated glass with a high visible light transmittance and low ultraviolet transmittance in the 380-400 nm wavelength region.
可視光線透過率が高く、３８０〜４００ｎｍの波長域の紫外線透過率が低い合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁 - Next, impurities are implanted into the semiconductor layer under the exposed gate electrode using the interlayer dielectric and the gate electrodes as masks.
その後、層間絶縁膜及びゲイト電極をマスクとして、前記露呈されたゲイト電極の下の半導体層に不純物を注入する。 - 特許庁 - Subsequently, the interlayer dielectric 9 and the cap layer 4 on the dummy gate electrode 3 are removed by CMP employing ceria based slurry.
その後、ダミーゲート電極３上の層間絶縁膜９およびキャップ層４をセリア系スラリーを用いたＣＭＰ法により除去する。 - 特許庁 - The interlayer insulating film IL faces the barrier layer BR and includes a liner film LN containing at least one of carbon and nitrogen.
層間絶縁膜ＩＬは、バリア層ＢＲに面し、かつ炭素および窒素の少なくともいずれかを含有するライナー膜ＬＮを含む。 - 特許庁 - RELIABILITY EVALUATING METHOD AND RELIABILITY EVALUATING DEVICE FOR MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD AND PROBE FOR INTERLAYER RESISTANCE MEASUREMENT FOR MULTILAYER WIRING BOARD
多層プリント配線板の信頼性評価方法および信頼性評価装置および多層配線板の層間抵抗測定用プローブ - 特許庁 - To provide a reliable capacitor built-in wiring board by connecting a capacitor to a rear-side interlayer insulation layer reliably.
コンデンサと裏面側層間絶縁層とを確実に接続することにより、信頼性に優れたコンデンサ内蔵配線基板を提供する。 - 特許庁 - The acoustic sheet 10 can be made to include an interlayer delamination 3, which is formed by delaminating the synthetic resin sheet in a thickness direction.
音響用シート１０は、合成樹脂シートが厚み方向に剥離されてなる層間剥離３を備えているものとすることができる。 - 特許庁 - The lower electrode 141 and the diffusion layer 11 are connected through a via-hole connecting section 13 formed to the interlayer insulating film 12.
下部電極１４１と拡散層１１は層間絶縁膜１２に形成されたビアホール接続部１３を介して接続されている。 - 特許庁 - To reduce work for removing an unnecessary metal layer when forming a wiring or an interlayer connection via on a substrate by electroplating.
電気めっきによって、基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、不要な金属層を除去する作業を軽減化する。 - 特許庁 - There is hereby eliminated the possibility that the interlayer adhesive layer 30 is peeled owing to heat upon bonding to realize highly reliable connection.
これにより、ボンディング時の熱によって層間接着剤層３０が剥離するおそれがなくなり、信頼性の高い接続を実現できる。 - 特許庁 - To provide a multilayer printed wiring board in which poor solder plating does not take place easily and good interlayer conduction is attained easily, and also to provide its production process.
めっき不良が起こりにくく、良好な層間導通を得やすい多層プリント配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - AlCu is simultaneously deposited in a connection hole 17 and on the surface of an interlayer insulating film 16 so as to form an AlCu film 20.
接続ホール１７内と層間絶縁膜１６の表面とに、同時にＡｌＣｕを堆積してＡｌＣｕ膜２０を形成する。 - 特許庁 - To obtain starch having excellent adhesivity producible at a low cost and to provide a method for making sheet-shaped material using an interlayer adhesive containing the starch.
優れた接着性能を有する澱粉を安価に提供し、該澱粉を含む層間接着剤を用いた抄紙方法を提供する。 - 特許庁 - After heating or cooling is carried out at grade in which the form of the imprinted trenches does not collapse, the mold is removed from the interlayer insulating layer.
これらの転写された溝の形状が崩れない程度に加熱あるいは冷却した後、モールドを層間絶縁層から取り外す。 - 特許庁 - The interlayer insulating film 8a on the sidewall of the first groove section 9 is etched for forming the first groove section 9a where opening dimensions are expanded.
そして、第１の溝部９側壁の層間絶縁膜８ａをエッチングし、開口寸法の拡大した第１の溝部９ａとする。 - 特許庁 - A conductive layer for shielding, i.e. a fifth Al layer 38, is formed on the fourth Al interconnect line 35 through an interlayer insulating film 36.
第４Ａｌ配線３５上に層間絶縁膜３６を介してシールド用の導電層である第５Ａｌ層３８を形成する。 - 特許庁 - To realize both improvement in the global planarity of an interlayer insulating film and insurance of uniformity in a wafer surface in a CMP planarizing process.
ＣＭＰ平坦化工程において、層間絶縁膜のグローバル平坦性の向上とウェハ面内均一性の確保とを両立させる。 - 特許庁 - Thus, the void 19 of a low dielectric constant is provided on the interlayer insulation film 6d on the bit line 8, and the inter-wiring capacitance is reduced.
これによりビット線８上の層間絶縁膜６ｄに誘電率の低い空洞１９を設けて配線間容量を低減する。 - 特許庁 - To provide a core material for helical working having excellent magnetic properties which causes no reduction in interlayer resistance, and has low core loss.
層間抵抗の低下をもたらすことが無く、しかも鉄損の低い磁気特性に優れたヘリカル加工用コア材料を提供する。 - 特許庁 - A second seal ring 12 formed of a covered part is made to seal up the interface of interlayer insulating films, so that a path through which moisture penetrates inside can be shut off.
この被覆部から成る第２のシールリング１２は、層間絶縁膜の界面をシールするので、湿気の通路を遮断できる。 - 特許庁 - The power supply wiring in the region A is connected to a power supply wiring at the same potential in the other layer and in crossover relation therewith via an interlayer contact.
領域Ａ内の電源配線は、これとクロスオーバする他層の同電位電源配線と層間コンタクトを介し接続されている。 - 特許庁 - A slab 10 is supported in a suspended manner with columns 8 of the building body part as suspension members, and a reinforcing means 14 to restrict the interlayer displacement is provided.
建物本体部の柱８を吊り材としてスラブ１０を吊り支持し、層間変位を拘束する補剛手段１４を設ける。 - 特許庁 - A lignophenol derivative is used as an interlayer 6 to prevent a substance which blocks defiberizing from permeating into the defiberizable molded product.
リグノフェノール誘導体を中間層６として用いて、解繊可能な成形体に解繊の妨げとなる物質が染み込むのを防止する。 - 特許庁 - The inspection wiring 3 is cut at each suitable interval, changed to upper-most wiring 8 and connected through interlayer wiring 10.
検査配線３は適当な間隔毎に切断され、層間配線１０を通して最上層配線８に載せ替えて接続されている。 - 特許庁 - The refractory is arranged between the inner hole side layer 2 and the outer circumferential side layer 3, 4 of the nozzle for continuous casting as the interlayer 1.
この耐火物を中間層１として、連続鋳造用ノズルの内孔側層２と外周側層３，４との間に配置する。 - 特許庁 - To suppress the occurrence of voids in an interlayer insulating film and improve the yield in the manufacturing of a semiconductor device.
層間絶縁膜に空隙が発生することを抑制し、半導体装置の製造における歩留まりの向上を図ることができる。 - 特許庁 - A part of the first waveguide member 118, disposed on the peripheral region 104, is removed to expose the fifth interlayer insulation film 113e.
第１導波路部材１１８の周辺領域１０４に配された部分を除去し、第５層間絶縁膜１１３ｅを露出させる。 - 特許庁 - A passivation film 25 is laminated on the interlayer insulating film to cover the signal line 13, then a contact hole 26 is formed and a pixel electrode 27 is deposited thereon.
信号線13を覆う層間絶縁膜上にパッシベーション膜25を積層してからコンタクトホール26を設けて画素電極27を積層する。 - 特許庁 - Second wirings 14 are formed in recessed parts 18 formed on an interlayer insulating film 13 stacked on first wirings 12.
第２の配線１４は第１の配線１２上に重ねられた層間絶縁膜１３上に作り出された凹部１８に形成されている。 - 特許庁 - In the second interlayer insulating film, there is formed a wiring groove which passes through the electric conduction plug top and exposes the upper surface of the electric conduction plug.
第２の層間絶縁膜に、導電プラグ上を通過して導電プラグの上面を露出させる配線溝が形成されている。 - 特許庁 - To provide an insulating film which is useful as an interlayer dielectric, etc., of a semiconductor device and has a low relative dielectric constant and a high copper diffusion barrier property.
半導体装置の層間絶縁膜などに有用な比誘電率が低く、かつ銅拡散バリア性が高い絶縁膜を得る。 - 特許庁 - To provide an interlayer for laminated glass which has superior moisture resistance and where foaming at an end part is hardly caused even when being placed under a high temperature state.
耐湿性に優れ、高温下に置かれたときにでも端部発泡の生じにくい合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁 - Metal wirings 51, 52, 53 are so formed by a dual damascene method as to bury them in the respective wiring interlayer films 41, 42, 43.
金属配線５１、５２および５３をデュアルダマシン法によりそれぞれの配線層間膜４１、４２および４３に埋め込んで形成する。 - 特許庁 - Thus, a thin wiring layer 5 which covers wiring 2 and the via part 3 and whose surface is flattened is formed in an interlayer insulating film 4.
これにより、層間絶縁膜４内に配線２及びビア部３を覆い、表面平坦化されてなる薄い配線層５を形成する。 - 特許庁 - To provide a multi-layered circuit board which is suitable for high density by securing interlayer reliability for insulation and forming a small-diameter via hole.
絶縁性に対する層間信頼性を確保し、しかも小径ビアホールを備えて、高密度化に適した多層回路基板を提供する。 - 特許庁 - The electronic parts have a heat-resistant insulating pattern obtained by heat treating the above relief pattern as a surface protective layer or an interlayer insulating layer.
前記のレリーフパターンを熱処理した耐熱性絶縁パターンを表面保護層または層間絶縁層として有する電子部品。 - 特許庁 - A wiring 8 of alloy of aluminum and copper is provided on the second interlayer insulating film 6 so as to be connected to the tungsten plug 7.
第２層間絶縁膜上にはタングステンプラグ７に接続されてアルミと銅との合金で形成された配線８が形成されている。 - 特許庁 - A fifth interlayer insulation film 113e is disposed on an imaging region 103 and a peripheral region 104 of a semiconductor substrate 101.
半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４の上に第５層間絶縁膜１１３ｅが配される。 - 特許庁 - To provide a heat treatment method and heat treatment equipment capable of obtaining an interlayer insulating film of low permittivity at a low heat treatment temperature.
低い熱処理温度で低誘電率の層間絶縁膜を得ることができる熱処理方法及び熱処理装置を提供する。 - 特許庁 - On the semiconductor substrate, a silicon nitride film 102 functioning as a surface protective film is formed through an interlayer insulating film 105b.
半導体基板上には、層間絶縁膜１０５ｂを介して表面保護膜として機能するシリコン窒化膜１０２が形成されている。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which never generates voids in an interlayer insulation film due to fluorine in etching gas.
エッチングガス中のフッ素に起因して層間絶縁膜に空洞を発生させることのない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The wiring structure includes a first contact pad 126, a first contact plug 150, spacers 140, and interlayer insulating film patterns 120 and 130.
配線構造物は、第１コンタクトパッド１２６、第１コンタクトプラグ１５０、スペーサー１４０、及び層間絶縁膜パターン１２０、１３０を含む。 - 特許庁 - The interlayer 1 for laminated glass comprises a first layer 2 and a second layer 3 laminated on either surface 2a of the first layer 2.
合わせガラス用中間膜１は、第１の層２と、第１の層２の一方の面２ａに積層されている第２の層３とを備える。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device, having an interlayer insulating film which is superior in the embedding properties between device elements formed on a semiconductor substrate.
半導体基板上に形成された素子間への埋め込み特性に優れた層間絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A contact hole 2a is formed on an interlayer insulation film 2 and a barrier film 3 on a semiconductor board 1, and a plug 4 is formed in the contact hole 2a.
半導体基板１上の層間絶縁膜２,バリア膜３にコンタクトホール２aを形成し、コンタクトホール２a内にプラグ４を形成する。 - 特許庁
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