「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 41 42 43 44 45 46 47 48 49 .... 128 129 次へ＞- Thereafter, an interlayer insulating film 131 coating the ferroelectric capacitor is formed, and furthermore, a protection film 132 composed of alumina is formed thereon.
その後、強誘電体キャパシタを覆う層間絶縁膜１３１を形成し、更にその上にアルミナからなる保護膜１３２を形成する。 - 特許庁 - On the first interlayer insulating film 21, metal wiring 23A, 23B and 23C extending in parallel are formed as fuse wiring.
第１の層間絶縁膜２１上には、ヒューズ配線として、並行して延びる金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃが形成されている。 - 特許庁 - Contact holes CH which reach the source region SO and the drain region DR of the transistor are formed in an interlayer insulating film II.
層間絶縁膜ＩＩにトランジスタのソース領域ＳＯおよびドレイン領域ＤＲの各々に達するコンタクトホールＣＨが形成される。 - 特許庁 - To provide a rotating electric machine, which surely performs interlayer insulation in a stator, in which terminal wires are connected together by striding over coil ends.
コイルエンドを跨いで端末線同士を接続する固定子における相関絶縁を、確実に行うことができる回転電機の提供。 - 特許庁 - To provide an interlayer film for laminated glass, which is excellent in dispersibility of heat shielding particles; to provide laminated glass; and to provide a zinc oxide fine particle dispersion.
遮熱粒子の分散性に優れる合わせガラス用中間膜、合わせガラス、及び、酸化亜鉛微粒子分散液を提供する。 - 特許庁 - To provide a structure improving upper strain in a laminated glass having an interlayer of non-uniform thickness.
非均等厚さの中間膜を有する合わせガラスにおいて、上部の歪みを改善することができる構造を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a multilayer circuit board having high interlayer adhesive properties of anisotropic conductive films and high reliability of a semiconductor package obtained by using the circuit board.
異方導電膜の層間の密着性が高く、得られる半導体パッケージの信頼性が高い多層配線基板の提供。 - 特許庁 - The semiconductor device includes an electrode for external connection that is formed over a semiconductor substrate 1 with interlayer dielectrics 11, 21 or the like in between.
半導体基板１の上方に、層間絶縁膜１１、２１等を介在させて形成された外部接続用電極を備えている。 - 特許庁 - The interlayer film 1 for laminated glass is provided with: a first layer 2; and a second layer 3 laminated on either side 2a of the first layer 2.
第１の層２と、第１の層２の一方の面２ａに積層された第２の層３とを備える合わせガラス用中間膜１。 - 特許庁 - The electrode pads 10a and 10b are electrically connected together through an interlayer connection conductor 10e and inner layer wirings 10c and 10d formed inside a substrate.
電極パッド10aと10bは、基板内部に形成された層間接続導体10e、内層配線10c、10dを介して電気的に接続されている。 - 特許庁 - A carbon fiber for a composite material, having excellent composite performance, especially excellent interlaminar fracture toughness to be an index of interlayer brittleness, is obtained.
コンポジット性能、特に、層間のもろさの指標となる層間破壊靭性に優れた複合材料用の炭素繊維が得られる。 - 特許庁 - In a through hole 21TH of the first interlayer insulating film 21, a high-melting-point metal layer 22 of tungsten, etc. is formed.
第１の層間絶縁膜２１の貫通孔２１ＴＨ内には、タングステン等からなる高融点金属層２２が形成されている。 - 特許庁 - The gate pattern 200 consists of a gate oxide film 110, a floating gate 120, a gate interlayer insulating film pattern 130, and a control gate 140.
ここでゲートパターン２００は、ゲート酸化膜１１０、浮遊ゲート１２０、ゲート層間絶縁膜パターン１３０、制御ゲート１４０からなる。 - 特許庁 - To provide an interlayer insulating film having a satisfactory gap-fill performance on a gate insulating film by suppressing a charge-damage to the gate insulating film.
ゲート絶縁膜に対するチャージダメージを抑止しつつ、ギャップフィル特性のよい層間絶縁膜をゲート絶縁膜上に形成する。 - 特許庁 - Consequently, the conductor layers 11 and interlayer connection members 15b in contact states are bonded through solid-phase diffusion bonding.
これによって、接触状態にある導体層１１と層間接続部材１５との間が固相拡散接合によって接合される。 - 特許庁 - The surface of the interlayer isolation film 50 is washed by means of immersing a structure shown in Figure 5 in the ammonia hyperhydration for 60 seconds.
図５に示した構造を上記アンモニア過水中に６０秒間浸すことにより、層間絶縁膜５０の表面を洗浄する。 - 特許庁 - In this manufacturing method, opening parts OP3 penetrating at least an interlayer insulating film 5 are formed by anisotropic dry etching using a resist mask RM2.
レジストマスクＲＭ２を用いて異方性ドライエッチングを施し、少なくとも層間絶縁膜５を貫通する開口部ＯＰ３を形成する。 - 特許庁 - To provide a printed wiring board having less dispersion of interlayer insulating resin thickness, which becomes a problem, and having an insulating layer without glass cloth.
問題となる層間絶縁樹脂厚のバラツキが少なく、ガラスクロスのない絶縁層を有するプリント配線板を提供すること。 - 特許庁 - In recessed portions 16, 17 formed on an interlayer insulation film 15, a barrier metal layer 20 is formed along the bottom and the sidewall thereof.
層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内には、その底部および側壁部に沿ってバリアメタル層２０が形成されている。 - 特許庁 - To prevent an interlayer insulation film in a lower part of a trimming element from being cracked due to pressure of evaporation gas from the trimming element at the time of trimming.
トリミング素子からのトリミング時の気化ガスの圧力によりトリミング素子の下部の層間絶縁膜にクラックが入るのを防止する。 - 特許庁 - After an interlayer insulation film 100 is formed prior to lamp annealing, a lamp light absorption film 110 is deposited to thereafter lamp-anneal processing.
層間絶縁膜１００の形成後、ランプアニール処理前に、ランプ光吸収膜１１０を堆積し、その後、ランプアニール処理を行う。 - 特許庁 - Thus, the insulation film layer of proper quality, which indicates a low dielectric constant advantageous as an interlayer insulating film is formed on the insulation film.
これにより、前記絶縁膜上に、層間絶縁膜として有利な低誘電率を示す良質な絶縁膜層が形成される。 - 特許庁 - An insulating oxygen barrier layer 31 is formed on an interlayer dielectric 2 continuously to the oxygen barrier layer 71 in the same plane.
この酸素バリア層７１と同一面内で連続するように、絶縁性酸素バリア層３１を層間絶縁膜２上に形成する。 - 特許庁 - To provide an abrasive which can be preserved even at low ambient temperature relating to a CMP compound for planarization of an interlayer insulation film.
層間絶縁膜を平坦化するＣＭＰ剤において、低温の雰囲気下においても保存することができる研磨剤を提供する。 - 特許庁 - An interlayer insulating layer 2 consisting of a resin is formed on a copper foil 1 and a second conductive layer 3 is formed on the layer 2 using a conductive paste.
銅箔１に樹脂による層間絶縁層２を形成し、その上に導電ペーストにより第２導電層３を形成する。 - 特許庁 - A pixel electrode 30 electrically connected to the conductive material layer 20 through the via hole 28 is formed on the interlayer insulating layer 26.
層間絶縁層２６上に、ビアホール２８を介して導電材料層２０と電気的に接続する画素電極３０を形成する。 - 特許庁 - A gate electrode 102 and a gate insulating layer 103 are formed on a glass substrate 101, and an interlayer insulating layer 104 is formed thereon.
ガラス基板１０１上にゲート電極１０２，ゲート絶縁層１０３を形成し、その上に層間絶縁層１０４を形成する。 - 特許庁 - A resin formed using the positive photosensitive resin composition can be utilized as a semiconductor protection film or an interlayer dielectric.
本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いて形成された樹脂は、半導体保護膜や層間絶縁膜として利用され得る。 - 特許庁 - After the through-hole 105 is filled with a tungsten film 109, an upper metal wiring 112 is formed on the interlayer insulating film 104.
スルーホール１０５にタングステン膜１０９を充填した後、層間絶縁膜１０４の上に上層の金属配線１１２を形成する。 - 特許庁 - A DRAM cell transistor 302, a first interlayer film 303, and a first contact plug 304, are formed on a silicon substrate 301.
シリコン基板３０１の上にＤＲＡＭセルトランジスタ３０２、第１の層間膜３０３及び第１のコンタクトプラグ３０４が形成されている。 - 特許庁 - On a GaN substrate 10 whose front surface is an R plane, an interlayer insulation film 11 formed of SiO_2 is formed (Figure 1A).
Ｒ面を表面とするＧａＮ基板１０の上にＳｉＯ_2 で構成された層間絶縁膜１１が形成されている（図１Ａ）。 - 特許庁 - A metal contact passes through an interlayer dielectric for electrically connected to a metal structure, such as a metal gate electrode 112 in a transistor.
金属コンタクトは、層間誘電体を貫通して、トランジスタの金属ゲート電極１１２などの金属構造と電性接続される。 - 特許庁 - Then a first hole 23 is formed penetrating the first and second interlayer insulating films 18 and 19 and also exposing the etching stopper film 17.
次に、第１，第２の層間絶縁膜１８，１９を貫通し、且つ、エッチングストッパー膜１７を露出する第１のホール２３を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device with which residual film thickness of an interlayer insulating film on a thin-film resistor can be controlled accurately.
薄膜抵抗体上の層間絶縁膜残存膜厚を精度良く制御できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an interlayer for laminated glass excellent in comprehensive sound insulation performance over a wide temperature range of 10-60°C.
１０〜６０℃の広い温度範囲の総合的な遮音性能に優れた合わせガラス用中間膜を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a PTFE molded body free from interlayer peeling and having excellent flexibility and excellent productivity, and to obtain a method for producing the same.
層間の剥離がなく可撓性に優れ、且つ、生産性にも優れたＰＴＦＥ成型体、及びこれらの製造方法を得ること。 - 特許庁 - To planarize simply an interlayer film on the upper electrode of a capacitor related with the miniaturization of DRAM having a stacked capacitor.
スタック型キャパシタを有するＤＲＡＭの微細化に関して、キャパシタの上部電極の上の層間膜を簡易に平坦化できるようにする。 - 特許庁 - A conductive interlayer insulating film 8a is formed on the upper surface of each first conductive layer 3 and isolated by the element isolation insulating film 7.
導電層間絶縁膜８ａが第一導電層３の頂部上に配置され、素子分離絶縁膜７により分離されている。 - 特許庁 - The second interlayer wiring post 30a (30b) and the second resin sealed layer 29 are provided around the second CSP 23.
第２のＣＳＰ２３の周囲には第２の層間配線ポスト３０ａ（３０ｂ）および第２の樹脂封止層２９が設けられている。 - 特許庁 - To provide a chemical mechanical polishing agent for flattening an interlayer insulating film which can lower a surface tension.
層間絶縁膜を平坦化するＣＭＰ研磨剤において、表面張力を低下させることができるＣＭＰ研磨剤を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device wherein destruction of a sealing ring caused by cracking of an interlayer dielectric film is difficult to occur, and a method for manufacturing the same.
層間絶縁膜のクラックに起因するシールリングの破壊が生じにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To excellently embed Cu into a fine pattern of a semiconductor device, and to suppress diffusion of the Cu into an interlayer insulating film.
半導体装置において、微細パターンへのＣｕの埋め込みを良好にし、且つＣｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制する。 - 特許庁 - On the third interlayer insulating film 104 inside the opening 111 and around the opening 111, an upper electrode 107 is formed.
開口１１１の内部及び開口１１１周囲の第３層間絶縁膜１０４上には上部電極１０７が形成されている。 - 特許庁 - To obtain a basic member for a multilayer board with which a high-density wiring having highly reliable interlayer connection strength can be made in a high yield.
信頼性の高い層間接続強度をもって高歩留まりで高密度配線を行える多層基板用基材を得ること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that improves characteristics of a capacitor covered with an interlayer insulating film, and a method of manufacturing the same.
層間絶縁膜に覆われるキャパシタの特性を良好にすることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The interlayer insulating film on the pedestal is etched by fluorine-containing plasma to form a hole 147a, and the surface of the pedestal is exposed.
ペデスタル上の層間絶縁膜をフッ素含有プラズマでエッチングしてホール１４７ａを形成しペデスタルの表面を露出させる。 - 特許庁 - The transistor T is coated with an interlayer insulating film 14 and is formed with a ferroelectric capacitor C, corresponding to the transistor T on the film 14.
トランジスタＴは層間絶縁膜１４で覆われ、この上に、各トランジスタＴに対応して強誘電体キャパシタＣが形成される。 - 特許庁 - To provide a printed wiring board material which is low in dielectric properties, superior in stability of interlayer thickness and in drilling workability.
低誘電特性、層間厚さの安定化に優れ、ドリル加工性を悪化させないプリント配線板材料等を提供することである。 - 特許庁 - A silicon oxide film (interlayer insulating film) 13 is formed and a heater 3 is made by forming a heating resistor 14 and a second wiring layer 15.
シリコン酸化膜（層間絶縁膜）１３を形成し、発熱抵抗体１４と第２の配線層１５を形成してヒーター３を作る。 - 特許庁 - To etch an interlayer insulation film with better controllability than for the conventional micro holes, and to surely insulate bit lines from an adjacent plug.
従来の微小ホールよりも制御性良く層間絶縁膜をエッチングすると共に、隣接するプラグからビットラインを確実に絶縁する。 - 特許庁
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