「interlayer」を含む例文一覧(6425)

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  • The radiation-sensitive resin composition is suitable for use particularly in the formation of an interlayer insulation film or microlenses.
    上記感放射線性樹脂組成物は、特に層間絶縁膜またはマイクロレンズの形成に好適に使用することができる。 - 特許庁
  • Thereafter, a second polishing processing in which a polishing pressure is set to 1.5 times or more is executed on the surface of the interlayer insulating film 3.
    その後、研磨圧力を1.5倍以上にした第2研磨処理を層間絶縁膜3の表面に対して実行する。 - 特許庁
  • To form an insulating film with a lower dielectric constant than the dielectric constants of SiO2 and SiOF used as an interlayer insulating film.
    層間絶縁膜として用いられているSiO_2、SiOFよりも比誘電率の低い絶縁膜をシリコン基板に形成する。 - 特許庁
  • A capacitor unit 14 is mounted in an interlayer insulating film 12 on a diffusion layer 11 in a semiconductor substrate 10.
    半導体基板10における拡散層11上の層間絶縁膜12においてキャパシタユニット14が設けられている。 - 特許庁
  • In a semiconductor device manufacturing process, a connection hole 6 is provided to an interlayer film 5 by selective etching fill a stopper film 4.
    半導体装置製造プロセスでは、層間膜5を選択的にエッチングしてストッパ膜4に達する接続孔6を開口する。 - 特許庁
  • The interlayer insulating film 12 formed on the semiconductor substrate 2 has a laminated structure of a plurality of first insulation films 13.
    半導体基板2上に形成される層間絶縁膜12は、複数の第1絶縁膜13の積層構造を有している。 - 特許庁
  • To provide a wafer alignment device for correcting the displacement of wafer alignment which is attributable to asymmetry of the coverage of an interlayer film.
    層間膜のカバレッジの非対称性に起因するウェハアライメントのずれを補正するためのウェハアライメント装置を提供する。 - 特許庁
  • To improve the film forming properties, cost performance and workability of an organic SOG interlayer insulation film for forming a semiconductor device.
    半導体装置を構成する有機SOG膜よりなる層間絶縁膜の製膜性、コスト性及び加工性を向上させる。 - 特許庁
  • Next, the Ti film 105 is formed on the interlayer insulating film 103 so as to cover the contact hole and the treatment of plasma nitriding is applied.
    次に、層間絶縁膜103上に、コンタクトホールを覆うようにTi膜105を形成し、プラズマ窒化の処理を行う。 - 特許庁
  • The interlayer insulation film 34 above the plug 11 is etched with the silicon nitride films 33 and 32 serving as an etching stopper to form a concave part.
    シリコン窒化膜33,32をエッチングストッパとしてプラグ11上方の層間絶縁膜34をエッチングして凹部を形成する。 - 特許庁
  • Interlayer resin insulation layers 24 and 38 and a core substrate 50 for upper layer are built up on a core substrate 10 for lower layer.
    下層用コア基板10に、層間樹脂絶縁層24,38及び上層用コア基板50がビルドアップして形成されている。 - 特許庁
  • The dielectric layer between gates is formed on the floating gate that is exposed by removing the mold pattern between the interlayer insulating layer patterns.
    層間絶縁層パターン間のモールドパターンの除去によって露出される浮遊ゲート上にゲート間誘電層を形成する。 - 特許庁
  • In an interlayer insulating film on a substrate, a lower metal wire, a lower metal electrode, and first and second capping films are arranged in order.
    基板上の層間絶縁膜内に下部金属配線、下部金属電極、第1、第2のキャッピング膜が順に配置される。 - 特許庁
  • An interlayer insulating film 4 is formed on a semiconductor substrate 1 on which a base insulating film 2 and a lower layer interconnection 3 are formed.
    下地絶縁膜2及び下層配線3が形成された半導体基板1上に層間絶縁膜4を形成する。 - 特許庁
  • Then, a second interlayer insulating film 14 is formed, and the ferroelectric substance film is heat treated in oxygen atmosphere to recover film quality.
    その後、第2の層間絶縁膜14を形成し、酸素雰囲気中で強誘電体膜の膜質回復熱処理を行う。 - 特許庁
  • This CMOS sensor has an inner lens located to face the photodiode on an interlayer insulation film in a photodiode region.
    フォトダイオード領域で、層間絶縁膜上にフォトダイオードと対面するようにインナーレンズが位置しているCMOSイメージセンサである。 - 特許庁
  • To provide an interlayer film for laminated glass, which is formed from a vinyl acetal polymer having excellent water resistance and compatibility with a plasticizer.
    耐水性および可塑剤との相溶性に優れるビニルアセタール系重合体からなる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁
  • ULTRA-LOW DIELECTRIC POROUS WIRING INTERLAYER DIELECTRIC FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE FILM
    半導体素子用超低誘電多孔性配線層間絶縁膜およびその製造方法ならびにそれを用いた半導体素子 - 特許庁
  • Thereafter, the cylindrical storage node electrode 12 composed of the polysilicon films 11a are formed by selectively removing the interlayer dielectric 9.
    その後、犠牲層間絶縁膜9を選択的に除去して、ポリシリコン膜からなる筒型ストレージノード電極12を形成する。 - 特許庁
  • FLAME-RETARDANT EPOXY RESIN COMPOSITION AND PRODUCTION OF INTERLAYER ADHESIVE FILM FOR PRINTED WIRING BOARD AND MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD BY USING SAME
    難燃性エポキシ樹脂組成物及びこれを用いたプリント配線板用層間接着フィルム、多層プリント配線板の製造方法 - 特許庁
  • To provide a resin composition for an interlayer for laminated glass that is excellent in a formaldehyde capturing functionality while maintaining physical properties of the laminated glass.
    合わせガラスの物性を維持しつつ、ホルムアルデヒド捕捉機能に優れる合わせガラス中間層用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
  • An oxygen barrier conductive film 33 is formed on the interlayer insulating film while being inclusive of a conductive plug in a plan view.
    平面視において導電プラグを内包するように、層間絶縁膜の上に、導電性の酸素バリア膜(33)が形成されている。 - 特許庁
  • Between the aluminum wiring layer 14 and the interlayer insulating film 16, a TiN film 30, forming a barrier layer, is provided.
    アルミニウム配線層14と層間絶縁膜16との間には、バリア層を構成するTiN膜30が介在されている。 - 特許庁
  • STRUCTURE OF EVALUATING INSULATION RELIABILITY OF INTERLAYER CONNECTION CIRCUIT PART OF PRINTED WIRING BOARD, AND METHOD OF EVALUATING THE INSULATION RELIABILITY
    プリント配線板層間接続回路部の絶縁信頼性評価構造体及びその絶縁信頼性評価試験方法 - 特許庁
  • To provide a wiring board which secures fine interlayer connection as well as the formation of a fine wiring pattern, and which is highly reliable.
    確実に微細な層間接続でき、微細な配線パターンを形成でき、且つ信頼性の高い多層配線板を提供する。 - 特許庁
  • The application pressure of the interlayer insulation layer 3 on the backside 12 of the substrate 1 is smaller than that of the surface 11.
    基板1の裏側面12における層間絶縁層3の塗布圧力は,表側面11の塗布圧力よりも小さい。 - 特許庁
  • Consequently, the fuse 26 is supported by the interlayer insulating film 18 so that the pattern disruption and the pattern missing can be prevented.
    これにより、ヒューズ26が層間絶縁膜18により支持され、ヒューズのパターン倒れやパターン飛びを防止することができる。 - 特許庁
  • The pattern of a TFT20 is formed on a transparent substrate 2 for every pixels and the TFT20 is coated with an interlayer dielectric 30.
    透明基板2上に画素ごとにTFT20をパターニング形成し、TFT20を層間絶縁膜30で被覆する。 - 特許庁
  • The part to be abutted on the columnar spacer 20 of the organic interlayer insulating film 39 is removed in this liquid crystal display device.
    この液晶表示装置では、有機層間絶縁膜39は、柱状スペーサ20に当接する部分が除去されている。 - 特許庁
  • To provide an interlayer film for a laminated glass, and a laminated glass, which exhibit no rise in the haze value due to moisture absorption, and are excellent in moisture resistance.
    吸湿によるヘイズ値の上昇のない、耐湿性に優れた合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供する。 - 特許庁
  • INTERLAYER INSULATING SHEET FOR MODULE WITH BUILT-IN ELECTRONIC COMPONENT, MODULE WITH BUILT-IN ELECTRONIC COMPONENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING MODULE WITH BUILT-IN ELECTRONIC COMPONENT
    電子部品内蔵モジュール用層間絶縁シート、電子部品内蔵モジュール及び電子部品内蔵モジュールの製造方法 - 特許庁
  • To provide a technique that can reduce warpage in a wafer by decreasing the film stress of an entire interlayer insulating film.
    層間絶縁膜全体の膜応力を低くすることにより、ウエハの反りを低減することができる技術を提供する。 - 特許庁
  • The electronic parts have the heat-resistant coating film or a heat-resistant insulating pattern as a surface protective layer or an interlayer insulating layer.
    前記の耐熱性塗膜または耐熱性絶縁パターンを表面保護層または層間絶縁層として有する電子部品。 - 特許庁
  • To improve the reliability of a display device provided with an organic EL layer via an interlayer insulating film on thin-film transistors(TFTs).
    薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を介して有機EL層を設けてなる表示装置の信頼性の向上を図る。 - 特許庁
  • The interlayer insulating film 8 is formed on the conductive layer 6b.
    層間絶縁膜8は導電層6b上に形成され、導電層6b上に位置する領域に形成されたコンタクトホール10を有する。 - 特許庁
  • To obtain a resin composition with a low dielectric constant, having excellent adhesion and usable as an interlayer insulation film and a printed circuit board or an LSI.
    接着性に優れ、プリント基板やLSI用の層間絶縁膜に使用できる低誘電率樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
  • Ranges covered by predetermined distances d1 around a lower part of the PAD are constituted to be fully buried by the interlayer dielectrics IL.
    PAD下周辺の所定距離d1の範囲内はすべて層間絶縁膜ILで埋められた構成となっている。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device, provided with a pad 30A which is superior in adhesion to an interlayer insulating layer, and to provide its manufacturing method.
    層間絶縁層との密着性が優れたパッド部を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To assure reliable embedment of a wire in an interlayer insulating film made of a material containing inpurity of a basic compound.
    塩基性化合物を不純物に含む材料からなる層間絶縁膜に埋め込み配線を確実に形成できるようにする。 - 特許庁
  • On the silicide layer 12, an interlayer insulating film 14 divided into a first layer 141 and a second layer 142 is provided.
    シリサイド層12上において第1層141、第2層142に分割形成された層間絶縁膜14が設けられている。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a multilayered wiring board using a build-up method through which a possibility of interlayer connection failure is reduced.
    層間の接続不良が発生する確率が低い、ビルドアップ法による多層配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • An interlayer insulating film 20, containing a contact hole for exposure of a conductive zone of a semiconductor substrate 10, is formed on the substrate 10.
    半導体基板上に半導体基板の導電領域を露出させるコンタクトホールを含む層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁
  • In monocrystals adjacent to each other in a crystal growth direction, a c-axis does not agree with each other, and thereby an interlayer interface is formed.
    結晶成長方向に隣接する単結晶同士は、c軸が一致しないことで、層間界面を形成している。 - 特許庁
  • By rationalizing a scanning line forming and an island forming step of semiconductor layers and by making interlayer dielectrics unnecessary, a four-mask process is developed.
    走査線形成と半導体層の島化工程とを合理化、層間絶縁層の不要化により4枚マスク・プロセスを開発した。 - 特許庁
  • Preferably, the interlayer insulating film 50 has a laminated structure of the organic resin film 51 and a first inorganic insulating film 52.
    層間絶縁膜50は、有機樹脂膜51および第1無機絶縁膜52の積層構造を有していることが好ましい。 - 特許庁
  • Parasitic capacitance below the bonding pad is almost eliminated, and further, a nitride film can be used as an interlayer insulating film, so that the cost is reduced.
    ボンディングパッド下の寄生容量がほとんど無くなる上、層間絶縁膜も窒化膜に代用できるのでコストの低減になる。 - 特許庁
  • An interlayer insulating film 12 on a connection wire 10 is removed to form a removed part 18 where the connection wire 10 is exposed.
    接続配線10上の層間絶縁12を除去し、接続配線10を露出した除去部18を形成する。 - 特許庁
  • Ranges covered by predetermined distances d1 around a lower part of the PAD are constituted to be fully buried by the interlayer dielectric layers IL.
    PAD下周辺の所定距離d1の範囲内はすべて層間絶縁膜ILで埋められた構成となっている。 - 特許庁
  • To provide a method of efficiently increasing the capacitance by preventing the influence by the outgassing from an interlayer film in a HSG process.
    HSGプロセスにおいて層間膜からのアウトガスの影響を防止し効果的にキャパシタンス容量を増加させる方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a work arranging device which enhances the efficiency for stacking lead frames or plate works, such as a printed board, with a piece of interlayer paper being interposed therebetween.
    リードフレーム又はプリント基板等のプレート状ワークに層間紙を挟んで積み重ねる作業の効率向上を図る。 - 特許庁
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