「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 33 34 35 36 37 38 39 40 41 .... 128 129 次へ＞- To provide a satisfactory contact property without degrading an organic interlayer film.
有機層間膜を劣化させることなく、良好なコンタクト性を得ることのできる多層配線の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A second contact stud 208b, which is spaced from the first contact stud 208 by a specified distance, is formed inside the interlayer insulating film 204.
層間絶縁膜の内部に第１コンタクトスタッドと所定距離離隔された第２コンタクトスタッド２０８ｂが形成される。 - 特許庁 - Further, the interlayer insulating film 12 is polished so as to expose the remaining silicide masking film 9, and the film 12 is flattened.
さらに、残ったシリサイドマスキング膜９が露出するように層間絶縁膜１２を研磨して、膜１２を平坦化する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a multilayer printed wiring board in which accuracy is enhanced at the interlayer connecting part while increasing the density and the number of layers.
プリント配線板の多層化において、層間接続部の高精度化、高密度化、高多層化に関するものである。 - 特許庁 - The interlayer resin insulating layer 150 contains an inorganic filler which is adjusted so that its linear thermal expansion coefficient becomes small.
層間樹脂絶縁層１５０は、無機フィラーが含有され、線熱膨張係数が小さくなるように調整されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device, in which electron beam probing can be performed to lower-layer wiring, without having to open an interlayer insulating film.
層間絶縁膜を開口する事なしに下層配線の電子ビームプロービングが行える半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The film thickness of the first interlayer insulating film is formed to not higher than 1/3 of the total film thickness of the laminated insulating films.
前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜厚の１／３以下に形成する。 - 特許庁 - Plugs (9, 19) are buried in the state of wiring in an interlayer insulating film 7 that covers the resistive element layer 5.
抵抗体層５を覆う層間絶縁膜７には、埋め込み配線の形態で、プラグ９，１９が埋設されている。 - 特許庁 - Since the curing of the interlayer dielectric film is achieved within a shorter time, the coverall treatment time of the wafer W is reduced.
これによって，層間絶縁膜の硬化処理がより短時間で行われ，ウェハＷの総処理時間が短縮される。 - 特許庁 - A light-shielding film 107, the dichroic filter 106, and a support 105 are formed in the interlayer insulating film 104.
層間絶縁膜１０４中には、遮光膜１０７、ダイクロイックフィルタ１０６及び支持体１０５が形成されている。 - 特許庁 - The position of the surface of the first wiring layer 4 is set flush with or lower than the surface of the interlayer dielectric 23.
第１の配線層４の表面の位置は、層間絶縁膜２３の表面と同一か、またはそれ以下にされている。 - 特許庁 - The bit line loading capacitance is formed of the bit line 14, the first wiring 15 and the first interlayer insulating film 18.
ビット線１４、第１の配線１５および第１の層間絶縁膜１８とでビット線負荷容量が形成される。 - 特許庁 - A required terminal plate of each wiring unit 5 positioned in the vertical direction adjacent to each other are connected to each other with an interlayer connecting member 4.
上下に位置する各配線ユニット５の所要の端子板２を層間接続部材４により相互に接続する。 - 特許庁 - An interlayer insulating layer is deposited on a plurality of the second metal structures.
本発明の実施形態ではさらに、層間絶縁層を複数の第２の金属構造の上に析出することを記載している。 - 特許庁 - The occurrence of delamination between respective layers is suppressed by providing the interlayer 14 between the inner layer 12 and the outer layer 16.
内層１２と外層１６との間に中間層１４を設けることで、各層間の剥離の発生が抑制される。 - 特許庁 - The plurality of second wiring connection plugs 109 and the dummy plug 121 terminate at the upper surface of the interlayer insulating film 119.
複数の第二配線接続プラグ１０９およびダミープラグ１２１は、層間絶縁膜１１９の上面で終端する。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a substrate 20, a conductive layer 6b, an interlayer insulating film 8, and a transparent conductive layer 9.
半導体装置は基板２０と導電層６ｂと層間絶縁膜８と透明性導電層９とを備える。 - 特許庁 - There is provided a detection unit 11 on a lower surface of the gate-metal interlayer film 5 located inside the frame-like member 9.
枠状部材９の内側に位置するゲート−メタル層間膜５の下面に検出部１１が設けられている。 - 特許庁 - An interlayer insulation film 14 is formed with a recessed section 15, and then the multiplayer film 16 is formed over the film 14 which includes the recessed section 15.
層間絶縁膜１４に凹所１５が形成され、この凹所１５の内外に多層膜１６が形成される。 - 特許庁 - A plurality of lines 11B for contact are formed in a fourth interlayer insulating film 10 on a semiconductor substrate 1.
半導体基板１上の第４層間絶縁膜１０中に複数のコンタクト用配線１１Ｂが形成されている。 - 特許庁 - The thin thickness area of the interlayer film 1 for the laminated glass has a higher water content ratio than that of the thick thickness area thereof.
合わせガラス用中間膜１の厚みの薄い領域の含水率は、厚みの厚い領域の含水率よりも高い。 - 特許庁 - To provide a main bar for grating made of a composite resin material and its manufacturing method for preventing interlayer exfoliation.
層間剥離が生じない複合樹脂材料からなるグレーチング用メインバー、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A pixel electrode 2 is formed on the auxiliary capacitance line 6 via a gate insulating film 9 and an interlayer insulating film 16.
補助容量ライン６上に、ゲート絶縁膜９および層間絶縁膜１６を介して、画素電極２を形成する。 - 特許庁 - An interlayer insulation film 16 is formed on an insulation film 12 for covering a semiconductor substrate 10 via a wiring layer 14.
半導体基板１０を覆う絶縁膜１２の上に配線層１４を介して層間絶縁膜１６を形成する。 - 特許庁 - In the formation of the liner layer 12, uniformly excepting element isolation film 11, the interlayer insulating film 13 is formed thereon.
ライナー層１２の形成に関し、素子分離膜１１上は一様に除いて、その上に層間絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁 - INTERLAYER CONNECTION STRUCTURE OF MULTILAYER INTERCONNECTION BOARD, MANUFACTURING METHOD AND LAND SECTION FORMATION METHOD OF FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT BOARD
多層配線基板の層間接続構造及びフレキシブルプリント基板の製造方法並びにこの基板のランド部形成方法 - 特許庁 - Therefore, short-circuit between the Cu wirings 24 formed on the third interlayer film 17 can be prevented.
そのため、第３層間膜１７上に形成された複数のＣｕ配線２４間における短絡を防止することができる。 - 特許庁 - To provide a paper-made wall paper having high stiffness, excellent construction workability, strong interlayer strength and excellent printability.
剛性が高く施工作業適性に優れ、層間強度が強く、印刷性に優れた紙製の壁紙を提供する。 - 特許庁 - The signal wiring 50 is formed of an insulting film 64 and an aluminum wiring 51 formed on an interlayer insulating film 74.
信号配線部５０は、絶縁膜６４および層間絶縁膜７４上に形成されたアルミニウム配線５１からなる。 - 特許庁 - After having formed a lead electrode 3 on a semiconductor substrate, an interlayer dielectric 5 is deposited on the substrate and planarized.
半導体基板の上に、引き出し電極３を形成した後、基板上に層間絶縁膜５を堆積し、平坦化する。 - 特許庁 - To reduce occupied area of capacitance created between a gate electrode and a capacitance electrode facing each other across an interlayer insulation film.
層間絶縁膜を挟んでゲート電極と容量電極が対向してできる容量の占有面積を小さくする。 - 特許庁 - Pixel separation barriers 21 formed on the upper side of the interlayer insulating film 11 are arranged between the pixels.
層間絶縁膜１１の上側に形成され、それぞれの画素同士の間に配置された画素分離隔壁２１を備える。 - 特許庁 - An etching stopping film pattern is formed at a part opposed to the photodiode on the first interlayer insulating structure.
前記第１層間絶縁構造物上で前記フォトダイオードと対向する部位にエッチング阻止膜パターンを形成する。 - 特許庁 - A memory layer 17 and an upper electrode 18 are formed on a lower electrode 14 and an interlayer insulating film 15.
下部電極１４および層間絶縁膜１５上に記憶層１７および上部電極１８が形成されている。 - 特許庁 - A bonding pad 5 and the protective film 6 for protecting the pad 5 are formed on the interlayer insulating film 3 as an uppermost layer.
最上層の層間絶縁膜３には、ボンディングパッド５及びそれを保護するための保護膜６が形成されている。 - 特許庁 - A contact hole which reaches the insulating film and wiring is formed in this interlayer insulating film to form a pixel electrode.
この層間絶縁膜に絶縁膜および配線に達するコンタクトホールを形成して、画素電極を形成している。 - 特許庁 - Thereafter, the optical catalyst film 4 is removed, and an upper wiring 5 (including viaholes) is formed on the surface of the interlayer insulating layer 3.
その後、光触媒４を除去し、層間絶縁層３表面に上部配線５（ビアホールを含む）を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device (comprising an interlayer insulating film) having a sufficiently low dielectric constant and high mechanical strength.
十分に誘電率が低くかつ機械的強度の高い（層間絶縁膜を備えた）半導体装置を提供する。 - 特許庁 - Then the interlayer insulating film 14 on the common potential line COM is selectively etched to form a contact hole CH3.
次に、共通電位線ＣＯＭ上の層間絶縁膜１４を選択的にエッチングしてコンタクトホールＣＨ３を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor device 1 includes the semiconductor substrate 2 and the interlayer dielectric 8 formed on the semiconductor substrate 2.
半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に形成された層間絶縁膜８とを備えている。 - 特許庁 - The interlayer insulation film 6 having low permittivity is formed over the base substrate 1 so as to fill spaces between the interconnection 5b.
配線５ｂ間を埋め込む状態で下地基板１の上方に低誘電率の層間絶縁膜６を形成する。 - 特許庁 - A polyurethane exclusive for glass such as Hercules Resin M141 is injected into each interlayer of the laminated body to form an intermediate film.
積層体のそれぞれの層間には、HERCULES RESIN MI41などのガラス専用のポリウレタン樹脂が注入され、これが中間膜となる。 - 特許庁 - To provide a flexible multilayer circuit board which can prevent migration of ion which might occur in an interlayer insulating layer.
層間の絶縁層に発生する虞のあるイオンマイグレ−ションを防止可能な可撓性多層回路基板を提供する。 - 特許庁 - A slurry solution containing a functional material (62a) comprising palladium and aluminum oxide is applied to the surface of the interlayer (61).
中間層（61）の表面には、パラジウム及び酸化アルミニウムから成る機能性材料（62a）を含むスラリー液が塗布される。 - 特許庁 - To obtain an insulating film useful for an interlayer dielectric of a semiconductor device, and having a low dielectric constant and strong mechanical strength.
半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜を得る。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which has an interlayer film structure of low permittivity and where very accurate damascene wiring can be formed.
高精度なダマシン配線形成が可能で低誘電率の層間膜構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - Interlayer insulating films 330, 430, and 530 of silicon dioxide are formed by covering polycide gates 315, 335, 415, and 435.
ポリサイドゲート３１５，３３５，４１５，４３５を覆って二酸化珪素による層間絶縁膜３３０，４３０，５３０を形成する。 - 特許庁 - Then, the unreacted titanium film 14 is removed, and an interlayer insulation film 16 is piled up on the entire surface of the insulation film 11.
その後、未反応のチタン膜１４が除去され、絶縁膜１１の全面に層間絶縁膜１６が堆積される。 - 特許庁 - A silicon nitride film is formed between interlayer insulating films covering an upper surface of an element formed on a surface of a semiconductor layer.
半導体層の表面に形成された素子の上面を覆う層間絶縁膜の間にシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁 - The interlayer for laminated glass contains glass fine particles containing 0.1-10 wt.% CuO.
ＣｕＯを０．１〜１０重量％含有するガラス微粒子を含有することを特徴とする合わせガラス用中間膜。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
