「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 32 33 34 35 36 37 38 39 40 .... 128 129 次へ＞- The stacking of an interlayer insulating film between the first wiring and the second wiring reduces the parasitic capacitance.
第１配線と第２配線間に層間絶縁膜が積層されていることで寄生容量の低減が可能となる。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescent element with high interlayer adhesiveness and excellent durability, and to provide a method of manufacturing the same.
層間密着性が高く、耐久性に優れた有機電界発光素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Since reflected X-ray can be shielded by the interlayer conductor layers 6, the effect by the reflected X-ray can be suppressed.
層間導体層６により反射Ｘ線を遮蔽できるので、反射Ｘ線による影響を抑えることができる。 - 特許庁 - To provide a technique for reducing transmission loss in a transmission line using a composite film as an interlayer film.
層間膜としてコンポジット膜を用いた伝送線路において伝送損失を低減するための技術を提供する。 - 特許庁 - To achieve the dielectric breakdown of a TFT and an interlayer insulating film due to static electricity by suppressing an area to be small and at a low cost.
静電気によるＴＦＴ、層間絶縁膜の絶縁破壊を、面積を小さく抑え、かつ低コストで実現する。 - 特許庁 - To provide a circuit wiring board having an interlayer via with specially high reliability, and to provide a method of manufacturing the circuit wiring board.
特に高信頼性の層間導電ビアを有する回路配線基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A texture structure can be obtained by dry etching of a second interlayer dielectric 19 using the residue 20b as the mask.
この残渣２０ｂをマスクとして第２層間絶縁層１９をドライエッチングすることでテクスチャー構造を得ることができる。 - 特許庁 - The reflective layer 26 and the translucent pixel electrode 24 are formed on the upper layer side of the interlayer insulating film 23.
層間絶縁膜２３の上層側には反射層２６および透光性画素電極２４が形成されている。 - 特許庁 - To provide an interlayer adhesion promotor for a multilayer electroactive element containing at least one electroactive organic layer.
少なくとも１つの電気活性有機層を含む多層電気活性素子の層間の接着促進剤を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering system effective for depositing a metallic film free from voids in the insides of grooves and interlayer connecting holes.
溝や層間接続孔の内部にボイドのない金属膜を形成するのに有効なスパッタ装置を提供すること。 - 特許庁 - The lower conductivity plug is in contact with a phase transformation substance pattern provide on the lower interlayer insulating film.
前記下部導電性プラグは前記下部層間絶縁膜上に提供された相変化物質パターンと接触する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an interlayer insulating film that cause no dishing in a CMP of a damascene wiring technique.
ダマシン配線技術のＣＭＰ工程でディッシングが生じないような層間絶縁膜を製造する方法を与える。 - 特許庁 - Thereby, the formation of contact holes and the dispersion structure having irregularity on a interlayer film surface are realized from one sheet of photomask.
これにより一枚のフォトマスクでコンタクトホール形成と層間膜表面に凹凸を有する散乱構造とができる。 - 特許庁 - To provide a thin film transistor which does not cause an interlayer short circuit, disconnection, and the penetration of contaminants from the outside.
層間ショート、断線、及び外部からの汚染物質の進入等を起こさない薄膜トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁 - To improve connection reliability between a conductor layer and an interlayer connection member without making manufacturing processes complicated.
製造工程を複雑にすることなく導体層と層間接続部材との間の接続信頼性を向上させること。 - 特許庁 - The mica is preferably a swellable mica containing at least sodium ions or lithium ions as interlayer cations.
前記雲母が層間陽イオンとして少なくともナトリウムイオンあるいはリチウムイオンを含む膨潤性雲母であることが好ましい。 - 特許庁 - The interlayer film between the pixel electrode layer and the common electrode layer is selectively removed so that an opening is formed.
画素電極層と共通電極層との間の層間膜は選択的に除去されて開口が形成されている。 - 特許庁 - The step of wet-etching forms a recess 13 on a surface of the interlayer insulating film 11 on a gate electrode 8.
前記ウエットエッチングの工程で、リセス１３がゲート電極８上の前記層間絶縁膜１１の表面に形成される。 - 特許庁 - The interlayer insulating film IL is provided on the semiconductor substrate SB so as to bury the Cu wiring WR in the film IL.
層間絶縁膜ＩＬはＣｕ配線ＷＲを埋め込むように半導体基板ＳＢ上に設けられている。 - 特許庁 - Further, the element 39 includes a plurality of electric connections 35 between the terminal of the chip and the bond pad 351 on the interlayer.
素子３９は、更に、チップの端子と介在層上のボンド・パッド３５１との間に複数の電気接続部３５を含む。 - 特許庁 - Grooves (4a) are dug in this first interlayer insulating film in the regions going to be formed with data lines (6a).
この平坦化された第１層間絶縁膜に対し、データ線（６ａ）を形成する予定の領域に溝（４ａ）を掘る。 - 特許庁 - To obtain a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit which can readily flatten an interlayer insulating film.
層間絶縁膜の平坦化を容易に行うことを可能とする半導体集積回路装置の製造方法を得る。 - 特許庁 - To retain an interlayer separation function between a subgrade and a cushion layer for a long time while keeping necessary water permeability.
必要な透水性を有しつつも、路盤材とクッション層との層間分離機能を長期間にわたって維持する。 - 特許庁 - Each of the product chips and the dummy chips includes a gate insulation film, a gate electrode, an interlayer insulation film and a contact hole.
また、ダミーチップ及び製品チップそれぞれは、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜及びコンタクトホールを有している。 - 特許庁 - Then, an anti-diffusion insulation film 107 and an interlayer insulation film 108 are sequentially deposited on the insulation film 102.
次に、絶縁膜１０２の上に、拡散防止絶縁膜１０７及び層間絶縁膜１０８を順次堆積する。 - 特許庁 - A second interlayer insulation film 22 and a protective film 32 are then formed on the silicon substrate to cover the fuse F entirely.
次に、このヒューズＦ全体を覆うようにシリコン基板上に第２層間絶縁膜２２及び保護膜３２を形成する。 - 特許庁 - RESIN COMPOSITION, RESIN FILM, COVER-LAY FILM, INTERLAYER ADHESIVE AGENT, METAL-CLAD LAMINATE, FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT BOARD, AND MULTILAYERED CIRCUIT BOARD
樹脂組成物、樹脂フィルム、カバーレイフィルム、層間接着剤、金属張積層板、フレキシブルプリント回路板および多層回路板。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a pad of excellent adhesion with an interlayer insulating layer, and to provide its manufacturing method.
層間絶縁層との密着性が優れたパッド部を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The element has an interlayer insulating film 6 between a pixel electrode 4 and a gate line 1, a source line 2 and a TFT 3.
ゲート配線１、ソース配線２、およびＴＦＴ３と、画素電極４との間に、層間絶縁膜６を備えてなる。 - 特許庁 - A manufacturing method of a wiring structure forms a nitride layer 111 by nitrifying an exposed surface of an interlayer insulating layer 102 of a wiring 105a.
配線１０５ａの層間絶縁膜１０２における露出面を窒化することで、窒化層１１１を形成する。 - 特許庁 - With a resist pattern 7b as a mask, the etching of the storage node interlayer insulating film 9 is performed to the stopper film 10.
レジストパターン７ｂをマスクとして、まず、ストレージノード層間絶縁膜９のエッチングをエッチングストッパ膜１０まで行う。 - 特許庁 - Also, as correction is performed with the interlayer power ratio α, power at the time of shift to the layer 2 can be set to an appropriate value.
また、層間パワー比率αにて補正を掛けるため、レイヤー２移行時のパワーを適正値に設定することができる。 - 特許庁 - A direct Si nitride film 109 is formed so as to cover the PMOS, and an interlayer insulating film of SiO2 is formed on the film 109.
このＰＭＯＳを覆うように直接Ｓｉ窒化膜１０９、その上にＳｉＯ_２の層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - An etching-stop film 106a and a hard mask pattern are formed on the first interlayer insulating film and the contact plugs.
第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上部にエッチング停止膜１０６ａ及びハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁 - ETHYLENE-VINYL ACETATE COPOLYMER RESIN COMPOSITION, INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS COMPRISING THE COMPOSITION, AND LAMINATED GLASS USING THE SAME
エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂組成物、それからなる合わせガラス用中間膜及びそれを用いた合わせガラス - 特許庁 - The interlayer 2 for a laminated glass includes a thermoplastic resin, a tungsten oxide particle, and an antioxidant.
本発明に係る合わせガラス用中間膜２は、熱可塑性樹脂と、酸化タングステン粒子と、酸化防止剤とを含む。 - 特許庁 - This interlayer connecting member 10 of a multilayer printed wiring board 30 includes a plurality of layers of circuit patterns and electrodes 28, 38.
複数層の回路パターンや電極２８，３８を備えた多層プリント配線板３０の層間接続部材１０である。 - 特許庁 - The interlayer paper 2 is dropped into the magazine 3, and picked up by a recovery head 13 and recovered to a recovery section 7.
層間紙２の場合はこれをマガジン３に落下させ、回収ヘッド１３でピックアップして回収部７に回収する。 - 特許庁 - The interlayer compound is composed in such a manner that a functional organic compound is interposed between the layers in the reformed layer-like clay mineral.
層間化合物は、改質層状粘土鉱物の層間に機能性有機化合物が介在して構成される。 - 特許庁 - To eliminate a malfunction caused by cracks starting from an interlayer insulating film at the timing of bonding.
ボンディングする際の層間絶縁膜を起点としたクラックの発生による不具合を解消することができるようにする。 - 特許庁 - Next, capacitance elements 110 to 115 using the ferrodielectric material film 114 are formed on the second interlayer insulation film.
次に、第２の層間絶縁膜上に強誘電体膜１１４を用いた容量素子１１０〜１１５を形成する。 - 特許庁 - To provide an interlayer connecting device which ensures electrical connection between layers and, in which a substrate can be worked in a short time.
層間接続装置において、層間の電気的な接続を確実にするとともに、基板加工を短時間で実行する。 - 特許庁 - Next, a contact hole 70 is provided to be passed through a laminate 65 of the silicon oxide film, the silicon nitride film, and the interlayer insulating film.
次に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び層間絶縁膜の積層体６５を貫通するコンタクトホール７０を設ける。 - 特許庁 - A first conductive film 23A and a second conductive film 23B which are laminated through an interlayer insulating layer 22 are formed.
層間絶縁層２２を介して積層された第１の導電膜２３Ａおよび第２の導電膜２３Ｂを設ける。 - 特許庁 - The adhesion layer folded inward and fixed in a folded state by interlayer adhesion without being exposed to the outside.
また、接着層が内部に折り込まれ外部に露出せず層間接着により折り重ねた状態で固定される。 - 特許庁 - To provide a gas-barrier film which has high interlayer adhesion and is excellent in gas-barrier properties and a method for producing the same.
層間の密着力が高く、ガスバリア性能が優れたガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To make a signal wave form of reflecting light of an alignment mark almost constant, despite the variation of the film thickness of a first interlayer film.
第１層間膜の膜厚のばらつきにかかわらず、アライメントマークの反射光の信号波形をほぼ一定にする。 - 特許庁 - To provide a low dielectric constant material suited to interlayer insulation films which improves the process time of signals.
信号の処理速度向上が得られる層間絶縁膜として好適な誘電率が小さな材料を提供する。 - 特許庁 - An automatic wiring part 3 specifically designs a wiring pattern increased in density by using as few interlayer connection path as possible.
自動配線部３は、高密度化された配線パターンを層間接続路を極力用いずに具体的に設計する。 - 特許庁 - The interlayer connection member is electrically connected to both the source region and the well tap region via the metal silicide layer.
層間接続部材は、金属シリサイド層を介して、ソース領域とウェルタップ領域との双方に電気的に接続される。 - 特許庁
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