「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 28 29 30 31 32 33 34 35 36 .... 128 129 次へ＞- To prevent a passivation film of a semiconductor chip and an interlayer insulating film of the lower layer of the same from being exfoliated and cracked.
半導体チップのパッシベーション膜やその下層の層間絶縁膜の剥がれやひび割れを防止すること。 - 特許庁 - The display element and the flat panel display device are provided with interlayer insulating films formed by the resin composition.
表示素子および平面表示装置は、当該樹脂組成物により形成された層間絶縁膜を備える。 - 特許庁 - To provide a nonwoven cloth having excellent tensile strength and modulus without inducing a moire pattern or interlayer peel off in tufting.
タフト時のモアレ模様や層間剥離がなく、引張強力、モジュラス強力に優れた不織布を提供する。 - 特許庁 - A base wiring 5 and an interlayer insulating film 6 are coated on each of the field oxide films 3 having the bird's beaks 4.
バーズビーク４を有するフィールド酸化膜３上にベース配線５及び層間絶縁膜６を被覆する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a multilayer ceramic substrate whose curvature can be suppressed while preventing interlayer peeling.
層間剥離を防止しつつ、反りを抑制することができる積層セラミック基板の製造方法等を供給する。 - 特許庁 - The wiring film 6 is buried in a first opening portion of an interlayer insulating film 4 formed on a cap film 3.
キャップ膜３上に形成される層間絶縁膜４の第１の開口部には、配線膜６が埋設される。 - 特許庁 - To provide a resin composition excellent in electric characteristics especially dielectric property of interlayer insulation layers, and to provide applications thereof.
層間絶縁材層の電気特性・特に誘電特性に優れる樹脂組成物とその用途を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for formation of wiring structure by which an interlayer insulating film having a low specific inductive capacity can be formed by adopting an ordinary resist process.
通常のレジストプロセスを採用して、比誘電率が低い層間絶縁膜を形成できるようにする。 - 特許庁 - POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, INTERLAYER DIELECTRIC, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、層間絶縁膜、有機ＥＬ表示装置、および液晶表示装置 - 特許庁 - To provide a tube for fuel having excellent alcohol and gasoline permeation preventing property, interlayer adhesiveness, and low temperature impact resistance.
アルコールガソリン透過防止性、層間接着性、低温耐衝撃性に優れた燃料用チューブを提供する。 - 特許庁 - A second wiring layer 21 making a continuity with the metal plug 18 is formed on the fifth interlayer insulating film 14.
第５の層間絶縁膜１４の上層に金属プラグ１８と導通する第２の配線層２１を形成する。 - 特許庁 - As a result, the electron beam having high energy is so projected on the interlayer insulation film as to shorten the time of the hardening of the wafer.
これによって，高エネルギーの電子線が層間絶縁膜に照射され，硬化処理時間が短縮される。 - 特許庁 - Each bus wiring 28 is buried to an interlayer dielectric 30 formed on the semiconductor-substrate chip 1.
各バス配線２８は、半導体基板チップ１の上に形成された層間絶縁膜３０に埋め込まれている。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 14 is formed after forming the wiring 16 and the TiN film 18 on the semiconductor substrate.
半導体基板上に配線１６とＴｉＮ膜１８を形成した後、層間絶縁膜１４を形成する。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR FORMING POROUS FILM, METHOD FOR PRODUCING POROUS FILM, POROUS FILM, INTERLAYER DIELECTRIC FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜及び半導体装置。 - 特許庁 - THICK NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH INTERLAYER STRUCTURE, AND METHOD OF FABRICATING THICK NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE
中間層構造を有する厚い窒化物半導体構造、及び厚い窒化物半導体構造を製造する方法 - 特許庁 - A first wiring 10 of aluminum is formed on the polysilicon film 6 through the intermediary of an interlayer insulating film 7.
ポリシリコン膜６上には層間絶縁膜７を介してアルミニウムよりなる第１の配線１０が形成される。 - 特許庁 - To provide a circuit board for restraining an interlayer peeling phenomenon at the peripheral section between dielectric layers.
誘電体層間の周辺部分における層間剥離現象を抑えることができる回路基板を提供する。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR FORMING POROUS FILM, MANUFACTURING METHOD OF POROUS FILM, POROUS FILM, INTERLAYER INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置 - 特許庁 - On the interlayer dielectric 2 and the wiring 3, an SiOC film 7 is formed along their surfaces.
層間絶縁膜２および配線３上には、それらの表面に沿ってＳｉＯＣ膜７が形成されている。 - 特許庁 - A via hole 3 connecting a Cu wiring 1 is formed in an interlayer insulation film 2 covering the Cu wiring 1.
Ｃｕ配線１を覆う層間絶縁膜２内に、Ｃｕ配線１に接続するビアホール３を形成する。 - 特許庁 - Fuse elements 2a, 2b of a damascene structure and a bonding pad 2c are formed within an interlayer insulating film 1.
層間絶縁膜１内にダマシン構造のヒューズ素子２ａ、２ｂ及びボンディングパッド２ｃが形成されている。 - 特許庁 - A contact plug 16B is formed at the interlayer insulating film 15A on the source region or the drain region.
ソース領域またはドレイン領域上の層間絶縁膜１５Ａ内にはコンタクトプラグ１６Ｂが形成されている。 - 特許庁 - After forming the interlayer dielectric film 4 on the lower-layer electrode 3a, an oxidation preventing film 5 is formed on the whole surface.
下層電極３ａ上に層間絶縁膜４を形成した後、酸化防止膜５を全面に形成する。 - 特許庁 - The windshield glass 14 is constituted of an outside glass sheet 16, an inside glass sheet 18, and an interlayer film 20.
ウインドシールドガラス１４は、外側ガラス板１６、内側ガラス板１８、中間膜２０によって構成されている。 - 特許庁 - On a disk-shaped substrate 1, a base layer 2, a soft backing layer 3 and an interlayer 4 are sequentially formed.
円盤状の基板１の上に、下地層２、軟磁性裏打ち層３及び中間層４を順次形成する。 - 特許庁 - A second trench extending to the interlayer insulating film 21, semiconductor layer 14, and an embedded layer 12 is formed thereafter.
その後、層間絶縁膜２１、半導体層１４及び埋め込み層１２に延びる第２のトレンチを形成する。 - 特許庁 - A contact region, i.e., a diffusion layer 13, is formed beneath an interlayer insulation film 12 formed on a substrate 11.
基板１１上の層間絶縁膜１２下層にコンタクト領域である拡散層１３が形成されている。 - 特許庁 - To provide a low dielectric constant porous silica-based film having high mechanical strength and useful for interlayer insulating films.
機械的強度の高い、層間絶縁膜に有用な低誘電率多孔質シリカ質膜を提供すること。 - 特許庁 - These steps are repeated for manufacturing the multilayer printed board having via holes for interlayer connection.
この工程をくり返すことを特徴とする、層間接続バイア・ホールを有する多層プリント基板の製造方法。 - 特許庁 - RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR SPACER UNITED WITH COLOR FILTER PROTECTION FILM OR TFT INTERLAYER INSULATION FILM
カラーフィルター保護膜またはＴＦＴ層間絶縁膜と一体となったスペーサー用感放射線性樹脂組成物 - 特許庁 - Consequently, the conductor 5 is manufactured which has necessary strength as a conductor for interlayer connection.
これにより、層間接続用導電体として必要な強度を備えた導電体５を製造することができる。 - 特許庁 - The intra-film atom density of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the intra-film atom density of the interlayer silicon nitride film 26.
ゲート窒化シリコン膜16の膜中原子密度を層間窒化シリコン膜26の膜中原子密度より高くする。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR FORMING POROUS FILM, METHOD FOR PRODUCING POROUS FILM, POROUS FILM, INTERLAYER DIELECTRIC FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜及び半導体装置 - 特許庁 - A hole 21 is formed that penetrates an interlayer insulating layer 20 and reaches the polycide pattern 18 and the connection region.
層間の絶縁膜２０を貫通しポリサイドパターン１８及び接続領域に到達するホール２１を形成する。 - 特許庁 - The CMOS image element has a interlayer insulating film formed on a semiconductor substrate having a photodiode region.
ＣＭＯＳイメージ素子は、フォトダイオード領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜が形成される。 - 特許庁 - As a liquid to be added to the bentonite based material, interlayer cation-containing water can be used in place of water.
また、ベントナイト系材料に添加する液体として、水に代えて、層間陽イオン含有水を用いることもできる。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a silicon substrate 1, a titanium nitride film 15, a titanium nitride film 16 and an interlayer insulating film 20.
半導体装置は、シリコン基板１と、チタンナイトライド膜１５および１６と、層間絶縁膜２０とを備える。 - 特許庁 - A semiconductor substrate 200 is formed and an interlayer insulating film 204 is formed on the semiconductor substrate 200.
半導体基板２００及び、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜２０４が形成される。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 11, having a contact hole 11a, is formed on a silicon semiconductor substrate 10.
シリコンからなる半導体基板１０の上に、コンタクトホール１１ａを有する層間絶縁膜１１を形成する。 - 特許庁 - Then, on-metal wiring 54 connected with the metallic pole 51 is selectively formed on the interlayer insulating film 7.
次に、金属柱５１と接続する金属上配線５４を層間絶縁膜７上に選択的に形成する。 - 特許庁 - INTERLAYER INSULATING FILM MADE OF LOW DIELECTRIC CONSTANT BORAZINE-SILICON BASED POLYMER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE CONSTITUTED OF THE SAME
低誘電率ボラジン−ケイ素系高分子からなる層間絶縁膜及びこれにより構成された半導体装置 - 特許庁 - Following to the formation of an interlayer insulation film 18 and respective electrodes, a silicon nitride film is formed as a protective insulation film 22.
層間絶縁膜１８および各電極を形成後、窒化シリコン膜を形成して保護絶縁膜２２とする。 - 特許庁 - To provide an interlayer for laminated glass excellent in transparency, adhesiveness to glass and wet-heat resistance; and laminated glass.
透明性、ガラス接着性、耐湿熱性に優れた合わせガラス用中間膜、及び合わせガラスを提供する。 - 特許庁 - Wirings connected to the capacitor electrodes are formed on the interlayer insulating film through the contact holes.
そして、コンタクトホールを介してキャパシタ電極に接続された配線が層間絶縁膜上に形成されている。 - 特許庁 - An interlayer dielectric can be selected to enhance defect resistance and mechanical strength during fabrication of a device.
層間誘電体は、装置製造中の欠陥耐性および機械強度を向上させるように選ぶことができる。 - 特許庁 - Next, the interlayer insulation layer is etched by a plasma containing an etching gas made mainly of ammonia gas.
次に、層間絶縁膜に対して、アンモニアガスを主成分とするエッチングガスからなるプラズマによってエッチングを行なう。 - 特許庁 - Another pair, which is the same as this is prepared and laminated by hot press across an interlayer insulating layer 10.
そして，これと同じものをもう１組用意し，層間絶縁層１０を間に挟んでホットプレスにより積層する。 - 特許庁 - To produce a superconducting member having an interlayer excellent in crystal orienting properties and excellent in superconducting characteristics.
結晶配向性に優れた中間層を有し、超電導特性に優れた超電導部材を提供する。 - 特許庁 - To simply and reliably achieve interlayer connection in a built-in electronic component substrate incorporating a semiconductor bare chip IC.
半導体ベアチップＩＣを内蔵する電子部品内蔵基板の層間接続を簡易かつ高信頼性化を図る。 - 特許庁
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